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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第531页 > DS90CR216AMTD
DS90CR286A / DS90CR216A + 3.3V上升沿数据选通LVDS接收器28位通道
链接 - 66 MHz时， + 3.3V上升沿数据选通LVDS接收器21位通道链接 - 66 MHz的
1999年6月
DS90CR286A/DS90CR216A
+ 3.3V上升沿数据选通LVDS接收器28位
通道链接 - 66 MHz时， + 3.3V上升沿频闪
LVDS接收器21位通道链接 - 66 MHz的
概述
该DS90CR286A接收器将四路LVDS数据
流（高达1.848 Gbps的吞吐量和231兆字节/
s的带宽）回的CMOS / TTL数据并行28位。
同时还提供了三个转换DS90CR216A
LVDS数据流（高达1.386 Gbps的吞吐量和173
兆字节/秒带宽）回并行21位
CMOS / TTL数据。两个接收器的输出进行上升沿
频闪。
该芯片组是解决EMI和电缆尺寸的理想方式
宽，高速TTL接口相关的问题。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
20至66 MHz的移位时钟支持
在接收机的输出时钟50％占空比
最佳企业级套装&保持时间上的RxOUTPUTs
RX功耗
＆ LT ;
270毫瓦（典型值）
@
66MHz的最差
例
RX掉电模式
＆ LT ;
200μW （最大）
ESD额定值
＆ GT ;
7千伏（HBM） ，
＆ GT ;
700V （ EIAJ ）
PLL无需外部元件
兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准
薄型56引脚或48引脚TSSOP封装
工作温度： -40℃ + 85℃
方框图
DS90CR286A
DS90CR216A
DS100873-31
订单号DS90CR216AMTD
见NS包装数MTD48
DS100873-30
订单号DS90CR286AMTD
见NS包装数MTD56
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
2000美国国家半导体公司
DS100873
www.national.com
DS90CR286A/DS90CR216A
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
-0.3V至+ 4V
CMOS / TTL输出电压
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
LVDS接收器输入电压
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
结温
+150C
储存温度
-65 ° C至+ 150°C
焊接温度
（焊接， 4秒）
+260C
最大封装功耗容量
@
25C
MTD56 （ TSSOP ）封装：
DS90CR286A
1.61 W
MTD48 （ TSSOP ）封装：
DS90CR216A
1.89 W
套餐降额：
DS90CR286A
DS90CR216A
ESD额定值
（ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
（ EIAJ ， 0Ω ， 200 pF的）
12.4毫瓦/ C以上+ 25℃
15毫瓦/ C以上+ 25℃
＆ GT ;
7千伏
＆ GT ;
700V
推荐工作
条件
电源电压（V
CC
)
经营自由的空气
温度（T
A
)
接收器输入范围
电源噪声电压（V
CC
)
民
3.0
40
0
喃
3.3
+25
最大
3.6
+85
2.4
100
单位
V
C
V
mV
PP
电气特性
在推荐，除非另有规定工作电源和温度范围内。
符号
V
OH
V
OL
I
OS
V
TH
V
TL
I
IN
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
输出短路电流
差分输入高阈值
差分输入阈值低
输入电流
V
V
接收器电源电流
ICCRW
接收器电源电流最坏情况
C
L
= 8 pF的，最差
模式的情况下，
DS90CR286A
（图
1, 2 ),
T
A
= -10℃至
+70C
C
L
= 8 pF的，最差
模式的情况下，
DS90CR286A
（图
1, 2 ),
T
A
= -40°C至
+85C
C
L
= 8 pF的，最差
模式的情况下，
DS90CR216A
（图
1, 2 ),
T
A
= -10℃至
+70C
C
L
= 8 pF的，最差
模式的情况下，
DS90CR216A
（图
1, 2 ),
T
A
= -40°C至
+85C
掉电=低
接收器输出时保持低位
掉电模式
F = 33 MHz的
F = 37.5兆赫
F = 66MHz的
F = 40MHz的
49
53
81
53
65
70
105
70
mA
mA
mA
mA
IN
IN
条件
I
OH
= -0.4毫安
I
OL
= 2毫安
V
OUT
= 0V
V
= +1.2V
民
2.7
典型值
3.3
0.06
60
最大
单位
V
CMOS / TTL DC规格
0.3
120
+100
100
= +2.4V, V
CC
= 3.6V
= 0V, V
CC
= 3.6V
V
mA
mV
mV
A
A
LVDS接收器DC规格
CM
±
10
±
10
ICCRW
接收器电源电流最坏情况
F = 66MHz的
81
105
mA
ICCRW
接收器电源电流最坏情况
F = 33 MHz的
F = 37.5兆赫
F = 66MHz的
F = 40MHz的
49
53
78
53
55
60
90
60
mA
mA
mA
mA
ICCRW
接收器电源电流最坏情况
F = 66MHz的
78
90
mA
ICCRZ
接收器电源电流
掉电
10
55
A
www.national.com
2
DS90CR286A/DS90CR216A
电气特性
（续）
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 ：
典型值给出了V
CC
= 3.3V和T
A
= +25C.
