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DS90CR213 / DS90CR214 21位通道链接-66 MHz的
2005年8月
DS90CR213/DS90CR214
21位通道链接-66 MHz的
概述
该发射器DS90CR213转换CMOS / TTL的21位
数据分成三个LVDS(低压差分信号)
数据流。锁相传输时钟在发送
有超过四分之一的LVDS链路的数据流并行。一切
输入数据的传输时钟的周期的21比特采样
并发送。该DS90CR214接收器将
LVDS数据流返回到的CMOS / TTL数据21位。在
的66兆赫的发射时钟频率,TTL数据的21位是
以每LVDS数据通道462 Mbps的速率发送。
使用一个66MHz的时钟,数据吞吐量是1.386 Gbit / s的
( 173兆字节/秒) 。
数据线的复用提供了大量
电缆降低。长距离并行单端总线
通常要求每有源信号地线(和有
非常有限的噪声抑制能力) 。因此,对于一个21比特宽
数据和一个时钟,多达44导体是必需的。同
通道链路芯片组少到9导体( 3个数据
对, 1个时钟对和至少一个接地)是
需要的。这提供了所需的电缆减少80 %
宽度,它提供了一个系统的成本节约,降低CON-
接器的物理尺寸和成本,并降低了屏蔽要求一
ments由于电缆的外形尺寸更小。
21 CMOS / TTL输入,可支持多种信号
组合。例如,5 4位的半字节(字节+奇偶校验)或
2 9位(字节+ 3的奇偶校验)和1个控制。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
66 MHz时钟支持
高达173兆字节/秒的带宽
低功耗CMOS设计(
& LT ;
610毫瓦)
掉电模式(
& LT ;
0.5毫瓦总)
高达1.386 Gbit / s的数据吞吐
窄总线减少了线缆的尺寸和成本
290 mV的LVDS摆幅低EMI器件
PLL无需外部元件
薄型48引脚TSSOP封装
上升沿数据选通
兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准
方框图
DS90CR213
DS90CR214
01288827
01288801
订单号DS90CR213MTD
见NS包装数MTD48
订单号DS90CR214MTD
见NS包装数MTD48
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
2005美国国家半导体公司
DS012888
www.national.com
DS90CR213/DS90CR214
连接图
DS90CR213
DS90CR214
01288821
01288822
典型用途
01288823
www.national.com
2
DS90CR213/DS90CR214
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压(V
CC
)
CMOS / TTL输入电压
CMOS / TTL输出电压
LVDS接收器输入电压
LVDS驱动器输出电压
LVDS输出短路
长短
结温
储存温度
焊接温度
(焊接, 4秒)
最大功率封装
散热能力
MTD48 ( TSSOP )封装:
DS90CR213
DS90CR214
-0.3V至+ 6V
-0.3V到(V
CC
+ 0.3V)
-0.3V到(V
CC
+ 0.3V)
-0.3V到(V
CC
+ 0.3V)
-0.3V到(V
CC
+ 0.3V)
连续
+150C
-65 ° C至+ 150°C
+260C
@
25C
套餐降额:
DS90CR213
DS90CR214
ESD额定值(注4 )
此设备不符合2000V
16毫瓦/ C以上+ 25℃
15毫瓦/ C以上+ 25℃
推荐工作
条件
最小值标称值最大值
电源电压(V
CC
)
经营自由的空气
温度(T
A
)
接收器输入范围
电源噪声电压
(V
CC
)
10 +25
0
+70
2.4
100
C
V
mV
P-P
4.75 5.0
5.25
单位
V
1.98W
1.89W
电气特性
在推荐,除非另有规定工作电源和温度范围内。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
CL
I
IN
I
OS
V
OD
V
OD
V
OS
V
OS
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入钳位电压
输入电流
输出短路电流
差分输出电压
改变V
OD
免费提供输出国家
失调电压
变化的V震级
OS
免费输出之间
输出短路电流
输出三态
当前
差分输入高阈值
差分输入阈值低
输入电流
V
IN
= +2.4V, V
CC
= 5.0V
V
