DS90LV017A单LVDS高速差分驱动器
2000年3月
DS90LV017A
单LVDS高速差分驱动器
概述
该DS90LV017A是单路LVDS驱动器优化
对于高数据速率和低功耗的应用。该
DS90LV017A是一款电流模式驱动程序允许耗散功率
而不能使处于低位，即使在高频率。此外，该
短路故障电流也被最小化。该装置是DE-
签名支持超过600Mbps的数据速率
（ 300MHz的）采用低电压差分信号（ LVDS ）
技术。
该器件采用8引脚小外形封装。该
DS90LV017A有一个流动式设计，便于PCB lay-
出。差分驱动器输出提供了低EMI ，其
355 mV的典型的低输出摆幅。该DS90LV017A可
搭配它的同伴一行接收机中，
DS90LV018A ，或与任何国家的LVDS接收器，以
提供一种高速点至点的LVDS接口。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
＆ GT ;
600 Mbps的（ 300 MHz）的切换率
0.3 ns典型差分偏移
0.7 ns最大差分偏移
1.5 ns的最大传播延迟
3.3V电源设计
±
355 mV的差分信号
低功耗（ 23毫瓦
@
3.3V静态）
流动设计，简化了PCB布局
能够与现有的5V LVDS器件
掉电保护（高阻抗输出）
符合TIA / EIA- 644标准
8引脚SOIC封装，节省空间
工业温度工作范围
（ -40℃至+ 85℃）
接线图
双列直插式
DS100101-1
订单号DS90LV017ATM
见NS包装数M08A
工作原理图
DS100101-2
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
2000美国国家半导体公司
DS100101
www.national.com
DS90LV017A
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
-0.3V至+ 4V
输入电压（ DI）的
-0.3V至+ 3.6V
-0.3V至+ 3.9V
输出电压（ DO
±
)
最大封装功耗
@
+25C
男包
1190毫瓦
减免男包
9.5毫瓦/ ° C以上+ 25°C
存储温度范围
-65 ° C至+ 150°C
焊接温度范围焊接
（ 4秒）。
+260C
ESD额定值
（ HBM 1.5 kΩ的， 100 pF的）
（ EIAJ 0
,
200 pF的）
（CDM）的
（ IEC直接330
,
150 pF的）
≥
8kV
≥
1000V
≥
1000V
≥
4kV
推荐工作
条件
电源电压（V
CC
)
温度（T
A
)
民
3.0
40
典型值
3.3
25
最大
3.6
+85
单位
V
C
电气特性
在电源电压和工作温度范围，除非另有规定。 （注2，3， 7）
符号
V
OD
V
OD
V
OH
V
OL
V
OS
V
OS
I
OXD
I
OSD
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
CL
I
CC
参数
输出电压差
V
OD
幅度变化
输出高电压
输出低电压
失调电压
偏移幅度变化
关机泄漏
输出短路电流
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输入钳位电压
电源电流
V
IN
= 3.3V或2.4V
V
IN
= GND或0.5V
I
CL
= -18毫安
空载
R
L
= 100
V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
1.5
DI
2.0
GND
V
OUT
= V
CC
或GND ，V
CC
= 0V
0.9
1.125
0
R
L
= 100
（图
1)
条件
针
DO + ，
DO-
民
250
典型值
355
1
1.4
1.1
1.2
3
1.375
25
最大
450
35
1.6
单位
mV
mV
V
V
V
mV
A
mA
V
V
A
A
V
8
10
mA
mA
差分驱动器特性
±
1
5.7
±
10
8
V
CC
0.8
±
2
±
1
0.6
5
7
±
10
±
10
开关特性
在电源电压和工作温度范围，除非另有说明。 （注3，4 ，5，6 ）
符号
t
PHLD
t
PLHD
t
SKD1
t
SKD3
t
SKD4
t
TLH
t
THL
f
最大
参数
差分传输延迟高至低
差分传输延迟低到高
差分脉冲偏斜|吨
PHLD
t
PLHD
| （注8 ）
微分部分之间的偏移（注9 ）
微分部分之间的偏移（注10 ）
过渡从低到高的时间
从高至低时间
最大工作频率（注11 ）
条件
R
L
= 100, C
L
= 15 pF的
（图
2
和
图3）
民
0.3
0.3
0
0
0
0.2
0.2
0.5
0.5
350
典型值
0.8
1.1
0.3
最大
1.5
1.5
0.7
1.0
1.2
1.0
1.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
差分驱动器特性
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。所有电压以地为参考，除非V
OD
.
