DSI 30
50
A
40
I
F
30
250
A
200
I
FSM
150
10
3
A
2
s
50Hz时， 80 ％的V
RRM
V
R
= 0 V
T
VJ
= 45°C
It
2
T
VJ
= 45°C
20
T
VJ
=150°C
T
VJ
= 25°C
100
T
VJ
= 150°C
50
T
VJ
= 150°C
10
0
0.0
0.4
0.8
V
F
1.2 V
1.6
0
0.001
10
2
0.01
0.1
t
s
1
1
2
3
4 5 6 7 MS10
89
t
图。 1正向电流对电压
每个二极管压降
60
W
图。 2浪涌过载电流
图。 3我
2
吨与每个二极管的时间
35
A
30
R
thHA
:
P
合计
40
1 K / W
2 K / W
3 K / W
5 K / W
7 K / W
10 K / W
15 K / W
I
F（ AV ）M
25
20
15
10
5
20
0
0
10
20
I
D（ AV ）M
30 A
0
20
40
60
80 100 120 140 °C
T
AMB
0
0
20 40 60 80 100 120 140 °C
T
C
图。 4功耗与直接输出电流和环境温度，正弦波180度
1.2
K / W
1.0
Z
thJC
图。 5最大。正向电流随
外壳温度
0.8
0.6
常量Z的
thJC
计算方法：
i
R
THI
（K / W）
0.01362
0.1962
0.267
0.3052
0.218
t
i
(s)
0.0001
0.00316
0.023
0.4
0.15
0.4
0.2
DSI30
0.0
0.001
1
2
3
4
5
0.01
0.1
1
t
s
10
图。 6瞬态热阻抗结到外壳
版权所有2000 IXYS所有权利。
2-2
DSI 30
50
A
40
I
F
30
250
A
200
I
FSM
150
10
3
A
2
s
50Hz时， 80 ％的V
RRM
V
R
= 0 V
T
VJ
= 45°C
It
2
T
VJ
= 45°C
20
T
VJ
=150°C
T
VJ
= 25°C
100
T
VJ
= 150°C
50
T
VJ
= 150°C
10
0
0.0
0.4
0.8
V
F
1.2 V
1.6
0
0.001
10
2
0.01
0.1
t
s
1
1
2
3
4 5 6 7 MS10
89
t
图。 1正向电流对电压
每个二极管压降
60
W
图。 2浪涌过载电流
图。 3我
2
吨与每个二极管的时间
35
A
30
R
thHA
:
P
合计
40
1 K / W
2 K / W
3 K / W
5 K / W
7 K / W
10 K / W
15 K / W
I
F（ AV ）M
25
20
15
10
5
20
0
0
10
20
I
D（ AV ）M
30 A
0
20
40
60
80 100 120 140 °C
T
AMB
0
0
20 40 60 80 100 120 140 °C
T
C
图。 4功耗与直接输出电流和环境温度，正弦波180度
1.2
K / W
1.0
Z
thJC
图。 5最大。正向电流随
外壳温度
0.8
0.6
常量Z的
thJC
计算方法：
i
R
THI
（K / W）
0.01362
0.1962
0.267
0.3052
0.218
t
i
(s)
0.0001
0.00316
0.023
0.4
0.15
0.4
0.2
DSI30
0.0
0.001
1
2
3
4
5
0.01
0.1
1
t
s
10
图。 6瞬态热阻抗结到外壳
版权所有2000 IXYS所有权利。
2-2
DSI30-16AS
标准整流器
V
RRM
I
FAV
V
F
=
=
=
1600 V
30 A
1.25 V
单二极管
产品型号
DSI30-16AS
背面：阴极
1
3
2/4
特点/优势：
●
平面钝化芯片
●
非常低的漏电流
●
极低的正向电压降
●
改进的热行为
应用范围：
●
二极管的主要整治
●
对于单相和三相
桥配置
包装：
TO- 263 （ D2PAK ）
●
行业标准大纲
●
符合RoHS
●
环氧符合UL 94V- 0
IXYS保留更改的限制，条件和尺寸的权利。
数据按每个半导体IEC 60747and除非另有规定
20130107a
版权所有 2013 IXYS所有权利
DSI30-16AS
整流器器
符号
V
RSM
V
RRM
I
R
V
F
德网络nition
最大。重复反向阻断电压
反向电流
评级
条件
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 150°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 150°C
T
VJ
= 175 °C
d = 0.5
T
VJ
= 175 °C
0.82
14.1
0.9
0.25
T
C
= 25°C
T = 10毫秒; （ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3毫秒; （ 60赫兹） ，正弦
T = 10毫秒; （ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3毫秒; （ 60赫兹） ，正弦
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0 V
T
VJ
= 150 °C
V
R
= 0 V
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0 V
T
VJ
= 150 °C
V
R
= 0 V
T
VJ
= 25°C
10
160
300
325
255
275
450
440
325
315
V
m
K / W
K / W
W
A
A
A
A
As
As
As
As
pF
分钟。
典型值。
最大。非重复反向阻断电压
马克斯。
1700
1600
40
1.5
1.29
1.60
1.25
1.66
30
单位
V
V
A
mA
V
V
V
V
A
V
R
= 1600 V
V
R
= 1600 V
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
30 A
60 A
30 A
60 A
正向电压降
I
FAV
V
F0
r
F
R
thJC
R
thCH
P
合计
