DS90C383 / DS90CF384 + 3.3V可编程LVDS的24位彩色平板显示器（ FPD ）
链接65兆赫
2000年11月
DS90C383/DS90CF384
+ 3.3V可编程LVDS发射器24位平板
显示器（FPD ）链路65兆赫， + 3.3V LVDS接收器
24位平板显示器（ FPD ）链路65兆赫
概述
在DS90C383发射器转换LVCMOS的28位/
LVTTL数据转换4的LVDS （低压差分信号 -
荷兰国际集团）的数据流。锁相发送时钟都会发送
泰德与数据并行流过的第五个LVDS链路。
输入数据的传输时钟的每一个周期的28位是
采样和发送。该DS90CF384接收CON-
绿党的LVDS数据流返回到LVCMOS的28位/
LVTTL数据。在65兆赫， 24比特的传输时钟频率
的液晶显示器的定时和控制数据的RGB数据和3位的
（ FPLINE ， FPFRAME ， DRDY ）在455的速率传输
每个LVDS数据通道Mbps的。使用65 MHz的时钟，所述
数据吞吐量为227 MB /秒。该发射器是OF-
fered具有可编程边沿数据选通信号，方便
接口与各种图形控制器。和Transmit
器可以设置为上升沿频闪或下降
通过专用引脚边沿频闪。上升沿传输
米特将与下降沿接收器互操作
（ DS90CF384 ）没有任何转换逻辑。这两款器件均
还提供了64球， 0.8毫米细间距球栅阵列
（ FBGA ）封装，它提供了在PCB上减少44 ％
足迹相比TSSOP封装。
该芯片组是解决EMI和电缆尺寸的理想方式
宽，高速TTL接口相关的问题。
特点
n
20至65 MHz的移位时钟支持
n
可编程发射器（ DS90C383 ）频闪选择
（上升沿或下降沿脉冲）
n
3.3V单电源供电
n
芯片组（ TX + Rx）的功耗
＆ LT ;
250毫瓦（典型值）
n
掉电模式（
＆ LT ;
0.5毫瓦总）
n
每个时钟XGA单像素（ 1024×768）准备
n
支持VGA ，SVGA，XGA或更高的寻址能力。
n
高达227兆字节/秒带宽
n
高达1.8 Gbps的吞吐量
n
窄总线减少了线缆的尺寸和成本
n
290 mV的LVDS摆幅低EMI器件
n
PLL无需外部元件
n
薄型56引脚TSSOP封装。
n
也可在64球， 0.8毫米细间距球栅
阵列（ FBGA ）封装
n
下降沿数据选通接收器
n
兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准
n
ESD额定值
＆ GT ;
7千伏
n
工作温度： -40℃ + 85℃
方框图
典型用途
DS012887-2
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
2000美国国家半导体公司
DS012887
www.national.com
DS90C383/DS90CF384
方框图
（续）
DS90C383
DS012887-1
订单号DS90C383MTD或DS90C383SLC
见NS包装数MTD56或SLC64A
DS90CF384
DS012887-24
订单号DS90CF384MTD或DS90CF384SLC
见NS包装数MTD56或SLC64A
www.national.com
2
DS90C383/DS90CF384
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
-0.3V至+ 4V
CMOS / TTL输入电压
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
CMOS / TTL输出电压
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
LVDS接收器输入电压
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
LVDS驱动器输出电压
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
LVDS输出短路
长短
连续
结温
+150C
储存温度
-65 ° C至+ 150°C
焊接温度
（焊接， 4秒， TSSOP ）
+260C
焊锡溢流温度
（ 20秒为FBGA ）
+220C
最大封装功耗容量25℃
MTD56 （ TSSOP ）封装：
DS90C383MTD
1.63 W
DS90CF384MTD
1.61 W
套餐降额：
DS90C383MTD
12.5毫瓦/ C以上+ 25℃
DS90CF384MTD
12.4毫瓦/ C以上
最大封装功耗容量25℃
SLC64A套餐：
DS90C383SLC
DS90CF384SLC
套餐降额：
DS90C383SLC