注3 ：
所有标准被定为： V
CC
= + 3.3V和T
A
= +25C.
注4 ：
这些参数由设计保证。的限制是基于所述设备的性能比的PVT统计分析（工艺，电压，温度）的
范围。
注5 ：
C
L
包括探头和夹具电容。
注6 ：
F = 1MHz时， Z：除非另有说明，所有的测试波形发生器
O
= 50, t
r
≤
1纳秒，T
f
≤
1毫微秒（10 ％-90％） 。
www.national.com
2
DS90LV017A
开关特性
（续）
注7 ：
该DS90LV017A是电流模式设备和唯一的功能与数据表规范时的电阻负载被施加到驱动器的输出。
注8 ：
t
SKD1
, |t
PHLD
t
PLHD
| ，是在正边沿和的负向边沿之间的差分传播延迟时间的大小差异
相同的信道。
注9 ：
t
SKD3
，微分部分到第二部分倾斜，被定义为在最小和最大规定差分传播延迟之间的差异。该试样
fication适用于设备以相同的V
CC
并且在彼此的工作温度范围内的5° 。
注10 ：
t
SKD4
，部分部分歪斜，是差分通道，通道设备之间的任何活动歪斜。本规范适用于装置在推荐
工作温度和电压范围，以及跨进程分配。吨
SKD4
被定义为|最大值 - 最小值|差分传输延迟。
注11 ：
f
最大
发电机输入条件：吨
r
= t
f
＆ LT ;
1毫微秒（0％至100％）， 50％的占空比， 0V至3V 。输出标准：占空比= 45 ％ / 55 ％ ，V
OD
＆ GT ;
250mV.
参数测量信息
DS100101-3
图1.差分驱动器DC测试电路
DS100101-4
图2.差分驱动器传播延迟和转换时间测试电路
DS100101-5
图3.差分驱动器传播延迟和过渡时间波形
应用信息
表1.器件引脚说明
针
#
2
7
8
4
1
3, 5, 6
名字
DI1
DO1+
DO1
GND
V
CC
NC
描述
TTL / CMOS驱动器输入引脚
非反相驱动器输出引脚
反相驱动器输出引脚
接地引脚
正电源引脚， + 3.3V
±
0.3V
无连接
3
www.national.com
DS90LV017
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
输入电压（ DI）的
输出电压（ DO
±
)
男包
减免男包
存储温度范围
-0.3V至+ 6V
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
-0.3V至+ 3.9V
1190毫瓦
9.5毫瓦/ ° C以上+ 25°C
-65 ° C至+ 150°C
铅温度范围
焊接（ 4秒）
ESD额定值（注4 ）
（ HBM 1.5 kΩ的， 100 pF的）
≥
4.5 KV
+260C
最大封装功耗
@
+25C
推荐工作
条件
民
电源电压（V
CC
)
温度（T
A
)
3.0
0
典型值
3.3
25
最大
3.6
70
单位
V
C
电气特性
在电源电压和工作温度范围，除非另有规定。 （注2，3， 7）
符号
V
OD
V
OD
V
OH
V
OL
V
OS
V
OS
I
OZD
I
OXD
I
OSD
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
CL
I
CC
参数
输出电压差
V
OD
幅度变化
输出高电压
输出低电压
失调电压
偏移幅度变化
三州
泄漏
关机泄漏
输出短路电流
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输入钳位电压
电源电流
V
IN
= 3.6V或2.4V
V
IN
= GND或0.5V
I
CL
= -18毫安
空载
R
L
= 100
V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
1.5
DI
2.0
GND
V
OUT
= V
CC
或GND
V
OUT
= 3.6V或GND ，V
CC
= 0V
0.9
0.9
0
0
0
条件
R
L
= 100
（图1）
针
DO + ，
DO-
民
250
0
典型值
340
10
1.43
1.09
1.25
5
1.6
25
最大
450
35
1.6
单位
mV
mV
V
V
V
mV
A
A
mA
V
V
A
A
V
4
7
mA
mA
差分驱动器特性
±
1
±
1
4
±
10
±
10
6
V
CC
0.8
±
1
±
1
0.8
1
4.5
±
10
±
10
开关特性
在电源电压和工作温度范围，除非另有规定。 （注5,6）
符号
t
PHLD
t
PLHD
t
SKD
t
TLH
t
THL
参数
差分传输延迟高至低
差分传输延迟低到高
差分偏移|吨
PHLD
t
PLHD
|
过渡从低到高的时间
从高至低时间
条件
R
L
= 100, C
L
= 5 pF的
（图
2
和
图3）
民
1.5
1.5
0
0
0
典型值
3.4
3.5
0.1
1
1
最大
6
6
1.9
3
3
单位
ns
ns
ns
ns
ns
差分驱动器特性
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。所有电压以地为参考，除非V
OD
.
