【高级技术信息DSEE30-12AHiPerFREDTM外延二极管IFAV= 30 AVRRM= 12】,IC型号DSEE30-12A,DSEE30-12A PDF资料,DSEE30-12A经销商,ic,电子元器件-51电子网

高级技术信息

DSEE30-12A

HiPerFRED

外延二极管

FAV

= 30 A

RRM

= 1200 V

= 30纳秒

RRM

1200

RRM

600

TYPE

的TO- 247的AD

DSEE30-12A

符号

疲劳风险管理

FAVM

FSM

VJM

英镑

合计

重量

条件

= 90 ℃;矩形的峰，d = 0.5

= 45°C ;吨

= 10毫秒（ 50赫兹），正弦

= 25°C ;非重复性

= 1.3 A; L = 180 μH

= 1.5· V

（典型值） ; F = 10 kHz的;重复

最大额定值

200

0.2

0.1

-55...+175

175

-55...+150

●

特点

平面钝化芯片

很短的恢复时间

非常低的开关损耗

我低

- 值

软恢复特性

环氧符合UL 94V- 0

°C

纳米/ lb.in.

●

从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）

= 25°C

安装力矩

典型

260

165

0.9/6

应用

●

符号

thJC

thCH

条件

= 25°C V

= V

RRM

= 150 ℃， V

= V

RRM

= 30 A;

= 125°C

= 25°C

特征值

典型值。

马克斯。

200

1.75

2.5

0.9

0.25

K / W

●

对于高频反并联二极管

开关设备

抗饱和二极管

缓冲二极管

续流二极管转换器

和电机控制电路

在开关模式电源整流器

电源（SMPS ）

感应加热

不间断电源（ UPS ）

超声波清洗机和焊接机

优势

●

= 1 ; -di / DT = 200 A / μs的;

= 30 V

= 100V ;我

= 50 A; - 二

/ DT = 100 A / μs的

= 100°C

●

雪崩额定电压可靠

手术

软反向恢复了低EMI / RFI

我低

降低：

- 功率二极管内损耗

- 导通损耗的换向

开关

笔记

注：数据给出对于T

= 25

C和每二极管，除非另有说明

串联的二极管

脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比< 2.0 ％

脉冲测试：脉冲宽度= 300

占空比< 2.0 ％

请参阅DSEP 30-06A数据表

对于特性曲线。

●

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

DS98962 （ 10/02 ）

DSEE30-12A

的TO- 247的AD概要

DIM 。

毫米

分钟。马克斯。

4.7

5.3

2.2

2.54

2.2

2.6

1.0

1.4

1.65

2.13

2.87

3.12

20.80 21.46

15.75 16.26

5.20

5.72

19.81 20.32

4.50

3.55

3.65

5.89

6.40

4.32

5.49

6.15 BSC

英寸

分钟。马克斯。

.185 .209

.087 .102

.059 .098

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

242 BSC

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

6,306,728B1

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32560

TO-247AD

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9999

Tray

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19+

355

标准封装

一级授权代理IGBT模块可控硅模块二极管晶闸管熔断器保证全新原装正品

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