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DS90C385 / DS90C365 + 3.3V可编程LVDS发射器24位平板显示器( FPD )
链接85兆赫, + 3.3V可编程LVDS发射器18位平板显示器( FPD )链路85兆赫
2003年5月
DS90C385/DS90C365
+ 3.3V可编程LVDS发射器24位平板
显示器(FPD )链路85兆赫, + 3.3V可编程LVDS
发射器18位平板显示器( FPD )链路85兆赫
概述
在DS90C385发射器转换LVCMOS的28位/
LVTTL数据转换4的LVDS (低压差分信号 -
荷兰国际集团)的数据流。锁相发送时钟都会发送
泰德与数据并行流过的第五个LVDS链路。
输入数据的传输时钟的每一个周期的28位是
采样和发送。在85发射时钟频率
兆赫的RGB数据24比特和LCD时序3位和
控制数据( FPLINE , FPFRAME , DRDY )的传输
的速率为每LVDS数据通道595 Mbps的。使用85 MHz的
时钟,数据吞吐量是297.5兆字节/秒。也可用
能是一种将LVCMOS的21比特的DS90C365 /
LVTTL数据转换3的LVDS (低压差分显
naling )数据流。两个发送器可以被编程
对于上升沿频闪或通过下降沿频闪
专用引脚。上升沿或下降沿频闪和Transmit
器将与下降沿选通接收器互操作
( DS90CF386 / DS90CF366 )没有任何转换逻辑。
该DS90C385还提供了64球, 0.8毫米细间距
球栅阵列( FBGA )封装,它提供了44%
减少PCB占位面积相比TSSOP封装。
该芯片组是解决EMI和电缆尺寸的理想方式
同宽,高速的TTL接口相关联的问题。
特点
n
20至85 MHz的移位时钟支持
n
最佳企业级套装&保持时间上的TxINPUTs
n
Tx功率消耗
& LT ;
130毫瓦(典型值)
@
85MHz
灰度
n
TX掉电模式
& LT ;
200μW (最大)
n
支持VGA , SVGA , XGA和双像素SXGA 。
n
窄总线减少了线缆的尺寸和成本
n
高达2.38 Gbps的吞吐量
n
高达297.5兆字节/秒带宽
n
345毫伏(典型值) LVDS摆幅低EMI器件
n
PLL无需外部元件
n
兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准
n
薄型56引脚或48引脚TSSOP封装
n
DS90C385还提供64球, 0.8毫米细间距
球栅阵列( FBGA )封装
方框图
DS90C385
DS90C365
10086801
10086829
订单号DS90C385MTD或DS90C385SLC
见NS包装数MTD56或SLC64A
订单号DS90C365MTD
见NS包装数MTD48
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
2003美国国家半导体公司
DS100868
www.national.com
DS90C385/DS90C365
绝对最大额定值
(注1 )
DS90C385SLC
套餐降额:
DS90C385MTD
套餐降额:
DS90C365MTD
DS90C385SLC
ESD额定值
( HBM , 1.5kΩ上,100pF电容)
( EIAJ , 0Ω , 200 pF的)
闭锁公差
@
25C
2.0 W
12.5毫瓦/ C以上+ 25℃
16毫瓦/ C以上+ 25℃
10.2毫瓦/ C以上+ 25℃
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压(V
CC
)
CMOS / TTL输入电压
LVDS驱动器输出电压
LVDS输出短路
长短
结温
储存温度
焊接温度
(焊接, 4秒)
焊锡溢流温度
( 20秒为FBGA )
MTD56 ( TSSOP )封装:
DS90C385MTD
MTD48 ( TSSOP )封装:
DS90C365MTD
SLC64 ( FBGA )封装:
+220C
最大封装功耗容量
@
25C
1.63 W
1.98 W
-0.3V至+ 4V
-0.5V至(Ⅴ
CC
+ 0.3V)
-0.3V到(V
CC
+ 0.3V)
连续
+150C
-65 ° C至+ 150°C
+260C
& GT ;
7千伏
& GT ;
500V
& GT ;
±
300mA
推荐工作
条件
最小值标称值最大值单位
电源电压(V
CC
)
经营自由的空气
温度(T
A
)
电源噪声电压(V
CC
)
TXCLKIN频率
20
10 +25 +70
85
C
兆赫
100毫伏
PP
3.0
3.3
3.6
V
电气特性
在推荐,除非另有规定工作电源和温度范围内。
符号
V
IH
V
IL
V
CL
I
IN
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
输入钳位电压
输入电流
I
CL
= -18毫安
V
IN
= 0.4V , 2.5V或V
CC
V
IN
= GND
LVDS DC规格
V
OD
V
OD
V
OS
V
OS
I
OS
I
OZ
差分输出电压
改变V
OD
免费提供输出国家
失调电压(注4 )
