DSS5240V
低V
CE （ SAT ）
PNP表面贴装晶体管
特点
外延平面片建设
互补NPN类型可用（ DSS4240V ）
低集电极 - 发射极饱和电压，V
CE （ SAT ）
表面贴装封装适用于自动化大会
超小型表面贴装封装
无铅/符合RoHS （注1 ）
"Green Device" （注2）
机械数据
案例： SOT- 563
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。 UL
可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
码头：完成
雾锡比退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
标识信息：请参阅第4页
订购信息：见第4页
重量：0.003克数（近似值）
新产品
1, 2, 5, 6
3
4
顶视图
底部视图
设备原理图
6
5
4
1
2
3
引脚输出配置
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CRP
I
CM
I
B
I
BM
价值
-40
-40
-5
-1.8
-2
-3
-300
-1
单位
V
V
V
A
A
A
mA
A
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
重复峰值集电极电流（注3 ）
峰值脉冲集电极电流
基极电流（DC）的
峰值电流基地
热特性
特征
功率耗散（注4 ） @ T
A
= 25°C
热阻，结到环境（注4 ） @ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
注意事项：
1.
2.
3.
4.
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
600
208
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
没有故意添加铅。
二极管公司的“绿色”政策，可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
脉冲条件下操作：占空比
≤
20％时，脉冲宽度TP
≤
30ms.
设备安装在FR- 4 PCB板的最低推荐焊盘布局。
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DSS5240V
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
民
-40
-40
-5
300
300
250
160
50
150
典型值
60
20
40
167
140
27
最大
-100
-50
-100
-100
800
-120
-145
-250
-530
250
-1.1
-1
15
单位
V
V
V
nA
μA
nA
nA
测试条件
I
C
= -100μA ，我
E
= 0
I
C
= -10mA ，我
B
= 0
I
E
= -100μA ，我
C
= 0
V
CB
= -40V ，我
E
= 0
V
CB
= -40V ，我
E
= 0, T
A
= 150°C
V
CE
= -40V, V
BE
= 0
V
EB
= -5V ，我
C
= 0
V
CE
= -5V ，我
C
= -1mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -100mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -500mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -1A
V
CE
= -5V ，我
C
= -2A
I
C
= -100mA ，我
B
= -1mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
I
C
= -1A ，我
B
= -100mA
I
C
= -2A ，我
B
= -200mA
I
C
= -1A ，我
B
= -100mA
I
C
= -1A ，我
B
= -100mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -1A
V
CB
= -10V ， F = 1.0MHz的
V
CE
= -10V ，我
C
= -50mA ， F = 100MHz的
特征
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压（注5 ）
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征（注5 ）
新产品
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电阻
基射极饱和电压
基极 - 发射极导通电压
小信号特性
输出电容
电流增益带宽积
开关特性
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
注意事项：
V
CE （ SAT ）
R
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
C
敖包
f
T
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
mV
m
V
V
pF
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
= -10V
I
C
= -1A ，我
B1
= I
B2
= -50mA
脉冲条件下5.测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%.
600
500
10
PW = 1毫秒
P
D
，功耗（毫瓦）
-I
C
，集电极电流（ A）
1
PW = 10毫秒
400
300
0.1
PW = 100毫秒
DC
200
0.01
100
0
R
θJA
= 208 ° C / W
0
0.001
25
50
75
100
125
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1功耗对比
环境温度（注4 ）
150
0.1
1
10
100
-V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图。 2典型的集电极电流
与集电极 - 发射极电压（注4 ）
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DSS5240V
1
R（T ） ，瞬态热阻
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 158 ° C / W
P（ PK）
D = 0.01
D = 0.005
D = 0.9
D = 0.02
新产品
0.01
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
D =单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
，脉冲持续时间（s ）
图。 8瞬态热响应（注4 ）
100
1,000
10,000
订购信息
产品型号
DSS5240V-7
注意事项：
（注6 ）
例
SOT-563
包装
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
ZP8 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： V = 2008）
M =月（例如： 9 =九月）
ZP8
YM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2008
V
JAN
1
FEB
2
2009
W
MAR
3
2010
X
APR
4
五月
5
2011
Y
JUN
6
2012
Z
JUL
7
八月
8
2013
A
SEP
9
2014
B
十月
O
NOV
N
2015
C
DEC
D
包装外形尺寸
A
B
C
D
G
K
M
SOT-563
DIM MIN
最大
典型值
A
0.15 0.30 0.20
B
1.10 1.25 1.20
C
1.55 1.70 1.60
D
-
-
0.50
G
0.90 1.10 1.00
H
1.50 1.70 1.60
K
0.55 0.60 0.60
L
0.10 0.30 0.20
M
0.10 0.18 0.11
尺寸：mm
H
L
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DSS5240V
拟议的焊盘布局
C2
C2
Z
G
C1
新产品
Y
X
尺寸值（单位：mm）
Z
2.2
G
1.2
X
0.375
Y
0.5
C1
1.7
C2
0.5
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
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反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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