DS90CR211 / DS90CR212 21位通道链接
1997年7月
DS90CR211/DS90CR212
21位通道链接
概述
该发射器DS90CR211转换CMOS / TTL的21位
数据分成三个LVDS（低压差分信号）
数据流。锁相传输时钟在发送
有超过四分之一的LVDS链路的数据流并行。一切
输入数据的传输时钟的周期的21比特采样
并发送。该DS90CR212接收器将
LVDS数据流返回到的CMOS / TTL数据21位。在
40MHz的发送时钟频率，TTL数据的21位是
以每LVDS数据通道280 Mbps的速率发送。
使用一个40MHz的时钟，数据吞吐量是840
兆比特/秒（105兆字节/秒） 。
数据线的复用提供了大量
电缆降低。长距离并行单端总线
通常要求每有源信号地线（和有
非常有限的噪声抑制能力） 。因此，对于一个21比特宽
数据总线和一个时钟，多达44导体是必需的。
与通道连接芯片组少到9导体（ 3
数据对， 1个时钟对和至少一个接地）是
需要的。这提供了所需的电缆减少80 ％
宽度，提供了系统的成本节约，降低了连接器
物理尺寸，并降低了屏蔽由于要求
电缆更小的外形尺寸。
21 CMOS / TTL输入，可支持多种信号
组合。例如，5 4位的半字节加1的控制，或
2 9位（字节+校验）和3个控制。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
窄总线减少了线缆的尺寸和成本
±
1V共模范围（地面移动）
290 mV的摆幅LVDS数据传输
840 Mbit / s的数据吞吐量
低摆幅差分电流模式驱动器降低EMI
上升沿数据选通
掉电模式
提供在低调的48引脚TSSOP封装
方框图
DS90CR211
DS90CR212
DS012637-27
DS012637-1
订单号DS90CR211MTD
见NS包装数MTD48
订单号DS90CR212MTD
见NS包装数MTD48
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
1998美国国家半导体公司
DS012637
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绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
-0.3V至+ 6V
CMOS / TTL输入电压
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
CMOS / TTL输出继电器电压
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
LVDS接收器输入电压
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
LVDS驱动器输出电压
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
LVDS输出
短路持续时间
连续
结温
+150C
存储温度范围
-65 ° C至+ 150°C
焊接温度
（焊接， 4秒）
+260C
最大功率耗散
@
+25C
MTD48 （ TSSOP ）封装：
DS90CR211
1.98W
DS90CR212
1.89W
套餐降额：
DS90CR211
16毫瓦/ C以上+ 25℃
DS90CR212
15毫瓦/ C以上+ 25℃
此设备不符合2000V的ESD额定值（注4 ） 。
推荐工作
条件
电源电压（V
CC
)
经营自由空气温度（T
A
)
接收器输入范围
电源噪声电压（V
CC
)
民
4.5
10
0
最大
5.5
+70
2.4
100
单位
V
C
V
mV
PP
电气特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
CL
I
IN
I
OS
V
OD
V
OD
V
CM
V
CM
I
OS
I
OZ
V
TH
V
TL
I
IN
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入钳位电压
输入电流
输出短路电流
差分输出电压
改变V
OD
间
互补输出国家
共模电压
改变V
CM
间
互补输出国家
输出短路电流
产量
三州
当前
V
OUT
= 0V ，R
L
= 100
电源关闭= 0V ，V
OUT
= 0V或V
CC
V
CM
= +1.2V
100
V
IN
= +2.4V
V
IN
= 0V
R
L
= 100, C
L
= 5 pF的，
最坏的情况下格局
（图
1 ，图2）
掉电=低
V
CC
= 5.5V
2.9
5
mA
A
mV
mV
A
A
mA
mA
A
1.1
1.25
1.375
35
V
mV
I
OH
= -0.4毫安
I
OL
= 2毫安
I
CL
= -18毫安
V
IN
= V
CC
，GND， 2.5V或0.4V
V
OUT
= 0V
R
L
= 100
250
条件
民
2.0
GND
3.8
4.9
0.1
0.79
0.3
1.5
典型值
最大
V
CC
0.8
单位
V
V
V
V
V
A
mA
mV
mV
CMOS / TTL DC规格
±
5.1
±
10
120
LVDS驱动器DC SPEClFlCATIONS
290
450
35
±
1
±
10
+100
LVDS接收器的DC性能参数
差分输入高阈值
差分输入阈值低
输入电流
＆ LT ;
±
1
＆ LT ;
±
1
34
36
1
±
10
±
10
51
53
25
变送器供电电流
I
CCTW
变送器电源电流，
最坏的情况下
变送器电源电流，
掉电
接收器电源电流，
最坏的情况下
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
I
CCTZ
接收器电源电流
I
CCRW
C
L
= 8 PF，
最坏的情况下格局
（图
1 ，图3）
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
55
60
75
80
mA
mA
3
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电气特性
符号
I
CCRZ
参数
接收器电源电流，
掉电
（续）
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
条件
掉电=低
民
典型值
最大
单位
接收器电源电流
1
10
A
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 ：
典型值给出了V
CC
= 5.0V和T
A
= +25C.
