DS90CR285 / DS90CR286 + 3.3V上升沿数据选通LVDS 28位通道链接-66 MHz的
1999年3月
DS90CR285/DS90CR286
+ 3.3V上升沿数据选通LVDS 28位通道
链接66兆赫
概述
该发射器DS90CR285转换CMOS / TTL的28位
数据分为四个LVDS（低压差分信号）数据
流。锁相发送时钟在标准杆传递
等位基因超过第五LVDS链路的数据流。每个周期
发送时钟的输入数据的28位进行采样，并
传输。该DS90CR286接收器将LVDS
数据流返回到的CMOS / TTL数据28位。在反
的66 MHz的麻省理工学院的时钟频率，TTL数据的28位是反式
mitted以每LVDS数据通道462 Mbps的速率。运用
一个66 MHz时钟，数据吞吐量为1.848 Gbit / s的（ 231
兆字节/秒） 。
数据线的复用提供了大量
电缆降低。长距离并行单端总线
通常要求每有源信号地线（和有
非常有限的噪声抑制能力） 。因此，对于28位宽的
数据和一个时钟，高达58导体是必需的。同
通道链路芯片组少11导体（ 4数据
对， 1个时钟对和至少一个接地）是
需要的。这提供了所需的电缆减少80 ％
宽度，它提供了一个系统的成本节约，降低CON-
接器的物理尺寸和成本，并降低了屏蔽要求一
ments由于电缆“更小的外形。
28 CMOS / TTL输入，可支持多种信号
组合。例如， 7 4位的半字节或3的9位
（字节+奇偶校验）和1个对照。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
+ 3.3V单电源
芯片组（ TX + Rx）的功耗
＆ LT ;
250毫瓦（典型值）
掉电模式（
＆ LT ;
0.5毫瓦总）
高达231兆字节/秒带宽
高达1.848 Gbps的数据吞吐量
窄总线减少了线缆的尺寸
290 mV的LVDS摆幅低EMI器件
+ 1V共模范围（约+ 1.2V ）
PLL无需外部元件
薄型56引脚TSSOP封装
上升沿数据选通
兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准
ESD额定值
＆ GT ;
7千伏
工作温度： -40℃ + 85℃
方框图
DS90CR285
DS90CR286
DS012910-1
DS012910-27
订单号DS90CR285MTD
见NS包装数MTD56
订单号DS90CR286MTD
见NS包装数MTD56
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
1999美国国家半导体公司
DS012910
www.national.com
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
-0.3V至+ 4V
CMOS / TTL输入电压
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
CMOS / TTL输出电压
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
LVDS接收器输入
电压
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
LVDS驱动器输出电压
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
LVDS输出短路
长短
连续
结温
+150C
储存温度
-65 ° C至+ 150°C
焊接温度
（焊接， 4秒）
+260C
最大封装功耗
@
+25C
MTD56 （ TSSOP ）封装：
DS90CR285
DS90CR286
套餐降额：
DS90CR285
DS90CR286
ESD额定值
（ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
1.63 W
1.61 W
12.5毫瓦/ C以上+ 25℃
12.4毫瓦/ C以上+ 25℃
＆ GT ;
7千伏
推荐工作
条件
电源电压（V
CC
)
经营自由的空气
40
+25
温度（T
A
)
接收器输入范围
0
电源噪声电压（V
CC
)
民
3.0
喃
3.3
最大
3.6
+85
2.4
单位
V
C
V
100毫伏
PP
电气特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
CL
I
IN
I
OS
V
OD
V
OD
V
OS
V
OS
I
OS
I
OZ