注3 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地，除非另有试样
田间（除V
OD
和
V
OD
).
接收器开关特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
CLHT
CHLT
RSPos0
RSPos1
RSPos2
RSPos3
RSPos4
RSPos5
RSPos6
RSPos0
RSPos1
RSPos2
RSPos3
RSPos4
RSPos5
RSPos6
RSKM
RCOP
RCOH
RCOL
RSRC
RHRC
RCOH
RCOL
RSRC
RHRC
碾压混凝土坝
RPLLS
RPDD
参数
CMOS / TTL低到高的跳变时间
（图2）
CMOS / TTL高向低转换时间
（图2）
对于第0位接收器输入选通位置
（图9中
图10）
对于第1位接收器输入选通位置
对于第2位接收器输入选通位置
对于3位接收器输入选通位置
对于第4位接收器输入选通位置
对于5位接收器输入选通位置
对于第6位接收器输入选通位置
对于第0位接收器输入选通位置
（图9中
图10）
对于第1位接收器输入选通位置
对于第2位接收器输入选通位置
对于3位接收器输入选通位置
对于第4位接收器输入选通位置
对于5位接收器输入选通位置
对于第6位接收器输入选通位置
RXIN偏移容限（注4 ）
（图11）
RXCLK淘汰期
（图3）
RXCLK输出高电平时间
（图3）
RXCLK输出低电平时间
（图3）
RXOUT安装到RXCLK OUT
（图3）
RXOUT保持到RXCLK OUT
（图3）
RXCLK输出高电平时间
（图3）
RXCLK输出低电平时间
（图3）
RXOUT安装到RXCLK OUT
（图3）
RXOUT保持到RXCLK OUT
（图3）
RXCLK IN至RXCLK输出延迟25°C ，V
CC
= 3.3V （注5 ）（图
4 )
接收器锁相环集
（图5）
接收器断电延时
（图8）
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 66MHz的
F = 40MHz的
1.0
4.5
8.1
11.6
15.1
18.8
22.5
0.7
2.9
5.1
7.3
9.5
11.7
13.9
490
400
15
10.0
10.0
6.5
6.0
5.0
5.0
4.5
4.0
3.5
T
12.2
11.0
11.6
11.6
7.6
6.3
7.3
6.3
5.0
7.5
10
1
50
民
典型值
2
1.8
1.4
5.0
8.5
11.9
15.6
19.2
22.9
1.1
3.3
5.5
7.7
9.9
12.1
14.3
最大
5
5
2.15
5.8
9.15
12.6
16.3
19.9
23.6
1.4
3.6
5.8
8.0
10.2
12.4
14.6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ps
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
s
注4 ：
接收机偏移容限被定义为在接收器输入端的有效数据采样区域。该保证金考虑了发射脉冲位置（分
和max）和接收器输入建立时间和保持时间（内部数据采样窗口 - RSPos ） 。该保证金可用于LVDS互连歪斜，码间互
ference （既取决于电缆的类型/长度） ，和时钟抖动（小于250 ps的） 。
注5 ：
总延迟的信道链路芯片组是通过发射机（ TCCD ）和接收器（ RCCD ）时钟周期与门延迟的函数。总的等待时间
为二百八十五分之二百一十五发射机和216A / 286A接收机是： （T + TCCD ）+（2
*
T + RCCD ），其中T =时钟周期。
3
www.national.com
DS90CR286A/DS90CR216A
AC时序图
DS100873-2
