添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第535页 > DSS2515M
DSS2515M
15V低V
CE （ SAT ）
NPN表面贴装晶体管
特点
低集电极 - 发射极饱和电压，V
CE （ SAT ）
超小型无引脚表面贴装封装
ESD HBM SKV MM 400V
互补PNP类型可用（ DSS3515M ）
“无铅” ，符合RoHS （注1 ）
卤素和无锑。 "Green"设备（注2 ）
机械数据
案例： DFN1006-3
外壳材料：模压塑料， "Green"模塑料。 UL
可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成
镍钯金比铜引线框架。可焊
每MIL -STD- 202方法208
重量： 0.0009克（近似值）
DFN1006-3
C
B
B
C
E
E
底部视图
设备符号
顶视图
设备原理图
订购信息
（注3）
产品
DSS2515M-7
DSS2515M-7B
注意事项：
记号
TA
TA
卷尺寸（英寸）
7
7
胶带宽度（mm）
8mm
8mm
QUANTITY每卷
3,000
10,000
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com
3.对于包装的详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
DSS2515M-7
DSS2515M-7B
TA
顶视图
点表示集电极侧
TA
顶视图
律师表示基极和发射端
TA =产品型号标识代码
DSS2515M
文件编号： DS31816修订版3 - 2
1 5
www.diodes.com
2011年1月
Diodes公司
DSS2515M
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
峰值脉冲集电极电流
峰值电流基地
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
价值
15
15
6
500
1
100
单位
V
V
V
mA
A
mA
热特性
特征
功率耗散（注4 ） @ T
A
= 25°C
热阻，结到环境（注4 ） @ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
注意事项：
4.设备安装在FR- 4 PCB板的最低推荐焊盘布局。
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
250
500
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
1
R（T ） ，瞬态热阻
D = 0.9
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 50℃ / W
P（ PK）
t
1
0.01
D = 0.02
D = 0.01
D = 0.005
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
D =单脉冲
0.001
0.000001 0.00001 0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
，脉冲持续时间（s ）
图。 1瞬态热响应
100
1,000
10,000
1,000
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
单脉冲
0.30
100
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
P
D
，功耗（ W）
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 50℃ / W
0.25
0.20
10
0.15
0.10
1
0.05
R
θJA
= 50℃ / W
0.1
1E-06
0.0001
0.01
1
100
10,000
t
1
，脉冲持续时间（s ）
图。 2单脉冲最大功率耗散
50
100
150
200
T
A
，环境温度（
°
C)
图。 3功耗与环境温度（注4 ）
0
0
DSS2515M
文件编号： DS31816修订版3 - 2
2 5
www.diodes.com
2011年1月
Diodes公司
DSS2515M
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压（注5 ）
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征（注5 ）
直流电流增益
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
民
15
15
6
200
150
90
250
典型值
最大
100
50
100
25
150
250
500
1.1
0.9
6
单位
V
V
V
nA
μA
nA
测试条件
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
E
= 100μA ，我
C
= 0
V
CB
= 15V ，我
E
= 0
V
CB
= 15V ，我
E
= 0, T
A
= 150°C
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 2V ，我
C
= 10毫安
V
CE
= 2V ，我
C
= 100毫安
V
CE
= 2V ，我
C
= 500毫安
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
=的200mA，我
B
= 10毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
V
CE
= 2V ，我
C
= 100毫安
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的
V
CE
= 5V ，我
C
= 100mA时F = 100MHz的
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电阻
基射极饱和电压
基极 - 发射极导通电压
小信号特性
输出电容
电流增益带宽积
注意事项：
V
CE （ SAT ）
R
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
C
敖包
f
T
mV
m
V
V
pF
兆赫
脉冲条件下5.测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%.
