DT451N
N沟道增强模式
场效应晶体管
特点
·
·
·
·
·
高密度DMOS技术
低通态电阻
高功率和电流能力
开关速度快
高瞬态公差
SOT-223
暗淡
A
B
民
6.30
2.90
6.71
3.30
2.22
0.92
1.10
1.55
0.025
0.66
4.55
—
10°
0.254
10°
最大
6.71
3.10
7.29
3.71
2.35
1.00
1.30
1.80
0.102
0.79
4.70
10°
16°
0.356
16°
A
B
C
D
E
D
C D
G
E
J
K
D
S
G
H
G
P
R
S
H
J
K
L
M
N
P
R
S
L
M
N
机械数据
·
·
SOT- 223塑料外壳
终端连接：见外形图
而内部电路框图以上
尺寸：mm
最大额定值
漏源电压
栅源电压
漏电流
最大功率耗散
25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
注1A连续
脉冲
注1A
注1B
注1C
I
D
P
d
T
j
, T
英镑
价值
30
±20
±5.5
±25
3.0
1.3
1.1
-65到+150
单位
V
V
A
W
°C
特征
工作和存储温度范围
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
注1
符号
R
qJA
R
QJC
价值
42
12
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
1. R
qJA
是的总和的结点至外壳和外壳到环境，其中热的情况下引用定义为热敏电阻
的漏极引脚的焊锡安装表面。
QJC
由设计而
QCA
是通过用户的电路板的设计来确定。
1A 。随着1
2
盎司2盎司铜安装垫
qJA
= 42 ° C / W 。
1B 。在0.0066
2
盎司2盎司铜安装垫
qJA
= 95 ° C / W 。
1C 。在0.0123
2
盎司2盎司铜安装垫
qJA
= 110 ° C / W 。
DS11607版本C - 4
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DT451N
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