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DS90CR283 / DS90CR284 28位通道链接-66 MHz的
2001年7月
DS90CR283/DS90CR284
28位通道链接-66 MHz的
概述
该发射器DS90CR283转换CMOS / TTL的28位
数据分为四个LVDS(低压差分信号)数据
流。锁相传输时钟在发送
超过五分之一的LVDS链路的数据流并行。一切
输入数据的传输时钟的周期的28位采样
并发送。该DS90CR284接收器将
LVDS数据流返回到的CMOS / TTL数据28位。在
的66兆赫的发射时钟频率,TTL数据的28位是
以每LVDS数据通道462 Mbps的速率发送。
使用一个66MHz的时钟,数据吞吐量是1.848 Gbit / s的
( 231兆字节/秒) 。
数据线的复用提供了大量
电缆降低。长距离并行单端总线
通常要求每有源信号地线(和有
非常有限的噪声抑制能力) 。因此,对于28位宽的
数据总线和一个时钟,高达58导体是必需的。
与通道连接芯片组少11导体( 4
数据对, 1个时钟对和至少一个接地)是
需要的。这提供了所需的电缆减少80 %
宽度,它提供了一个系统的成本节约,降低CON-
接器的物理尺寸和成本,并降低了屏蔽要求一
ments由于电缆“更小的外形。
28 CMOS / TTL输入,可支持多种信号
组合。例如,7个4位的半字节或3的9位(字节+
奇偶校验)和1个对照。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
66 MHz时钟支持
高达231兆字节/秒的带宽
低功耗CMOS设计(
& LT ;
610毫瓦)
掉电模式(
& LT ;
0.5毫瓦总)
高达1.848 Gbit / s的数据吞吐
窄总线减少了线缆的尺寸和成本
290 mV的LVDS摆幅低EMI器件
PLL无需外部元件
薄型56引脚TSSOP封装
上升沿数据选通
兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准
方框图
DS90CR283
DS90CR284
DS012889-27
DS012889-1
订单号DS90CR283MTD
见NS包装数MTD56
订单号DS90CR284MTD
见NS包装数MTD56
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
2001美国国家半导体公司
DS012889
www.national.com
DS90CR283/DS90CR284
引脚图
DS90CR283
DS90CR284
DS012889-21
DS012889-22
典型用途
DS012889-23
www.national.com
2
DS90CR283/DS90CR284
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压(V
CC
)
-0.3V至+ 6V
CMOS / TTL输入电压
-0.3V到(V
CC
+ 0.3V)
CMOS / TTL输出继电器电压
-0.3V到(V
CC
+ 0.3V)
LVDS接收器输入电压
-0.3V到(V
CC
+ 0.3V)
LVDS驱动器输出电压
-0.3V到(V
CC
+ 0.3V)
LVDS输出短路
长短
连续
结温
+150C
存储温度范围
-65 ° C至+ 150°C
焊接温度
(焊接, 4秒)
+260C
最大封装功耗
@
+25C
MTD56 ( TSSOP )封装:
DS90CR283
1.63W
DS90CR284
1.61W
套餐降额:
DS90CR283
12.5毫瓦/ C以上+ 25℃
DS90CR284
12.4毫瓦/ C以上+ 25℃
此设备不符合2000V的ESD额定值(注4 )
推荐工作
条件
电源电压(V
CC
)
经营自由的空气
温度(T
A
)
接收器输入范围
电源噪声电压
(V
CC
)
4.75
10
0
5.0
+25
最大
5.25
+70
2.4
单位
V
C
V
100毫伏
P-P
电气特性
在推荐工作电源和温度范围内,除非另有说明
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
CL
I
IN
I
OS
V
OD
V
OD
V
OS
V
OS
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入钳位电压
输入电流
输出短路电流
差分输出电压
改变V
OD
互补输出国家
失调电压
变化的V震级
OS
互补输出之间
输出短路电流
输出三态
当前
差分输入高阈值
差分输入阈值低