注3 ：
所有标准被定为： V
CC
= + 3.3V和T
A
= +25C.
注4 ：
ESD额定值： HBM （ 1.5 kΩ的， 100 pF的）
≥
4.5 KV
注5 ：
C
L
包括探头和夹具电容。
注6 ：
F = 1MHz时， Z：除非另有说明，所有的测试波形发生器
O
= 50, t
r
≤
6纳秒，T
f
≤
6毫微秒（10 ％-90％） 。
注7 ：
该DS90LV017是电流模式设备和唯一的功能与数据表规范时的电阻负载被施加到驱动器的输出。
www.national.com
2
DS90LV017单LVDS高速差分驱动器
物理尺寸
英寸（毫米），除非另有说明
订单号DS90LV017M
NS包装数M08A
国家不承担使用上述任何电路的任何责任，也不提供其专利许可和国家储备
在任何时候，恕不另行通知修改权利说和规格。
有关最新的产品信息，请访问我们的网站：www.national.com 。
生命支持政策
美国国家半导体的产品不得用于生命支持设备或系统的关键组件
未经明确的书面许可，主席的总顾问美国国家半导体
株式会社。如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，或
（二）支持或维持生命，而其不履行时，
适当地使用按照使用说明
提供的标签，可合理预期会导致
在一个显着的伤害到用户。
禁用物质合规
美国国家半导体公司制造的产品和使用，以满足客户产品的规定，包装材料
管理规范（ CSP - 9-111C2 ）和禁用物质和利益规范（ CSP - 9-111S2 ）材料和含有
没有“在CSP- 9-111S2定义的”禁用物质“” 。
无铅产品符合RoHS指令。
美国国家半导体公司
美洲客户
支持中心
电子邮件： new.feedback@nsc.com
电话：1-800-272-9959
www.national.com
美国国家半导体公司
欧洲客户支持中心
传真： +49 （ 0 ） 180-530 85 86
电子邮件： europe.support@nsc.com
德语电话： +49 （ 0 ） 69 9508 6208
英语电话： +44 （ 0 ） 24 870 2171 0
法语电话：+33 （ 0 ） 1 41 91 8790
美国国家半导体公司
亚洲太平洋网络客户
支持中心
电子邮件： ap.support@nsc.com
美国国家半导体公司
日本客户支持中心
传真： 81-3-5639-7507
电子邮件： jpn.feedback@nsc.com
联系电话： 81-3-5639-7560
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其不履行可以合理
预期造成生命支持设备的故障或
系统，或影响其安全性或有效性。
DS90LV017
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
输入电压（ DI）的
输出电压（ DO
±
)
男包
减免男包
存储温度范围
-0.3V至+ 6V
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
-0.3V至+ 3.9V
1190毫瓦
9.5毫瓦/ ° C以上+ 25°C
-65 ° C至+ 150°C
铅温度范围
焊接（ 4秒）
ESD额定值（注4 ）
（ HBM 1.5 kΩ的， 100 pF的）
≥
4.5 KV
+260C
最大封装功耗
@
+25C
推荐工作
条件
民
电源电压（V
CC
)
温度（T
A
)
3.0
0
典型值
3.3
25
最大
3.6
70
单位
V
C
电气特性
在电源电压和工作温度范围，除非另有规定。 （注2，3， 7）
符号
V
OD
V
OD
V
OH
V
OL
V
OS
V
OS
I
OZD
I
OXD
I
OSD
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
CL
I
CC
参数
输出电压差
V
OD
幅度变化
输出高电压
输出低电压
失调电压
偏移幅度变化
三州
泄漏
关机泄漏
输出短路电流
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输入钳位电压
电源电流
V
IN
= 3.6V或2.4V
V
IN
= GND或0.5V
I
CL
= -18毫安
空载
R
L
= 100
V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
1.5
DI
2.0
GND
V
OUT