改变V
OS
免费提供输出国家
输出短路电流
输出三态
当前
V
OUT
= 0V ,R
L
= 100
电源关闭= 0V ,
V
OUT
= 0V或V
CC
R
L
= 100,
C
L
= 5 pF的,
最坏的情况下格局
(图1,图4)
R
L
= 100,
C
L
= 5 pF的,
16灰度模式
(图2,4 )
F = 32.5兆赫
F = 40MHz的
F = 65 MHz的
F = 85 MHz的
F = 32.5兆赫
F = 40MHz的
F = 65 MHz的
F = 85 MHz的
3.5
1.125
1.25
R
L
= 100
250
345
450
35
1.375
35
5
mV
mV
V
mV
mA
A
10
条件
2.0
GND
0.79
+1.8
0
典型值
最大
V
CC
0.8
1.5
+10
单位
V
V
V
A
A
LVCMOS / LVTTL DC规格
±
1
±
10
变送器供电电流
ICCTW
变送器供电电流
最坏的情况下
DS90C385
31
32
37
42
29
30
35
39
45
50
55
60
38
40
45
50
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
ICCTG
变送器供电电流
16灰阶
DS90C385
www.national.com
2
DS90C385/DS90C365
电气特性
符号
ICCTW
参数
变送器供电电流
最坏的情况下
DS90C365
变送器供电电流
(续)
在推荐,除非另有规定工作电源和温度范围内。
条件
R
L
= 100,
C
L
= 5 pF的,
最坏的情况下格局
(图1,图4)
R
L
= 100,
C
L
= 5 pF的,
16灰度模式
(图3,图4)
F = 32.5兆赫
F = 40MHz的
F = 65 MHz的
F = 85 MHz的
F = 32.5兆赫
F = 40MHz的
F = 65 MHz的
F = 85 MHz的
典型值
28
29
34
39
26
27
32
36
10
最大
42
47
52
57
35
37
42
47
55
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
ICCTG
变送器供电电流
16灰阶
DS90C365
ICCTZ
变送器供电电流
掉电
掉电=低
在三态驱动器输出下
掉电模式
注1 :
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 :
典型值给出了V
CC
= 3.3V和T
A
= +25C.
注3 :
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地,除非另有
指定(除V
OD
V
OD
).
注4 :
V
OS
以前称为V
CM
.
推荐变送器输入特性
在推荐工作电源和温度范围内,除非另有说明
符号
TCIT
TCIP
TCIH
TCIL
TXIT
TXCLK过渡时期
(图6)
TXCLK期
(图7)
TXCLK高时间
(图7)
TXCLK低时间
(图7)
口TxIN过渡时间
参数
1.0
11.76
0.35T
0.35T
1.5
T
0.5T
0.5T
典型值
最大
6.0
50
0.65T
0.65T
6.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
发射器的开关特性
在推荐工作电源和温度范围内,除非另有说明
符号
LLHT
LHLT
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
参数
LVDS低到高的转变时间
(图5)
LVDS高向低转换时间
(图5)
对于第0位变送器输出脉冲位置
(图13,14 )
(注5 )
对于第1位变送器输出脉冲位置
对于第2位变送器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对于第4位变送器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于第6位变送器输出脉冲位置
对于第0位变送器输出脉冲位置
(图13,14 )
(注5 )
对于第1位变送器输出脉冲位置
对于第2位变送器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对于第4位变送器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于第6位变送器输出脉冲位置
F = 65 MHz的
F = 40MHz的
0.25
3.32
6.89
10.46
14.04
17.61
21.18
0.20
2.00
4.20
6.39
8.59
10.79
12.99
典型值
0.75
0.75
0
3.57
7.14
10.71
14.29
17.86
21.43
0
2.20
4.40
6.59
8.79
10.99
13.19
最大
1.5
1.5
0.25
3.82
7.39
10.96
14.54
18.11
21.68
0.20
2.40
4.60
6.79
8.99
11.19
13.39