图1： “最坏情况”测试模式
DS100873-4
图2. DS90CR286A / DS90CR216A （接收器） CMOS / TTL输出负载和转换时间
DS100873-5
图3. DS90CR286A / DS90CR216A （接收器）建立/保持和高/低时报
DS100873-6
图4. DS90CR286A / DS90CR216A （接收器）时钟输入到时钟输出延时
www.national.com
4
DS90CR286A/DS90CR216A
AC时序图
（续）
DS100873-7
图5. DS90CR286A / DS90CR216A （接收器）锁相环设置时间
DS100873-9
图6. 28 TTL并行数据输入映射到LVDS输出 - DS90CR286A
DS100873-10
图7. 21 TTL并行数据输入映射到LVDS输出 - DS90CR216A
5
www.national.com
DS90CR286A / DS90CR286AQ / DS90CR216A + 3.3V上升沿数据选通LVDS接收器28-
位通道链路66兆赫， + 3.3V上升沿数据选通LVDS接收器21位通道
链接66兆赫
DS90CR286A/
DS90CR286AQ/DS90CR216A
2009年5月5日
+ 3.3V上升沿数据选通LVDS接收器28位
通道链接- 66 MHz时， + 3.3V上升沿频闪LVDS
接收器21位通道链接-66 MHz的
概述
该DS90CR286A接收器将四路LVDS数据
流（高达1.848 Gbps的吞吐量和231兆字节/秒
带宽）回的CMOS / TTL数据并行28位。还
可以是一种将三个LVDS的DS90CR216A
数据流（高达1.386 Gbps的吞吐量和173
兆字节/秒带宽）回并行21位
CMOS / TTL数据。两个接收器的输出进行上升沿
频闪。
两款器件均采用TSSOP封装。
该DS90CR286A / DS90CR216A设备增强
前一代的接收器，并提供了更广泛的数据
有效时间对接收器输出。
该芯片组是解决EMI和电缆尺寸的理想方式
宽，高速TTL接口相关的问题。
■
在接收机的输出时钟50％占空比
■
最佳企业级套装&保持时间上的RxOUTPUTs
■
RX功耗<270毫瓦（典型值） @ 66MHz的最差
■
■
■
■
■
■
■
例
RX掉电模式<200μW （最大值）
ESD额定值>7千伏（ HBM ） ， >700V （ EIAJ ）
PLL无需外部元件
兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准
薄型56引脚或48引脚TSSOP封装
工作温度： -40℃ + 85℃
汽车Q级可用 - AEC- Q100 3级
合格
特点
■
20至66 MHz的移位时钟支持
方框图
DS90CR286A
DS90CR216A
10087331
订单号DS90CR216AMTD
见NS包装数MTD48
10087330
订单号DS90CR286AMTD ， DS90CR286AQMT
见NS包装数MTD56
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
2009美国国家半导体公司
100873
www.national.com
DS90CR286A/DS90CR286AQ/DS90CR216A
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
-0.3V至+ 4V
CMOS / TTL输出电压
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
LVDS接收器输入电压
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
结温
+150°C
储存温度
-65 ° C至+ 150°C
焊接温度
（焊接， 4秒）
+260°C
