【DST847BDJ双NPN小信号表面贴装晶体管特点外延平面片建设非常适合于自动装配程序铅，卤素和无锑】,IC型号DST847BDJ-7,DST847BDJ-7 PDF资料,DST847BDJ-7经销商,ic,电子元器件-51电子网

DST847BDJ

双NPN小信号表面贴装晶体管

特点

外延平面片建设

非常适合于自动装配程序

铅，卤素和无锑，符合RoHS （注1 ）

“绿色”设备（注2 ）

超小型封装

机械数据

案例： SOT- 963

外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。

UL可燃性分类额定值94V- 0

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

码头：完成

雾锡比退火铜引线框架。

每MIL -STD- 202方法208

重量： 0.0027克（近似值）

SOT-963

顶视图

设备原理图

订购信息

设备

DST847BDJ-7

注意事项：

包装

SOT-963

航运

万/磁带&卷轴

1.没有故意添加铅。卤素和无锑。

2.二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com

标识信息

TA =产品型号标识代码

DST847BDJ

文件编号： DS32035修订版1 - 2

1 5

www.diodes.com

2010年1月

Diodes公司

DST847BDJ

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明

符号

CBO

首席执行官

EBO

价值

6.0

100

单位

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 - （注3 ）

热特性

特征

功率耗散（注3 ）

热阻，结到环境（注3 ）

工作和存储温度范围

注意事项：

3.设备安装在FR- 4 PCB板的最低推荐焊盘布局。

符号

, T

英镑

价值

300

417

-55到+150

单位

° C / W

°C

R（T ），瞬态热阻

D = 0.7

D = 0.5

D = 0.3

0.1

D = 0.1

D = 0.9

D = 0.05

θJA

（吨） = R （t）的R *

= 370 ° C / W

P（ PK）

D = 0.01

D = 0.005

D = 0.02

0.01

- T

= P * R

(t)

占空比D = T

D =单脉冲

0.001

0.000001 0.00001 0.0001

0.001

0.01

0.1

，脉冲持续时间（s ）

图。 1瞬态热响应

0.4

100

1,000

10,000

1,000

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

单脉冲

，功耗（ W）

100

θJA

（吨） = R （t）的R *

= 370 ° C / W

- T

= P * R

(t)

占空比D = T

0.3

注3

0.2

0.1

0.00001

0.001

0.1

1,000

，脉冲持续时间（s ）

图。 2单脉冲最大功率耗散

80 100 120 140 160

，环境温度（

图。 3功耗与环境温度

DST847BDJ

文件编号： DS32035修订版1 - 2

2 5

www.diodes.com

2010年1月

Diodes公司

DST847BDJ

电气特性

特性（注4 ）

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 基极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压

电流增益带宽积

集电极 - 基极电容

注意事项：

= 25 ° C除非另有说明

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CES

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

BE（上）

CBO

580

100

200

220

300

122

760

880

650

725

170

1.5

民

典型

150

8.35

470

125

300

1000

1100

750

800

最大

单位

测试条件

= 10μA ，我

= 0

= 10μA ，我

= 0

= 1mA时，我

= 0

= 1μA ，我

= 0

= 30V

= 10μA ，V

= 5V

= 2.0毫安，V

= 5V

= 10毫安，我

- 0.5毫安

= 100mA时我

= 5.0毫安

= 10毫安，我

- 0.5毫安

= 100mA时我

= 5.0毫安

= 2.0毫安，V

= 5V

= 10毫安，V

= 5V

= 5V ，我

= 10毫安，

兆赫

F = 100MHz的

pF的V

= 10V ， F = 1.0MHz的

4.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。

0.16

= 1.8毫安

= 2毫安

450

400

350

，直流电流增益

= 150°C

= 100°C

= 5V

0.14

，集电极电流（ A）

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

0.02

= 1.6毫安

= 1.4毫安

= 1.2毫安

= 1毫安

- 0.8毫安

- 0.6毫安

= 0.4毫安

300

250

200

150

100

= -55°C

= 25°C

= 0.2毫安

，集电极 - 发射极电压（ V）

图。 4典型集电极电流

与集电极 - 发射极电压

100

，集电极电流（毫安）

图。 5典型的DC电流增益与集电极电流

DST847BDJ

文件编号： DS32035修订版1 - 2

3 5

www.diodes.com

2010年1月

Diodes公司

DST847BDJ

0.20

0.18

CE （ SAT ）

，集电极 - 发射极

饱和电压（ V）

0.16

0.14

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

0.02

100

，集电极电流（毫安）

图。 6典型的集电极 - 发射极饱和电压

与集电极电流

= -55°C

= 150°C

= 100°C

= 10

CE （ SAT ）

，集电极 - 发射极

饱和电压（ V）

0.1

= 100

= 50

= 20

= 10

= 25°C

0.01

100

，集电极电流（毫安）

图。 7典型的集电极 - 发射极饱和电压

与集电极电流

BE （ SAT ）

，基射极饱和电压（ V）

BE（上）

，基极发射极导通电压（V ）

1.0

= 5V

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

= 25°C

= -55°C

0.9

0.8

0.7

= 25°C

= -55°C

0.6

0.5

0.4

0.3

100

，集电极电流（毫安）

图。 8典型的基射极导通电压

与集电极电流

= 100°C

0.6

0.5

0.4

0.3

100

，集电极电流（毫安）

图。 9典型的基射极饱和电压

与集电极电流

= 100°C

= 150°C

包装外形尺寸

B（ 6位）

SOT-963

DIM MIN

MAX TYP

0.40

0.50 0.45

0.05

0.120 0.180 0.150

0.95

1.05 1.00

0.95

1.05 1.00

0.75

0.85 0.80

0.05

0.15 0.10

0.10

0.20 0.15

0.35 TYP

0.70 TYP

尺寸：mm

DST847BDJ

文件编号： DS32035修订版1 - 2

4 5

www.diodes.com

2010年1月

Diodes公司

DST847BDJ

推荐焊盘布局

尺寸值（单位：mm）

0.350

0.200

1.100

Y（ 6X ）

X (6X)

重要通知

Diodes公司不做任何明示不作出任何保证或暗示保证，提供有关这一文件，

包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途

（及其任何司法管辖范围内的法律等效）。

Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利

恕不另行通知本文档以及此处所述的任何产品。 Diodes公司不承担因的任何法律责任

应用程序或使用本文件或本文所述的任何产品;同样没有Diodes公司在其专利的任何许可或

商标专用权，也没有他人的权利。本文档或产品在此类应用本文所述的任何客户或用户承担

这种使用的一切风险，并同意举行Diodes公司，其产品有代表Diodes公司所有公司

网站上，反对一切损害无害。

Diodes公司不担保或任何接受任何通过非授权渠道购买的任何产品的任何责任。

如果客户购买或使用Diodes公司的产品对任何意外或未经授权的应用程序，客户应保障

举行Diodes Incorporated及其代表的所有索赔，损失，费用和律师直接或引起的，收费无害

间接的，人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的应用程序相关联。

本文描述的产品可能受一个或多个美国，国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识

注意到这里也可以覆盖一个或多个美国，国际或外国商标。

生命支持

Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件

Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用：

A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：

1.旨在植入到体内，或

2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明

标签可以合理预期造成显著伤害到用户。

B.关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件

该

生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。

客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并

承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何

使用Diodes公司产品在此类关键安全，生命支持设备或系统，即使有任何器件 - 或系统相关的

信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其

代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。

www.diodes.com

DST847BDJ

文件编号： DS32035修订版1 - 2

www.diodes.com

2010年1月

Diodes公司