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入钳位电压
输入电流
输出短路电流
差分输出电压
改变V
OD
间
免费提供输出国家
失调电压（注4 ）
改变V
OS
间
免费提供输出国家
输出短路电流
产量
三州
当前
V
OUT
= 0V ，R
L
= 100
PWR DWN = 0V ，
V
OUT
= 0V或V
CC
LVDS接收器DC规格
V
TH
V
TL
I
IN
差分输入高阈值
差分输入阈值低
输入电流
V
IN
= +2.4V, V
CC
= 3.6V
V
IN
= 0V, V
CC
= 3.6V
V
CM
= +1.2V
100
+100
mV
mV
A
A
3.5
1.125
1.25
I
OH
= -0.4毫安
I
OL
= 2毫安
I
CL
= -18毫安
V
IN
= V
CC
，GND， 2.5V或0.4V
V
OUT
= 0V
R
L
= 100
250
条件
民
2.0
GND
2.7
3.3
0.06
0.79
0.3
1.5
典型值
最大
V
CC
0.8
单位
V
V
V
V
V
A
mA
mV
mV
V
mV
mA
A
CMOS / TTL DC规格
±
5.1
60
290
±
10
120
450
35
1.375
35
5
LVDS驱动器DC规格
±
1
±
10
±
10
±
10
3
www.national.com
电气特性
符号
I
CCTW
参数
变送器供电电流
最坏的情况下（有负载）
（续）
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
条件
R
L
= 100,
C
L
= 5 pF的，
最坏的情况下
图案
（图
1, 2),
T
A
= -10℃至
+70C
R
L
= 100,
C
L
= 5 pF的，
最坏的情况下
图案
（图
1, 2),
T
A
= -40°C至
+85C
I
CCTZ
变送器供电电流
掉电
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 66MHz的
F = 40MHz的
民
典型值
31
32
37
38
最大
45
50
55
51
单位
mA
mA
mA
mA
变送器供电电流
F = 66MHz的
42
55
mA
PWR DWN =低
三态驱动器输出
在掉电模式
C
L
= 8 PF，
最坏的情况下
图案
（图
1, 3),
T
A
= -10℃至
+70C
C
L
= 8 PF，
最坏的情况下
图案
（图
1, 3),
T
A
= -40°C至
+85C
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 66MHz的
F = 40MHz的
10
55
A
接收器电源电流
I
CCRW
接收器电源电流最差
例
49
53
78
55
65
70
105
82
mA
mA
mA
mA
F = 66MHz的
78
105
mA
I
CCRZ
接收器电源电流
下
PWR DWN =低
接收器输出时保持低位
掉电模式
10
55
A
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 ：
典型值给出了V
CC
= 3.3V和T
A
= +25C.
注3 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地，除非另有试样
田间（除V
OD
和
V
OD
).
注4 ：
V
OS
以前称为V
CM
.
发射器的开关特性
在推荐的工作电源和-40℃至+ 85℃范围内，除非另有说明
符号
LLHT
LHLT
TCIT
TCCS
TPPos0
TPPos1
TPPos2
参数
LVDS低到高的转变时间（图
2)
LVDS高向低转换时间（图
2)
TXCLK过渡时期（图
4)
TXOUT通道至通道偏移（图
5)
发射器输出脉冲位置
位0 （注7 ） （图
16)
发射器输出脉冲位置
Bit1
发射器输出脉冲位置
Bit2
4
民
典型值
0.5
0.5
250
最大
1.5
1.5
5
单位
ns
ns
ns
ps
ns
ns
ns
F = 40MHz的
0.4
3.1
6.5
0
3.3
6.8
0.4
4.0
7.6
www.national.com
发射器的开关特性
符号
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TCIP
TCIH
TCIL
TSTC
THTC
TCCD
tPLLS
TPDD
参数
发射器输出脉冲位置
Bit3
发射器输出脉冲位置
Bit4
发射器输出脉冲位置