IN
= 0V, V
CC
= 5.0V
变送器供电电流
I
CCTW
变送器供电电流
最坏的情况下
I
CCTZ
变送器供电电流
R
L
= 100, C
L
条件
2.0
GND
典型值
最大
V
CC
0.8
单位
V
V
V
V
V
A
mA
mV
mV
V
mV
CMOS / TTL DC规格
I
OH
= -0.4毫安
I
OL
= 2毫安
I
CL
= -18毫安
V
IN
= V
CC
,GND, 2.5V或0.4V
V
OUT
= 0V
R
L
= 100
3.8
4.9
0.1
0.79
0.3
1.5
±
5.1
±
10
120
LVDS驱动器DC规格
250
290
450
35
1.1
1.25
1.375
35
I
OS
I
OZ
V
TH
V
TL
I
IN
V
OUT
= 0V ,R
L
= 100
2.9
5
mA
A
mV
mV
A
A
mA
mA
mA
掉电= 0V ,V
OUT
= 0V或V
CC
V
CM
= +1.2V
100
±
1
±
10
+100
LVDS接收器DC规格
±
10
±
10
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 66MHz的
49
51
70
63
64
84
= 5 pF的,
最坏的情况下格局
(图
1
图2
)
掉电=低
3
www.national.com
DS90CR213/DS90CR214
电气特性
符号
参数
掉电
接收器电源电流
I
CCRW
接收器电源电流
最坏的情况下
I
CCRZ
接收器电源电流
掉电
变送器供电电流
(续)
在推荐,除非另有规定工作电源和温度范围内。
条件
在三态驱动器输出下
掉电模式
C
L
= 8 PF,
最坏的情况下格局
(图
1
科幻gure 3
)
掉电=低
接收器输出的前一个状态时
掉电模式。
1
10
A
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 66MHz的
典型值
1
最大
25
单位
A
64
70
110
77
85
140
mA
mA
mA
注1 :
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 :
典型值给出了V
CC
= 5.0V和T
A
= +25C.
注3 :
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地,除非另有
指定(除V
OD
V
OD
).
注4 :
ESD额定值: HBM ( 1.5 kΩ的, 100 pF的)
PLL V
CC
1000V
所有其他引脚
2000V
EIAJ ( 0Ω , 200 pF的)
150V
注5 :
V
OS
以前称为V
CM
.
发射器的开关特性
在推荐工作电源和温度范围内,除非另有说明
符号
LLHT
LHLT
TCIT
TCCS
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TCIP
TCIH
TCIL
TSTC
THTC
TCCD
tPLLS
TPDD
参数
LVDS低到高的转变时间(图
2
)
LVDS高向低转换时间(图
2
)
TXCLK过渡时期(图
4
)
TXOUT通道至通道偏移(注6 ) (图
5)
对于第0位(图发射机输出脉冲位置
16
)
对于第1位变送器输出脉冲位置
对于第2位变送器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对于第4位变送器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于第6位变送器输出脉冲位置
TXCLK期(图
6
)
TXCLK高时间(图
6
)
TXCLK低时(图
6
)
口TxIN安装程序TXCLK IN(图
6
)
口TxIN保持到TXCLK IN(图
6
)
TXCLK IN到TXCLK输出延迟
@
25 ° C,V
CC
= 5.0V (图
8
)
发送锁相环集(图
10
)
发射器掉电延时(图
14
)
F = 66MHz的
0.30
1.70
3.60
5.90
8.30
10.40
12.70
15
0.35T
0.35T
5
2.5
3.5
0
(1/7)Tclk
(2/7)Tclk
(3/7)Tclk
(4/7)Tclk
(5/7)Tclk
(6/7)Tclk
T
0.5T
0.5T
3.5
1.5
8.5
10
100
典型值
0.75
0.75
最大
1.5
1.5
8
350
0.30
2.50
4.50
6.75
9.00
11.10
13.40
50
0.65T
0.65T
单位
ns
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
注6 :
