DS90C363B + 3.3V可编程LVDS发射器18位平板显示器（ FPD ）链路-65兆赫
初步
2005年8月
DS90C363B
+ 3.3V可编程LVDS发射器18位平板
显示器（FPD ）链路-65兆赫
概述
该DS90C363B变送器转换CMOS / TTL的21位
数据分成三个LVDS（低压差分信号）
数据流。锁相传输时钟在发送
有超过四分之一的LVDS链路的数据流并行。一切
输入数据的传输时钟的周期的21比特采样
并发送。在65兆赫， 18中的发送时钟的频率
的RGB数据比特和LCD时序3位和控制数据
（ FPLINE ， FPFRAME ， DRDY ）在455的速率传输
每个LVDS数据通道Mbps的。使用65 MHz的时钟，所述
数据吞吐量为170 MB /秒。该DS90C363B传输
米特可以编程为上升沿频闪或下降
通过专用引脚边沿频闪。上升沿或
下降沿频闪变送器会下跌的互操作
边选通接收器（ DS90CF366 ）没有任何翻译
逻辑。
该芯片组是解决EMI和电缆尺寸的理想方式
宽，高速TTL接口相关的问题。
特点
n
需要之间没有特殊的启动顺序
时钟/数据/ PD引脚。输入信号（时钟和数据）的
之前或之后，该设备是可应用
供电。
n
支持扩频时钟高达100kHz
调频&偏差
±
2.5 ％中心
传播或-5 ％下调蔓延。
n
"Input时钟Detection"功能将拉动所有LVDS对，以
当逻辑输入时钟丢失，低的时候/ PD引脚
为逻辑高电平。
n
18至68 MHz的移位时钟支持
n
最佳企业级套装&保持时间上的TxINPUTs
n
Tx功率消耗
＆ LT ;
130毫瓦（典型值）
@
65MHz
灰度
n
40 ％，较小的功耗比BiCMOS工艺替代
n
TX掉电模式
＆ LT ;
37μW （典型值）
n
支持VGA ， SVGA ， XGA和双像素SXGA 。
n
窄总线减少了线缆的尺寸和成本
n
高达1.3 Gbps的吞吐量
n
高达170兆字节/秒带宽
n
345毫伏（典型值） LVDS摆幅低EMI器件
n
PLL无需外部元件
n
兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准
n
薄型48引脚TSSOP封装
n
改进替代：
SN75LVDS84 ， DS90C363A
框图
DS90C363B
20098601
订单号DS90C363BMT
见NS包装数MTD48
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
2005美国国家半导体公司
DS200986
www.national.com
DS90C363B
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
CMOS / TTL输入电压
LVDS驱动器输出电压
LVDS输出短路
长短
结温
储存温度
焊接温度
（焊接， 4秒）
MTD48 （ TSSOP ）封装：
DS90C363B
-0.3V至+ 4V
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
连续
+150C
-65 ° C至+ 150°C
+260C
套餐降额：
DS90C363B
ESD额定值
（ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
（ EIAJ ， 0Ω ， 200 pF的）
16毫瓦/ C以上+ 25℃
7千伏
500V
推荐工作
条件
民
电源电压（V
CC
)
经营自由的空气
温度（T
A
)
电源噪声电压
(V
CC
)
TXCLKIN频率
18
10
+25
+70
200
68
C
mV
PP
兆赫
3.0
喃
3.3
最大
3.6
单位
V
最大封装功耗容量
@
25C
1.98 W
电气特性
在推荐，除非另有规定工作电源和温度范围内。
符号
V
IH
V
IL
V
CL
I
IN
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
输入钳位电压
输入电流
I
CL
= -18毫安
V
V
LVDS DC规格
V
OD
V
OD
V
OS
V
OS
I
OS
I
OZ
差分输出电压
改变V
OD
间
免费提供输出国家
失调电压（注4 ）
改变V
OS
间
免费提供输出国家
输出短路电流
产量
三州
当前
V
OUT
= 0V ，R
L
= 100
电源关闭= 0V ，
V
OUT
= 0V或V
CC
R
L
= 100,
C
L
= 5 pF的，
最坏的情况下格局
（图1，图4）
"典型"
值被给出为V
CC
= 3.6V和T
A
=
+ 25°C ， " "最大价值
给出了V
CC
=
3.6V和T
A
= 10C
F = 25MHz的
3.5
1.13
1.25
R
L
= 100
250
345
450
35
1.38
35
5
mV
mV
V
mV
mA
A
IN
IN
条件
民
2.0
GND
典型值
最大
V
CC
0.8
单位
V
V
V
A
A
CMOS / TTL DC规格
0.79
+1.8
10
0
1.5
+10
= 0.4V ， 2.5V或V
CC
= GND
±
1
±
10
变送器供电电流
ICCTW
变送器供电电流
最坏的情况下
29
40
mA
F = 40MHz的
34
45
mA
F = 65 MHz的
42
55
mA
www.national.com
2
DS90C363B
电气特性
符号
ICCTG
参数
变送器供电电流
16灰阶
变送器供电电流
（续）
在推荐，除非另有规定工作电源和温度范围内。
条件
R
L
= 100,
C
L
= 5 pF的，
16灰度模式
（图2,4 ）
"典型"
值被给出为V
CC
= 3.6V和T
A
=
+ 25°C ， " "最大价值
给出了V
CC
=
3.6V和T
A
= 10C
F = 25MHz的
民
典型值
28
最大
40
单位
mA
F = 40MHz的
32
45
mA
F = 65 MHz的
39
50
mA
ICCTZ
变送器供电电流
掉电
掉电=低
三态驱动器输出
下
掉电模式
11
150
A
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 ：
典型值给出了V
CC
= 3.3V和T
A
= + 25°C ，除非另有说明。
注3 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地，除非另有
指定（除V
OD
和
V
OD
).