10.2毫瓦/ C以上
DS90CF384SLC
10.2毫瓦/ C以上
ESD额定值
（ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
+25C
2.0 W
2.0 W
+25C
+25C
＆ GT ;
7千伏
推荐工作
条件
电源电压（V
CC
)
经营自由的空气
温度（T
A
)
接收器输入范围
电源噪声电压（V
CC
)
民
3.0
40
0
喃
3.3
+25
最大
3.6
+85
2.4
100
单位
V
C
V
mV
PP
电气特性
在推荐，除非另有规定工作电源和温度范围内。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
CL
I
IN
I
OS
V
OD
V
OD
V
OS
V
OS
I
OS
I
OZ
V
TH
V
TL
I
IN
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入钳位电压
输入电流
输出短路电流
差分输出电压
改变V
OD
间
免费提供输出国家
失调电压（注4 ）
改变V
OS
间
免费提供输出国家
输出短路电流
输出三态
当前
差分输入高阈值
差分输入阈值低
输入电流
V
IN
= +2.4V, V
CC
= 3.6V
V
IN
= 0V, V
CC
= 3.6V
变送器供电电流
ICCTW
变送器供电电流
最坏的情况下
R
L
= 100,
C
L
= 5 pF的，
最坏的情况下格局
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
31
32
45
50
mA
mA
V
OUT
= 0V ，R
L
= 100
电源关闭= 0V ，
V
OUT
= 0V或V
CC
V
CM
= +1.2V
100
+100
mV
mV
A
A
3.5
5
mA
A
1.125
1.25
1.375
35
V
mV
I
OH
= -0.4毫安
I
OL
= 2毫安
I
CL
= -18毫安
V
IN
= V
CC
，GND， 2.5V或0.4V
V
OUT
= 0V
R
L
= 100
250
条件
民
2.0
GND
2.7
3.3
0.06
0.79
0.3
1.5
典型值
最大
V
CC
0.8
单位
V
V
V
V
V
A
mA
mV
mV
LVCMOS / LVTTL DC规格
±
5.1
60
345
±
10
120
450
35
LVDS DC规格
±
1
±
10
±
10
±
10
3
www.national.com
DS90C383/DS90CF384
电气特性
符号
参数
（续）
在推荐，除非另有规定工作电源和温度范围内。
条件
民
F = 65 MHz的
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 65 MHz的
典型值
42
23
28
31
10
最大
55
35
40
45
55
单位
mA
mA
mA
mA
A
变送器供电电流
（图1,3
)
, T
A
=
-40 ° C至+ 85°C
ICCTG
变送器供电电流
16灰阶
R
L
= 100,
C
L
= 5 pF的，
16灰度模式
（图2，图3） ，
T
A
=
-40 ° C至+ 85°C
ICCTZ
变送器供电电流
掉电
接收器电源电流
ICCRW
接收器电源电流
最坏的情况下
C
L
掉电=低
三态驱动器输出
下
掉电模式
= 8 PF，
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 65 MHz的
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 65 MHz的
49
53
78
28
30
43
10
65
70
105
45
47
60
55
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
最坏的情况下格局
（图1，图4） ，
T
A
=
-40 ° C至+ 85°C
ICCRG
接收器电源电流，
16灰阶
C
L
= 8 PF，
16灰度模式
（图2,4 ） ，
T
A
=
-40 ° C至+ 85°C
ICCRZ
接收器电源电流
掉电
掉电=低
接收器输出时保持低位
掉电模式
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 ：
典型值给出了V
CC
= 3.3V和T
A
= +25C.
注3 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地，除非另有
指定（除V
OD
和
V
OD
).
注4 ：
V
OS
以前称为V
CM
.
