DS90CR287 / DS90CR288A + 3.3V上升沿数据选通LVDS 28位通道链接-85 MHZ
1999年10月
DS90CR287/DS90CR288A
+ 3.3V上升沿数据选通LVDS 28位通道
链接-85 MHZ
概述
该发射器DS90CR287转换CMOS / TTL的28位
数据分为四个LVDS（低压差分信号）数据
流。锁相发送时钟在标准杆传递
等位基因超过第五LVDS链路的数据流。每个周期
发送时钟的输入数据的28位进行采样，并
传输。该DS90CR288A接收机转换的四个
LVDS数据流返回到的CMOS / TTL数据28位。在
85兆赫的发射时钟频率，TTL数据的28位是
以每LVDS数据通道595 Mbps的速率发送。
使用一个85兆赫的时钟，数据吞吐量是2.38 Gbit / s的
（ 297.5兆字节/秒）。
该芯片组是解决EMI和电缆尺寸的理想方式
宽，高速TTL接口相关的问题。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
20至85 MHz的移位时钟支持
在接收机的输出时钟50％占空比
最佳企业级套装&保持时间上的TxINPUTs
低功耗
±
1V共模范围（约+ 1.2V ）
窄总线减少了线缆的尺寸和成本
高达2.38 Gbps的吞吐量
高达297.5兆字节/秒带宽
345毫伏（典型值） LVDS摆幅低EMI器件
PLL无需外部元件
上升沿数据选通
兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准
薄型56引脚TSSOP封装
方框图
DS90CR287
DS90CR288A
DS101087-1
DS101087-27
订单号DS90CR287MTD
见NS包装数MTD56
订单号DS90CR288AMTD
见NS包装数MTD56
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
1999美国国家半导体公司
DS101087
www.national.com
DS90CR287/DS90CR288A
电气特性
符号
I
CCTW
参数
变送器供电电流
最坏的情况下（有负载）
（续）
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
条件
R
L
= 100,
C
L
= 5 pF的，
最坏的情况下
图案
（图
1, 2)
F = 33 MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 85 MHz的
民
典型值
31
32
37
42
10
最大
45
50
55
60
55
单位
mA
mA
mA
mA
A
变送器供电电流
I
CCTZ
变送器供电电流
掉电
PWR DWN =低
三态驱动器输出
在掉电模式
C
L
= 8 PF，
最坏的情况下
图案
（图
1, 3)
F = 33 MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 85 MHz的
接收器电源电流
I
CCRW
接收器电源电流最差
例
49
53
81
96
140
70
75
114
135
400
mA
mA
mA
mA
A
I
CCRZ
接收器电源电流
下
PWR DWN =低
接收器输出时保持低位
掉电模式
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 ：
典型值给出了V
CC
= 3.3V和T
A
= +25C.
注3 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地，除非另有试样
田间（除V
OD
和
V
OD
).
注4 ：
V
OS
以前称为V
CM
.
发射器的开关特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
LLHT
LHLT
TCIT
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TCIP
TCIH
TCIL
TSTC
THTC
TCCD
tPLLS
TPDD
TJIT
参数
LVDS低到高的转变时间（图
2)
LVDS高向低转换时间（图
2)
TXCLK过渡时期（图
4)
对位0发射机输出脉冲位置（图
15)
对于第1位变送器输出脉冲位置
对位2发射器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对位4发射器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于位6发射机输出脉冲位置
TXCLK期
（图6）
TXCLK高时间（图
6)
TXCLK低时（图
6)
口TxIN安装程序TXCLK IN（图
6)
口TxIN保持到TXCLK IN（图
6)
TXCLK IN到TXCLK输出延迟
@
25C,V
CC
= 3.3V （图
8)
发送锁相环集（图
10)
发射器掉电延时（图
13)
TXCLK在周期toCycle抖动（图TBD）
F = 85 MHz的
F = 85 MHz的
1.0
0.20
1.48
3.16
4.51
6.52
8.20
9.88
11.76
0.35T
0.35T
2.5
0
3.8
6.3
10
100
2
0
1 . 68
3 . 36
5 . 04
6 . 72
8 . 40
10 .