I
FSM
平均正向电流
T
C
= 130°C
矩形
阈值电压
斜率电阻
只有功率损耗计算
热阻结到外壳
热电阻的情况下到散热器
总功耗
最大。正向浪涌电流
I了
价值融合
T = 10毫秒; （ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3毫秒; （ 60赫兹） ，正弦
T = 10毫秒; （ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3毫秒; （ 60赫兹） ，正弦
C
J
结电容
V
R
= 400 V ; F = 1 MHz的
IXYS保留更改的限制，条件和尺寸的权利。
数据按每个半导体IEC 60747and除非另有规定
20130107a
版权所有 2013 IXYS所有权利
DSI30-16AS
包
符号
I
RMS
T
英镑
T
VJ
重量
F
C
用夹子固定力
TO- 263 （ D2PAK ）
德网络nition
RMS电流
储存温度
虚拟结温
评级
条件
每个终端
1)
分钟。
-55
-40
典型值。
马克斯。
35
150
175
单位
A
°C
°C
g
N
2
20
60
产品标识
XXXXXXXXX
产品型号
标志
日期代码
流水线
汇编代码
IXYS
YYWW
000000
订购
标准
产品型号
DSI30-16AS
对产品标识
DSI30-16AS
配送方式
磁带&卷轴
QUANTITY
800
码号
498378
类似的部分
DSI30-16A
DSI30-12AS
DSI30-12A
DSI30-12AC
DSI30-08AS
DSI30-08A
DSI30-08AC
包
TO- 220AC （2）
的TO- 263AB （ D2PAK ）（2）
TO- 220AC （2）
ISOPLUS220AC （2）
的TO- 263AB （ D2PAK ）（2）
TO- 220AC （2）
ISOPLUS220AC （2）
电压等级
1600
1200
1200
1200
800
800
800
等效电路的仿真
I
V
0
R
0
阈值电压
斜率电阻*
整流器器
*在芯片级
T
VJ
= 175 °C
V
0最大
R
0最大
0.82
11
V
m
IXYS保留更改的限制，条件和尺寸的权利。
数据按每个半导体IEC 60747and除非另有规定
20130107a
版权所有 2013 IXYS所有权利
DSI30-16AS
概述TO- 263 （ D2PAK ）
DIM 。
W
E
L1
c2
A
供应商
选项
D
A1
1 2 3
4
c
2个ê
10.92
(0.430)
3X B2
毫米（英寸）
2个B
E1
A
A1
A2
b
b2
c
c2
D
D1
D2
E
E1
e
e1
H
L
L1
W
9.02
(0.355)
毫米
民
最大
4.06
4.83
（典型值） 。 0.10
2.41
0.51
0.99
1.14
1.40
0.40
0.74
1.14
1.40
8.38
9.40
8.00
8.89
2.5
9.65
10.41
6.22
8.50
2,54 BSC
4.28
14.61 15.88
1.78
2.79
1.02
1.68
典型值。
0.040
0.02
英寸
民
最大
0.160 0.190
（典型值） 。 0.004
0.095
0.020 0.039
0.045 0.055
0.016 0.029
0.045 0.055
0.330 0.370
0.315 0.350
0.098
0.380 0.410
0.245 0.335
0,100 BSC
0.169
0.575 0.625
0.070 0.110
0.040 0.066
典型值。
0.002
0.0008
H
L2
L
D1
所有尺寸符合
和/或JEDEC标准之内。
3.81
(0.150)
1.78
(0.07)
2.54 (0.100)
3.05
(0.120)
推荐分钟。足迹
1
3
2/4
IXYS保留更改的限制，条件和尺寸的权利。
数据按每个半导体IEC 60747and除非另有规定
20130107a
版权所有 2013 IXYS所有权利
DSI30-16AS
整流器器
60
50
40
200
250
50赫兹， 80 ％的V
RRM
500
V
R
= 0 V
400
I
F
30
I
FSM
[A]
20
T
VJ
= 125°C
150°C
T
VJ
= 45°C
300
T
VJ
= 45°C
It
200
150
T
VJ
= 150°C
2
[A]
[A S]
100
2
T
VJ
= 150°C
10
T
VJ
= 25°C
0
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
100
0.001
0
0.01
0.1
1
1
2
3
4 5 6 7 8 9
1 0
V
F
[V]
图。 1正向电流与
每个二极管的压降
50
T [ S]
图。 2浪涌过载电流
2
T [毫秒]
图。 3余吨对每个二极管的时间
40
P
合计
30
[W]
20
DC =
1
0.5
0.4
0.33
0.17
0.08
R
thHA
:
0.6 K / W
0.8 K / W
1 K / W
2 K / W
4 K / W
8 K / W
40
30
I
F（ AV ）M
20
[A]
10
10
DC =
1
0.5
0.4
0.33
0.17
0.08
0
0
10
20
30
0
50
100
150
200
0
0
50
100
150
200
I
F（ AV ）M
[A]
T
AMB
[°C]
T
C
[°C]
图。 5最大。正向电流与
外壳温度
图。 4功耗与直接输出电流和环境温度
1.0
0.8
0.6
常量Z的
thJC
计算方法：
I R
THI
（K / W）
1 0.03
2 0.08
3 0.2
4 0.39
5 0.2
1
10
100
1000
10000
Z
thJC
0.4
t
i
(s)
0.0004
0.002
0.003
0.03
0.29
〔 K / W〕
0.2
0.0
T [毫秒]
图。 6瞬态热阻抗结到外壳
IXYS保留更改的限制，条件和尺寸的权利。
数据按每个半导体IEC 60747and除非另有规定
20130107a
版权所有 2013 IXYS所有权利
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