DS90CR287 ， DS90CR288A
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SNLS056G - 1999年10月 - 修订2013年3月
DS90CR287 / DS90CR288A + 3.3V上升沿数据选通LVDS
28位通道链接 - 85MHz的
检查样品：
DS90CR287 ， DS90CR288A
1
特点
20至85 MHz的移位时钟支持
在接收机的输出时钟50％占空比
2.5 / 0 ns的设定&保持时间上的TxINPUTs
低功耗
± 1V共模范围（约+ 1.2V ）
窄总线减少了线缆的尺寸和成本
高达2.38 Gbps的吞吐量
高达297.5 MB /秒的带宽
345毫伏（典型值） LVDS摆幅低EMI器件
PLL无需外部元件
上升沿数据选通
兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准
薄型56引脚TSSOP封装
描述
该DS90CR287转换发射器的28位
LVCMOS / LVTTL数据转换4 LVDS（低压
差分信号）数据流。锁相
发送时钟是平行于数据传输的
流过的第五个LVDS链路。的每个周期
传送时钟的输入数据的28位进行采样和
传输。
该DS90CR288A接收器将四路LVDS
数据流返回到LVCMOS / LVTTL的28位
数据。在85兆赫， 28比特的传输时钟频率
TTL的数据被以每595 Mbps的速率发送
LVDS数据信道。使用85 MHz的时钟，数据
吞吐量是2.38千兆位/秒（ 297.5兆字节/秒）。
该芯片组是解决EMI和理想的途径
宽，高速相关的电缆尺寸问题
TTL接口。
框图
图1. DS90CR287
见包装数DGG -56 （ TSSOP ）
图2. DS90CR288A
见包装数DGG -56 （ TSSOP ）
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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引脚图的TSSOP封装
图3. DS90CR287
图4. DS90CR288A
典型用途
图5. DS90CR288A
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
2
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绝对最大额定值
(1) (2)
电源电压（V
CC
)
CMOS / TTL输入电压
CMOS / TTL输出电压
LVDS接收器输入电压
LVDS驱动器输出电压
LVDS输出短路持续时间
结温
储存温度
引线温度（焊接， 4秒）
焊锡溢流温度
最大封装功耗@ + 25°C
套餐降额
ESD额定值
TSSOP封装
DS90CR287
DS90CR288A
DS90CR287
DS90CR288A
（ HBM ， 1.5kΩ上，100pF电容）
（ EIAJ ， 0Ω ， 200pF的）
闭锁公差@ + 25°C
(1)
(2)
1.63 W
1.61 W
12.5毫瓦/ C以上+ 25℃
12.4毫瓦/ C以上+ 25℃
>为7kV
> 700V
> ± 300毫安
0.3V
为+ 4V
0.5V
到（Ⅴ
CC
+ 0.3V)
0.3V
到（Ⅴ
CC
+ 0.3V)
0.3V
到（Ⅴ
CC
+ 0.3V)
0.3V
到（Ⅴ
CC
+ 0.3V)
连续
+150°C
65°C
至+ 150°C
+260°C
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们并不意味着
意味着该设备应在这些限制下工作。 “电气特性”指定设备的运行状况。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
推荐工作条件
民
电源电压（V
CC
)
经营自由空气温度（T
A
)
接收器输入范围
电源噪声电压（V
CC
)
3.0
10
0
喃
3.3
+25
最大
3.6
+70
2.4
100
单位
V
°C
V
mV
PP
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电气特性
(1)
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
CL
I
IN
I
OS
V
OD
ΔV
OD
V
OS
ΔV
OS
I
OS
I
OZ
V
TH
V
TL
I
IN
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入钳位电压
输入电流
输出短路电流
差分输出电压
改变V
OD
免费的
输出国家
失调电压
(3)
改变V
OS
免费的
输出国家
输出短路电流
输出三态电流
差分输入高阈值
差分输入阈值低
输入电流
V
IN
= +2.4V, V
CC
= 3.6V
V
IN
= 0V, V
CC
= 3.6V
变送器供电电流
I
CCTW
变送器电源电流最坏情况
（带负载）
(4)
R
L
= 100Ω,
C
L
= 5 pF的，
最坏的情况下格局
图6 ，图7中
PWR DWN =低
三态驱动器输出
在掉电模式
C
L
= 8 PF，
最坏的情况下格局
图6，图8
F = 33 MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 85 MHz的
I
CCRZ
接收器电源电流掉电
PWR DWN =低
接收器输出时保持低位
掉电模式
F = 33 MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 85 MHz的
I
CCTZ
变送器电源电流
下
(4)
31
32
37
42
10
45
50
55
60
55
mA
mA
mA
mA
μA
V
OUT
= 0V ，R
L
= 100Ω
PWR DWN = 0V ，V
OUT
= 0V或V
CC
V
CM
= +1.2V
100
±10
±10
3.5
±1
1.125
1.25
I
OH
=
0.4
mA
I
OL
= 2毫安
I
CL
=
18
mA
V
IN
= 0.4V ， 2.5V或V
CC
V
IN
= GND
V
OUT
= 0V
R
L
= 100Ω
250
LVDS驱动器DC规格
290
450
35
1.375
35
5
±10
+100
mV
mV
V
mV
mA
μA
mV
mV
μA
μA
10
条件
民
2.0
GND
2.7
3.3
0.06
0.79
+1.8
0
60
120
0.3
1.5
+15
典型值
(2)
最大
V
CC
0.8
单位
V
V
V
V
V
μA
μA
mA
LVCMOS / LVTTL DC规格
LVDS接收器DC规格
接收器电源电流
I
CCRW
接收器电源电流最坏情况
49
53
81
96
140
70
75
114
135
400
mA
mA
mA
mA
μA
(1)
(2)
(3)
(4)
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们并不意味着
意味着该设备应在这些限制下工作。 “电气特性”指定设备的运行状况。
典型值给出了V
CC
= 3.3V和T
A
= +25°C.
V
OS
以前称为V
CM
.
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地
除非另有规定（除V
OD
和
ΔV
OD
).
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发射器的开关特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
LLHT
LHLT
TCIT
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TCIP
TCIH
TCIL
TSTC
THTC
TCCD
tPLLS
TPDD
TJIT
(1)
参数
LVDS低到高的转变时间
图7
LVDS高向低转换时间
图7
TXCLK过渡时期
图9
对于第0位变送器输出脉冲位置
图19
对于第1位变送器输出脉冲位置
对位2发射器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对位4发射器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于位6发射机输出脉冲位置
TXCLK期
图10
TXCLK高时间
图10
TXCLK低时间
图10
口TxIN安装程序TXCLK IN
图10
口TxIN保持到TXCLK IN
图10
TXCLK IN到TXCLK输出延迟
图12
发送锁相环集
图14
发射器掉电延时
图17
TXCLK在周期到周期抖动（输入时钟要求）
T
A
= 25 ° C，V
CC
= 3.3V
F = 85 MHz的
F = 85 MHz的
1.0
0.20
1.48
3.16
4.84
6.52
8.20
9.88
11.76
0.35T
0.35T
2.5
0
3.8
6.3
10
100
2
0
1.68
3.36
5.04
6.72
8.40
10.08
T
0.5T
0.5T
民
典型值
(1)
0.75
0.75
最大
1.5
1.5
6.0
0.20
1.88
3.56
5.24
6.92
8.60
10.28
50
0.65T
0.65T
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
典型值给出了V
CC
= 3.3V和T
A
= +25°C.
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