DS90CF583 / DS90CF584 LVDS 24位彩色平板显示器（ FPD ）链接 - 65 MHz的
1996年11月
DS90CF583/DS90CF584
LVDS 24位彩色平板显示器（ FPD ）链结
65兆赫
概述
该DS90CF583变送器转换CMOS / TTL的28位
数据分为四个LVDS（低压差分信号）数据
流。锁相发送时钟在标准杆传递
等位基因超过第五LVDS链路的数据流。每个周期
发送时钟的输入数据的28位进行采样，并
传输。该DS90CF584接收器将LVDS
数据流返回到的CMOS / TTL数据28位。在反
65兆赫， RGB数据和图4的24位麻省理工学院的时钟频率
的液晶显示器的定时和控制数据（ FPLINE ， FPFRAME位
DRDY ，控制） ，以每455 Mbps的速率发送
LVDS数据信道。使用65 MHz的时钟，数据吞吐量
看跌期权是每秒227兆字节。这些器件提供
与下降沿数据选通信号与一个方便的接口
各种图形和液晶显示面板控制器。
该芯片组是解决EMI和电缆尺寸的理想方式
宽，高速TTL接口相关的问题。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
20至65 MHz的转变CLK支持
高达227兆字节/ s的带宽
电缆尺寸被减小以节省成本
290 mV的LVDS摆幅低EMI器件
低功耗CMOS设计（
＆ LT ;
550 mW的典型值）
掉电模式以节约电能（
＆ LT ;
0.25毫瓦）
PLL无需外部元件
薄型56引脚TSSOP封装
下降沿数据选通
兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准
每个时钟XGA单像素（ 1024× 768 ）
支持VGA ，SVGA，XGA或更高
1.8 Gbps的吞吐量
方框图
DS012616-24
DS012616-1
订单号DS90CF583MTD
见NS包装数MTD56
订单号DS90CF584MTD
见NS包装数MTD56
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
1998美国国家半导体公司
DS012616
www.national.com
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
CMOS / TTL输入电压
CMOS / TTL输出电压
LVDS接收器输入电压
LVDS驱动器输出电压
LVDS输出短路持续时间
结温
储存温度
引线温度（焊接， 4秒）
最大功率耗散
@
25C
MTD56 （ TSSOP ）封装：
DS90CF583
-0.3V至+ 6V
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
连续
+150C
-65 ° C至+ 150°C
+260C
DS90CF584
1.61W
套餐降额：
DS90CF583
12.5毫瓦/ C以上+ 25℃
DS90CF584
12.4毫瓦/ C以上+ 25℃
此设备不符合2000V的ESD额定值（注4 ） 。
推荐工作
条件
电源电压（V
CC
)
经营自由的空气
温度（T
A
)
接收器输入范围
电源噪声电压（V
CC
)
民
4.75
10
0
喃
5.0
+25
最大
5.25
+70
2.4
100
单位
V
C
V
mV
P-P
1.63W
电气特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
CL
I
IN
I
OS
V
OD
V
OD
V
CM
V
CM
V
OH
V
OL
I
OS
I
OZ
V
TH
V
TL
I
IN
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入钳位电压
输入电流
输出短路电流
差分输出电压
改变V
OD
间
互补输出国家
共模电压
改变V
CM
间
互补输出国家
高电平输出电压
低电平输出电压
输出短路电流
产量
三州
当前
V
OUT
= 0V ，R
L
= 100
电源关闭= 0V ，V
OUT
= 0V或V
CC
V
CM
= +1.2V
100
V
IN
= +2.4V
V
IN
= 0V
R
L
= 100, C
L
= 5 pF的，
最坏的情况下格局
（图
1 ，图3）
R
L
= 100, C
L
= 5 pF的，
16灰度模式
（图
2 ，图3）
V
CC
= 5.5V
0.9
1.3
1.01
2.9
5
1.6
V
V
mA
A
mV
mV
1.1
1.25 1.375
35
V
mV
I
OH
= -0.4毫安
I
OL
= 2毫安
I
CL
= -18毫安
V
IN
= V
CC
，GND， 2.5V或0.4V
V
OUT
= 0V
R
L
= 100
250
条件
民
2.0
GND
3.8
4.9
0.1
0.79
0.3
1.5
典型值
最大
V
CC
0.8
单位
V
V
V
V
V
A
mA
mV
mV
CMOS / TTL DC规格
±
5.1
±
10
120
LVDS驱动器DC规格
290
450
35
±
1
±
10
+100
LVDS接收器DC规格
差分输入高
门槛
差分输入阈值低
输入电流
±
10
±
10
49
51
70
40
41
55
63
64
84
55
55
67
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
变送器供电电流
I
CCTW
变送器电源电流，
最坏的情况下
I
CCTG
变送器电源电流，
16灰阶
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 65 MHz的
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 65 MHz的
3
www.national.com
电气特性
符号
I
CCTZ
参数
变送器电源电流，
掉电
接收器电源电流
I
CCRW
接收器电源电流，
最坏的情况下
I
CCRG
接收器电源电流，
16灰阶
I
CCRZ
接收器电源电流，
掉电
（续）
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
条件
掉电=低
民
典型值
1
最大
25
单位
A
变送器供电电流
C
L
= 8 PF，
最坏的情况下格局
（图
1 ，图4）
C
L
= 8 PF，
16灰度模式
（图
2 ，图4）
掉电=低
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 65 MHz的
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 65 MHz的
64
70
110
35
37
55
1
77
85
140
55
55
67
10
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 ：
典型值给出了V
CC
= 5.0V和T
A
= +25C.