08
T
0.5T
0.5T
民
典型值
0.75
0.75
最大
1.5
1.5
6.0
0.20
1.88
3.56
5.24
6.92
8.60
10.28
50
0.65T
0.65T
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
www.national.com
4
DS90CR287/DS90CR288A
接收器开关特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
CLHT
CHLT
RSPos0
RSPos1
RSPos2
RSPos3
RSPos4
RSPos5
RSPos6
RSKM
RCOP
RCOH
RCOL
RSRC
RHRC
碾压混凝土坝
RPLLS
RPDD
参数
CMOS / TTL低到高的转变时间（图
3)
CMOS / TTL高向低转换时间（图
3)
对于第0位（图接收器输入选通位置
16)
对于第1位接收器输入选通位置
对于第2位接收器输入选通位置
对于3位接收器输入选通位置
对于第4位接收器输入选通位置
对于5位接收器输入选通位置
对于第6位接收器输入选通位置
RXIN歪斜保证金（注5 ） （图
17)
RXCLK超时周期（图
7)
RXCLK输出高电平时间（图
7)
RXCLK输出低电平时间（图
7)
RXOUT安装到RXCLK OUT （图
7)
RXOUT保持到RXCLK OUT （图
7)
RXCLK IN至RXCLK输出延迟
@
25 ° C，V
CC
= 3.3V （注6 ）（图
9)
接收器锁相环集（图
11)
接收器掉电延时（图
14)
F = 85 MHz的
F = 85 MHz的
F = 85 MHz的
0.49
2.17
3.85
5.53
7.21
8.89
10.57
290
11.76
4
3.5
3.5
3.5
5.5
7
9.5
10
1
T
5
5
50
6.5
6
民
典型值
2
1.8
0.84
2.52
4.20
5.88
7.56
9.24
10.92
最大
3.5
3.5
1.19
2.87
4.55
6.23
7.91
9.59
11.27
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
s
注5 ：
接收机偏移容限被定义为在接收器输入端的有效数据采样区域。该保证金考虑了发射脉冲位置（分
和max）和接收器输入建立时间和保持时间（内部数据的采样窗口RSPOS ） 。此裕度允许的LVDS互连歪斜，符号间干扰
（既依赖于电缆的类型/长度） ，和源时钟（小于150 ps的） 。
注6 ：
总延迟的信道链路芯片组是通过发射机（ TCCD ）和接收器（ RCCD ）时钟周期与门延迟的函数。总的等待时间
为二百八十七分之二百一十七发射机和218 / 288A接收机是： （T + TCCD ）+（2
*
T + RCCD ），其中T =时钟周期。
AC时序图
DS101087-2
图1： “最坏情况”测试模式
DS101087-3
DS101087-4
图2. DS90CR287 （变送器） LVDS输出负载和转换时间
5
www.national.com
ジデータス
トローブ
28位通道链路的85MHz
DS90CR287/DS90CR288A
＋
3.3V
立ち上がりエッ
2002
年
5
月
DS101087
转换为nat2000 DTD
纠正错别字
在IN（ 5V和时钟） （ JFG ）添加文本
更正PIN表格的布局（ JFG ）
在表addded新页圆周率在各行之间
删除新的一页PI表之前，它创建了一个空白页
格式清理（ JFG ）
格式编辑（ JFG ）
移动注12 （时钟故障保护）到App信息。
由彼得·郭删除为75Mhz规范
ADD TO 50PS RSSOP彼得KUO
AC&DC彼得KUO 1999年3月19日
288A AC彼得·郭1999年3月19日
改为发布（ CW ）
变更为85MHZ规格（ CW）
更新的新规范（ CW）
保存到测试namest补丁
添加新的页面到原来的1页。
修改RCOH和RCOL分钟的限制。
DS90CR287/DS90CR288A
19961106
23685
11700
＋
3.3V上升沿数据选通LVDS 28位通道 - 85 MHz的
DS90CR287/DS90CR288A
＋
3.3V
立ち上がり ッ
エ ジデータス
トローブ
28位通道链路的85MHz
概要
特長
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
ト ンス ッ
ラ ミ タの
DS90CR287
は
28
ビ ト
LVCMOS / LVTTL
デー
ッの
タ
4
つの
LVDS （低压差分信号）
データ ス
を
ト
リームへ変換します。½相調整された ランス ッ ク ッ
ト
ミ ト ロ クは
データ ト
ス リーム と に並列に
5