Bit5
发射器输出脉冲位置
Bit6
发射器输出脉冲位置
位0 （注6 ）（图
16)
发射器输出脉冲位置
Bit1
发射器输出脉冲位置
Bit2
发射器输出脉冲位置
Bit3
发射器输出脉冲位置
Bit4
发射器输出脉冲位置
Bit5
发射器输出脉冲位置
Bit6
TXCLK期
（图6）
TXCLK高时间（图
6)
TXCLK低时（图
6)
口TxIN安装程序TXCLK IN（图
6)
口TxIN保持到TXCLK IN（图
6)
TXCLK IN到TXCLK输出延迟
@
25C,V
CC
=3.3V
（图
8)
发送锁相环集（图
10)
发射器掉电延时（图
14)
（续）
在推荐的工作电源和-40℃至+ 85℃范围内，除非另有说明
民
10.2
13.7
17.3
21.0
F = 66MHz的
0.4
1.8
4.0
6.2
8.4
10.6
12.8
15
0.35T
0.35T
2.5
0
3
3.7
5.5
10
100
典型值
10.4
13.9
17.6
21.2
0
2.2
4.4
6.6
8.8
11.0
13.2
T
0.5T
0.5T
最大
11.0
14.6
18.2
21.8
0.3
2.5
4.7
6.9
9.1
11.3
13.5
50
0.65T
0.65T
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
接收器开关特性
在推荐的工作电源和-40℃至+ 85℃范围内，除非另有说明
符号
CLHT
CHLT
RSPos0
RSPos1
RSPos2
RSPos3
RSPos4
RSPos5
RSPos6
参数
CMOS / TTL低到高的转变时间（图
3)
CMOS / TTL高向低转换时间（图
3)
接收器的位0 （注7） （图输入选通位置
17)
对于第1位接收器输入选通位置
对于第2位接收器输入选通位置
对于3位接收器输入选通位置
对于第4位接收器输入选通位置
对于5位接收器输入选通位置
对于第6位接收器输入选通位置
F = 40MHz的
1.0
4.5
8.1
11.6
15.1
18.8
22.5
民
典型值
2.2
2.2
1.4
5.0
8.5
11.9
15.6
19.2
22.9
最大
5.0
5.0
2.15
5.8
9.15
12.6
16.3
19.9
23.6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
www.national.com
DS90CR285 ， DS90CR286
www.ti.com
SNLS130C - 1999年3月 - 修订2013年3月
DS90CR285 / DS90CR286 + 3.3V上升沿数据选通LVDS 28位通道链接-66 MHz的
检查样品：
DS90CR285 ， DS90CR286
1
特点
+ 3.3V单电源
芯片组（ TX + Rx）的功耗<250
毫瓦（典型值）
掉电模式（ <0.5毫瓦总）
高达231兆字节/秒带宽
高达1.848 Gbps的数据吞吐量
窄总线减少了线缆的尺寸
290 mV的LVDS摆幅低EMI器件
+ 1V共模范围（约+ 1.2V ）
PLL无需外部元件
这两款器件均提供低姿态56-
引脚TSSOP封装
上升沿数据选通
兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准
ESD额定值> 7千伏
工作温度：
40°C
至+ 85°C
描述
该DS90CR285转换发射器的28位
LVCMOS / LVTTL数据转换4 LVDS（低压
差分信号）数据流。锁相
发送时钟是平行于数据传输的
流过的第五个LVDS链路。的每个周期
传送时钟的输入数据的28位进行采样和
传输。该DS90CR286接收器将
LVDS数据流返回到28位
LVCMOS / LVTTL数据。在一个传输时钟频率
66兆赫， TTL数据的28位以发送
利率每LVDS数据通道462 Mbps的。使用66
MHz的时钟，数据吞吐量是1.848千兆位/秒（ 231
兆字节/秒） 。
数据线的复用提供了一种
大幅度减少电缆。长距离平行
单端总线通常需要接地线
每个活动信号（和非常有限的噪音
抑制能力） 。因此，对于28位宽的数据和
一个时钟，高达58导体是必需的。与
通道链路芯片组少11导体（ 4数据
对， 1个时钟对和至少一个接地）是
需要的。这提供了在需要的减少80％
电缆的宽度，它提供了一个系统的成本节约，
降低了连接器的物理尺寸和成本，并
减少由于光缆的屏蔽要求
更小的外形尺寸。
28个LVCMOS / LVTTL输入可支持多种
信号组合。例如， 7 4位