基于平台特性此限制。
接收器开关特性
在推荐工作电源和温度范围内,除非另有说明
符号
CLHT
CHLT
参数
CMOS / TTL低到高的转变时间(图
3
)
CMOS / TTL高向低转换时间(图
3
)
4
典型值
2.5
2.0
最大
4.0
4.0
单位
ns
ns
www.national.com
DS90CR213/DS90CR214
接收器开关特性
符号
RSKM
RCOP
RCOH
RCOL
RSRC
RHRC
碾压混凝土坝
RPLLS
RPDD
RXIN歪斜保证金(注7 )V
CC
(续)
在推荐工作电源和温度范围内,除非另有说明
参数
= 5V ,T
A
= 25 (图
17)
F = 40MHz的
F = 66MHz的
RXCLK超时周期(图
7
)
RXCLK输出高电平时间(图
7
)
RXCLK输出低电平时间(图
7
)
RXOUT安装到RXCLK OUT (图
7
)
RXOUT保持到RXCLK OUT (图
7
)
RXCLK IN至RXCLK输出延迟
@
25 ° C,V
CC
= 5.0V (图
9
)
接收器锁相环集(图
11
)
接收器掉电延时(图
15
)
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
700
600
15
6
4.3
10.5
7.0
4.5
2.5
6.5
4
6.4
5.2
10.7
10
1
4.2
9
5
T
50
典型值
最大
单位
ps
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
s
注7 :
接收机偏移容限被定义为在接收器输入端的有效数据采样区域。该保证金考虑了发射机输出偏斜( TCCS )
并建立和保持时间(内部数据采样窗口) ,允许的LVDS电缆偏斜依赖的类型/长度和源时钟( TXCLK IN)的抖动。
RSKM
电缆歪斜(类型,长度) +时钟源抖动(周期循环)
AC时序图
01288802
图1: “最坏情况”测试模式
01288803
01288804
图2. DS90CR213 (变送器) LVDS输出负载和转换时间
5
www.national.com
DS90CR213 / DS90CR214 21位通道链接-66 MHz的
DS90CR213/DS90CR214
1997年7月
DS90CR213/DS90CR214
21位通道链接-66 MHz的
概述
该发射器DS90CR213转换CMOS / TTL的21位
数据分成三个LVDS(低压差分信号)
数据流。锁相传输时钟在发送
有超过四分之一的LVDS链路的数据流并行。一切
输入数据的传输时钟的周期的21比特采样
并发送。该DS90CR214接收器将
LVDS数据流返回到的CMOS / TTL数据21位。在
的66兆赫的发射时钟频率,TTL数据的21位是
以每LVDS数据通道462 Mbps的速率发送。
使用一个66MHz的时钟,数据吞吐量是1.386 Gbit / s的
( 173兆字节/秒) 。
数据线的复用提供了大量
电缆降低。长距离并行单端总线
通常要求每有源信号地线(和有
非常有限的噪声抑制能力) 。因此,对于一个21比特宽
数据和一个时钟,多达44导体是必需的。同
通道链路芯片组少到9导体( 3个数据
对, 1个时钟对和至少一个接地)是
需要的。这提供了所需的电缆减少80 %
宽度,它提供了一个系统的成本节约,降低CON-
接器的物理尺寸和成本,并降低了屏蔽要求一
ments由于电缆的外形尺寸更小。
21 CMOS / TTL输入,可支持多种信号
组合。例如,5 4位的半字节(字节+奇偶校验)或
2 9位(字节+ 3的奇偶校验)和1个控制。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
66 MHz时钟支持
高达173兆字节/秒的带宽
低功耗CMOS设计(
& LT ;
610毫瓦)
掉电模式(
& LT ;
0.5毫瓦总)
高达1.386 Gbit / s的数据吞吐
窄总线减少了线缆的尺寸和成本
290 mV的LVDS摆幅低EMI器件
PLL无需外部元件
薄型48引脚TSSOP封装
上升沿数据选通
兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准
方框图
DS90CR213
DS90CR214
DS012888-27
DS012888-1
订单号DS90CR213MTD
见NS包装数MTD48
订单号DS90CR214MTD
见NS包装数MTD48
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
1998美国国家半导体公司
DS012888
www.national.com
1
打印日期= 1998 / 1月7日PrintTime = 09 : 53 : 21 28561 ds012888启示录第5号