输入电流
V
IN
= +2.4V, V
CC
= 5.0V
V
IN
= 0V, V
CC
= 5.0V
变送器供电电流
I
CCTW
变送器电源电流,
最坏的情况下
I
CCTZ
变送器电源电流,
掉电
R
L
= 100, C
(图
1, 2)
掉电=低
三态驱动器输出
在掉电模式
1
25
A
L
条件
2.0
GND
典型值
最大
V
CC
0.8
单位
V
V
V
V
V
A
mA
mV
mV
V
mV
CMOS / TTL DC规格
I
OH
= -0.4毫安
I
OL
= 2毫安
I
CL
= -18毫安
V
IN
= V
CC
,GND, 2.5V或0.4V
V
OUT
= 0V
R
L
= 100
3.8
4.9
0.1
0.79
0.3
1.5
±
5.1
±
10
120
LVDS驱动器DC SPEClFlCATIONS
250
290
450
35
1.1
1.25
1.375
35
I
OS
I
OZ
V
TH
V
TL
I
IN
V
OUT
= 0V ,R
L
= 100
2.9
5
mA
A
mV
mV
A
A
mA
mA
mA
电源关闭= 0V ,V
OUT
= 0V或V
CC
V
CM
= +1.2V
100
±
1
±
10
+100
LVDS接收器的DC性能参数
±
10
±
10
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 66MHz的
49
51
70
63
64
84
= 5 pF的,
最坏的情况下格局
3
www.national.com
DS90CR283/DS90CR284
电气特性
符号
I
CCRW
参数
接收器电源电流,
最坏的情况下
接收器电源电流,
掉电
(续)
在推荐工作电源和温度范围内,除非另有说明
条件
C
L
= 8 PF,
最坏的情况下格局
(图
1, 3)
I
CCRZ
掉电=低
接收器输出的前一个状态
在掉电模式
1
10
A
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 66MHz的
典型值
64
70
110
最大
77
85
140
单位
mA
mA
mA
接收器电源电流
注1 :
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 :
典型值给出了V
CC
= 5.0V和T
A
= +25C.
注3 :
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地,除非另有
指定(除V
OD
V
OD
).
注4 :
ESD额定值: HBM ( 1.5 kΩ的, 100 pF的)
PLL V
CC
1000V
所有其他引脚
2000V
EIAJ ( 0Ω , 200 pF的)
150V
注5 :
V
OS
以前称为V
CM
.
发射器的开关特性
在推荐工作电源和温度范围内,除非另有说明
符号
LLHT
LHLT
TCIT
TCCS
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TCIP
TCIH
TCIL
TSTC
THTC
TCCD
tPLLS
TPDD
参数
LVDS低到高的转变时间(图
2)
LVDS高向低转换时间(图
2)
TXCLK过渡时期(图
4)
TXOUT通道至通道偏移(注6 ) (图
5)
对于第0位变送器输出脉冲位置
(图
16)
对于第1位变送器输出脉冲位置
对于第2位变送器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对于第4位变送器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于第6位变送器输出脉冲位置
TXCLK期(图
6)
TXCLK高时间(图
6)
TXCLK低时(图
6)
口TxIN安装程序TXCLK IN(图
6)
口TxIN保持到TXCLK IN(图
6)
TXCLK IN到TXCLK输出延迟
@
25C,
V
CC
= 5.0V (图
8)
发送锁相环集(图
10)
发射机关机延迟(图
14)
10
100
ms
ns
F = 66MHz的
0.30
1.70
3.60
5.90
8.30
10.40
12.70
15
0.35T
0.35T
5
2.5
3.5
0
(1/7)T
CLK
(2/7)T
CLK
(3/7)T
CLK
(4/7)T
CLK
(5/7)T
CLK
(6/7)T
CLK
T
0.5T
0.5T
3.5
1.5
8.5
典型值
0.75
0.75
最大
1.5
1.5
8
350
0.30
2.50
4.50
6.75
9.00
11.10
13.40
50
0.65T