つ目の
LVDS
リ ク り転送
とも
ン によ
されます。 ラ ミ ト ク ッ
ト ンス ッ ロ クのサイ ル毎に
28ビ
ト
ク
ッ の入力デー
タ
はサンプリ
ングされ、転送されます。
レシーバの
DS90CR288A
は
4
つの
LVDS
データ ス リ を
28
ビ ト
LVCMOS / LVTTL
ト ーム
ッの
データ
に復元します。 ラ ミ ト ク ッ
ト ンス ッ ロ クの周波数が
85MHz
時
には、28 ビ ト
TTL
データは
LVDS1
チャ
ッの
ネルあた
595Mbps
り
のス ドにな 、 ータ
ピー
り ト ル スループ ト
2.38Gbps(297.5Mbytes/
ッは
s)
で転送されます。いずれのデバイ も64 ボール、0.8mm 間隔
ス
のフ イ ピ チボールグ ッ
ァ ン ッ
リ ドア
レイ（ FBGA ）パケージで
ッ
56ピ
も供給され、
ンの
TSSOP
パ ケージに比べて実装面積を
44
ッ
％減らすこ
とが可½です。
このチ プセ ト
ッッは， TTLのスド
ピー バス幅によ 引き起こ
り
されて
いた、ケーブルのサイ
ズや
EMI
の問題を解決する理想的なチ
ッ
プセ ト
ッ です。
＋
3.3V上升沿数据选通LVDS 28位通道 - 85 MHz的
DS90CR287
DS90CR288A
20
85MHz
ク ッ に対応
ロ ク
50％デューテ
サイ ルのレシーバク ッ
ィ
ク
ロ ク出力
2.5/0ns
セ ト ッ
/
ホール
ッア プ
ドタ ム
（ TxINPUT ）
イ
½消費電力
±
1V
同相電圧範囲
(
＋
1.2V
中心
)
バス幅の½減によ
るケーブルの小型化、コス
ト削減が可½
データスループッ
ト2.38Gbit/s
297.5Mbytes/s
の高速転送
½
EMI
を実現する
345mV （典型值）
信号振幅
PLL
は外付け部品不要
立ち上がりエッ
ジデータス ローブ
ト
TIA / EIA- 644 LVDS
標準準拠
高密度実装を可½にする
56
ピ
TSSOP
パッ
ン
ケージ
64
ボール、0.8mm 間隔のフ イ ピ チボールグ ッ
ァ ン ッ
リ ド
アイ（ FBGA ）パケージで
レ
ッ
も供給
ッ
ブロ ク図
DS90CR287
DS90CR288A
订单号DS90CR287MTD或DS90CR287SLC
见NS包装数MTD56或SLC64A
订单号DS90CR288AMTD或DS90CR288ASLC
见NS包装数MTD56或SLC64A
20001108
美国国家半导体公司
DS101087-JP
1
DS90CR287/DS90CR288A
TSSOP
パッケージのピン配½図
DS90CR287
DS90CR288A
代表的なアプリケーシ ン
ョ
http://www.national.com/JPN/
2
DS90CR287/DS90CR288A
絶対最大定格
（注1 ）
本データ トには軍用航空宇宙用の規格は記載されていません。
シー
関連する電気的信頼性試験方法の規格を参照下さい。
電源電圧
(V
CC
)
CMOS / TTL
入力電圧
CMOS / TTL
出力電圧
LVDSレシーバ入力电圧
LVDSド
イバ出力電圧
ラ
LVDS
出力短絡時間
PN
接合温度
保存温度範囲
0.3V
＋
4V
0.5V
(V
CC
＋
0.3V)
0.3V
(V
CC
＋
0.3V)
0.3V
(V
CC
＋
0.3V)
0.3V
(V
CC
＋
0.3V)
連続
＋
150
℃
65
℃＋
150
℃
＋
260
℃
＋
220
℃
許容リ ド温度
ー
( ハン
ダ付け
4
秒
)
ハン リ
ダ フロー温度
（ FBGAで
20
秒
)
最大パ ケージ許容損失
(
＋
25
℃のと
ッ
き)
MTD56 （ TSSOP ）
パ ケージ
:
ッ
DS90CR287MTD
DS90CR288AMTD
＊周囲温度＋
25
℃を超える場合は、
DS90CR287MTD
DS90CR288AMTD
を減じて ださい。
く
最大パ ケージ許容損失
(
＋
25
℃のと
)
ッ
き
SLC64A
パ ケージ
:
ッ
DS90CR287SLC
DS90CR288ASLC
＊周囲温度＋
25
℃を超える場合は、
DS90CR287SLC
DS90CR288ASLC
を減じて ださい。
く
ESD
耐圧
(HBM、1.5kΩ、100pF)
(EIAJ、0Ω、200pF)
25
℃における ッ ッ
ラ チア プ耐圧
2.0W
2.0W
10.2mW/
℃
10.2mW/
℃
＞
7kV
＞
700V
＞ ±
300mA
推奨動½条件
最小値 標準値
最大値
3.6
＋
70
2.4
100
単½
V
℃
V
mV
PP
1.63W
1.61W
12.5mW/
℃
12.4mW/
℃
電源電圧
(V
CC
)
動½周囲温度
(T
A
)
レシーバ入力電圧範囲
電源ノ ズ電圧