cmserv
证明
1
引脚图
DS90CR213
DS90CR214
DS012888-21
DS012888-22
典型用途
DS012888-23
www.national.com
2
打印日期= 1998 / 1月7日PrintTime = 09 : 53 : 21 28561 ds012888启示录第5号
cmserv
证明
2
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压(V
CC
)
CMOS / TTL输入电压
CMOS / TTL输出电压
LVDS接收器输入电压
LVDS驱动器输出电压
LVDS输出短路
长短
结温
储存温度
焊接温度
(焊接, 4秒)
最大功率封装
散热能力
MTD48 ( TSSOP )封装:
DS90CR213
DS90CR214
0.3V
0.3V
0.3V
0.3V
-0.3V至+ 6V
到(Ⅴ
CC
+ 0.3V)
到(Ⅴ
CC
+ 0.3V)
到(Ⅴ
CC
+ 0.3V)
到(Ⅴ
CC
+ 0.3V)
套餐降额:
DS90CR213
16毫瓦/ C以上+ 25℃
DS90CR214
15毫瓦/ C以上+ 25℃
ESD额定值(注4 )
此设备不符合2000V
推荐工作
条件
电源电压(V
CC
)
经营自由的空气
温度(T
A
)
接收器输入范围
电源噪声电压(V
CC
)
4.75
10
0
5.0
+25
最大
5.25
+70
2.4
单位
V
C
V
100毫伏
P-P
连续
+150C
-65 ° C至+ 150°C
+260C
@
25C
1.98W
1.89W
电气特性
在推荐,除非另有规定工作电源和温度范围内。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
CL
I
IN
I
OS
V
OD
V
OD
V
OS
V
OS
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入钳位电压
输入电流
输出短路电流
差分输出电压
改变V
OD
免费提供输出国家
失调电压
变化的V震级
OS
免费输出之间
输出短路电流
输出三态
当前
差分输入高阈值
差分输入阈值低
输入电流
V
IN
= +2.4V, V
CC
= 5.0V
V
IN
= 0V, V
CC
= 5.0V
R
L
= 100, C
= 5 pF的,
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 66MHz的
49
51
70
1
V
OUT
= 0V ,R
L
= 100
掉电= 0V ,V
OUT
= 0V或V
CC
V
CM
= +1.2V
100
2.9
1.1
1.25
I
OH
= -0.4毫安
I
OL
= 2毫安
I
CL
= -18毫安
V
IN
= V
CC
,GND, 2.5V或0.4V
V
OUT
= 0V
R
L
= 100
250
条件
2.0
GND
3.8
4.9
0.1
0.79
0.3
1.5
典型值
最大
V
CC
0.8
单位
V
V
V
V
V
A
mA
mV
mV
V
mV
CMOS / TTL DC规格
±
5.1
±
10
120
LVDS驱动器DC规格
290
450
35
1.375
35
I
OS
I
OZ
V
TH
V
TL
I
IN
5
mA
A
mV
mV
A
A
mA
mA
mA
A
±
1
±
10
+100
LVDS接收器DC规格
±
10
±
10
63
64
84
25
变送器供电电流
I
CCTW
变送器供电电流
最坏的情况下
I
CCTZ
变送器供电电流
掉电
L
最坏的情况下格局
(图
1
图2
)
掉电=低
在三态驱动器输出下
掉电模式
3
www.national.com
打印日期= 1998 / 1月7日PrintTime = 09 : 53 : 21 28561 ds012888启示录第5号
cmserv
证明
3
电气特性
符号
I
CCRW
参数
接收器电源电流
最坏的情况下
I
CCRZ
接收器电源电流
掉电
(续)
在推荐,除非另有规定工作电源和温度范围内。
条件
C
L
= 8 PF,
最坏的情况下格局
(图
1
科幻gure 3
)
掉电=低
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 66MHz的
典型值
64
70
110
1
最大
77
85
140
10
单位
mA
mA
mA
A
接收器电源电流
接收器输出的前一个状态时
掉电模式。
注1 :
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 :
典型值给出了V
CC
= 5.0V和T
A
= +25C.