0.65T
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
ns
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注6 :
基于平台特性此限制。
www.national.com
4
DS90CR283/DS90CR284
接收器开关特性
在推荐工作电源和温度范围内,除非另有说明
符号
CLHT
CHLT
RSKM
RCOP
RCOH
RCOL
RSRC
RHRC
碾压混凝土坝
RPLLS
RPDD
参数
CMOS / TTL低到高的转变时间(图
3)
CMOS / TTL高向低转换时间(图
3)
RXIN歪斜保证金(注7 )
V
CC
= 5V ,T
A
= 25 (图
17)
RXCLK超时周期(图
7)
RXCLK输出高电平时间(图
7)
RXCLK输出低电平时间(图
7)
RXOUT安装到RXCLK OUT (图
7)
RXOUT保持到RXCLK OUT (图
7)
RXCLK IN至RXCLK输出延迟
@
25C,
V
CC
= 5.0V (图
9)
接收器锁相环集(图
11)
接收器断电延时(图
11)
10
1
ms
s
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
700
600
15
6
4.3
10.5
7.0
4.5
2.5
6.5
4
6.4
5.2
10.7
4.2
9
5
T
50
典型值
2.5
2.0
最大
4.0
4.0
单位
ns
ns
ps
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注7 :
接收机偏移容限被定义为在接收器输入端的有效数据采样区域。该保证金考虑到发射机的输出偏移( TCCS )
并建立和保持时间(内部数据采样窗口) ,允许的LVDS电缆偏斜依赖的类型/长度和源时钟( TXCLK IN)的抖动。
RSKM
电缆歪斜(类型,长度) +时钟源抖动(周期循环)
AC时序图
DS012889-2
图1: “最坏情况”测试模式
DS012889-3
DS012889-4
图2. DS90CR283 (变送器) LVDS输出负载和转换时序
DS012889-5
DS012889-6
图3. DS90CR284 (接收器) CMOS / TTL输出负载和转换时序
5
www.national.com
DS90CR283 / DS90CR284 28位通道链接-66 MHz的
2001年7月
DS90CR283/DS90CR284
28位通道链接-66 MHz的
概述
该发射器DS90CR283转换CMOS / TTL的28位
数据分为四个LVDS(低压差分信号)数据
流。锁相传输时钟在发送
超过五分之一的LVDS链路的数据流并行。一切
输入数据的传输时钟的周期的28位采样
并发送。该DS90CR284接收器将
LVDS数据流返回到的CMOS / TTL数据28位。在
的66兆赫的发射时钟频率,TTL数据的28位是
以每LVDS数据通道462 Mbps的速率发送。
使用一个66MHz的时钟,数据吞吐量是1.848 Gbit / s的
( 231兆字节/秒) 。
数据线的复用提供了大量
电缆降低。长距离并行单端总线
通常要求每有源信号地线(和有
非常有限的噪声抑制能力) 。因此,对于28位宽的
数据总线和一个时钟,高达58导体是必需的。
与通道连接芯片组少11导体( 4
数据对, 1个时钟对和至少一个接地)是
需要的。这提供了所需的电缆减少80 %
宽度,它提供了一个系统的成本节约,降低CON-
接器的物理尺寸和成本,并降低了屏蔽要求一
ments由于电缆“更小的外形。
28 CMOS / TTL输入,可支持多种信号
组合。例如,7个4位的半字节或3的9位(字节+
奇偶校验)和1个对照。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
66 MHz时钟支持
高达231兆字节/秒的带宽
低功耗CMOS设计(
& LT ;
610毫瓦)
掉电模式(
& LT ;
0.5毫瓦总)
高达1.848 Gbit / s的数据吞吐
窄总线减少了线缆的尺寸和成本
290 mV的LVDS摆幅低EMI器件
PLL无需外部元件
薄型56引脚TSSOP封装
上升沿数据选通
兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准
方框图
DS90CR283
DS90CR284
DS012889-27
DS012889-1
订单号DS90CR283MTD
见NS包装数MTD56
订单号DS90CR284MTD
见NS包装数MTD56