注4 ：
V
OS
以前称为V
CM
.
推荐变送器输入特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
TCIT
TCIP
TCIH
TCIL
TXIT
TXPD
TXCLK期
（图6）
TXCLK高时间
（图6）
TXCLK低时间
（图6）
口TxIN和掉电引脚过渡时间
最小脉冲宽度掉电引脚信号
参数
TXCLK过渡时期
（图5）
14.7
0.35T
0.35T
1.5
1
T
0.5T
0.5T
民
典型值
最大
5
50
0.65T
0.65T
6.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
us
发射器的开关特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
LLHT
LHLT
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
参数
LVDS低到高的转变时间
（图4）
LVDS高向低转换时间
（图4）
对于第0位变送器输出脉冲位置
（图11）
（注5 ）
对于第1位变送器输出脉冲位置
对于第2位变送器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对于第4位变送器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于第6位变送器输出脉冲位置
对于第0位变送器输出脉冲位置
（图11）
（注5 ）
对于第1位变送器输出脉冲位置
对于第2位变送器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对于第4位变送器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于第6位变送器输出脉冲位置
f = 40
兆赫
f = 65
兆赫
0.20
2.00
4.20
6.39
8.59
10.79
12.99
0.25
3.32
6.89
10.46
14.04
17.61
21.18
民
典型值
0.75
0.75
0
2.20
4.40
6.59
8.79
10.99
13.19
0
3.57
7.14
10.71
14.29
17.86
21.43
最大
1.4
1.4
0.20
2.40
4.60
6.79
8.99
11.19
13.39
0.25
3.82
7.39
10.96
14.54
18.11
21.68
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
www.national.com
DS90C363B
发射器的开关特性
符号
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TSTC
THTC
TCCD
参数
（续）
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
民
f = 25
兆赫
0.450
5.26
10.98
16.69
22.41
28.12
33.84
2.5
0.5
3.340
7.211
典型值
0
5.71
11.43
17.14
22.86
28.57
34.29
最大
+0.450
6.16
11.83
17.54
23.26
28.97
34.69
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
对于第0位变送器输出脉冲位置
（图11）
（注5 ）
对于第1位变送器输出脉冲位置
对于第2位变送器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对于第4位变送器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于第6位变送器输出脉冲位置
口TxIN安装程序TXCLK IN
（图6）
口TxIN保持到TXCLK IN
（图6）
TXCLK IN到TXCLK输出延迟
（图7）
占空比为50％的输入
时钟假设，T
A
= -10℃ ，和65MHz的为“闽” ，T
A
= 70C,
和25MHz的的“最大” ，V
CC
= 3.6V ， R_FB = V
CC
TXCLK IN到TXCLK输出延迟
（图7）
占空比为50％的输入
时钟假设，T
A
= -10℃ ，和65MHz的为“闽” ，T
A
= 70C,
和25MHz的的“最大” ，V
CC
= 3.6V ， R_FB = GND
3.011
6.062
ns
SSCG
扩频时钟支持;调制频率与
线性分布（注6 ）
f = 25
兆赫
f = 40
兆赫
f = 65
兆赫
100kHz
±
2.5%/5%
100kHz
±
2.5%/5%
100kHz
±
2.5%/5%
10
100
ms
ns
tPLLS
TPDD
发送锁相环集
（图8）
发射机关机延迟
（图10）
注5 ：
最小和最大限制是基于在工艺，电压和温度范围的器件性能的统计分析。这
参数功能只考自动测试设备（ ATE ） 。
注6 ：
必须小心，以确保TSTC和THTC都遇到了输入数据的正确采样。此SSCG参数只表示跟踪的性能
扩频时钟应用到TXCLK IN引脚，并反映在TXCLKOUT +和TxCLK-引脚的结果。
AC时序图
20098604
图1： “最坏情况”测试模式
www.national.com
4
DS90C363B
AC时序图
（续）
20098605
图2： “ 16灰度”测试模式
（注7 ，8，9 ，10）
注7 ：
最坏的情况下测试图形产生的数字电路， LVDS I / O和CMOS / TTL输入/输出的最大切换。
注8 ：
在16灰阶测试图测试器件的功耗为一个“典型的”LCD显示方式。测试模式近似于信号切换所需
以产生在显示器16垂直条纹组。
注9 ：
图1,2
显示一个下降沿数据选通（ TXCLK IN / RXCLK OUT）。
注10 ：
推荐引脚信号的映射。客户可以选择以定义不同。
20098630
图3. DS90C363B （发射机） LVDS输出负载
20098606
图4. DS90C363B （发射器） LVDS转换时间
5
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QQ：2881677436 复制
