DS90CF363 + 3.3V LVDS发射器18位平板显示器（ FPD ）链接 - 65 MHz的
2000年1月
DS90CF363
+ 3.3V LVDS发射器18位平板显示器（ FPD ）
链接 - 65 MHz的
概述
该DS90CF363变送器转换CMOS / TTL的21位
数据分成三个LVDS（低压差分信号）
数据流。锁相传输时钟在发送
有超过四分之一的LVDS链路的数据流并行。一切
输入数据的传输时钟的周期的21比特采样
并发送。在65兆赫， 18中的发送时钟的频率
的RGB数据比特和LCD时序3位和控制数据
（ FPLINE ， FPFRAME ， DRDY ）在455的速率传输
每个LVDS数据通道Mbps的。使用65 MHz的时钟，所述
数据吞吐量为170 MB /秒。
该芯片组是解决EMI和电缆尺寸的理想方式
宽，高速TTL接口相关的问题。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
20至65 MHz的移位时钟支持
3.3V单电源供电
芯片组（ TX + Rx）的功耗
＆ LT ;
250毫瓦（典型值）
掉电模式（
＆ LT ;
0.5毫瓦总）
每个时钟XGA单像素（ 1024×768）准备
支持VGA ，SVGA，XGA或更高的寻址能力。
高达170兆字节/秒带宽
高达1.3 Gbps的吞吐量
窄总线减少了线缆的尺寸和成本
290 mV的LVDS摆幅低EMI器件
PLL无需外部元件
薄型48引脚TSSOP封装
下降沿数据选通脉冲发射器
兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准
ESD额定值
＆ GT ;
7千伏
工作温度： -40℃ + 85℃
框图
DS90CF363
DS100032-1
订单号DS90CF363MTD
见NS包装数MTD48
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
2000美国国家半导体公司
DS100032
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DS90CF363
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
-0.3V至+ 4V
CMOS / TTL输入电压
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
LVDS驱动器输出电压
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
LVDS输出短路
长短
连续
结温
+150C
储存温度
-65 ° C至+ 150°C
焊接温度
（焊接， 4秒）
+260C
最大封装功耗容量
@
25C
MTD48 （ TSSOP ）封装：
DS90CF363
1.98 W
套餐降额：
DS90CF363
ESD额定值
（ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
16毫瓦/ C以上+ 25℃
＆ GT ;
7千伏
推荐工作
条件
电源电压（V
CC
)
经营自由的空气
温度（T
A
)
接收器输入范围
电源噪声电压（V
CC
)
民
3.0
40
0
喃
3.3
+25
最大
3.6
+85
2.4
100
单位
V
C
V
mV
PP
电气特性
在推荐，除非另有规定工作电源和温度范围内。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
CL
I
IN
I
OS
V
OD
V
OD
V
OS
V
OS
I
OS
I
OZ
V
TH
V
TL
I
IN
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入钳位电压
输入电流
输出短路电流
差分输出电压
改变V
OD
间
免费提供输出国家
失调电压（注4 ）
改变V
OS
间
免费提供输出国家
输出短路电流
产量
三州
当前
V
OUT
= 0V ，R
L
= 100
电源关闭= 0V ，
V
OUT
= 0V或V
CC
V
CM
= +1.2V
100
V
IN
= +2.4V, V
CC
= 3.6V
V
IN
= 0V, V
CC
= 3.6V
变送器供电电流
ICCTW
变送器供电电流
最坏的情况下
R
L
= 100,
C
L
= 5 pF的，
最坏的情况下格局
（图1，图3）
R
L
= 100,
C
L
= 5 pF的，
16灰度模式
（图2，图3）
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 65 MHz的
F = 32.5兆赫
F = 37.5兆赫
F = 65 MHz的
31
32
42
23
28
31
10
45
50
55
35
40
45
55
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
3.5
1.125
1.25
I
OH
= -0.4毫安
I
OL
= 2毫安
I
CL
= -18毫安
V
IN
= V
CC
，GND， 2.5V或0.4V
V
OUT
= 0V
R
L
= 100
250
条件
民
2.0
GND
2.7
3.3
0.1
0.79
0.3
1.5
典型值
最大
V
CC
0.8
单位
V
V
V
V
V
A
mA
mV
mV
V
mV
mA
A
mV
mV
A
A
CMOS / TTL DC规格
±
5.1
60
345
±
10
120
450
35
1.375
35
5
LVDS DC规格
±
1
±
10
+100
差分输入高阈值
差分输入阈值低
输入电流
±
10
±
10
ICCTG
变送器供电电流
16灰阶
ICCTZ
变送器供电电流
掉电
掉电=低
三态驱动器输出
下
掉电模式
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
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2
DS90CF363
电气特性
（续）
注2 ：
典型值给出了V
CC
= 3.3V和T
A
= +25C.