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
2001美国国家半导体公司
DS012889
www.national.com
DS90CR283/DS90CR284
引脚图
DS90CR283
DS90CR284
DS012889-21
DS012889-22
典型用途
DS012889-23
www.national.com
2
DS90CR283/DS90CR284
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压(V
CC
)
-0.3V至+ 6V
CMOS / TTL输入电压
-0.3V到(V
CC
+ 0.3V)
CMOS / TTL输出继电器电压
-0.3V到(V
CC
+ 0.3V)
LVDS接收器输入电压
-0.3V到(V
CC
+ 0.3V)
LVDS驱动器输出电压
-0.3V到(V
CC
+ 0.3V)
LVDS输出短路
长短
连续
结温
+150C
存储温度范围
-65 ° C至+ 150°C
焊接温度
(焊接, 4秒)
+260C
最大封装功耗
@
+25C
MTD56 ( TSSOP )封装:
DS90CR283
1.63W
DS90CR284
1.61W
套餐降额:
DS90CR283
12.5毫瓦/ C以上+ 25℃
DS90CR284
12.4毫瓦/ C以上+ 25℃
此设备不符合2000V的ESD额定值(注4 )
推荐工作
条件
电源电压(V
CC
)
经营自由的空气
温度(T
A
)
接收器输入范围
电源噪声电压
(V
CC
)
4.75
10
0
5.0
+25
最大
5.25
+70
2.4
单位
V
C
V
100毫伏
P-P
电气特性
在推荐工作电源和温度范围内,除非另有说明
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
CL
I
IN
I
OS
V
OD
V
OD
V
OS
V
OS
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入钳位电压
输入电流
输出短路电流
差分输出电压
改变V
OD
互补输出国家
失调电压
变化的V震级
OS
互补输出之间
输出短路电流
输出三态
当前
差分输入高阈值
差分输入阈值低
输入电流
V
IN
= +2.4V, V
CC
= 5.0V
V
IN
= 0V, V
CC
= 5.0V
变送器供电电流
I
CCTW
变送器电源电流,
最坏的情况下
I
CCTZ
变送器电源电流,
掉电
R
L
= 100, C
(图
1, 2)
掉电=低
三态驱动器输出
在掉电模式
1
25
A
L
条件
2.0
GND
典型值
最大
V
CC
0.8
单位
V
V
V
V
V
A
mA
mV
mV
V
mV
CMOS / TTL DC规格
I
OH
= -0.4毫安
I
OL
= 2毫安
I
CL
= -18毫安
V
IN
= V
CC
,GND, 2.5V或0.4V
V
OUT
= 0V
R
L
= 100
3.8
4.9
0.1
0.79
0.3
1.5
±
5.1
±
10
120
LVDS驱动器DC SPEClFlCATIONS
250
290
450
35
1.1
1.25
1.375
35
I
OS
I
OZ
V
TH
V
TL
I
IN
V
OUT
= 0V ,R
L
= 100
2.9
5
mA
A
mV
mV
A
A
mA
mA
mA
电源关闭= 0V ,V
OUT
= 0V或V
CC
V
CM
= +1.2V
100
±
1
±
10
+100
LVDS接收器的DC性能参数
±
10
±
10
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 66MHz的
49
51
70
63
64
84
= 5 pF的,
最坏的情况下格局
3
www.national.com
DS90CR283/DS90CR284
电气特性
符号
I
CCRW
参数
接收器电源电流,
最坏的情况下
接收器电源电流,
掉电
(续)
在推荐工作电源和温度范围内,除非另有说明
条件
C
L
= 8 PF,
最坏的情况下格局
(图
1, 3)
I
CCRZ
掉电=低
接收器输出的前一个状态
在掉电模式
1
10
A
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 66MHz的
典型值
64
70
110
最大
77
85
140
单位
mA
mA
mA
接收器电源电流
注1 :
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 :
典型值给出了V
CC
= 5.0V和T
A
= +25C.