发射器的开关特性
在推荐的工作电源和-40℃至+ 85℃范围内，除非另有说明
符号
LLHT
LHLT
TCIT
TCCS
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TCIP
TCIH
TCIL
TSTC
THTC
TCCD
参数
LVDS低到高的转变时间
（图3）
LVDS高向低转换时间
（图3）
TXCLK过渡时期
（图5）
TXOUT通道至通道偏移
（图6）
对于第0位变送器输出脉冲位置
（图17）
对于第1位变送器输出脉冲位置
对于第2位变送器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对于第4位变送器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于第6位变送器输出脉冲位置
TXCLK期
（图7）
TXCLK高时间
（图7）
TXCLK低时间
（图7）
口TxIN安装程序TXCLK IN
（图7）
口TxIN保持到TXCLK IN
（图7）
TXCLK IN到TXCLK输出延迟25°C ，V
CC
= 3.3V
（图9）
4
民
典型值
0.75
0.75
250
最大
1.5
1.5
5
单位
ns
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
F = 65 MHz的
0.4
1.8
4.0
6.2
8.4
10.6
12.8
15
0.35T
0.35T
0
2.2
4.4
6.6
8.8
11
13.2
T
0.5T
0.5T
0.3
2.5
4.7
6.9
9.1
11.3
13.5
50
0.65T
0.65T
F = 65 MHz的
2.5
0
3.0
3.7
5.5
ns
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DS90C383/DS90CF384
发射器的开关特性
符号
tPLLS
TPDD
参数
发送锁相环集
（图11）
发射机关机延迟
（图15）
（续）
在推荐的工作电源和-40℃至+ 85℃范围内，除非另有说明
民
典型值
最大
10
100
单位
ms
ns
接收器开关特性
在推荐的工作电源和-40℃至+ 85℃范围内，除非另有说明
符号
CLHT
CHLT
RSPos0
RSPos1
RSPos2
RSPos3
RSPos4
RSPos5
RSPos6
RSKM
RCOP
RCOH
RCOL
RSRC
RHRC
碾压混凝土坝
RPLLS
RPDD
参数
CMOS / TTL低到高的跳变时间
（图4）
CMOS / TTL高向低转换时间
（图4）
对于第0位接收器输入选通位置
（图18）
对于第1位接收器输入选通位置
对于第2位接收器输入选通位置
对于3位接收器输入选通位置
对于第4位接收器输入选通位置
对于5位接收器输入选通位置
对于第6位接收器输入选通位置
RXIN歪斜保证金（注5 ）
（图19）
RXCLK淘汰期
（图8）
RXCLK输出高电平时间
（图8）
RXCLK输出低电平时间
（图8）
RXOUT安装到RXCLK OUT
（图8）
RXOUT保持到RXCLK OUT
（图8）
RXCLK IN至RXCLK输出延迟25°C ，V
CC
= 3.3V
（图10）
接收器锁相环集
（图12）
接收器断电延时
（图16）
F = 65 MHz的
F = 65 MHz的
F = 65 MHz的
0.7
2.9
5.1
7.3
9.5
11.7
13.9
400
15
7.3
3.45
2.5
2.5
5.0
T
8.6
4.9
6.9
5.7
7.1
9.0
10
1
50
民
典型值
2.2
2.2
1.1
3.3
5.5
7.7
9.9
12.1
14.3
最大
5.0
5.0
1.4
3.6
5.8
8.0
10.2
12.4
14.6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
s
注5 ：
接收机偏移容限被定义为在接收器输入端的有效数据采样区域。该保证金考虑了发射脉冲位置（分
和max）和接收器输入建立时间和保持时间（内部数据的采样窗口RSPOS ） 。该保证金可用于LVDS互连歪斜，符号间
干扰（既取决于电缆的类型/长度） ，和时钟抖动（小于250 ps的） 。
AC时序图
DS012887-3
图1： “最坏情况”测试模式
5
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DS90C383 / DS90CF384 + 3.3V可编程LVDS的24位彩色平板显示器（ FPD ）
链接65兆赫
2000年11月
DS90C383/DS90CF384