注3 :
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地,除非另有试样
田间(除V
OD
V
OD
).
注4 :
ESD额定值: HBM ( 1.5 kΩ的, 100 pF的)
PLL V
CC
1000V
所有其他引脚
2000V
EIAJ ( 0Ω , 200 pF的)
150V
注5 :
V
OS
以前称为V
CM
.
发射器的开关特性
在推荐工作电源和温度范围内,除非另有说明
符号
LLHT
LHLT
TCIT
TCCS
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TCIP
TCIH
TCIL
TSTC
THTC
TCCD
tPLLS
TPDD
参数
LVDS低到高的转变时间(图
2
)
LVDS高向低转换时间(图
2
)
TXCLK过渡时期(图
4
)
TXOUT通道至通道偏移(注6 ) (图
5)
对于第0位(图发射机输出脉冲位置
16
)
对于第1位变送器输出脉冲位置
对于第2位变送器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对于第4位变送器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于第6位变送器输出脉冲位置
TXCLK期(图
6
)
TXCLK高时间(图
6
)
TXCLK低时(图
6
)
口TxIN安装程序TXCLK IN(图
6
)
口TxIN保持到TXCLK IN(图
6
)
TXCLK IN到TXCLK输出延迟
@
25 ° C,V
CC
= 5.0V (图
8
)
发送锁相环集(图
10
)
发射器掉电延时(图
14
)
F = 66MHz的
0.30
1.70
3.60
5.90
8.30
10.40
12.70
15
0.35T
0.35T
5
2.5
3.5
0
(1/7)Tclk
(2/7)Tclk
(3/7)Tclk
(4/7)Tclk
(5/7)Tclk
(6/7)Tclk
T
0.5T
0.5T
3.5
1.5
8.5
10
100
典型值
0.75
0.75
最大
1.5
1.5
8
350
0.30
2.50
4.50
6.75
9.00
11.10
13.40
50
0.65T
0.65T
单位
ns
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
注6 :
基于平台特性此限制。
接收器开关特性
在推荐工作电源和温度范围内,除非另有说明
符号
CLHT
CHLT
RSKM
参数
CMOS / TTL低到高的转变时间(图
3
)
CMOS / TTL高向低转换时间(图
3
)
RXIN歪斜保证金(注7 )V
CC
= 5V ,T
A
= 25 (图
17)
F = 40MHz的
F = 66MHz的
700
600
典型值
2.5
2.0
最大
4.0
4.0
单位
ns
ns
ps
ps
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4
打印日期= 1998 / 1月7日PrintTime = 09 : 53 : 21 28561 ds012888启示录第5号
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证明
4
接收器开关特性
符号
RCOP
RCOH
RCOL
RSRC
RHRC
碾压混凝土坝
RPLLS
RPDD
RXCLK超时周期(图
7
)
RXCLK输出高电平时间(图
7
)
RXCLK输出低电平时间(图
7
)
RXOUT安装到RXCLK OUT (图
7
)
RXOUT保持到RXCLK OUT (图
7
)
参数
(续)
在推荐工作电源和温度范围内,除非另有说明
15
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
6
4.3
10.5
7.0
4.5
2.5
6.5
4
6.4
5.2
10.7
10
1
4.2
9
5
典型值
T
最大
50
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
s
RXCLK IN至RXCLK输出延迟
@
25 ° C,V
CC
= 5.0V (图
9
)
接收器锁相环集(图
11
)
接收器掉电延时(图
15
)
注7 :
接收机偏移容限被定义为在接收器输入端的有效数据采样区域。该保证金考虑了发射机输出偏斜( TCCS )
并建立和保持时间(内部数据采样窗口) ,允许的LVDS电缆偏斜依赖的类型/长度和源时钟( TXCLK IN)的抖动。
RSKM
电缆歪斜(类型,长度) +时钟源抖动(周期循环)
AC时序图
DS012888-2
图1: “最坏情况”测试模式
DS012888-3
DS012888-4
图2. DS90CR213 (变送器) LVDS输出负载和转换时间
DS012888-5
DS012888-6
图3. DS90CR214 (接收器) CMOS / TTL输出负载和转换时间
5
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