注3 :
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地,除非另有
指定(除V
OD
V
OD
).
注4 :
ESD额定值: HBM ( 1.5 kΩ的, 100 pF的)
PLL V
CC
1000V
所有其他引脚
2000V
EIAJ ( 0Ω , 200 pF的)
150V
注5 :
V
OS
以前称为V
CM
.
发射器的开关特性
在推荐工作电源和温度范围内,除非另有说明
符号
LLHT
LHLT
TCIT
TCCS
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TCIP
TCIH
TCIL
TSTC
THTC
TCCD
tPLLS
TPDD
参数
LVDS低到高的转变时间(图
2)
LVDS高向低转换时间(图
2)
TXCLK过渡时期(图
4)
TXOUT通道至通道偏移(注6 ) (图
5)
对于第0位变送器输出脉冲位置
(图
16)
对于第1位变送器输出脉冲位置
对于第2位变送器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对于第4位变送器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于第6位变送器输出脉冲位置
TXCLK期(图
6)
TXCLK高时间(图
6)
TXCLK低时(图
6)
口TxIN安装程序TXCLK IN(图
6)
口TxIN保持到TXCLK IN(图
6)
TXCLK IN到TXCLK输出延迟
@
25C,
V
CC
= 5.0V (图
8)
发送锁相环集(图
10)
发射机关机延迟(图
14)
10
100
ms
ns
F = 66MHz的
0.30
1.70
3.60
5.90
8.30
10.40
12.70
15
0.35T
0.35T
5
2.5
3.5
0
(1/7)T
CLK
(2/7)T
CLK
(3/7)T
CLK
(4/7)T
CLK
(5/7)T
CLK
(6/7)T
CLK
T
0.5T
0.5T
3.5
1.5
8.5
典型值
0.75
0.75
最大
1.5
1.5
8
350
0.30
2.50
4.50
6.75
9.00
11.10
13.40
50
0.65T
0.65T
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
ns
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注6 :
基于平台特性此限制。
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4
DS90CR283/DS90CR284
接收器开关特性
在推荐工作电源和温度范围内,除非另有说明
符号
CLHT
CHLT
RSKM
RCOP
RCOH
RCOL
RSRC
RHRC
碾压混凝土坝
RPLLS
RPDD
参数
CMOS / TTL低到高的转变时间(图
3)
CMOS / TTL高向低转换时间(图
3)
RXIN歪斜保证金(注7 )
V
CC
= 5V ,T
A
= 25 (图
17)
RXCLK超时周期(图
7)
RXCLK输出高电平时间(图
7)
RXCLK输出低电平时间(图
7)
RXOUT安装到RXCLK OUT (图
7)
RXOUT保持到RXCLK OUT (图
7)
RXCLK IN至RXCLK输出延迟
@
25C,
V
CC
= 5.0V (图
9)
接收器锁相环集(图
11)
接收器断电延时(图
11)
10
1
ms
s
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
700
600
15
6
4.3
10.5
7.0
4.5
2.5
6.5
4
6.4
5.2
10.7
4.2
9
5
T
50
典型值
2.5
2.0
最大
4.0
4.0
单位
ns
ns
ps
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注7 :
接收机偏移容限被定义为在接收器输入端的有效数据采样区域。该保证金考虑到发射机的输出偏移( TCCS )
并建立和保持时间(内部数据采样窗口) ,允许的LVDS电缆偏斜依赖的类型/长度和源时钟( TXCLK IN)的抖动。
RSKM
电缆歪斜(类型,长度) +时钟源抖动(周期循环)
AC时序图
DS012889-2
图1: “最坏情况”测试模式
DS012889-3
DS012889-4
图2. DS90CR283 (变送器) LVDS输出负载和转换时序
DS012889-5
DS012889-6
图3. DS90CR284 (接收器) CMOS / TTL输出负载和转换时序
5
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