+ 3.3V可编程LVDS发射器24位平板
显示器（FPD ）链路65兆赫， + 3.3V LVDS接收器
24位平板显示器（ FPD ）链路65兆赫
概述
在DS90C383发射器转换LVCMOS的28位/
LVTTL数据转换4的LVDS （低压差分信号 -
荷兰国际集团）的数据流。锁相发送时钟都会发送
泰德与数据并行流过的第五个LVDS链路。
输入数据的传输时钟的每一个周期的28位是
采样和发送。该DS90CF384接收CON-
绿党的LVDS数据流返回到LVCMOS的28位/
LVTTL数据。在65兆赫， 24比特的传输时钟频率
的液晶显示器的定时和控制数据的RGB数据和3位的
（ FPLINE ， FPFRAME ， DRDY ）在455的速率传输
每个LVDS数据通道Mbps的。使用65 MHz的时钟，所述
数据吞吐量为227 MB /秒。该发射器是OF-
fered具有可编程边沿数据选通信号，方便
接口与各种图形控制器。和Transmit
器可以设置为上升沿频闪或下降
通过专用引脚边沿频闪。上升沿传输
米特将与下降沿接收器互操作
（ DS90CF384 ）没有任何转换逻辑。这两款器件均
还提供了64球， 0.8毫米细间距球栅阵列
（ FBGA ）封装，它提供了在PCB上减少44 ％
足迹相比TSSOP封装。
该芯片组是解决EMI和电缆尺寸的理想方式
宽，高速TTL接口相关的问题。
特点
n
20至65 MHz的移位时钟支持
n
可编程发射器（ DS90C383 ）频闪选择
（上升沿或下降沿脉冲）
n
3.3V单电源供电
n
芯片组（ TX + Rx）的功耗
＆ LT ;
250毫瓦（典型值）
n
掉电模式（
＆ LT ;
0.5毫瓦总）
n
每个时钟XGA单像素（ 1024×768）准备
n
支持VGA ，SVGA，XGA或更高的寻址能力。
n
高达227兆字节/秒带宽
n
高达1.8 Gbps的吞吐量
n
窄总线减少了线缆的尺寸和成本
n
290 mV的LVDS摆幅低EMI器件
n
PLL无需外部元件
n
薄型56引脚TSSOP封装。
n
也可在64球， 0.8毫米细间距球栅
阵列（ FBGA ）封装
n
下降沿数据选通接收器
n
兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准
n
ESD额定值
＆ GT ;
7千伏
n
工作温度： -40℃ + 85℃
方框图
典型用途
DS012887-2
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
2000美国国家半导体公司
DS012887
www.national.com
DS90C383/DS90CF384
方框图
（续）
DS90C383
DS012887-1
订单号DS90C383MTD或DS90C383SLC
见NS包装数MTD56或SLC64A
DS90CF384
DS012887-24
订单号DS90CF384MTD或DS90CF384SLC
见NS包装数MTD56或SLC64A
www.national.com
2
DS90C383/DS90CF384
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
-0.3V至+ 4V
CMOS / TTL输入电压
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
CMOS / TTL输出电压
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
LVDS接收器输入电压
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
LVDS驱动器输出电压
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
LVDS输出短路
长短
连续
结温
+150C
储存温度
-65 ° C至+ 150°C
焊接温度
（焊接， 4秒， TSSOP ）
+260C
焊锡溢流温度
（ 20秒为FBGA ）
+220C
最大封装功耗容量25℃
MTD56 （ TSSOP ）封装：
DS90C383MTD
1.63 W
DS90CF384MTD
1.61 W
套餐降额：
DS90C383MTD
12.5毫瓦/ C以上+ 25℃
DS90CF384MTD
12.4毫瓦/ C以上
最大封装功耗容量25℃
SLC64A套餐：
DS90C383SLC
DS90CF384SLC
套餐降额：
DS90C383SLC
10.2毫瓦/ C以上
DS90CF384SLC
10.2毫瓦/ C以上
ESD额定值
（ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
+25C
2.0 W
2.0 W
+25C
+25C
＆ GT ;
7千伏
推荐工作
条件
电源电压（V
CC
)
经营自由的空气
温度（T
A
)
接收器输入范围
电源噪声电压（V
CC
)
民
3.0
40
0
喃
3.3
+25
最大
3.6
+85
2.4
100
单位
V
C
V
mV
PP
电气特性
在推荐，除非另有规定工作电源和温度范围内。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
CL
I
IN
I
OS
V
OD
V
OD
V
OS
V
OS
I
OS
I
OZ
V
TH
V
TL
I
IN
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入钳位电压
输入电流
输出短路电流
差分输出电压
改变V
OD
间
免费提供输出国家
失调电压（注4 ）
改变V
OS
间
免费提供输出国家
输出短路电流
输出三态
当前
差分输入高阈值
差分输入阈值低
输入电流
V
IN
= +2.4V, V
CC
= 3.6V
V
IN
= 0V, V
CC
= 3.6V
变送器供电电流
ICCTW
变送器供电电流
最坏的情况下
R
L
= 100,
C
L
= 5 pF的，
最坏的情况下格局
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
31
32
45
50
mA
mA
V
OUT
= 0V ，R
L
= 100
电源关闭= 0V ，
V
OUT
= 0V或V
CC
V
CM
= +1.2V
100
+100
mV
mV
A
A
3.5
5
mA
A
1.125
1.25
1.375
35
V
mV
I
OH
= -0.4毫安
I
OL
= 2毫安
I
CL
= -18毫安
V
IN
= V
CC
，GND， 2.5V或0.4V
V
OUT
= 0V
R
L
= 100
250
条件
民
2.0
GND
2.7
3.3
0.06
0.79
0.3
1.5
典型值
最大
V
CC
0.8
单位
V
V
V
V
V
A
mA
mV
mV
LVCMOS / LVTTL DC规格
±
5.1
60
345
±
10
120
450
35
LVDS DC规格
±
1
±
10
±
10
±
10
3
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DS90C383/DS90CF384
电气特性
符号
参数
（续）
在推荐，除非另有规定工作电源和温度范围内。
条件
民
F = 65 MHz的
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 65 MHz的
典型值
42
23
28
31
10
最大
55
35
40
45
55
单位
mA
mA
mA
mA
A
变送器供电电流
（图1,3
)
, T
A
=
-40 ° C至+ 85°C
ICCTG
变送器供电电流
16灰阶
R
L
= 100,
C
L
= 5 pF的，
16灰度模式
（图2，图3） ，
T
A
=
-40 ° C至+ 85°C
ICCTZ
变送器供电电流
掉电
接收器电源电流
ICCRW
接收器电源电流
最坏的情况下
C
L
掉电=低
三态驱动器输出
下
掉电模式
= 8 PF，
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 65 MHz的
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 65 MHz的
49
53
78
28
30
43
10
65
70
105
45
47
60
55
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
最坏的情况下格局
（图1，图4） ，
T
A
=
-40 ° C至+ 85°C
ICCRG
接收器电源电流，
16灰阶
C
L
= 8 PF，
16灰度模式
（图2,4 ） ，
T
A
=
-40 ° C至+ 85°C
ICCRZ
接收器电源电流
掉电
掉电=低
接收器输出时保持低位
掉电模式
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 ：
典型值给出了V
CC
= 3.3V和T
A
= +25C.
注3 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地，除非另有
指定（除V
OD
和
V
OD
).
注4 ：
V
OS
以前称为V
CM
.
