DS90CR215 ， DS90CR216
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SNLS129D - 1999年3月 - 修订2013年4月
DS90CR215 / DS90CR216 + 3.3V上升沿数据选通LVDS
21位通道链接 - 66 MHz的
检查样品：
DS90CR215 ， DS90CR216
1
特点
+ 3.3V单电源
芯片组（ TX + Rx）的功耗<250
毫瓦（典型值）
掉电模式（ <0.5毫瓦总）
高达173兆字节/秒带宽
高达1.386 Gbps的数据吞吐量
窄总线减少了线缆的尺寸
290 mV的LVDS摆幅低EMI器件
+ 1V共模范围（约+ 1.2V ）
PLL无需外部元件
薄型48引脚TSSOP封装
上升沿数据选通
兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准
ESD额定值> 7千伏
工作温度：
40°C
至+ 85°C
描述
该DS90CR215转换发射器的21位
CMOS / TTL数据分成三个LVDS（低压
差分信号）数据流。锁相
发送时钟是平行于数据传输的
流过第四个LVDS链路。的每个周期
传送时钟的输入数据的21位进行采样和
传输。该DS90CR216接收器将
LVDS数据流返回到CMOS / TTL的21位
数据。在66兆赫， 21比特的传输时钟频率
TTL的数据被以每462 Mbps的速率发送
LVDS数据信道。使用一个66MHz的时钟，该数据
吞吐量是1.386千兆位/秒（ 173兆字节/秒） 。
数据线的复用提供了一种
大幅度减少电缆。长距离平行
单端总线通常需要接地线
每个活动信号（和非常有限的噪音
抑制能力） 。因此，对于一个21比特宽的数据和
一个时钟，多达44导体是必需的。与
通道链路芯片组少到9导体（ 3个数据
对， 1个时钟对和至少一个接地）是
需要的。这提供了在需要的减少80％
电缆的宽度，它提供了一个系统的成本节约，
降低了连接器的物理尺寸和成本，并
减少由于光缆的屏蔽要求
更小的外形尺寸。
21 CMOS / TTL输入，可支持多种
信号组合。例如， 5个4位的半字节
加1的控制，或2个9位（字节+奇偶校验）和3-
控制权。
2
框图
图1. DS90CR215
48引脚TSSOP
见包装数DGG0048A
1
图2. DS90CR216 - 改进的AC规格
见包装数DGG0048A
推荐替代设备
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 1999年至2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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连接图
图3. DS90CR215
图4. DS90CR216
典型用途
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
2
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绝对最大额定值
(1) (2)
电源电压（V
CC
)
CMOS / TTL输入电压
CMOS / TTL输出电压
LVDS接收器输入电压
LVDS驱动器输出电压
LVDS输出短路持续时间
结温
存储温度范围
引线温度（焊接， 4秒）
最大封装功耗@ + 25°C
DGG0048A （ TSSOP ）
包装：
套餐降额
ESD额定值（ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
(1)
(2)
DS90CR215
DS90CR216
DS90CR215
DS90CR216
0.3V
为+ 4V
0.3V
到（Ⅴ
CC
+ 0.3V)
0.3V
到（Ⅴ
CC
+ 0.3V)
0.3V
到（Ⅴ
CC
+ 0.3V)
0.3V
到（Ⅴ
CC
+ 0.3V)
连续
+150°C
65°C
至+ 150°C
+260°C
1.98 W
1.89 W
16毫瓦/ C以上+ 25℃
15毫瓦/ C以上+ 25℃
> 7千伏
如果是用于军事/航空专用设备，请联系TI销售办事处/经销商咨询具体可用性和规格。
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们并不意味着
意味着该设备应在这些限制下工作。 “电气特性”指定设备的运行状况。
推荐工作条件
民
电源电压（V
CC
)
经营自由空气温度（T
A
)
接收器输入范围
电源噪声电压（V
CC
)
3.0
40
0
喃
3.3
+25
最大
3.6
+85
2.4
单位
V
°C
V
100毫伏
PP
电气特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
s
V
V
V
0.3
1.5
±10
120
450
35
1.125
1.25
1.375
35
V
OUT
= 0V,
R
L
= 100Ω
PWR DWN = 0V ，
V
OUT
= 0V或V
CC
3.5
±1
5
±10
V
V
μA
mA
mV
mV
V
mV
mA
μA
CMOS / TTL DC规格
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
CL
I
IN
I
OS
V
OD
ΔV
OD
V
OS
ΔV
OS
I
OS
I
OZ
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入钳位电压
输入电流
输出短路电流
差分输出电压
改变V
OD
免费输出之间
国
失调电压
(1)
改变V
OS
免费输出之间
国
输出短路电流
输出三态电流
I
OH
=
0.4
mA
I
OL
= 2毫安
I
CL
=
18
mA
V
IN
= V
CC
，GND
2.5V或0.4V
V
OUT
= 0V
R
L
= 100Ω
250
2.0
GND
2.7
3.3
0.06
0.79
±5.1
-60
290
V
CC
0.8
LVDS驱动器DC规格
LVDS接收器DC规格
(1)
V
OS
以前称为V
CM
.