半字节或三个9位（字节+奇偶校验）和1个对照。
2
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 1999年至2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
DS90CR285 ， DS90CR286
SNLS130C - 1999年3月 - 修订2013年3月
www.ti.com
框图
图1. DS90CR285 - 56引脚TSSOP
见包装数DGG0056A
图2. DS90CR285 - 56引脚TSSOP
见包装数DGG0056A
引脚图TSSOP封装
图3. DS90CR285
见包装数DGG （ R- PDSO - G56 ）
图4. DS90CR286
见包装数DGG （ R- PDSO - G56 ）
2
提交文档反馈
版权所有 1999年至2013年，德州仪器
产品文件夹链接：
DS90CR285 DS90CR286
DS90CR285 ， DS90CR286
www.ti.com
SNLS130C - 1999年3月 - 修订2013年3月
典型用途
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
电源电压（V
CC
)
CMOS / TTL输入电压
CMOS / TTL输出电压
LVDS接收器输入电压
LVDS驱动器输出电压
LVDS输出短路持续时间
结温
储存温度
引线温度（焊接， 4秒）
焊锡溢流温度
(1) (2)
0.3V
为+ 4V
0.3V
到（Ⅴ
CC
+ 0.3V)
0.3V
到（Ⅴ
CC
+ 0.3V)
0.3V
到（Ⅴ
CC
+ 0.3V)
0.3V
到（Ⅴ
CC
+ 0.3V)
连续
+150°C
65°C
至+ 150°C
+260°C
最大功率封装
耗散@ + 25°C
套餐降额：
DS90CR285MTD
DS90CR286MTD
DS90CR285MTD
DS90CR286MTD
1.63 W
1.61 W
12.5毫瓦/ C以上+ 25℃
12.4毫瓦/ C以上+ 25℃
> 7千伏
ESD额定值（ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
(1)
(2)
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们并不意味着
意味着该设备应在这些限制下工作。 “电气特性”指定设备的运行状况。
如果是用于军事/航空专用设备，请联系TI销售办事处/经销商咨询具体可用性和规格。
推荐工作条件
民
电源电压（V
CC
)
经营自由空气温度（T
A
)
接收器输入范围
电源噪声电压（V
CC
)
3.0
40
0
喃
3.3
+25
最大
3.6
+85
2.4
单位
V
°C
V
100毫伏
PP
版权所有 1999年至2013年，德州仪器
提交文档反馈
3
产品文件夹链接：
DS90CR285 DS90CR286
DS90CR285 ， DS90CR286
SNLS130C - 1999年3月 - 修订2013年3月
www.ti.com
电气特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
s
V
V
V
0.3
1.5
±10
120
450
35
1.125
1.25
1.375
35
V
OUT
= 0V ，R
L
= 100Ω
PWR DWN = 0V ，
V
OUT
= 0V或V
CC
LVDS接收器DC规格
V
TH
V
TL
I
IN
差分输入高阈值
差分输入阈值低
输入电流
V
IN
= +2.4V, V
CC
= 3.6V
V
IN
= 0V, V
CC
= 3.6V
变送器供电电流
I
CCTW
变送器电源电流最坏情况（与
负载）
R
L
= 100Ω,
C
L
= 5 pF的，
最坏的情况下格局
（图
5图6 ）
, T
A
=
10°C
至+ 70°C
R
L
= 100Ω,
C
L
= 5 pF的，
最坏的情况下格局
（图
5图6 ）
, T
A
=
40°C
至+ 85°C
I
CCTZ
变送器电源电流掉电
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
31
32
37
38
42
45
50
55
51
55
mA
mA
mA
mA
mA
V
CM
= +1.2V
100
±10
±10
+100
mV
mV
μA
μA
3.5
±1
5
±10
V
V
μA
mA
mV
mV
V
mV
mA
μA
LVCMOS / LVTTL DC规格