发射器的开关特性
在推荐的工作电源和-40℃至+ 85℃范围内，除非另有说明
符号
LLHT
LHLT
TCIT
TCCS
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TCIP
TCIH
TCIL
TSTC
THTC
TCCD
参数
LVDS低到高的转变时间
（图3）
LVDS高向低转换时间
（图3）
TXCLK过渡时期
（图5）
TXOUT通道至通道偏移
（图6）
对于第0位变送器输出脉冲位置
（图17）
对于第1位变送器输出脉冲位置
对于第2位变送器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对于第4位变送器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于第6位变送器输出脉冲位置
TXCLK期
（图7）
TXCLK高时间
（图7）
TXCLK低时间
（图7）
口TxIN安装程序TXCLK IN
（图7）
口TxIN保持到TXCLK IN
（图7）
TXCLK IN到TXCLK输出延迟25°C ，V
CC
= 3.3V
（图9）
4
民
典型值
0.75
0.75
250
最大
1.5
1.5
5
单位
ns
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
F = 65 MHz的
0.4
1.8
4.0
6.2
8.4
10.6
12.8
15
0.35T
0.35T
0
2.2
4.4
6.6
8.8
11
13.2
T
0.5T
0.5T
0.3
2.5
4.7
6.9
9.1
11.3
13.5
50
0.65T
0.65T
F = 65 MHz的
2.5
0
3.0
3.7
5.5
ns
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DS90C383/DS90CF384
发射器的开关特性
符号
tPLLS
TPDD
参数
发送锁相环集
（图11）
发射机关机延迟
（图15）
（续）
在推荐的工作电源和-40℃至+ 85℃范围内，除非另有说明
民
典型值
最大
10
100
单位
ms
ns
接收器开关特性
在推荐的工作电源和-40℃至+ 85℃范围内，除非另有说明
符号
CLHT
CHLT
RSPos0
RSPos1
RSPos2
RSPos3
RSPos4
RSPos5
RSPos6
RSKM
RCOP
RCOH
RCOL
RSRC
RHRC
碾压混凝土坝
RPLLS
RPDD
参数
CMOS / TTL低到高的跳变时间
（图4）
CMOS / TTL高向低转换时间
（图4）
对于第0位接收器输入选通位置
（图18）
对于第1位接收器输入选通位置
对于第2位接收器输入选通位置
对于3位接收器输入选通位置
对于第4位接收器输入选通位置
对于5位接收器输入选通位置
对于第6位接收器输入选通位置
RXIN歪斜保证金（注5 ）
（图19）
RXCLK淘汰期
（图8）
RXCLK输出高电平时间
（图8）
RXCLK输出低电平时间
（图8）
RXOUT安装到RXCLK OUT
（图8）
RXOUT保持到RXCLK OUT
（图8）
RXCLK IN至RXCLK输出延迟25°C ，V
CC
= 3.3V
（图10）
接收器锁相环集
（图12）
接收器断电延时
（图16）
F = 65 MHz的
F = 65 MHz的
F = 65 MHz的
0.7
2.9
5.1
7.3
9.5
11.7
13.9
400
15
7.3
3.45
2.5
2.5
5.0
T
8.6
4.9
6.9
5.7
7.1
9.0
10
1
50
民
典型值
2.2
2.2
1.1
3.3
5.5
7.7
9.9
12.1
14.3
最大
5.0
5.0
1.4
3.6
5.8
8.0
10.2
12.4
14.6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
s
注5 ：
接收机偏移容限被定义为在接收器输入端的有效数据采样区域。该保证金考虑了发射脉冲位置（分
和max）和接收器输入建立时间和保持时间（内部数据的采样窗口RSPOS ） 。该保证金可用于LVDS互连歪斜，符号间
干扰（既取决于电缆的类型/长度） ，和时钟抖动（小于250 ps的） 。
AC时序图
DS012887-3
图1： “最坏情况”测试模式
5
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