(V
CC
)
イ
3.0
10
0
3.3
＋
25
電気的特性
特記のない限り、推奨動½電源電圧お び動½温度範囲に対して適用。
よ
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
LVCMOS / LVTTL DC规格
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
CL
I
IN
I
OS
V
OD
ΔV
OD
V
OS
ΔV
OS
I
OS
I
OZ
V
TH
V
TL
I
IN
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入钳位电压
输入电流
I
OH
＝
0.4毫安
I
OL
＝
2毫安
I
CL
＝
18毫安
V
IN
＝
0.4V ， 2.5V或V
CC
V
IN
＝
GND
输出短路电流
V
OUT
＝
0V
R
L
＝
100Ω
250
“ LVDS
驱动器DC规格
差分输出电压
改变V
OD
间
免费提供输出国家
失调电压（注4 ）
改变V
OS
间
免费提供输出国家
输出短路电流
输出三态电流
差分输入高阈值
差分输入阈值低
输入电流
V
IN
＝＋
2.4V, V
CC
＝
3.6V
V
IN
＝
0V, V
CC
＝
3.6V
V
OUT
＝
0V ，R
L
＝
100Ω
PWR DWN
＝
0V, V
OUT
＝
0V或V
CC
V
CM
＝＋
1.2V
100
±
10
±
10
3.5
±
1
1.125
1.25
290
450
35
1.375
35
5
±
10
＋
100
mV
mV
V
mV
mA
A
μ
mV
mV
A
μ
A
μ
10
2.0
GND
2.7
3.3
0.06
0.79
＋
1.8
0
60
120
0.3
1.5
＋
15
V
CC
0.8
V
V
V
V
V
A
μ
A
μ
mA
“ LVDS
接收器DC规格
3
http://www.national.com/JPN/
DS90CR287/DS90CR288A
電気的特性
(
つづき
)
特記のない限り
、推奨動½電源電圧およ
び動½温度範囲に対して適用。
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
变送器供电电流
I
CCTW
变送器电源电流最差
案例（带负载）
R
L
＝
100Ω,
C
L
＝
5 pF的，
最坏的情况下格局
（图1,2）
f
＝
33兆赫
f
＝
40 MHZ
f
＝
66兆赫
f
＝
85兆赫
I
CCTZ
变送器电源电流
下
PWR DWN
＝
低
三态驱动器输出
在掉电模式
31
32
37
42
10
45
50
55
60
55
mA
mA
mA
mA
A
μ
接收器电源电流
I
CCRW
接收器电源电流最坏情况
C
L
＝
8 pF的，
最坏的情况下格局
（图1,3）
f
＝
33兆赫
f
＝
40 MHZ
f
＝
66兆赫
f
＝
85兆赫
I
CCRZ
接收器电源电流掉电
PWR DWN
＝
低
接收器输出时保持低位
掉电模式
49
53
81
96
140
70
75
114
135
400
mA
mA
mA
mA
A
μ
注1 ：
「絶対最大定格」と
は、この範囲を超える デバイ
と
スの安全性が保証されないリ ッ
ミ ト値をいい、これらのリ ッ
ミ ト値でデバイ
スが動½する と
こ を意味する
も
のではあ ません。電気的特性の表にデバイ
り
スの実動½条件を記載しています。
代表値
（典型值）
は全て
V
CC
＝
3.3V、T
A
＝＋
25
℃で得られる最も標準的な数値です。
ウ ド端子を基準と
デバイ
ス端子に流れ込む電流は正、デバイ
ス端子から流れ出る電流は負と定義されます。
V
OD
とΔV
OD
以外、全ての電圧値はグラ ン
します。
V
OS
は以前は
V
CM
と表記されていま
した。
注2 ：
注3 ：
注4 ：
ミ タスイ
ッチング特性
トランス ッ
特記のない限り、推奨動½電源電圧お び動½温度範囲に対して適用。
よ
符号
LLHT
LHLT
TCIT
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TCIP
TCIH
TCIL
TSTC
THTC
TCCD
tPLLS
TPDD
TJIT
参数
LVDS低到高的转变时间（图2 ）
LVDS高向低转换时间（图2 ）
TXCLK过渡时期（图4 ）
发射器输出脉冲位置的位0 （图14）
对于第1位变送器输出脉冲位置
对于第2位变送器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对于第4位变送器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于第6位变送器输出脉冲位置
TXCLK期（图5 ）
TXCLK高时间（图5 ）