注3 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地，除非另有试样
田间（除V
OD
和
V
OD
).
注4 ：
V
OS
以前称为V
CM
.
发射器的开关特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
LLHT
LHLT
TCIT
TCCS
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TCIP
TCIH
TCIL
TSTC
THTC
TCCD
tPLLS
TPDD
参数
LVDS低到高的转变时间
（图3）
LVDS高向低转换时间
（图3）
TXCLK过渡时期
（图4）
TXOUT通道至通道偏移
（图5）
对于第0位变送器输出脉冲位置
（图12）
对于第1位变送器输出脉冲位置
对于第2位变送器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对于第4位变送器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于第6位变送器输出脉冲位置
TXCLK期
（图6）
TXCLK高时间
（图6）
TXCLK低时间
（图6）
口TxIN安装程序TXCLK IN
（图6）
口TxIN保持到TXCLK IN
（图6）
TXCLK IN到TXCLK输出延迟25°C ，V
CC
= 3.3V
（图7）
发送锁相环集
（图8）
发射机关机延迟
（图11）
F = 65 MHz的
F = 65 MHz的
0.4
1.8
4.0
6.2
8.4
10.6
12.8
15
0.35T
0.35T
2.5
0
3
5.5
10
100
250
0
2.2
4.4
6.6
8.8
11.0
13.2
T
0.5T
0.5T
0.3
2.5
4.7
6.9
9.1
11.3
13.5
50
0.65T
0.65T
民
典型值
0.75
0.75
最大
1.5
1.5
5
单位
ns
ns
ns
ps
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
AC时序图
DS100032-4
图1： “最坏情况”测试模式
3
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DS90CF363
AC时序图
（续）
DS100032-5
图2： “ 16灰度”测试模式
（注5 ，6，7 ，8）
注5 ：
最坏的情况下测试图形产生的数字电路， LVDS I / O和CMOS / TTL输入/输出的最大切换。
注6 ：
在16灰阶测试图测试器件的功耗为一个“典型的”LCD显示方式。测试模式近似于信号切换所需
以产生在显示器16垂直条纹组。
注7 ：
图1,2
显示一个下降沿数据选通（ TXCLK IN / RXCLK OUT）。
注8 ：
推荐引脚信号的映射。客户可以选择以定义不同。
DS100032-6
图3. DS90CF363 （发射机） LVDS输出负载和转换时间
DS100032-8
图4. DS90CF363 （发射器）输入时钟过渡时间
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4
DS90CF363
AC时序图
（续）
DS100032-9
测量在V
差异
= 0V
TCCS测量的最早和最晚的LVDS边缘之间
TXCLK差分低
→
高边
图5. DS90CF363 （发射器）通道至通道偏移
DS100032-10
图6. DS90CF363 （发射机）建立/保持和高/低时报
DS100032-12
图7. DS90CF363 （发射器）时钟进行时钟输出延时
DS100032-14
图8. DS90CF363 （发射器）锁相环设置时间
5
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