最大封装功耗容量@ 25°C
MTD56 （ TSSOP ）封装：
DS90CR286AMTD
1.61 W
MTD48 （ TSSOP ）封装：
DS90CR216AMTD
1.89 W
套餐降额：
DS90CR286AMTD
DS90CR216AMTD
ESD额定值
（ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
（ EIAJ ， 0Ω ， 200 pF的）
12.4毫瓦/ C以上+ 25℃
15毫瓦/ C以上+ 25℃
> 7千伏
> 700V
推荐工作
条件
民
电源电压（V
CC
)
3.0
3.6
经营自由的空气
温度（T
A
)
40 +25 +85
接收器输入范围
0
2.4
电源噪声电压（V
CC
)
100
No
m
3.3
最大单位
V
°C
V
mV
PP
电气特性
在推荐，除非另有规定工作电源和温度范围内。
符号
V
IH
V
IL
V
CL
I
IN
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
输入钳位电压
输入电流
I
CL
= -18毫安
V
IN
= 0.4V ， 2.5V或V
CC
V
IN
= GND
CMOS / TTL DC规格
V
OH
V
OL
I
OS
V
TH
V
TL
I
IN
高电平输出电压
低电平输出电压
输出短路电流
差分输入高阈值
差分输入阈值低
输入电流
V
IN
= +2.4V, V
CC
= 3.6V
V
IN
= 0V, V
CC
= 3.6V
接收器电源电流
ICCRW
接收器电源电流最坏情况
C
L
= 8 pF的，最坏情况
F = 33 MHz的
模式， DS90CR286A
F = 37.5兆赫
（图1，图2） ，
T
A
= -10 ℃， F = 66 MHz的
至+ 70°C
C
L
= 8 pF的，最坏情况
F = 40MHz的
模式， DS90CR286A
F = 66MHz的
（图1，图2） ，
T
A
=40°C
至+ 85°C
C
L
= 8 pF的，最坏情况
F = 33 MHz的
模式， DS90CR216A
F = 37.5兆赫
（图1，图2） ，
T
A
= -10 ℃， F = 66 MHz的
至+ 70°C
C
L
= 8 pF的，最坏情况
F = 40MHz的
模式， DS90CR216A
F = 66MHz的
（图1，图2） ，
T
A
=40°C
至+ 85°C
49
53
81
53
81
65
70
105
70
105
mA
mA
mA
mA
mA
I
OH
= -0.4毫安
I
OL
= 2毫安
V
OUT
= 0V
V
CM
= +1.2V
100
±10
±10
2.7
3.3
0.06
60
0.3
120
+100
V
V
mA
mV
mV
μA
μA
10
条件
民
2.0
GND
0.79
+1.8
0
典型值
最大
V
CC
0.8
1.5
+10
单位
V
V
V
μA
μA
CMOS / TTL DC规格（管脚的PowerDown ）
LVDS接收器DC规格
ICCRW
接收器电源电流最坏情况
ICCRW
接收器电源电流最坏情况
49
53
78
53
78
55
60
90
60
90
mA
mA
mA
mA
mA
ICCRW
接收器电源电流最坏情况
www.national.com
2
DS90CR286A/DS90CR286AQ/DS90CR216A
符号
ICCRZ
掉电
参数
接收器电源电流
条件
掉电=低
接收器输出时保持低位
掉电模式
民
典型值
10
最大
55
单位
μA
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 ：
典型值给出了V
CC
= 3.3V和T
A
= +25C.
注3 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地，除非另有
指定（除V
OD
和
ΔV
OD
).