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
CL
I
IN
I
OS
V
OD
ΔV
OD
V
OS
ΔV
OS
I
OS
I
OZ
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入钳位电压
输入电流
输出短路电流
差分输出电压
改变V
OD
免费输出之间
国
失调电压
(1)
改变V
OS
免费输出之间
国
输出短路电流
输出三态电流
I
OH
=
0.4
mA
I
OL
= 2毫安
I
CL
=
18
mA
V
IN
= V
CC
，GND， 2.5V或0.4V
V
OUT
= 0V
R
L
= 100Ω
250
2.0
GND
2.7
3.3
0.06
0.79
±5.1
60
290
V
CC
0.8
LVDS驱动器DC规格
PWR DWN =低
三态驱动器输出
在掉电模式
C
L
= 8 PF，
最坏的情况下格局
（图
5图7 ）
, T
A
=
10°C
至+ 70°C
C
L
= 8 PF，
最坏的情况下格局
（图
5图7 ）
, T
A
=
40°C
至+ 85°C
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
10
55
μA
接收器电源电流
I
CCRW
接收器电源电流最坏情况
49
53
78
55
78
10
65
70
105
82
105
55
mA
mA
mA
mA
mA
μA
I
CCRZ
接收器电源电流掉电
PWR DWN =低
接收器输出时保持低位
掉电模式
(1)
V
OS
以前称为V
CM
.
4
提交文档反馈
版权所有 1999年至2013年，德州仪器
产品文件夹链接：
DS90CR285 DS90CR286
DS90CR285 ， DS90CR286
www.ti.com
SNLS130C - 1999年3月 - 修订2013年3月
发射器的开关特性
在推荐工作电源和
40°C
至+ 85 ℃的范围内，除非另有说明
符号
LLHT
LHLT
TCIT
TCCS
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TCIP
TCIH
TCIL
TSTC
THTC
TCCD
tPLLS
TPDD
(1)
(2)
参数
LVDS低到高的转变时间（图
6)
LVDS高向低转换时间（图
6)
TXCLK过渡时期（图
8)
TXOUT通道至通道偏移（图
9)
对于第0位变送器输出脉冲位置
(1)
（图
20)
对于第1位变送器输出脉冲位置
对位2发射器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对位4发射器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于位6发射机输出脉冲位置
对于第0位变送器输出脉冲位置
(2)
（图
20)
对于第1位变送器输出脉冲位置
对位2发射器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对位4发射器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于位6发射机输出脉冲位置
TXCLK期
（图
10
)
TXCLK高时间（图
10)
TXCLK低时（图
10)
口TxIN安装程序TXCLK IN（图
10)
口TxIN保持到TXCLK IN（图
10)
TXCLK IN到TXCLK输出延迟@ 25 ° C，V
CC
= 3.3V （图
12)
发送锁相环集（图
14)
发射器掉电延时（图
18)
F = 66MHz的
F = 40MHz的
0.4
3.1
6.5
10.2
13.7
17.3
21.0
0.4
1.8
4.0
6.2
8.4
10.6
12.8
15
0.35T
0.35T
2.5
0
3
3.7
5.5
10
100
250
0
3.3
6.8
10.4
13.9
17.6
21.2
0
2.2
4.4
6.6
8.8
11.0
13.2
T
0.5T
0.5T
0.4
4.0
7.6
11.0
14.6
18.2
21.8
0.3
2.5
4.7
6.9
9.1
11.3
13.5
50
0.65T
0.65T
民
典型值
0.5
0.5
最大
1.5
1.5
5
单位
ns
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
最小。和最大值。基于每个穿过的PVT的LVDS数据流内的7位中的实际位的位置。
最小。和最大值。限制由施加基于最坏位
