【DT451ANN沟道增强模式场效应晶体管特点·····高密度DMOS技术低通态电阻高功率和电流能力开】,IC型号DT451AN,DT451AN PDF资料,DT451AN经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13692101218

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第185页 > DT451AN

DT451AN

N沟道增强模式

场效应晶体管

特点

·

·

·

·

·

高密度DMOS技术

低通态电阻

高功率和电流能力

开关速度快

高瞬态公差

SOT-223

A

B

暗淡

A

B

C

D

E

民

6.30

2.90

6.71

3.30

2.22

0.92

1.10

1.55

0.025

0.66

4.55

—

10°

0.254

10°

最大

6.71

3.10

7.29

3.71

2.35

1.00

1.30

1.80

0.102

0.79

4.70

10°

16°

0.356

16°

D

C D

G

E

D

S

G

H

G

P

R

S

H

J

K

L

M

N

P

R

S

J

K

L

M

N

机械数据

·

·

SOT- 223塑料外壳

终端连接：见外形图

而内部电路框图以上

25 ° C除非另有说明

符号

V

DSS

V

GSS

连续

脉冲

注1A

注1B

注1C

I

D

P

d

T

j

, T

英镑

价值

30

±20

±7.2

±25

3.0

1.3

1.1

-65到+150

尺寸：mm

最大额定值

漏源电压

栅源电压

漏电流

最大功率耗散

特征

单位

V

V

A

W

°C

工作和存储温度范围

热特性

特征

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

注1

符号

R

qJA

R

QJC

价值

42

12

单位

° C / W

° C / W

注意事项：

1. R

qJA

是的总和的结点至外壳和外壳到环境，其中热的情况下引用定义为热敏电阻

的漏极引脚的焊锡安装表面。

QJC

由设计而

QCA

是通过用户的电路板的设计来确定。

1A 。随着1

2

盎司2盎司铜安装垫

qJA

= 42 ° C / W 。

1B 。在0.0066

2

盎司2盎司铜安装垫

qJA

= 95 ° C / W 。

1C 。在0.0123

2

盎司2盎司铜安装垫

qJA

= 110 ° C / W 。

DS11606版本C - 4

1 4

DS451AN

电气特性

25 ° C除非另有说明

特征

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

T

j

= 55°C

门体泄漏，正向

门体泄漏，反向

基本特征（注2 ）

栅极阈值电压

T

j

= 125°C

静态漏源导通电阻

R

DS （ ON）

T

j

= 125°C

通态漏电流

正向跨导

动态CHACTERISTICS

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

720

370

250

12

13

29

10

19

2.3

5.5

—

—

—

20

30

50

20

30

—

—

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

V

DS

= 10V ，我

D

= 3.0A.

V

GS

= 10V

V

DD

= 10V ，我

D

= 1.0A

V

根

= 10V ，R

根

= 6.0W

V

DS

= 15V, V

GS

= 0V

F = 1.0MHz的

I

D（上）

g

FS

25

15

—

—

V

GS （ TH）

-1.0

-0.7

1.6

1.2

0.030

0.042

0.042

0.058

—

11

3.0

2.2

0.035

0.070

0.055

0.100

—

—

V

VDS = V

GS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 7.2A

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 6.0A

V

GS

= 10V, V

DS

= 5.0V

V

GS

= 4.5V, V

DS

= 5.0V

V

DS

= 10V ，我

D

= 7.2A

BV

DSS

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

30

—

—

—

—

—

—

—

—

1.0

10

100

-100

V

A

nA

nA

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

VDS = 24V ，V

GS

= 0V

V

GS

= 20V, V

DS

= 0V

V

GS

= 20V, V

DS

= 0V

符号

民

典型值

最大

单位

测试条件

W

A

m

开关特性（注2 ）

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管

I

S

—

—

正向电流

漏源二极管的正向电压

反向恢复时间

注意事项：

V

SD

t

rr

—

—

0.9

—

2.3

1.3

100

A

V

ns

V

GS

= 0V时，我

S

= 7.2A （注2）

V

GS

= 0V时，我

F

= 1.25A

dI

p

/ DT = 100A / μs的

2.脉冲测试：脉冲宽度

l

300μS ，占空比

l

2.0%.

DS11606版本C - 4

2 4

DS451AN

R

DS （ ON）

归一漏极 - 源极导通电阻

25

V

GS

= 10V

I

D

，漏SORCE电流（A）

6.0

5.0

4.5

4.0

3.0

V

GS

= 3.0V

3.5

20

2.5

4.0

15

3.5

2.0

4.5

10

1.5

5.0

6.0

5

3.0

1.0

10

0

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

V

DS

，漏源电压（V ）

图。 1 ，在区域特征

0.5

4.0

0

5

10

15

20

25

I

D

，漏电流（ A）

图。 2 ，导通电阻与栅极电压和漏极电流

R

DS （ ON）

归一漏极 - 源极导通电阻

1.6

I

D

= 7.2A

V

GS

= 10V

25

V

DS

= 10V

T

J

= -55 C

125 C

I

D

，漏电流（ A）

1.4

20

25 C

1.2

15

1.0

10

0.8

5

0.6

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

0

1

2

3

4

5

6

T

j

，结温（ C）

图。 3 ，导通电阻与温度

V

GS

，门源电压（ V）

图。 4 ，传输特性

DS11606版本C - 4

3 4

DS451AN

30

10

R

DS

I

LIM

T

10

1m

10

m

s

s

s

0

s

(O

N)

I

D

，漏电流（ A）

10

0m

1

10

s

dc

1s

0.1

V

GS

= 10V

单脉冲

R

qJA

= 42 C

T

A

= 25 C

0.01

0.1

1

10

50

VDS ，漏极 - 源极电压（ V）

图。 5 ，最大安全工作区

1.0

D = 0.5

R（T ），规范有效

瞬态热阻

0.2

0.1

0.1

0.05

0.02

0.01

P

（ PK）

R

qJA

（ T） = R（T ） B R

qJA

R

qJA

=见注释1℃

0.01

单脉冲

t

1

t

2

T

J

- T

A

= P

PK

B R

qJA

(t)

占空比D = T

1

/t

2

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1.0

10

100

1000

3000

t

1

，方波脉冲持续时间（秒）

图。 6 ，典型归瞬态热阻抗曲线

DS11606版本C - 4

4 4

DS451AN

查看更多DT451ANPDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

DT451AN

-

-

-

-

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

DT451AN

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

源辰芯科技（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1076493713 复制

点击这里给我发消息

QQ：173779730 复制

电话：0755-82170267

联系人：李经理

地址：深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210

DT451AN

DEIODS

22+

46206

SOT-223

有挂就有货支持订货.备货

北京人上科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

DT451AN

√ 欧美㊣品

▲10/11+

8497

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

北京显周科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

DT451AN

√ 欧美㊣品

▲10/11+

10279

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

北京首天伟业科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1584878981 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：刘经理

地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

DT451AN

DEIODS

21+

23000

SOT-223

全新原装正品/质量有保证

查询更多DT451AN供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！