接收器开关特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
CLHT
CHLT
RSPos0
RSPos1
RSPos2
RSPos3
RSPos4
RSPos5
RSPos6
RSPos0
RSPos1
RSPos2
RSPos3
RSPos4
RSPos5
RSPos6
RSKM
RCOP
RCOH
RCOL
RSRC
RHRC
RCOH
RCOL
RSRC
RHRC
碾压混凝土坝
RPLLS
RPDD
参数
CMOS / TTL低到高的跳变时间
（图2）
CMOS / TTL高向低转换时间
（图2）
对于第0位接收器输入选通位置
（图9 ，图
F = 40MHz的
10)
对于第1位接收器输入选通位置
对于第2位接收器输入选通位置
对于3位接收器输入选通位置
对于第4位接收器输入选通位置
对于5位接收器输入选通位置
对于第6位接收器输入选通位置
对于第0位接收器输入选通位置
（图9 ，图10）
对于第1位接收器输入选通位置
对于第2位接收器输入选通位置
对于3位接收器输入选通位置
对于第4位接收器输入选通位置
对于5位接收器输入选通位置
对于第6位接收器输入选通位置
RXIN偏移容限（注4 ）
（图11）
RXCLK淘汰期
（图3）
RXCLK输出高电平时间
（图3）
RXCLK输出低电平时间
（图3）
RXOUT安装到RXCLK OUT
（图3）
RXOUT保持到RXCLK OUT
（图3）
RXCLK输出高电平时间
（图3）
RXCLK输出低电平时间
（图3）
RXOUT安装到RXCLK OUT
（图3）
RXOUT保持到RXCLK OUT
（图3）
RXCLK IN至RXCLK输出延迟@ 25 ° C，V
CC
= 3.3V （注5 ）（图
4 )
接收器锁相环集
（图5）
接收器断电延时
（图8）
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 66MHz的
1.0
4.5
8.1
11.6
15.1
18.8
22.5
0.7
2.9
5.1
7.3
9.5
11.7
13.9
490
400
15
10.0
10.0
6.5
6.0
5.0
5.0
4.5
4.0
3.5
T
12.2
11.0
11.6
11.6
7.6
6.3
7.3
6.3
5.0
7.5
10
1
50
民
典型值
2
1.8
1.4
5.0
8.5
11.9
15.6
19.2
22.9
1.1
3.3
5.5
7.7
9.9
12.1
14.3
最大
5
5
2.15
5.8
9.15
12.6
16.3
19.9
23.6
1.4
3.6
5.8
8.0
10.2
12.4
14.6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ps
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
μs
注4 ：
接收机偏移容限被定义为在接收器输入端的有效数据采样区域。这个余量考虑到发射机的脉冲位置
（最小值和最大值）和接收器输入建立时间和保持时间（内部数据采样窗口 - RSPOS ） 。该保证金可用于LVDS互连歪斜，符号间
干扰（既取决于电缆的类型/长度） ，和时钟抖动（小于250 ps的） 。
注5 ：
总延迟的信道链路芯片组是通过发射机（ TCCD ）和接收器（ RCCD ）时钟周期与门延迟的函数。总
潜伏期为二百八十五分之二百十五发射机和216A / 286A接收机是： （T + TCCD ）+（2 ×T + RCCD ），其中T =时钟周期。
3
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DS90CR286A/DS90CR286AQ/DS90CR216A
AC时序图
10087302
图1： “最坏情况”测试模式
10087304
图2. DS90CR286A / DS90CR216A （接收器） CMOS / TTL输出负载和转换时间
10087305
图3. DS90CR286A / DS90CR216A （接收器）建立/保持和高/低时报
10087306
图4. DS90CR286A / DS90CR216A （接收器）时钟输入到时钟输出延时
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4
DS90CR286A/DS90CR286AQ/DS90CR216A
10087307
图5. DS90CR286A / DS90CR216A （接收器）锁相环设置时间
10087309
图6. 28 TTL并行数据输入映射到LVDS输出 - DS90CR286A
10087310
图7. 21 TTL并行数据输入映射到LVDS输出 - DS90CR216A
5
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DS90CR286A / DS90CR216A + 3.3V上升沿数据选通LVDS接收器28位通道
链接66兆赫， + 3.3V上升沿数据选通LVDS接收器21位通道链接-66 MHz的
2004年7月
DS90CR286A/DS90CR216A
+ 3.3V上升沿数据选通LVDS接收器28位
通道链接- 66 MHz时， + 3.3V上升沿频闪
LVDS接收器21位通道链接-66 MHz的
概述
该DS90CR286A接收器将四路LVDS数据
流（高达1.848 Gbps的吞吐量和231兆字节/
s的带宽）回的CMOS / TTL数据并行28位。
同时还提供了三个转换DS90CR216A
LVDS数据流（高达1.386 Gbps的吞吐量和173
兆字节/秒带宽）回并行21位
CMOS / TTL数据。两个接收器的输出进行上升沿
频闪。
两款器件均采用TSSOP封装。
该DS90CR286A / DS90CR216A设备增强
前一代的接收器，并提供了更广泛的数据
有效时间对接收器输出。