400ps/+300ps
从理想的位置移动。
接收器开关特性
在推荐工作电源和
40°C
至+ 85 ℃的范围内，除非另有说明
符号
CLHT
CHLT
RSPos0
RSPos1
RSPos2
RSPos3
RSPos4
RSPos5
RSPos6
参数
CMOS / TTL低到高的转变时间（图
7)
CMOS / TTL高向低转换时间（图
7)
对于第0位接收器输入选通位置
对于第1位接收器输入选通位置
对于第2位接收器输入选通位置
对于3位接收器输入选通位置
对于第4位接收器输入选通位置
对于5位接收器输入选通位置
对于第6位接收器输入选通位置
(1)
民
典型值
2.2
2.2
最大
5.0
5.0
2.15
5.8
9.15
12.6
16.3
19.9
23.6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（图
21)
F = 40MHz的
1.0
4.5
8.1
11.6
15.1
18.8
22.5
1.4
5.0
8.5
11.9
15.6
19.2
22.9
(1)
最小。和最大值。基于每个穿过的PVT的LVDS数据流内的7位中的实际位的位置。
提交文档反馈
5
版权所有 1999年至2013年，德州仪器
产品文件夹链接：
DS90CR285 DS90CR286
DS90CR285 / DS90CR286 + 3.3V上升沿数据选通LVDS 28位通道链接-66 MHz的
2004年7月
DS90CR285/DS90CR286
+ 3.3V上升沿数据选通LVDS 28位通道
链接66兆赫
概述
该发射器DS90CR285转换LVCMOS的28位/
LVTTL数据转换4的LVDS （低压差分信号 -
荷兰国际集团）的数据流。锁相发送时钟都会发送
泰德与数据并行流过的第五个LVDS链路。
输入数据的传输时钟的每一个周期的28位是
采样和发送。该DS90CR286接收CON-
绿党的LVDS数据流返回到LVCMOS的28位/
LVTTL数据。在66兆赫， 28比特的传输时钟频率
TTL的数据被以每LVDS 462 Mbps的速率发送
数据信道。使用一个66MHz的时钟，数据吞吐量是
1.848 Gbit / s的（ 231兆字节/秒） 。
数据线的复用提供了大量
电缆降低。长距离并行单端总线
通常要求每有源信号地线（和有
非常有限的噪声抑制能力） 。因此，对于28位宽的
数据和一个时钟，高达58导体是必需的。同
通道链路芯片组少11导体（ 4数据
对， 1个时钟对和至少一个接地）是
需要的。这提供了所需的电缆减少80 ％
宽度，它提供了一个系统的成本节约，降低CON-
接器的物理尺寸和成本，并降低了屏蔽要求一
ments由于电缆“更小的外形。
28个LVCMOS / LVTTL输入可支持多种
信号组合。例如， 7 4位的半字节或
3 9位（字节+奇偶校验）和1个对照。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
+ 3.3V单电源
芯片组（ TX + Rx）的功耗
＆ LT ;
250毫瓦（典型值）
掉电模式（
＆ LT ;
0.5毫瓦总）
高达231兆字节/秒带宽
高达1.848 Gbps的数据吞吐量
窄总线减少了线缆的尺寸
290 mV的LVDS摆幅低EMI器件
+ 1V共模范围（约+ 1.2V ）
PLL无需外部元件
这两款器件均提供低姿态56引脚
TSSOP封装
上升沿数据选通
兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准
ESD额定值
＆ GT ;
7千伏
工作温度： -40℃ + 85℃
方框图
DS90CR285
DS90CR286
01291001
01291027
订单号DS90CR285MTD
见NS包装数MTD56
订单号DS90CR286MTD
见NS包装数MTD56
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
2004美国国家半导体公司
DS012910
www.national.com
DS90CR285/DS90CR286
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
CMOS / TTL输入电压
CMOS / TTL输出电压
LVDS接收器输入
电压
LVDS驱动器输出
电压
LVDS输出短路
长短
结温
储存温度
焊接温度
（焊接， 4秒）
焊锡溢流温度
+260C
连续
+150C
-65 ° C至+ 150°C
-0.3V至+ 4V