注3 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地，除非另有试样
田间（除V
OD
和
V
OD
).
注4 ：
ESD额定值：
HBM （ 1.5 kΩ的， 100 pF的）
PLL V
CC
≥
1000V
所有其他引脚
≥
2000V
EIAJ （ 0Ω ， 200 pF的）
≥
150V
发射器的开关特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
LLHT
LHLT
TCIT
TCCS
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TCIP
TCIH
TCIL
TSTC
THTC
TCCD
tPLLS
TPDD
参数
LVDS低到高的转变时间（图
2)
LVDS高向低转换时间（图
2)
TXCLK过渡时期（图
4)
TXOUT通道至通道偏移（注5 ） （图
5)
对位0发射机输出脉冲位置（图
16)
对于第1位变送器输出脉冲位置
对位2发射器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对位4发射器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于位6发射机输出脉冲位置
对位0发射机输出脉冲位置（图
16)
对于第1位变送器输出脉冲位置
对位2发射器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对位4发射器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于位6发射机输出脉冲位置
TXCLK期（图
6)
TXCLK高时间（图
6)
TXCLK低时（图
6)
口TxIN安装程序TXCLK IN（图
6)
口TxIN保持到TXCLK IN（图
6)
TXCLK IN到TXCLK输出延迟
@
25 ° C，V
CC
发送锁相环集（图
10)
发射器掉电延时（图
14)
= 5.0V （图
8)
F = 20MHz的
F = 40MHz的
F = 40MHz的
F = 20MHz的
200
6.3
12.8
20
27.2
34.5
42.2
100
2.9
6.1
9.7
13
17
20.3
25
0.35T
0.35T
14
8
2.5
5
2
9.7
10
100
150
7.2
13.6
20.8
28
35.2
42.6
100
3.3
6.6
10.2
13.5
17.4
20.8
T
0.5T
0.5T
民
典型值
0.75
0.75
最大
1.5
1.5
8
350
350
7.5
14.6
21.5
28.5
35.6
42.9
300
3.9
7.1
10.7
14.1
17.8
21.4
50
0.65T
0.65T
单位
ns
ns
ns
ps
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
注5 ：
基于平台特性此限制。
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4
接收器开关特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
CLHT
CHLT
RCOP
RSKM
RCOH
RCOL
RSRC
RHRC
碾压混凝土坝
RPLLS
RPDD
参数
CMOS / TTL低到高的转变时间（图
3)
CMOS / TTL高向低转换时间（图
3)
RXCLK超时周期（图
7)
接收器偏移容限（注6 ）
V
CC
= 5V ，T
A
= 25 （图
17)
RXCLK输出高电平时间（图
7)
RXCLK输出低电平时间（图
7)
RXCLK安装到RXCLK OUT （图
7)
RXCLK保持到RXCLK OUT （图
7)
F = 20MHz的
F = 40MHz的
F = 20MHz的
F = 40MHz的
F = 20MHz的
F = 40MHz的
F = 20MHz的
F = 40MHz的
F = 20MHz的
F = 40MHz的
RXCLK IN至RXCLK输出延迟
@
25 ° C，V
CC
= 5.0V （图
9)
接收器锁相环集（图
11)
接收器掉电延时（图
15)
25
1.1
700
19
6
21.5
10.5
14
4.5
16
6.5
7.6
11.9
10
1
民
典型值
3.5
2.7
T
最大
6.5
6.5
50
单位
ns
ns
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
s
注6 ：
接收机偏移容限被定义为在接收器输入端的有效数据采样区域。该保证金考虑了发射机输出偏斜（ TCCS ）
并建立和保持时间（内部数据采样窗口） ，允许的LVDS电缆偏斜依赖的类型/长度和源时钟（ TXCLK IN）的抖动。
RSKM
≥
电缆歪斜（类型，长度） +时钟源抖动（周期循环） 。
AC时序图
DS012637-4
图1： “最坏情况”测试模式
DS012637-5
DS012637-6
图2. DS90CR211 （变送器） LVDS输出负载和转换时序
DS012637-7
DS012637-8
图3. DS90CR212 （接收器） CMOS / TTL输出负载和转换时序
5
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