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
www.national.com
DS90C385/DS90C365
发射器的开关特性
符号
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TSTC
THTC
TCCD
参数
(续)
在推荐工作电源和温度范围内,除非另有说明
F = 85 MHz的
0.20
1.48
3.16
4.84
6.52
8.20
9.88
2.5
0
T
A
= 25 ° C,V
CC
=
3.3V
F = 85 MHz的
F = 65 MHz的
F = 40MHz的
3.8
2.8
110
210
350
6.3
7.1
150
230
370
10
100
典型值
0
1.68
3.36
5.04
6.72
8.40
10.08
最大
0.20
1.88
3.56
5.24
6.92
8.60
10.28
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ps
ps
ps
ms
ns
对于第0位变送器输出脉冲位置
(图13,14 )
(注5 )
对于第1位变送器输出脉冲位置
对于第2位变送器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对于第4位变送器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于第6位变送器输出脉冲位置
口TxIN安装程序TXCLK IN
(图7)
口TxIN保持到TXCLK IN
(图7)
TXCLK IN到TXCLK输出延迟
(图8)
TXCLK IN到TXCLK输出延迟
(图8)
TJCC
发射器抖动周期到周期
(图15 ,16)
(注6 )
tPLLS
TPDD
发送锁相环集
(图9 )
发射机关机延迟
(图12)
注5 :
最小和最大限制是基于在工艺,电压和温度范围的器件性能的统计分析。这
参数功能只考自动测试设备( ATE ) 。
注6 :
的限制是基于在电源电压范围内的设备的抖动响应的平台特性。输出时钟抖动是衡量一个
的施加到输入时钟信号,而数据输入被切换+/- 3纳秒周期到周期抖动(参见图15和16 ) 。为3ns的抖动情况,表示最坏情况
跳从目前市面上大多数的图形控制器的VGA芯片的时钟边沿。在AN- 1059中描述的计算系统余量时,这个参数也是如此。
AC时序图
10086804
图1: “最坏情况”测试模式
(注7 )
www.national.com
4
DS90C385/DS90C365
AC时序图
(续)
10086805
图2: “ 16灰度”测试模式 - DS90C385
(注8,9, 10)
5
www.national.com
DS90C385 / DS90C365 + 3.3V可编程LVDS发射器24位平板显示器( FPD )
链接85兆赫, + 3.3V可编程LVDS发射器18位平板显示器( FPD )链路85兆赫
2003年5月
DS90C385/DS90C365
+ 3.3V可编程LVDS发射器24位平板
显示器(FPD )链路85兆赫, + 3.3V可编程LVDS
发射器18位平板显示器( FPD )链路85兆赫
概述
在DS90C385发射器转换LVCMOS的28位/
LVTTL数据转换4的LVDS (低压差分信号 -
荷兰国际集团)的数据流。锁相发送时钟都会发送
泰德与数据并行流过的第五个LVDS链路。
输入数据的传输时钟的每一个周期的28位是
采样和发送。在85发射时钟频率
兆赫的RGB数据24比特和LCD时序3位和
控制数据( FPLINE , FPFRAME , DRDY )的传输
的速率为每LVDS数据通道595 Mbps的。使用85 MHz的
时钟,数据吞吐量是297.5兆字节/秒。也可用
能是一种将LVCMOS的21比特的DS90C365 /
LVTTL数据转换3的LVDS (低压差分显
naling )数据流。两个发送器可以被编程
对于上升沿频闪或通过下降沿频闪
专用引脚。上升沿或下降沿频闪和Transmit
器将与下降沿选通接收器互操作
( DS90CF386 / DS90CF366 )没有任何转换逻辑。
该DS90C385还提供了64球, 0.8毫米细间距
球栅阵列( FBGA )封装,它提供了44%
减少PCB占位面积相比TSSOP封装。
该芯片组是解决EMI和电缆尺寸的理想方式
同宽,高速的TTL接口相关联的问题。
特点
n
20至85 MHz的移位时钟支持
n
最佳企业级套装&保持时间上的TxINPUTs
n
Tx功率消耗
& LT ;
130毫瓦(典型值)
@
85MHz
灰度
n
TX掉电模式
& LT ;
200μW (最大)
n
支持VGA , SVGA , XGA和双像素SXGA 。
n
窄总线减少了线缆的尺寸和成本
n
高达2.38 Gbps的吞吐量
n
高达297.5兆字节/秒带宽
n
345毫伏(典型值) LVDS摆幅低EMI器件
n
PLL无需外部元件
n
兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准
n
薄型56引脚或48引脚TSSOP封装
n
DS90C385还提供64球, 0.8毫米细间距
球栅阵列( FBGA )封装
方框图