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
最大封装功耗
@
+25C
DS90CR285MTD
DS90CR286MTD
套餐降额：
DS90CR285MTD
DS90CR286MTD
ESD额定值
（ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
12.5毫瓦/ C以上+ 25℃
12.4毫瓦/ C以上+ 25℃
1.63 W
1.61 W
＆ GT ;
7千伏
推荐工作
条件
民
电源电压（V
CC
)
经营自由的空气
温度（T
A
)
接收器输入范围
电源噪声电压（V
CC
)
40
0
+25
+85
2.4
C
V
3.0
喃
3.3
最大
3.6
单位
V
100毫伏
PP
电气特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
CL
I
IN
I
OS
V
OD
V
OD
V
OS
V
OS
I
OS
I
OZ
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入钳位电压
输入电流
输出短路电流
差分输出电压
改变V
OD
间
免费提供输出国家
失调电压（注4 ）
改变V
OS
间
免费提供输出国家
输出短路电流
输出三态
当前
V
OUT
= 0V ，R
L
= 100
PWR DWN = 0V ，
V
OUT
= 0V或V
CC
LVDS接收器DC规格
V
TH
V
TL
I
IN
差分输入高阈值
差分输入阈值低
输入电流
V
IN
= +2.4V, V
CC
= 3.6V
V
IN
= 0V, V
CC
= 3.6V
V
CM
= +1.2V
100
+100
mV
mV
A
A
3.5
1.125
1.25
I
OH
= -0.4毫安
I
OL
= 2毫安
I
CL
= -18毫安
V
IN
= V
CC
，GND， 2.5V或0.4V
V
OUT
= 0V
R
L
= 100
250
条件
民
2.0
GND
2.7
3.3
0.06
0.79
0.3
1.5
典型值
最大
V
CC
0.8
单位
V
V
V
V
V
A
mA
mV
mV
V
mV
mA
A
LVCMOS / LVTTL DC规格
±
5.1
60
290
±
10
120
450
35
1.375
35
5
LVDS驱动器DC规格
±
1
±
10
±
10
±
10
3
www.national.com
DS90CR285/DS90CR286
电气特性
符号
I
CCTW
参数
变送器供电电流
（续）
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
条件
R
L
= 100,
C
L
= 5 pF的，
最坏的情况下
图案
（图
1, 2)
, T
A
= -10℃至
+70C
R
L
= 100,
C
L
= 5 pF的，
最坏的情况下
图案
（图
1, 2)
, T
A
= -40°C至
+85C
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 66MHz的
F = 40MHz的
民
典型值
31
32
37
38
最大
45
50
55
51
单位
mA
mA
mA
mA
变送器电源电流最差
案例（带负载）
F = 66MHz的
42
55
mA
I
CCTZ
变送器电源电流
下
PWR DWN =低
三态驱动器输出
在掉电模式
C
L
= 8 PF，
最坏的情况下
图案
（图
1, 3)
, T
A
= -10℃至
+70C
C
L
= 8 PF，
最坏的情况下
图案
（图
1, 3)
, T
A
= -40°C至
+85C
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 66MHz的
F = 40MHz的
10
55
A
接收器电源电流
I
CCRW
接收器电源电流最差
例
49
53
78
55
65
70
105
82
mA
mA
mA
mA
F = 66MHz的
78
105
mA
I
CCRZ
接收器电源电流
下
PWR DWN =低
接收器输出时保持低位
掉电模式
10
55
A
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 ：
典型值给出了V
CC
= 3.3V和T
A
= +25C.
注3 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地，除非另有
指定（除V
OD
和
V
OD
).
注4 ：
V
OS
以前称为V
CM
.