TXCLK低时（图5 ）
口TxIN安装程序TXCLK IN（图5 ）
口TxIN保持到TXCLK IN（图5 ）
TXCLK IN至TXCLK输出延迟（图7）
发射机锁相环集（图9）
发送器掉电延迟（图12）
TXCLK在周期到周期抖动（输入时钟要求）
T
A
＝
25
℃
,
V
CC
＝
3.3V
f
＝
85兆赫
f
＝
85兆赫
1.0
0.20
1.48
3.16
4.84
6.52
8.20
9.88
11.76
0.35T
0.35T
2.5
0
3.8
6.3
10
100
2
0
1.68
3.36
5.04
6.72
8.40
10.08
T
0.5T
0.5T
民
典型值
0.75
0.75
最大
1.5
1.5
6.0
0.20
1.88
3.56
5.24
6.92
8.60
10.28
50
0.65T
0.65T
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
http://www.national.com/JPN/
4
DS90CR287/DS90CR288A
レシーバスイ
ッチング特性
特記のない限り、推奨動½電源電圧お び動½温度範囲に対して適用。
よ
符号
CLHT
CHLT
RSPos0
RSPos1
RSPos2
RSPos3
RSPos4
RSPos5
RSPos6
RSKM
RCOP
RCOH
RCOL
RSRC
RHRC
碾压混凝土坝
RPLLS
RPDD
注5 ：
参数
CMOS / TTL低到高的转变时间（图3 ）
CMOS / TTL高向低转换时间（图3 ）
对于接收器输入选通位置位0 （图15 ）
对于第1位接收器输入选通位置
对于第2位接收器输入选通位置
对于3位接收器输入选通位置
对于第4位接收器输入选通位置
对于5位接收器输入选通位置
对于第6位接收器输入选通位置
RXIN歪斜保证金（注5 ） （图16 ）
RXCLK超时周期（图6）
RXCLK输出高电平时间（图6）
RXCLK输出低电平时间（图6）
RXOUT安装到RXCLK OUT （图6）
RXOUT保持到RXCLK OUT （图6）
RXCLK IN至RXCLK输出延迟@ 25
℃
, V
CC
＝
3.3V （注6） （图8）
接收机锁相环集（图10）
接收器掉电延迟（图13）
f
＝
85兆赫
f
＝
85兆赫
f
＝
85兆赫
民
典型值
2
1.8
最大
3.5
3.5
1.19
2.87
4.55
6.23
7.91
9.59
11.27
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ps
0.49
2.17
3.85
5.53
7.21
8.89
10.57
290
11.76
4
3.5
3.5
3.5
5.5
0.84
2.52
4.20
5.88
7.56
9.24
10.92
T
5
5
50
6.5
6
ns
ns
ns
ns
ns
7
9.5
10
1
ns
ms
s
μ
レシーバスキューマージ レシーバ入力でのサンプリ グに必要な有効データ範囲と定義されます。 このマージ ト ンス ッ パルスポジシ ン
ンは
ン
ンは ラ ミ タ
ョ
（ TPPos分と最大）と
レシーバの入力セ ト ッ
/
ホール イ
(
内部データ サンプリ グ長
RSPos ）
によ
ッア プ
ドタ ム
ン
り導き出されています。
このマージ
ンは
LVDS
配線スキュー、ケーブルスキュー
(
タ プと長さ り異な ます
)と
イ
によ
り
½ースク ッ
(150ps)
によ
ロ ク
り減少します。
チャネルリ ク ッ ッ
ン チ プセ ト全½でのレイ
テンシは、ク ッ
ロ ク周期、お び ラ ミ タ
（ TCCD ）
と
よ ト ンス ッ
レシーバ
（碾压混凝土坝）
のゲー デ レイ
ト ィ の関数と
して表されま
Tをク
ッ
す。ラミタDS90CR217 / 287と
ト ンス ッ
レシーバDS90CR218A/288Aのレイ
テンシの合計は、
ロ ク周期と
したと
(T＋TCCD)＋(2*T＋RCCD)と
り
き、
な ます。
注6 ：
AC
タイ ング図
ミ
”
图1： “最坏情况”测试模式
图2. DS90CR287 （变送器） LVDS输出负载和转换时间
5
http://www.national.com/JPN/
DS90CR287 / DS90CR288A + 3.3V上升沿数据选通LVDS 28位通道链接-85 MHZ
1999年10月
DS90CR287/DS90CR288A
+ 3.3V上升沿数据选通LVDS 28位通道
链接-85 MHZ
概述
该发射器DS90CR287转换CMOS / TTL的28位
数据分为四个LVDS（低压差分信号）数据
流。锁相发送时钟在标准杆传递
等位基因超过第五LVDS链路的数据流。每个周期
发送时钟的输入数据的28位进行采样，并
传输。该DS90CR288A接收机转换的四个