该芯片组是解决EMI和电缆尺寸的理想方式
宽，高速TTL接口相关的问题。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
20至66 MHz的移位时钟支持
在接收机的输出时钟50％占空比
最佳企业级套装&保持时间上的RxOUTPUTs
RX功耗
＆ LT ;
270毫瓦（典型值）
@
66MHz的最差
例
RX掉电模式
＆ LT ;
200μW （最大）
ESD额定值
＆ GT ;
7千伏（HBM） ，
＆ GT ;
700V （ EIAJ ）
PLL无需外部元件
兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准
薄型56引脚或48引脚TSSOP封装
工作温度： -40℃ + 85℃
方框图
DS90CR286A
DS90CR216A
10087331
订单号DS90CR216AMTD
见NS包装数MTD48
10087330
订单号DS90CR286AMTD
见NS包装数MTD56
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
2004美国国家半导体公司
DS100873
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DS90CR286A/DS90CR216A
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
CMOS / TTL输出电压
LVDS接收器输入电压
结温
储存温度
焊接温度
（焊接， 4秒）
MTD56 （ TSSOP ）封装：
DS90CR286AMTD
MTD48 （ TSSOP ）封装：
DS90CR216AMTD
套餐降额：
1.89 W
1.61 W
-0.3V至+ 4V
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
+150C
-65 ° C至+ 150°C
+260C
DS90CR286AMTD
DS90CR216AMTD
ESD额定值
（ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
（ EIAJ ， 0Ω ， 200 pF的）
12.4毫瓦/ C以上+ 25℃
15毫瓦/ C以上+ 25℃
＆ GT ;
7千伏
＆ GT ;
700V
推荐工作
条件
最小值标称值最大值单位
电源电压（V
CC
)
经营自由的空气
温度（T
A
)
接收器输入范围
电源噪声电压
(V
CC
)
40 +25 +85
0
2.4
100
C
V
mV
PP
3.0
3.3
3.6
V
最大封装功耗容量
@
25C
电气特性
在推荐，除非另有规定工作电源和温度范围内。
符号
V
IH
V
IL
V
CL
I
IN
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
输入钳位电压
输入电流
I
CL
= -18毫安
V
V
CMOS / TTL DC规格
V
OH
V
OL
I
OS
V
TH
V
TL
I
IN
高电平输出电压
低电平输出电压
输出短路电流
差分输入高阈值
差分输入阈值低
输入电流
V
V
接收器电源电流
ICCRW
接收器电源电流最坏情况
C
L
= 8 pF的，最坏情况
模式， DS90CR286A
（图1，图2） ，
T
A
= -10℃至+ 70°C
C
L
= 8 pF的，最坏情况
模式， DS90CR286A
（图1，图2） ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
C
L
= 8 pF的，最坏情况
模式， DS90CR216A
（图1，图2） ，
T
A
= -10℃至+ 70°C
C
L
= 8 pF的，最坏情况
模式， DS90CR216A
（图1，图2） ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
F = 33 MHz的
F = 37.5兆赫
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 33 MHz的
F = 37.5兆赫
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
49
53
81
53
81
49
53
78
53
78
65
70
105
70
105
55
60
90
60
90
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
IN
IN
IN
IN
条件
民
2.0
GND
典型值
最大
V
CC
0.8
单位
V
V
V
A
A
V
CMOS / TTL DC规格（管脚的PowerDown ）
0.79
+1.8
10
2.7
0
3.3
0.06
60
1.5
+10
= 0.4V ， 2.5V或V
CC
= GND
I
OH
= -0.4毫安
I
OL
= 2毫安
V
OUT
= 0V
V
= +1.2V
0.3
120
+100
V
mA
mV
mV
A
A
LVDS接收器DC规格
CM
100
= +2.4V, V
CC
= 3.6V
= 0V, V
CC
= 3.6V
±
10
±
10
ICCRW
接收器电源电流最坏情况
ICCRW
接收器电源电流最坏情况
ICCRW
接收器电源电流最坏情况
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2
DS90CR286A/DS90CR216A
电气特性
符号
ICCRZ
参数
接收器电源电流
掉电
接收器电源电流
（续）
在推荐，除非另有规定工作电源和温度范围内。
条件
掉电=低
接收器输出时保持低位
掉电模式
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 ：
典型值给出了V
CC
= 3.3V和T
A
= +25C.
