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DS90CF383 + 3.3V LVDS发射器24位平板显示器（ FPD ）链接 - 65 MHz的

2000年1月

DS90CF383

+ 3.3V LVDS发射器24位平板显示器（ FPD ）

链接 - 65 MHz的

概述

该DS90CF383变送器转换CMOS / TTL的28位

数据分为四个LVDS（低压差分信号）数据

流。锁相发送时钟在标准杆传递

等位基因超过第五LVDS链路的数据流。每个周期

发送时钟的输入数据的28位进行采样，并

传输。在65兆赫， 24比特的传输时钟频率

的液晶显示器的定时和控制数据的RGB数据和3位的

（ FPLINE ， FPFRAME ， DRDY ）在455的速率传输

每个LVDS数据通道Mbps的。使用65 MHz的时钟，所述

数据吞吐量为227 MB /秒。

该芯片组是解决EMI和电缆尺寸的理想方式

宽，高速TTL接口相关的问题。

特点

20至65 MHz的移位时钟支持

3.3V单电源供电

芯片组（ TX + Rx）的功耗

＆ LT ;

250毫瓦（典型值）

掉电模式（

＆ LT ;

0.5毫瓦总）

每个时钟XGA单像素（ 1024×768）准备

支持VGA ，SVGA，XGA或更高的寻址能力。

高达227兆字节/秒带宽

高达1.8 Gbps的吞吐量

窄总线减少了线缆的尺寸和成本

290 mV的LVDS摆幅低EMI器件

PLL无需外部元件

薄型56引脚TSSOP封装

下降沿数据选通脉冲发射器

兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准

ESD额定值

＆ GT ;

7千伏

工作温度： -40℃ + 85℃

框图

DS90CF383

DS100033-1

订单号DS90CF383MTD

见NS包装数MTD56

三州

是美国国家半导体公司的注册商标。

2000美国国家半导体公司

DS100033

www.national.com

DS90CF383

绝对最大额定值

（注1 ）

如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，

请向美国国家半导体销售办事处/

经销商咨询具体可用性和规格。

电源电压（V

)

-0.3V至+ 4V

CMOS / TTL输入电压

-0.3V到（V

+ 0.3V)

LVDS驱动器输出电压

-0.3V到（V

+ 0.3V)

LVDS输出短路

长短

连续

结温

+150C

储存温度

-65 ° C至+ 150°C

焊接温度

（焊接， 4秒）

+260C

最大封装功耗容量

25C

MTD56 （ TSSOP ）封装：

DS90CF383

1.63 W

套餐降额：

DS90CF383

ESD额定值

（ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）

12.5毫瓦/ C以上+ 25℃

＆ GT ;

7千伏

推荐工作

条件

电源电压（V

)

经营自由的空气

温度（T

)

接收器输入范围

电源噪声电压（V

)

民

3.0

喃

3.3

+25

最大

3.6

+85

2.4

100

单位

电气特性

在推荐，除非另有规定工作电源和温度范围内。

符号

参数

高电平输入电压

低电平输入电压

高电平输出电压

低电平输出电压

输入钳位电压

输入电流

输出短路电流

差分输出电压

改变V

间

免费提供输出国家

失调电压（注4 ）

改变V

间

免费提供输出国家

输出短路电流

产量

三州

当前

OUT

= 0V ，R

= 100

电源关闭= 0V ，

OUT

= 0V或V

= +1.2V

100

= +2.4V, V

= 3.6V

= 0V, V

= 3.6V

变送器供电电流

ICCTW

变送器供电电流

最坏的情况下

= 100,

= 5 pF的，

最坏的情况下格局

（图1，图3）

= 100,

= 5 pF的，

16灰度模式

（图2，图3）

F = 32.5兆赫

F = 37.5兆赫

F = 65 MHz的

F = 32.5兆赫

F = 37.5兆赫

F = 65 MHz的

3.5

1.125

1.25

= -0.4毫安

= 2毫安

= -18毫安

= V

，GND， 2.5V或0.4V

OUT

= 0V

= 100

250

条件

民

2.0

GND

2.7

3.3

0.1

0.79

0.3

1.5

典型值

最大

0.8

单位

CMOS / TTL DC规格

5.1

345

120

450

1.375

LVDS DC规格

+100

差分输入高阈值

差分输入阈值低

输入电流

ICCTG

变送器供电电流

16灰阶

ICCTZ

变送器供电电流

掉电

掉电=低

三态驱动器输出

下

掉电模式

注1 ：

“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备

应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。

www.national.com

DS90CF383

电气特性

（续）

注2 ：

典型值给出了V

= 3.3V和T

= +25C.

注3 ：

电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地，除非另有试样

田间（除V

和

注4 ：

以前称为V

发射器的开关特性

在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明

符号

LLHT

LHLT

TCIT

TCCS

TPPos0

TPPos1

TPPos2

TPPos3

TPPos4

TPPos5

TPPos6

TCIP

TCIH

TCIL

TSTC

THTC

TCCD

tPLLS

TPDD

参数

LVDS低到高的转变时间

（图3）

LVDS高向低转换时间

（图3）

TXCLK过渡时期

（图4）

TXOUT通道至通道偏移

（图5）

对于第0位变送器输出脉冲位置

（图12）

对于第1位变送器输出脉冲位置

对于第2位变送器输出脉冲位置

对于第3位变送器输出脉冲位置

对于第4位变送器输出脉冲位置

对于第5位变送器输出脉冲位置

对于第6位变送器输出脉冲位置

TXCLK期

（图6）

TXCLK高时间

（图6）

TXCLK低时间

（图6）

口TxIN安装程序TXCLK IN

（图6）

口TxIN保持到TXCLK IN

（图6）

TXCLK IN到TXCLK输出延迟25°C ，V

= 3.3V

（图7）

发送锁相环集

（图8）

发射机关机延迟

（图11）

F = 65 MHz的

0.4

1.8

4.0

6.2

8.4

10.6

12.8

0.35T

2.5

5.5

100

250

2.2

4.4

6.6

8.8

11.0

13.2

0.5T

0.3

2.5

4.7

6.9

9.1

11.3

13.5

0.65T

民

典型值

0.75

最大

1.5

单位

AC时序图

DS100033-4

图1： “最坏情况”测试模式

www.national.com

DS90CF383

AC时序图

（续）

DS100033-5

图2： “ 16灰度”测试模式

（注5 ，6，7 ，8）

注5 ：

最坏的情况下测试图形产生的数字电路， LVDS I / O和CMOS / TTL输入/输出的最大切换。

注6 ：

在16灰阶测试图测试器件的功耗为一个“典型的”LCD显示方式。测试模式近似于信号切换所需

以产生在显示器16垂直条纹组。

注7 ：

图1,2

显示一个下降沿数据选通（ TXCLK IN / RXCLK OUT）。

注8 ：

推荐引脚信号的映射。客户可以选择以定义不同。

DS100033-6

图3. DS90CF383 （发射机） LVDS输出负载和转换时间

DS100033-8

图4. DS90CF383 （发射器）输入时钟过渡时间

www.national.com

DS90CF383

AC时序图

（续）

DS100033-9

测量在V

差异

= 0V

TCCS测量的最早和最晚的LVDS边缘之间

TXCLK差分低

→

高边

图5. DS90CF383 （发射器）通道至通道偏移

DS100033-10

图6. DS90CF383 （发射机）建立/保持和高/低电平时间（下降沿频闪）

DS100033-12

图7. DS90CF383 （发射器）时钟进行时钟输出延时