LVDS数据流返回到的CMOS / TTL数据28位。在
85兆赫的发射时钟频率，TTL数据的28位是
以每LVDS数据通道595 Mbps的速率发送。
使用一个85兆赫的时钟，数据吞吐量是2.38 Gbit / s的
（ 297.5兆字节/秒）。
该芯片组是解决EMI和电缆尺寸的理想方式
宽，高速TTL接口相关的问题。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
20至85 MHz的移位时钟支持
在接收机的输出时钟50％占空比
最佳企业级套装&保持时间上的TxINPUTs
低功耗
±
1V共模范围（约+ 1.2V ）
窄总线减少了线缆的尺寸和成本
高达2.38 Gbps的吞吐量
高达297.5兆字节/秒带宽
345毫伏（典型值） LVDS摆幅低EMI器件
PLL无需外部元件
上升沿数据选通
兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准
薄型56引脚TSSOP封装
方框图
DS90CR287
DS90CR288A
DS101087-1
DS101087-27
订单号DS90CR287MTD
见NS包装数MTD56
订单号DS90CR288AMTD
见NS包装数MTD56
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
1999美国国家半导体公司
DS101087
www.national.com
DS90CR287/DS90CR288A
电气特性
符号
I
CCTW
参数
变送器供电电流
最坏的情况下（有负载）
（续）
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
条件
R
L
= 100,
C
L
= 5 pF的，
最坏的情况下
图案
（图
1, 2)
F = 33 MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 85 MHz的
民
典型值
31
32
37
42
10
最大
45
50
55
60
55
单位
mA
mA
mA
mA
A
变送器供电电流
I
CCTZ
变送器供电电流
掉电
PWR DWN =低
三态驱动器输出
在掉电模式
C
L
= 8 PF，
最坏的情况下
图案
（图
1, 3)
F = 33 MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 85 MHz的
接收器电源电流
I
CCRW
接收器电源电流最差
例
49
53
81
96
140
70
75
114
135
400
mA
mA
mA
mA
A
I
CCRZ
接收器电源电流
下
PWR DWN =低
接收器输出时保持低位
掉电模式
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 ：
典型值给出了V
CC
= 3.3V和T
A
= +25C.
注3 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地，除非另有试样
田间（除V
OD
和
V
OD
).
注4 ：
V
OS
以前称为V
CM
.
发射器的开关特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
LLHT
LHLT
TCIT
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TCIP
TCIH
TCIL
TSTC
THTC
TCCD
tPLLS
TPDD
TJIT
参数
LVDS低到高的转变时间（图
2)
LVDS高向低转换时间（图
2)
TXCLK过渡时期（图
4)
对位0发射机输出脉冲位置（图
15)
对于第1位变送器输出脉冲位置
对位2发射器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对位4发射器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于位6发射机输出脉冲位置
TXCLK期
（图6）
TXCLK高时间（图
6)
TXCLK低时（图
6)
口TxIN安装程序TXCLK IN（图
6)
口TxIN保持到TXCLK IN（图
6)
TXCLK IN到TXCLK输出延迟
@
25C,V
CC
= 3.3V （图
8)
发送锁相环集（图
10)
发射器掉电延时（图
13)
TXCLK在周期toCycle抖动（图TBD）
F = 85 MHz的
F = 85 MHz的
1.0
0.20
1.48
3.16
4.51
6.52
8.20
9.88
11.76
0.35T
0.35T
2.5
0
3.8
6.3
10
100
2
0
1 . 68
3 . 36
5 . 04
6 . 72
8 . 40
10 .