DS90C385
DS90C365
10086801
10086829
订单号DS90C385MTD或DS90C385SLC
见NS包装数MTD56或SLC64A
订单号DS90C365MTD
见NS包装数MTD48
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
2003美国国家半导体公司
DS100868
www.national.com
DS90C385/DS90C365
绝对最大额定值
(注1 )
DS90C385SLC
套餐降额:
DS90C385MTD
套餐降额:
DS90C365MTD
DS90C385SLC
ESD额定值
( HBM , 1.5kΩ上,100pF电容)
( EIAJ , 0Ω , 200 pF的)
闭锁公差
@
25C
2.0 W
12.5毫瓦/ C以上+ 25℃
16毫瓦/ C以上+ 25℃
10.2毫瓦/ C以上+ 25℃
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压(V
CC
)
CMOS / TTL输入电压
LVDS驱动器输出电压
LVDS输出短路
长短
结温
储存温度
焊接温度
(焊接, 4秒)
焊锡溢流温度
( 20秒为FBGA )
MTD56 ( TSSOP )封装:
DS90C385MTD
MTD48 ( TSSOP )封装:
DS90C365MTD
SLC64 ( FBGA )封装:
+220C
最大封装功耗容量
@
25C
1.63 W
1.98 W
-0.3V至+ 4V
-0.5V至(Ⅴ
CC
+ 0.3V)
-0.3V到(V
CC
+ 0.3V)
连续
+150C
-65 ° C至+ 150°C
+260C
& GT ;
7千伏
& GT ;
500V
& GT ;
±
300mA
推荐工作
条件
最小值标称值最大值单位
电源电压(V
CC
)
经营自由的空气
温度(T
A
)
电源噪声电压(V
CC
)
TXCLKIN频率
20
10 +25 +70
85
C
兆赫
100毫伏
PP
3.0
3.3
3.6
V
电气特性
在推荐,除非另有规定工作电源和温度范围内。
符号
V
IH
V
IL
V
CL
I
IN
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
输入钳位电压
输入电流
I
CL
= -18毫安
V
IN
= 0.4V , 2.5V或V
CC
V
IN
= GND
LVDS DC规格
V
OD
V
OD
V
OS
V
OS
I
OS
I
OZ
差分输出电压
改变V
OD
免费提供输出国家
失调电压(注4 )
改变V
OS
免费提供输出国家
输出短路电流
输出三态
当前
V
OUT
= 0V ,R
L
= 100
电源关闭= 0V ,
V
OUT
= 0V或V
CC
R
L
= 100,
C
L
= 5 pF的,
最坏的情况下格局
(图1,图4)
R
L
= 100,
C
L
= 5 pF的,
16灰度模式
(图2,4 )
F = 32.5兆赫
F = 40MHz的
F = 65 MHz的
F = 85 MHz的
F = 32.5兆赫
F = 40MHz的
F = 65 MHz的
F = 85 MHz的
3.5
1.125
1.25
R
L
= 100
250
345
450
35
1.375
35
5
mV
mV
V
mV
mA
A
10
条件
2.0
GND
0.79
+1.8
0
典型值
最大
V
CC
0.8
1.5
+10
单位
V
V
V
A
A
LVCMOS / LVTTL DC规格
±
1
±
10
变送器供电电流
ICCTW
变送器供电电流
最坏的情况下
DS90C385
31
32
37
42
29
30
35
39
45
50
55
60
38
40
45
50
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
ICCTG
变送器供电电流
16灰阶
DS90C385
www.national.com
2
DS90C385/DS90C365
电气特性
符号
ICCTW
参数
变送器供电电流
最坏的情况下
DS90C365
变送器供电电流
(续)
在推荐,除非另有规定工作电源和温度范围内。
条件
R
L
= 100,
C
L
= 5 pF的,
最坏的情况下格局
(图1,图4)
R
L
= 100,
C
L
= 5 pF的,
16灰度模式
(图3,图4)
F = 32.5兆赫
F = 40MHz的
F = 65 MHz的
F = 85 MHz的
F = 32.5兆赫
F = 40MHz的
F = 65 MHz的
F = 85 MHz的
典型值
28
29
34
39
26
27
32
36
10
最大
42
47
52
57
35
37
42
47
55
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
ICCTG
变送器供电电流
16灰阶
DS90C365
ICCTZ
变送器供电电流
掉电
掉电=低
在三态驱动器输出下
掉电模式
注1 :
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 :
典型值给出了V
CC
= 3.3V和T
A
= +25C.
