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DSF05S30U

东芝二极管

硅外延肖特基型

DSF05S30U

高速开关应用

单位：mm

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

反向电压

平均正向电流

浪涌电流（ 10毫秒）

结温

存储温度范围

符号

FSM

英镑

等级

500

＊

125

到125

单位

°C

装在20× 20mm的玻璃环氧电路板，

4× 4毫米垫的尺寸。

注：在重负载下连续使用的（如高的应用

温度/电流/电压和在显著变化

南加州大学

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件（即工作

JEDEC

―

温度/电流/电压等）内的绝对最大

JEITA

―

收视率。

请在审查东芝TOSHIBA设计相应的可靠性

1-1E1A

半导体可靠性手册（ “处理

重量： 4.5毫克（典型值）。

注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人

可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）。

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

符号

F (1)

正向电压

F (2)

F (3)

反向电流

总电容

R(1)

TEST

电路

―

测试条件

= 10毫安

= 200毫安

= 500毫安

= 30V

= 0中，f = 1 MHz的

民

―

典型值。

0.23

0.35

0.40

5.3

120

最大

―

0.45

μA

单位

记号

等效电路

（ TOP VIEW ）

操作注意事项

肖特基势垒二极管的反向电流特性相对于其他二极管。

存在这样的可能性的SBD可能引起热失控，当它在高温或高压下使用。

请大家转发，并在设计过程中反向损失考虑在内。

2009-05-11

DSF05S30U

1000

正向电流

（MA ）

Ta=100℃

- V

反向电流

Ｒ

（MA ）

- V

100

Ta=75℃

0.1

50℃

75℃

50℃

25℃

0℃

-25℃

0.01

25℃

0.1

0.01

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

正向电压

(V)

0.001

反向电压

(V)

1000

总电容C

Ｔ

（PF ）

f=1MH½

Ta=25℃

100

（ ° C / W）

(℃/W)

- V

10000

½½

－ ½

1000

短暂

热阻抗

ansient

热阻抗

100

单脉冲

Ta=25℃

安装在玻璃环氧

20× 20毫米电路板，

4× 4毫米垫的尺寸。

反向电压

(V)

0.001

0.01

0.1

时间

(s)

Time　½

(s)

100

1000

2009-05-11

DSF05S30U

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2009-05-11