发射器的开关特性
在推荐的工作电源和-40℃至+ 85℃范围内，除非另有说明
符号
LLHT
LHLT
TCIT
TCCS
TPPos0
TPPos1
TPPos2
参数
LVDS低到高的转变时间（图
2)
LVDS高向低转换时间（图
2)
TXCLK过渡时期（图
4)
TXOUT通道至通道偏移（图
5)
对于第0位变送器输出脉冲位置
（注7 ） （图
16)
对于第1位变送器输出脉冲位置
对位2发射器输出脉冲位置
4
民
典型值
0.5
0.5
250
最大
1.5
1.5
5
单位
ns
ns
ns
ps
ns
ns
ns
F = 40MHz的
0.4
3.1
6.5
0
3.3
6.8
0.4
4.0
7.6
www.national.com
DS90CR285/DS90CR286
发射器的开关特性
符号
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TCIP
TCIH
TCIL
TSTC
THTC
TCCD
tPLLS
TPDD
参数
对于第3位变送器输出脉冲位置
对位4发射器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于位6发射机输出脉冲位置
对于第0位变送器输出脉冲位置
（注6 ）（图
16)
对于第1位变送器输出脉冲位置
对位2发射器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对位4发射器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于位6发射机输出脉冲位置
TXCLK期
（图6中
)
TXCLK高时间（图
6)
TXCLK低时（图
6)
口TxIN安装程序TXCLK IN（图
6)
口TxIN保持到TXCLK IN（图
6)
（续）
在推荐的工作电源和-40℃至+ 85℃范围内，除非另有说明
民
10.2
13.7
17.3
21.0
F = 66MHz的
0.4
1.8
4.0
6.2
8.4
10.6
12.8
15
0.35T
0.35T
2.5
0
3
3.7
5.5
10
100
典型值
10.4
13.9
17.6
21.2
0
2.2
4.4
6.6
8.8
11.0
13.2
T
0.5T
0.5T
最大
11.0
14.6
18.2
21.8
0.3
2.5
4.7
6.9
9.1
11.3
13.5
50
0.65T
0.65T
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
TXCLK IN到TXCLK输出延迟
@
25C,V
CC
= 3.3V （图
8)
发送锁相环集（图
10)
发射器掉电延时（图
14)
接收器开关特性
在推荐的工作电源和-40℃至+ 85℃范围内，除非另有说明
符号
CLHT
CHLT
RSPos0
RSPos1
RSPos2
RSPos3
RSPos4
RSPos5
RSPos6
RSPos0
RSPos1
RSPos2
RSPos3
RSPos4
RSPos5
RSPos6
RSKM
RCOP
RCOH
RCOL
参数
CMOS / TTL低到高的转变时间（图
3)
CMOS / TTL高向低转换时间（图
3)
接收器的位0 （注7） （图输入选通位置
17)
对于第1位接收器输入选通位置
对于第2位接收器输入选通位置
对于3位接收器输入选通位置
对于第4位接收器输入选通位置
对于5位接收器输入选通位置
对于第6位接收器输入选通位置
接收器的位0 （注6 ） （图输入选通位置
17)
对于第1位接收器输入选通位置
对于第2位接收器输入选通位置
对于3位接收器输入选通位置
对于第4位接收器输入选通位置
对于5位接收器输入选通位置
对于第6位接收器输入选通位置
RXIN歪斜保证金（注5 ） （图
18)
RXCLK超时周期（图
7)
RXCLK输出高电平时间（图
7)
RXCLK输出低电平时间（图
7)
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 66MHz的
F = 40MHz的
1.0
4.5
8.1
11.6
15.1
18.8
22.5
0.7
2.9
5.1
7.3
9.5
11.7
13.9
490
400
15
6.0
4.0
10.0
6.0
T
10.0
6.1
13.0
7.8
50
民
典型值
2.2
2.2
1.4
5.0
8.5
11.9
15.6
19.2
22.9
1.1
3.3
5.5
7.7
9.9
12.1
14.3
最大
5.0
5.0
2.15
5.8
9.15
12.6
16.3
19.9
23.6
1.4
3.6
5.8
8.0
10.2
12.4
14.6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ps
ps
ns
ns
ns
ns
ns
5
www.national.com
QQ：2880707522 复制