注3 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地，除非另有
指定（除V
OD
和
V
OD
).
民
典型值
10
最大
55
单位
A
接收器开关特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
CLHT
CHLT
RSPos0
RSPos1
RSPos2
RSPos3
RSPos4
RSPos5
RSPos6
RSPos0
RSPos1
RSPos2
RSPos3
RSPos4
RSPos5
RSPos6
RSKM
RCOP
RCOH
RCOL
RSRC
RHRC
RCOH
RCOL
RSRC
RHRC
碾压混凝土坝
RPLLS
RPDD
参数
CMOS / TTL低到高的跳变时间
（图2）
CMOS / TTL高向低转换时间
（图2）
对于第0位接收器输入选通位置
（图9中
图10）
对于第1位接收器输入选通位置
对于第2位接收器输入选通位置
对于3位接收器输入选通位置
对于第4位接收器输入选通位置
对于5位接收器输入选通位置
对于第6位接收器输入选通位置
对于第0位接收器输入选通位置
（图9中
图10）
对于第1位接收器输入选通位置
对于第2位接收器输入选通位置
对于3位接收器输入选通位置
对于第4位接收器输入选通位置
对于5位接收器输入选通位置
对于第6位接收器输入选通位置
RXIN偏移容限（注4 ）
（图11）
RXCLK淘汰期
（图3）
RXCLK输出高电平时间
（图3）
RXCLK输出低电平时间
（图3）
RXOUT安装到RXCLK OUT
（图3）
RXOUT保持到RXCLK OUT
（图3）
RXCLK输出高电平时间
（图3）
RXCLK输出低电平时间
（图3）
RXOUT安装到RXCLK OUT
（图3）
RXOUT保持到RXCLK OUT
（图3）
RXCLK IN至RXCLK输出延迟
@
25 ° C，V
CC
= 3.3V （注5 ）（图
4
)
接收器锁相环集
（图5）
接收器断电延时
（图8）
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 66MHz的
F = 40MHz的
1.0
4.5
8.1
11.6
15.1
18.8
22.5
0.7
2.9
5.1
7.3
9.5
11.7
13.9
490
400
15
10.0
10.0
6.5
6.0
5.0
5.0
4.5
4.0
3.5
T
12.2
11.0
11.6
11.6
7.6
6.3
7.3
6.3
5.0
7.5
10
1
50
民
典型值
2
1.8
1.4
5.0
8.5
11.9
15.6
19.2
22.9
1.1
3.3
5.5
7.7
9.9
12.1
14.3
最大
5
5
2.15
5.8
9.15
12.6
16.3
19.9
23.6
1.4
3.6
5.8
8.0
10.2
12.4
14.6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ps
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
s
注4 ：
接收机偏移容限被定义为在接收器输入端的有效数据采样区域。该保证金考虑了发射脉冲位置（分
和max）和接收器输入建立时间和保持时间（内部数据采样窗口 - RSPos ） 。该保证金可用于LVDS互连歪斜，符号间
干扰（既取决于电缆的类型/长度） ，和时钟抖动（小于250 ps的） 。
注5 ：
总延迟的信道链路芯片组是通过发射机（ TCCD ）和接收器（ RCCD ）时钟周期与门延迟的函数。总的等待时间
为二百八十五分之二百一十五发射机和216A / 286A接收机是： （T + TCCD ）+（2
*
T + RCCD ），其中T =时钟周期。
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AC时序图
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图1： “最坏情况”测试模式
10087304
图2. DS90CR286A / DS90CR216A （接收器） CMOS / TTL输出负载和转换时间
10087305
图3. DS90CR286A / DS90CR216A （接收器）建立/保持和高/低时报
10087306
图4. DS90CR286A / DS90CR216A （接收器）时钟输入到时钟输出延时
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AC时序图
（续）
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图5. DS90CR286A / DS90CR216A （接收器）锁相环设置时间
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DM10-371
DTC115EF
D3899920WC35PA
DA01S2405A
DM54LS25
DTC113ZS3
DM1623-0SL7
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