= V
CC
或GND
V
OUT
= 3.6V或GND ，V
CC
= 0V
0.9
0.9
0
0
0
条件
R
L
= 100
（图1）
针
DO + ，
DO-
民
250
0
典型值
340
10
1.43
1.09
1.25
5
1.6
25
最大
450
35
1.6
单位
mV
mV
V
V
V
mV
A
A
mA
V
V
A
A
V
4
7
mA
mA
差分驱动器特性
±
1
±
1
4
±
10
±
10
6
V
CC
0.8
±
1
±
1
0.8
1
4.5
±
10
±
10
开关特性
在电源电压和工作温度范围，除非另有规定。 （注5,6）
符号
t
PHLD
t
PLHD
t
SKD
t
TLH
t
THL
参数
差分传输延迟高至低
差分传输延迟低到高
差分偏移|吨
PHLD
t
PLHD
|
过渡从低到高的时间
从高至低时间
条件
R
L
= 100, C
L
= 5 pF的
（图
2
和
图3）
民
1.5
1.5
0
0
0
典型值
3.4
3.5
0.1
1
1
最大
6
6
1.9
3
3
单位
ns
ns
ns
ns
ns
差分驱动器特性
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。所有电压以地为参考，除非V
OD
.
注3 ：
所有标准被定为： V
CC
= + 3.3V和T
A
= +25C.
注4 ：
ESD额定值： HBM （ 1.5 kΩ的， 100 pF的）
≥
4.5 KV
注5 ：
C
L
包括探头和夹具电容。
注6 ：
F = 1MHz时， Z：除非另有说明，所有的测试波形发生器
O
= 50, t
r
≤
6纳秒，T
f
≤
6毫微秒（10 ％-90％） 。
注7 ：
该DS90LV017是电流模式设备和唯一的功能与数据表规范时的电阻负载被施加到驱动器的输出。
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2
DS90LV017单LVDS高速差分驱动器
物理尺寸
英寸（毫米），除非另有说明
订单号DS90LV017M
NS包装数M08A
国家不承担使用上述任何电路的任何责任，也不提供其专利许可和国家储备
在任何时候，恕不另行通知修改权利说和规格。
有关最新的产品信息，请访问我们的网站：www.national.com 。
生命支持政策
美国国家半导体的产品不得用于生命支持设备或系统的关键组件
未经明确的书面许可，主席的总顾问美国国家半导体
株式会社。如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，或
（二）支持或维持生命，而其不履行时，
适当地使用按照使用说明
提供的标签，可合理预期会导致
在一个显着的伤害到用户。
禁用物质合规
美国国家半导体公司制造的产品和使用，以满足客户产品的规定，包装材料
管理规范（ CSP - 9-111C2 ）和禁用物质和利益规范（ CSP - 9-111S2 ）材料和含有
没有“在CSP- 9-111S2定义的”禁用物质“” 。
无铅产品符合RoHS指令。
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美洲客户
支持中心
电子邮件： new.feedback@nsc.com
电话：1-800-272-9959
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传真： +49 （ 0 ） 180-530 85 86
电子邮件： europe.support@nsc.com
德语电话： +49 （ 0 ） 69 9508 6208
英语电话： +44 （ 0 ） 24 870 2171 0
法语电话：+33 （ 0 ） 1 41 91 8790
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亚洲太平洋网络客户
支持中心
电子邮件： ap.support@nsc.com
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电子邮件： jpn.feedback@nsc.com
联系电话： 81-3-5639-7560
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其不履行可以合理
预期造成生命支持设备的故障或
系统，或影响其安全性或有效性。
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