1.0
800
700
T
A
= 150°C
I
C
，集电极电流（ A）
0.8
I
B
= 5毫安
I
B
= 4毫安
h
FE
，直流电流增益
600
500
400
300
200
100
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
0.6
I
B
= 3毫安
I
B
= 2毫安
T
A
= 25°C
0.4
I
B
= 1毫安
T
A
= -55°C
0.2
0
0
1
2
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图。 4典型集电极电流
与集电极 - 发射极电压
0
10
100
1,000
-I
C
，集电极电流（毫安）
图。 5典型的DC电流增益与集电极电流
1
DSS2515M
文件编号： DS31816修订版3 - 2
3 5
www.diodes.com
2011年1月
Diodes公司
DSS2515M
V
BE （ SAT ）
，基射极饱和电压（ V）
1
I
C
/I
B
= 20
1.2
I
C
/I
B
= 20
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
1.0
0.8
T
A
= -55°C
0.1
0.6
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
0.4
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
0.01
0.1
T
A
= -55°C
1
10
100
1,000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 6典型的集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
0.2
0.1
1
10
100
1,000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 7典型的基射极饱和电压
与集电极电流
V
BE（上）
，基极发射极导通电压（V ）
1.2
V
CE
= 2V
1,000
I
C
/I
B
= 20
1.0
-R
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电阻（
Ω
)
100
0.8
T
A
= -55°C
10
0.6
T
A
= 25°C
1
0.4
T
A
= 125°C
T
A
= 150°C
T
A
= 85°C
T
A
= -55°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 125°C
T
A
= 150°C
0.2
0.1
1
10
100
1,000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 8典型的基射极导通电压
与集电极电流
0.1
0.1
1
10
100
1,000
-I
C
，集电极电流（毫安）
图。 9典型的集电极 - 发射极饱和电阻
与集电极电流
包装外形尺寸
A
A1
D
b1
E
b2
e
DFN1006-3
DIM MIN
MAX TYP
A
0.47
0.53 0.50
A1
0
0.05 0.03
b1
0.10
0.20 0.15
b2
0.45
0.55 0.50
D
0.95 1.075 1.00
E
0.55 0.675 0.60
e
0.35
L1
0.20
0.30 0.25
L2
0.20
0.30 0.25
L3
0.40
尺寸：mm
L2
L3
L1
DSS2515M
文件编号： DS31816修订版3 - 2
4 5
www.diodes.com
2011年1月
Diodes公司
DSS2515M
拟议的焊盘布局
C
X
1
X
G2
G1
Y
Z
尺寸
Z
G1
G2
X
X1
Y
C
值（单位：mm）
1.1
0.3
0.2
0.7
0.25
0.4
0.7
重要通知
Diodes公司不做任何明示不作出任何保证或默示的，关于这一文件，
包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途
（及其任何司法管辖范围内的法律等效） 。
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知本文档以及此处所述的任何产品。 Diodes公司不承担因的任何法律责任
应用程序或使用本文件或本文所述的任何产品;同样没有Diodes公司在其专利的任何许可或
商标专用权，也没有他人的权利。本文档或产品在此类应用本文所述的任何客户或用户承担
这种使用的一切风险，并同意举行Diodes公司，其产品有代表Diodes公司所有公司
网站上，反对一切损害无害。
Diodes公司不担保或任何接受任何通过非授权渠道购买的任何产品的任何责任。
如果客户购买或使用Diodes公司的产品对任何意外或未经授权的应用程序，客户应保障
举行Diodes Incorporated及其代表的所有索赔，损失，费用和律师直接或引起的，收费无害
间接的，人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的应用程序相关联。
本文描述的产品可能受一个或多个美国，国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识
注意到这里也可以覆盖一个或多个美国，国际或外国商标。
生命支持
Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用：
A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：
1.旨在植入到体内，或
2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明
标签可以合理预期造成显著伤害到用户。
B.
关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件
生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。
客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并
承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何
使用Diodes公司产品在此类关键安全，生命支持设备或系统，即使有任何器件 - 或系统相关的
信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其
代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。
2011 ， Diodes公司
www.diodes.com
DSS2515M
文件编号： DS31816修订版3 - 2
5
www.diodes.com
2011年1月
Diodes公司
查看更多DSS2515MPDF信息
推荐型号
DSPIC30F3012AT20E/ML
DM61J12B205Q
DX20A-80SE-CP3
DM74ALS05AM
DS2045Y-70
DBM1915
DMC6224
DS91D176TMAX/NOPB
DM74AS646WMX
D2547P56
DRH-120-48
DCMAMY37SNM
D2MC-5H
DX33A-100S-LNA
DCX114YK-7
DDU-4F-2500
DS1033M-80
DS1620S
DECLDL-2-5
DS90UR241QVSX
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DSS2515M
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
查询更多DSS2515M供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！