注3 :
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地,除非另有
指定(除V
OD
V
OD
).
注4 :
V
OS
以前称为V
CM
.
推荐变送器输入特性
在推荐工作电源和温度范围内,除非另有说明
符号
TCIT
TCIP
TCIH
TCIL
TXIT
TXCLK过渡时期
(图6)
TXCLK期
(图7)
TXCLK高时间
(图7)
TXCLK低时间
(图7)
口TxIN过渡时间
参数
1.0
11.76
0.35T
0.35T
1.5
T
0.5T
0.5T
典型值
最大
6.0
50
0.65T
0.65T
6.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
发射器的开关特性
在推荐工作电源和温度范围内,除非另有说明
符号
LLHT
LHLT
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
参数
LVDS低到高的转变时间
(图5)
LVDS高向低转换时间
(图5)
对于第0位变送器输出脉冲位置
(图13,14 )
(注5 )
对于第1位变送器输出脉冲位置
对于第2位变送器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对于第4位变送器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于第6位变送器输出脉冲位置
对于第0位变送器输出脉冲位置
(图13,14 )
(注5 )
对于第1位变送器输出脉冲位置
对于第2位变送器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对于第4位变送器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于第6位变送器输出脉冲位置
F = 65 MHz的
F = 40MHz的
0.25
3.32
6.89
10.46
14.04
17.61
21.18
0.20
2.00
4.20
6.39
8.59
10.79
12.99
典型值
0.75
0.75
0
3.57
7.14
10.71
14.29
17.86
21.43
0
2.20
4.40
6.59
8.79
10.99
13.19
最大
1.5
1.5
0.25
3.82
7.39
10.96
14.54
18.11
21.68
0.20
2.40
4.60
6.79
8.99
11.19
13.39
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
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DS90C385/DS90C365
发射器的开关特性
符号
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TSTC
THTC
TCCD
参数
(续)
在推荐工作电源和温度范围内,除非另有说明
F = 85 MHz的
0.20
1.48
3.16
4.84
6.52
8.20
9.88
2.5
0
T
A
= 25 ° C,V
CC
=
3.3V
F = 85 MHz的
F = 65 MHz的
F = 40MHz的
3.8
2.8
110
210
350
6.3
7.1
150
230
370
10
100
典型值
0
1.68
3.36
5.04
6.72
8.40
10.08
最大
0.20
1.88
3.56
5.24
6.92
8.60
10.28
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ps
ps
ps
ms
ns
对于第0位变送器输出脉冲位置
(图13,14 )
(注5 )
对于第1位变送器输出脉冲位置
对于第2位变送器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对于第4位变送器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于第6位变送器输出脉冲位置
口TxIN安装程序TXCLK IN
(图7)
口TxIN保持到TXCLK IN
(图7)
TXCLK IN到TXCLK输出延迟
(图8)
TXCLK IN到TXCLK输出延迟
(图8)
TJCC
发射器抖动周期到周期
(图15 ,16)
(注6 )
tPLLS
TPDD
发送锁相环集
(图9 )
发射机关机延迟
(图12)
注5 :
最小和最大限制是基于在工艺,电压和温度范围的器件性能的统计分析。这
参数功能只考自动测试设备( ATE ) 。
注6 :
的限制是基于在电源电压范围内的设备的抖动响应的平台特性。输出时钟抖动是衡量一个
的施加到输入时钟信号,而数据输入被切换+/- 3纳秒周期到周期抖动(参见图15和16 ) 。为3ns的抖动情况,表示最坏情况
跳从目前市面上大多数的图形控制器的VGA芯片的时钟边沿。在AN- 1059中描述的计算系统余量时,这个参数也是如此。
AC时序图
10086804
图1: “最坏情况”测试模式
(注7 )
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4
DS90C385/DS90C365
AC时序图
(续)
10086805
图2: “ 16灰度”测试模式 - DS90C385
(注8,9, 10)
5
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