08
T
0.5T
0.5T
民
典型值
0.75
0.75
最大
1.5
1.5
6.0
0.20
1.88
3.56
5.24
6.92
8.60
10.28
50
0.65T
0.65T
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
www.national.com
4
DS90CR287/DS90CR288A
接收器开关特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
CLHT
CHLT
RSPos0
RSPos1
RSPos2
RSPos3
RSPos4
RSPos5
RSPos6
RSKM
RCOP
RCOH
RCOL
RSRC
RHRC
碾压混凝土坝
RPLLS
RPDD
参数
CMOS / TTL低到高的转变时间（图
3)
CMOS / TTL高向低转换时间（图
3)
对于第0位（图接收器输入选通位置
16)
对于第1位接收器输入选通位置
对于第2位接收器输入选通位置
对于3位接收器输入选通位置
对于第4位接收器输入选通位置
对于5位接收器输入选通位置
对于第6位接收器输入选通位置
RXIN歪斜保证金（注5 ） （图
17)
RXCLK超时周期（图
7)
RXCLK输出高电平时间（图
7)
RXCLK输出低电平时间（图
7)
RXOUT安装到RXCLK OUT （图
7)
RXOUT保持到RXCLK OUT （图
7)
RXCLK IN至RXCLK输出延迟
@
25 ° C，V
CC
= 3.3V （注6 ）（图
9)
接收器锁相环集（图
11)
接收器掉电延时（图
14)
F = 85 MHz的
F = 85 MHz的
F = 85 MHz的
0.49
2.17
3.85
5.53
7.21
8.89
10.57
290
11.76
4
3.5
3.5
3.5
5.5
7
9.5
10
1
T
5
5
50
6.5
6
民
典型值
2
1.8
0.84
2.52
4.20
5.88
7.56
9.24
10.92
最大
3.5
3.5
1.19
2.87
4.55
6.23
7.91
9.59
11.27
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
s
注5 ：
接收机偏移容限被定义为在接收器输入端的有效数据采样区域。该保证金考虑了发射脉冲位置（分
和max）和接收器输入建立时间和保持时间（内部数据的采样窗口RSPOS ） 。此裕度允许的LVDS互连歪斜，符号间干扰
（既依赖于电缆的类型/长度） ，和源时钟（小于150 ps的） 。
注6 ：
总延迟的信道链路芯片组是通过发射机（ TCCD ）和接收器（ RCCD ）时钟周期与门延迟的函数。总的等待时间
为二百八十七分之二百一十七发射机和218 / 288A接收机是： （T + TCCD ）+（2
*
T + RCCD ），其中T =时钟周期。
AC时序图
DS101087-2
图1： “最坏情况”测试模式
DS101087-3
DS101087-4
图2. DS90CR287 （变送器） LVDS输出负载和转换时间
5
www.national.com
DS90CR287 / DS90CR288A + 3.3V上升沿数据选通LVDS 28位通道链接-85 MHZ
2004年7月
DS90CR287/DS90CR288A
+ 3.3V上升沿数据选通LVDS 28位通道
链接-85 MHZ
概述
该发射器DS90CR287转换LVCMOS的28位/
LVTTL数据转换4的LVDS （低压差分信号 -
荷兰国际集团）的数据流。锁相发送时钟都会发送
泰德与数据并行流过的第五个LVDS链路。
输入数据的传输时钟的每一个周期的28位是
采样和发送。该DS90CR288A接收CON-
绿党的四个LVDS数据流返回到28位
LVCMOS / LVTTL数据。在85发射时钟频率
兆赫， TTL数据， 28位在595的速度传输
每个LVDS数据通道Mbps的。使用85 MHz的时钟，所述
数据吞吐量为2.38千兆位/秒（ 297.5兆字节/秒）。
该芯片组是解决EMI和电缆尺寸的理想方式
同宽，高速的TTL接口相关联的问题。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
20至85 MHz的移位时钟支持
在接收机的输出时钟50％占空比
2.5 / 0 ns的设定&保持时间上的TxINPUTs
低功耗
±
1V共模范围（约+ 1.2V ）
窄总线减少了线缆的尺寸和成本
高达2.38 Gbps的吞吐量
高达297.5 MB /秒的带宽
345毫伏（典型值） LVDS摆幅低EMI器件
PLL无需外部元件
上升沿数据选通
兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准
薄型56引脚TSSOP封装
方框图
DS90CR287
DS90CR288A
10108701
10108727
订单号DS90CR287MTD
见NS包装数MTD56
订单号DS90CR288AMTD
见NS包装数MTD56
2004美国国家半导体公司
DS101087
www.national.com
DS90CR287/DS90CR288A
电气特性
符号
I
CCTW
参数
变送器供电电流
（续）
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
条件
R
L
= 100,
C
L
= 5 pF的，
最坏的情况下
图案
（图
1, 2)
F = 33 MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 85 MHz的
民
典型值
31
32
37
42
10
最大
45
50
55
60
55
单位
mA
mA
mA
mA
A
变送器电源电流最差
案例（带负载）
I
CCTZ
变送器电源电流
下
PWR DWN =低
三态驱动器输出
在掉电模式
C
L
= 8 PF，
最坏的情况下
图案
（图
1, 3)
F = 33 MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 85 MHz的
接收器电源电流
I
CCRW
接收器电源电流最差
例
49
53
81
96
140
70
75
114
135
400
mA
mA
mA
mA
A
I
CCRZ
接收器电源电流
下
PWR DWN =低
接收器输出时保持低位
掉电模式
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 ：
典型值给出了V
CC
= 3.3V和T
A
= +25C.