注3 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地，除非另有试样
田间（除V
OD
和
V
OD
).
注4 ：
ESD额定值： HBM （ 1.5 kΩ的， 100 pF的）
PLL V
CC
≥
1000V
所有其他引脚
≥
2000V
EIAJ （ 0Ω ， 200 pF的）
≥
150V
发射器的开关特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
LLHT
LHLT
TCIT
TCCS
TCCD
TCIP
TCIH
TCIL
TSTC
THTC
TPDD
tPLLS
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
参数
LVDS低到高的转变时间（图
3)
LVDS高向低转换时间（图
3)
TXCLK过渡时期（图
5)
TXOUT通道至通道偏移（注5 ） （图
6)
TXCLK IN到TXCLK输出延迟
@
25 ° C，V
CC
= 5.0V
（图
9)
TXCLK期（图
7)
TXCLK高时间（图
7)
TXCLK低时（图
7)
口TxIN安装程序TXCLK IN（图
7
)
口TxIN保持到TXCLK IN（图
7)
发射器掉电延时（图
18)
发送锁相环集（图
11)
发射器输出脉冲位置0 （图
13)
发射器输出脉冲位置1
发射器输出脉冲位置2
发射器输出脉冲位置3
发射器输出脉冲位置4
发射器输出脉冲位置5
发射器输出脉冲位置6
0.30
1.70
3.60
5.90
8.30
10.40
12.70
0
1/7 T
CLK
2/7 T
CLK
3/7 T
CLK
4/7 T
CLK
5/7 T
CLK
6/7 T
CLK
F = 65 MHz的
15
0.35T
0.35T
5
2.5
T
0.5T
0.5T
3.5
1.5
100
10
0.30
2.50
4.50
6.75
9.00
11.10
13.40
50
0.65T
0.65T
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3.5
民
典型值
0.75
0.75
最大
1.5
1.5
8
350
8.5
单位
ns
ns
ns
ps
ns
注5 ：
基于平台特性此限制。
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4
接收器开关特性
在推荐，除非另有规定工作电源和温度范围内。
符号
CLHT
CHLT
RCOP
RCOH
RCOL
RSRC
RHRC
碾压混凝土坝
RPLLS
RSKM
RPDD
参数
CMOS / TTL低到高的转变时间（图
4)
CMOS / TTL高向低转换时间（图
4)
RXCLK淘汰期
RXCLK输出高电平时间
RXCLK输出低电平时间
RXOUT安装到RXCLK OUT
RXOUT保持到RXCLK OUT
RXCLK IN至RXCLK输出延迟
@
25 ° C，V
CC
= 5.0V
（图
10)
接收器锁相环集（图
12)
RXIN歪斜保证金（注6 ） （图
14)
接收器掉电（图
17)
V
CC
= 5V ，T
A
= 25C
600
1
10
ms
ps
s
F = 65 MHz的
F = 65 MHz的
F = 65 MHz的
F = 65 MHz的
15
7.8
3.8
2.5
4.0
6.4
民
典型值
2.5
2.0
T
9
5
4.2
5.2
10.7
最大
4.0
3.5
50
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注6 ：
接收机偏移容限被定义为在接收器输入端的有效数据采样区域。该保证金考虑到发射机的输出偏移（ TCCS ）
并建立和保持时间（内部数据采样窗口） ，允许的LVDS电缆偏斜依赖的类型/长度和源时钟（ TXCLK IN）的抖动。
RSKM
≥
电缆歪斜（类型，长度） +时钟源抖动（周期循环）
AC时序图
DS012616-3
图1： “最坏情况”测试模式
5
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