DST3904DJ
双40V NPN表面贴装晶体管
特点
V
首席执行官
= 40V
I
C
= 200毫安
外延平面片建设
非常适合于自动装配程序
铅，卤素和无锑，符合RoHS （注1 ）
“绿色”设备（注2 ）
超小型封装
机械数据
案例： SOT- 963
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成
雾锡比退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
重量： 0.0027克（近似值）
新产品
SOT-963
顶视图
设备原理图
订购信息
设备
DST3904DJ-7
注意事项：
包装
SOT-963
航运
万/磁带&卷轴
1.没有故意添加铅。卤素和无锑。
2.二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com
标识信息
T8
T8 =产品型号标识代码
DST3904DJ
文件编号： DS32038修订版2 - 2
1 6
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2010年4月
Diodes公司
DST3904DJ
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
价值
60
40
6.0
200
单位
V
V
V
mA
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 - （注3 ）
新产品
热特性
特征
功率耗散（注3 ）
热阻，结到环境（注3 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
3.设备安装在FR- 4 PCB板的最低推荐焊盘布局。
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
300
417
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
1
R（T ） ，瞬态热阻
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.9
D = 0.05
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 370 ° C / W
P（ PK）
D = 0.02
t
1
0.01
D = 0.01
D = 0.005
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
D =单脉冲
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，脉冲持续时间（s ）
图。 1瞬态热响应
0.4
10
100
1,000
1,000
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
100
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 370 ° C / W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
P
D
，功耗（ W）
单脉冲
0.3
注3
10
0.2
1
0.1
0.1
0.00001
0.001
0.1
10
1,000
t
1
，脉冲持续时间（s ）
图。 2单脉冲最大功率耗散
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
A
，环境温度（
°
C)
图。 3功耗与环境温度
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DST3904DJ
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
BL
民
60
40
6.0
40
70
100
60
30
0.65
1.0
0.5
100
1.0
300
最大
50
50
300
0.20
0.30
0.85
0.95
4.0
8.5
10
8.0
400
40
35
35
200
50
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 30V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
V
CE
= 30V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
I
C
= 100μA ，V
CE
= 1.0V
I
C
= 1.0毫安，V
CE
= 1.0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 1.0V
I
C
= 50mA时V
CE
= 1.0V
I
C
= 100mA时V
CE
= 1.0V
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
V
CB
= 5.0V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
EB
= 0.5V ， F = 1.0MHz的，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 1.0毫安，
F = 1.0kHz
V
CE
= 20V ，我
C
= 10毫安，
F = 100MHz的
V
CC
= 3.0V ，我
C
= 10毫安，
V
BE （OFF）的
= - 0.5V ，我
B1
= 1.0毫安
V
CC
= 3.0V ，我
C
= 10毫安，
I
B1
= I
B2
= 1.0毫安
新产品
特征
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征
（注4 ）
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
注意事项：
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
t
d
t
r
t
s
t
f
V
V
pF
pF
kΩ
-4
x 10
μS
兆赫
ns
ns
ns
ns
脉冲条件下测得的4 。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
0.14
I
B
= 2毫安
400
I
B
= 1.6毫安
I
B
= 1.4毫安
I
B
= 1.2毫安
I
B
= 1毫安
I
B
= 1.8毫安
T
A
= 150°C
V
CE
= 5V
0.12
I
C
，集电极电流（ A）
0.10
0.08
0.06
h
FE
，直流电流增益
300
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
I
B
- 0.8毫安
I
B
- 0.6毫安
I
B
= 0.4毫安
200
T
A
= 25°C
0.04
I
B
= 0.2毫安
100
T
A
= -55°C
0.02
0
0
0.1
0
1
2
3
4
5
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图。 4典型集电极电流
与集电极 - 发射极电压
1
10
100
1,000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 5典型的DC电流增益与集电极电流
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3 6
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