注3 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地，除非另有
指定（除V
OD
和
V
OD
).
注4 ：
V
OS
以前称为V
CM
.
发射器的开关特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
LLHT
LHLT
TCIT
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TCIP
TCIH
TCIL
TSTC
THTC
TCCD
tPLLS
TPDD
TJIT
参数
LVDS低到高的转变时间（图
2)
LVDS高向低转换时间（图
2)
TXCLK过渡时期（图
4)
对位0发射机输出脉冲位置（图
14)
对于第1位变送器输出脉冲位置
对位2发射器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对位4发射器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于位6发射机输出脉冲位置
TXCLK期
（图5中
)
TXCLK高时间（图
5)
TXCLK低时（图
5)
口TxIN安装程序TXCLK IN（图
5)
口TxIN保持到TXCLK IN（图
5)
TXCLK IN到TXCLK输出延迟（图
7)
发送锁相环集（图
9)
发射器掉电延时（图
12)
TXCLK在周期到周期抖动（输入时钟要求）
T
A
= 25C,
V
CC
= 3.3V
F = 85 MHz的
F = 85 MHz的
1.0
0.20
1.48
3.16
4.84
6.52
8.20
9.88
11.76
0.35T
0.35T
2.5
0
3.8
6.3
10
100
2
0
1.68
3.36
5.04
6.72
8.40
10.08
T
0.5T
0.5T
民
典型值
0.75
0.75
最大
1.5
1.5
6.0
0.20
1.88
3.56
5.24
6.92
8.60
10.28
50
0.65T
0.65T
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
www.national.com
4
DS90CR287/DS90CR288A
接收器开关特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
CLHT
CHLT
RSPos0
RSPos1
RSPos2
RSPos3
RSPos4
RSPos5
RSPos6
RSKM
RCOP
RCOH
RCOL
RSRC
RHRC
碾压混凝土坝
RPLLS
RPDD
参数
CMOS / TTL低到高的转变时间（图
3)
CMOS / TTL高向低转换时间（图
3)
对于第0位（图接收器输入选通位置
15)
对于第1位接收器输入选通位置
对于第2位接收器输入选通位置
对于3位接收器输入选通位置
对于第4位接收器输入选通位置
对于5位接收器输入选通位置
对于第6位接收器输入选通位置
RXIN歪斜保证金（注5 ） （图
16)
RXCLK超时周期（图
6)
RXCLK输出高电平时间（图
6)
RXCLK输出低电平时间（图
6)
RXOUT安装到RXCLK OUT （图
6)
RXOUT保持到RXCLK OUT （图
6)
RXCLK IN至RXCLK输出延迟
@
25 ° C，V
CC
= 3.3V （注6 ）（图
8)
接收器锁相环集（图
10)
接收器掉电延时（图
13)
F = 85 MHz的
F = 85 MHz的
F = 85 MHz的
0.49
2.17
3.85
5.53
7.21
8.89
10.57
290
11.76
4
3.5
3.5
3.5
5.5
7
9.5
10
1
T
5
5
50
6.5
6
民
典型值
2
1.8
0.84
2.52
4.20
5.88
7.56
9.24
10.92
最大
3.5
3.5
1.19
2.87
4.55
6.23
7.91
9.59
11.27
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
s
注5 ：
接收机偏移容限被定义为在接收器输入端的有效数据采样区域。该保证金考虑了发射脉冲位置（分
和max）和接收器输入建立时间和保持时间（内部数据的采样窗口RSPOS ） 。此裕度允许的LVDS互连歪斜，符号间干扰
（既依赖于电缆的类型/长度） ，和源时钟（小于150 ps的） 。
注6 ：
总延迟的信道链路芯片组是通过发射机（ TCCD ）和接收器（ RCCD ）时钟周期与门延迟的函数。总的等待时间
为二百八十七分之二百一十七发射机和218 / 288A接收机是： （T + TCCD ）+（2 ×T + RCCD ），其中T =时钟周期。
AC时序图
10108702
图1： “最坏情况”测试模式
5
www.national.com
QQ：2880707522 复制