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电气特性（续）
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
V
TH
V
TL
I
IN
参数
差分输入高阈值
差分输入阈值低
输入电流
V
IN
= +2.4V, V
CC
= 3.6V
V
IN
= 0V, V
CC
= 3.6V
变送器供电电流
I
CCTW
变送器电源电流最坏情况（与
负载）
R
L
= 100Ω,
C
L
= 5 pF的，
最坏的情况下格局
（图
5图6） ，
T
A
=
10°C
至+ 70°C
R
L
= 100Ω,
C
L
= 5 pF的，
最坏的情况下格局
（图
5图6） ，
T
A
=
40°C
至+ 85°C
I
CCTZ
变送器电源电流掉电
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
31
32
37
38
42
45
50
55
51
55
mA
mA
mA
mA
mA
V
CM
= +1.2V
100
±10
±10
条件
民
典型值
最大
+100
单位
s
mV
mV
μA
μA
PWR DWN =低
三态驱动器输出
在掉电模式
C
L
= 8 PF，
最坏的情况下格局
（图
5图7 ） ，
T
A
=
10°C
至+ 70°C
C
L
= 8 PF，
最坏的情况下格局
（图
5图7 ） ，
T
A
=
40°C
至+ 85°C
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
10
55
μA
接收器电源电流
I
CCRW
接收器电源电流最坏情况
49
53
78
55
78
10
65
70
105
82
105
55
mA
mA
mA
mA
mA
μA
I
CCRZ
接收器电源电流掉电
PWR DWN =低
接收器输出时保持低位
掉电模式
发射器的开关特性
在推荐工作电源和
40°C
至+ 85 ℃的范围内，除非另有说明
符号
LLHT
LHLT
TCIT
TCCS
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
参数
LVDS低到高的转变时间（图
6)
LVDS高向低转换时间（图
6)
TXCLK过渡时期（图
8)
TXOUT通道至通道偏移（图
9)
对于第0位变送器输出脉冲位置
（图
20)
对于第1位变送器输出脉冲位置
对位2发射器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对位4发射器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于位6发射机输出脉冲位置
(1)
民
典型值
0.5
0.5
250
最大
1.5
1.5
5
单位
ns
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
F = 40MHz的
0.4
3.1
6.5
10.2
13.7
17.3
21.0
0
3.3
6.8
10.4
13.9
17.6
21.2
0.4
4.0
7.6
11.0
14.6
18.2
21.8
(1)
4
最小。和最大值。基于每个穿过的PVT的LVDS数据流内的7位中的实际位的位置。
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发射器的开关特性（续）
在推荐工作电源和
40°C
至+ 85 ℃的范围内，除非另有说明
符号
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TCIP
TCIH
TCIL
TSTC
THTC
TCCD
tPLLS
TPDD
(2)
参数
对于第0位变送器输出脉冲位置
（图
20)
对于第1位变送器输出脉冲位置
对位2发射器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对位4发射器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于位6发射机输出脉冲位置
TXCLK期（图
10)
TXCLK高时间（图
10)
TXCLK低时（图
10)
口TxIN安装程序TXCLK IN（图
10)
口TxIN保持到TXCLK IN（图
10)
TXCLK IN到TXCLK输出延迟@ 25 ° C，V
CC
= 3.3V （图
12)
发送锁相环集（图
14)
发射器掉电延时（图
18)
(2)
民
F = 66MHz的
0.4
1.8
4.0
6.2
8.4
10.6
12.8
15
0.35T
0.35T
2.5
0
3
典型值
0
2.2
4.4
6.6
8.8
11.0
13.2
T
0.5T
0.5T
最大
0.3
2.5
4.7
6.9
9.1
11.3
13.5
50
0.65T
0.65T
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3.7
5.5
10
100
ns
ms
ns
最小。和最大值。限制由施加基于最坏位
400ps/+300ps
从理想的位置移动。
接收器开关特性
在推荐工作电源和
40°C
至+ 85 ℃的范围内，除非另有说明
符号
CLHT
CHLT
RSPos0
RSPos1
RSPos2
RSPos3
RSPos4
RSPos5
RSPos6
RSPos0
RSPos1
RSPos2
RSPos3
RSPos4
RSPos5
RSPos6
RSKM
RCOP
RCOH
参数
CMOS / TTL低到高的转变时间（图
7)
CMOS / TTL高向低转换时间（图
7)
对于第0位接收器输入选通位置
对于第1位接收器输入选通位置
对于第2位接收器输入选通位置
对于3位接收器输入选通位置
对于第4位接收器输入选通位置
对于5位接收器输入选通位置
对于第6位接收器输入选通位置
对于第0位接收器输入选通位置
对于第1位接收器输入选通位置
对于第2位接收器输入选通位置
对于3位接收器输入选通位置
对于第4位接收器输入选通位置
对于5位接收器输入选通位置
对于第6位接收器输入选通位置
RXIN斜保证金
(3)
(2)
(1)
民
典型值
2.2
2.2
最大
5.0
5.0
2.15
5.8
9.15
12.6
16.3
19.9
23.6
1.4
3.6
5.8
8.0
10.2
12.4
14.6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ps
ps
（图
21)
F = 40MHz的
1.0
4.5
8.1
11.6
15.1
18.8
22.5
1.4
5.0
8.5
11.9
15.6
19.2
22.9
1.1
3.3
5.5
7.7
9.9
12.1
14.3
（图
21)
F = 66MHz的
0.7
2.9
5.1
7.3
9.5
11.7
13.9
（图
22)
F = 40MHz的
F = 66MHz的
490
400
15
T
10.0
6.1
50
6.0
4.0
RXCLK超时周期（图
11)
RXCLK输出高电平时间（图
11)
F = 40MHz的
F = 66MHz的
ns
ns
ns
(1)
(2)
(3)
最小。和最大值。基于每个穿过的PVT的LVDS数据流内的7位中的实际位的位置。
最小。和最大值。限制由施加基于最坏位
400ps/+300ps
从理想的位置移动。
接收机偏移容限被定义为在接收器输入端的有效数据采样区域。这个余量考虑为发送器
脉冲位置（最小值和最大值）和接收器输入建立时间和保持时间（内部数据的采样窗口） 。该保证金可LVDS
互连歪斜，符号间干扰（既取决于电缆的类型/长度） ，和时钟抖动小于250 ps的。
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5
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