DSA 120 C 150 QB
肖特基二极管根
高性能肖特基二极管
低损耗和软恢复
共阴极
产品型号
1
2
3
V
RRM
=
150 V
I
FAV
= 2× 60 A
V
F
= 0.80 V
DSA 120 C 150 QB
背面：阴极
特点/优势：
●
非常低VF
●
非常低的开关损耗
●
低IRM值
●
改进的热行为
●
高可靠性的电路操作
●
低电压的峰值减少
保护电路
●
低噪声开关
应用范围：
●
在开关模式电源整流器
电源（SMPS ）
●
在低电压续流二极管
转换器
包装：
●
外壳： TO- 3P
● rIndustry
标准大纲
●
与TO- 247兼容
r
● rEpoxy
符合UL 94V- 0
● rRoHS
柔顺
评级
符号
V
RRM
I
R
V
F
德网络nition
最大。重复反向电压
反向电流
条件
V
R
= 150 V
V
R
= 150 V
I
F
=
I
F
=
60 A
60 A
d = 0.5
T
VJ
= 25 °C
T
VJ
= 25 °C
T
VJ
= 125 °C
T
VJ
= 25 °C
T
VJ
= 125 °C
T
C
= 150°C
T
VJ
= 175°C
分钟。
典型值。
马克斯。
150
1.8
5
0.93
1.13
0.80
1.03
60
0.51
3.9
0.40
单位
V
mA
mA
V
V
V
V
A
V
m
Ω
K / W
°C
W
A
pF
正向电压
I
F
= 120 A
I
F
= 120 A
I
FAV
V
F0
r
F
R
thJC
T
VJ
P
合计
I
FSM
C
J
平均正向电流
阈值电压
斜率电阻
矩形
只有功率损耗计算
热阻结到外壳
虚拟结温
总功耗
最大。正向浪涌电流
结电容
-55
T
C
= 25 °C
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
V
R
= 24 V ; F = 1 MHz的
T
VJ
= 45°C
T
VJ
= 25 °C
481
175
375
600
IXYS保留更改的限制，条件和尺寸的权利。
数据按每个二极管的IEC 60747and除非另有规定
20100219a
版权所有 2010 IXYS所有权利
DSA 120 C 150 QB
评级
符号
I
RMS
R
thCH
T
英镑
重量
M
D
F
C
1)
德网络nition
RMS电流
热电阻的情况下到散热器
储存温度
条件
每个引脚
1)
分钟。
典型值。
0.25
马克斯。
70
单位
A
K / W
°C
g
Nm
N
-55
5
0.8
20
150
1.2
120
安装力矩
用夹子固定力
I
RMS
通常受到：1.针到芯片电阻;或由芯片2的电流能力。
在案件1中，一个共同的阴极/阳极结构和非隔离背面，整个电流能力可用于通过连接
背侧。
产品标识
产品型号
标志
产品型号
日期代码
订货编号
IXYS
ABCD
D
S
A
120
C
150
QB
=
=
=
=
=
=
=
二极管
肖特基二极管
低VF
额定电流[ A]
共阴极
反向电压[ V]的
TO-3P （3）
订购
标准
部件名称
DSA 120 C 150 QB
对产品标识
DSA120C150QB
交付模式
管
基地数量代码键
30
501788
IXYS保留更改的限制，条件和尺寸的权利。
数据按每个二极管的IEC 60747and除非另有规定
20100219a
版权所有 2010 IXYS所有权利
DSA 120 C 150 QB
概述TO- 3P
IXYS保留更改的限制，条件和尺寸的权利。
数据按每个二极管的IEC 60747and除非另有规定
20100219a
版权所有 2010 IXYS所有权利
DSA 120 C 150 QB
120
100
80
100
T
VJ
=175°C
150°C
10000
10
C
T
[ pF的]
1000
I
F
60
I
R
T
VJ
=
150°C
125°C
25°C
1
125°C
[马]
0.1
100°C
75°C
[A]
40
20
0.01
50°C
25°C
T
VJ
= 25°C
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
50
100
150
100
0
50
100
150
V
F
[V]
图。 1最大正向电压
滴特性
80
60
50
60
40
V
R
[V]
图。 2典型。反向电流
I
R
与反向电压V
R
V
R
[V]
图。 3典型。结电容
C
T
与反向电压V
R
I
F（ AV ）
40
P
（AV）
30
[A]
20
[W]
20
10
0
0
50
100
150
200
0
0
10
20
30
40
50
d=
DC
0.5
0.33
0.25
0.17
0.08
60
70
T
C
[°C]
图。 4平均正向电流
I
F（ AV ）
与外壳温度T
C
0.5
I
F（ AV ）
[A]
图。 5正向功率损耗
特征
R
THI
t
i
0.022 0.0002
0.4
0.082 0.0032
0.104 0.026
0.165 0.208
0.027
0.79
0.3
Z
thJC
0.2
〔 K / W〕
0.1
0.0
0.001
注：所有曲线是每个二极管
0.01
0.1
1
10
t
[s]
图。 6瞬态热阻抗结到外壳在不同的占空比
IXYS保留更改的限制，条件和尺寸的权利。
数据按每个二极管的IEC 60747and除非另有规定
20100219a
版权所有 2010 IXYS所有权利
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