DS90C032 LVDS四通道CMOS差分线路接收器
2003年9月
DS90C032
LVDS四通道CMOS差分线路接收器
概述
TheDS90C032是一款四通道CMOS差分线路接收器
专为需要超低功耗应用耗散
化和高数据速率。该装置被设计成支持
超过155.5 Mbps的（ 77.7兆赫）采用低数据速率
电压差分信号（ LVDS ）技术。
TheDS90C032接受低压（ 350毫伏）差
输入信号，并将其转换为CMOS （ TTL兼容）
输出电平。所述接收器支持三态
功能
可以使用的复用输出。该接收机还
支持开路，短路和终止（ 100Ω ）输入故障 -
安全用加入了外部故障保险偏置。接收器
输出高电平为故障保护条件。
TheDS90C032和同伴线路驱动器（ DS90C031 ）亲
韦迪一个新的替代大功率伪ECL器件的
高速点对点接口的应用程序。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
＆ GT ;
155.5 Mbps的（ 77.7兆赫）的切换率
接受小摆幅（ 350毫伏）的差分信号电平
超低功耗
600 ps的最大差分偏移（ 5V ， 25 ° C）
6.0 ns的最大传播延迟
工业的操作温度范围
军用工作温度范围选项
可在表面贴装封装（ SOIC ）和（ LCC ）
引脚DS26C32A ， MB570 （ PECL ）兼容，
41LF （ PECL ）
支持开路，短路和端接输入故障安全
兼容IEEE 1596.3 SCI LVDS标准
符合ANSI / TIA / EIA- 644 LVDS标准
可用标准微电路图纸（ SMD ）
5962-95834
连接图
双列直插式
LCC封装
01194501
订单号
DS90C032TM
见NS包装数M16A
01194520
订单号
DS90C032E-QML
见NS包装数E20A
有关完整的军事规格，
请参考相应的SMD或MDS 。
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
2003美国国家半导体公司
DS011945
www.national.com
DS90C032
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
输入电压（注册商标
IN +
, R
IN-
)
使能输入电压
（ EN ， EN * ）
输出电压（R
OUT
)
男包
E封装
减免男包
减额E封装
存储温度范围
铅温度范围
焊接（ 4秒）
-0.3V至+ 6V
-0.3V到（V
CC
+0.3V)
-0.3V到（V
CC
+0.3V)
-0.3V到（V
CC
+0.3V)
1025毫瓦
1830毫瓦
8.2毫瓦/ C以上+ 25℃
12.2毫瓦/ ° C以上+ 25°C
-65 ° C至+ 150°C
+260C
最大结
温度（ DS90C032T ）
最大结
温度（ DS90C032E ）
ESD额定值（注7 ）
（ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
（ EIAJ ， 0
,
200 pF的）
+150C
+175C
≥
3,500V
≥
250V
最大封装功耗
@
+25C
推荐工作
条件
民
电源电压（V
CC
)
接收器的输入电压
DS90C032T
DS90C032E
+4.5
GND
40
55
+25
+25
典型值
+5.0
最大
+5.5
2.4
+85
+125
单位
V
V
C
C
经营自由空气温度（T
A
)
电气特性
在电源电压和工作温度范围，除非另有规定。 （注2 ）
符号
V
TH
V
TL
I
IN
V
OH
参数
差分输入高阈值
差分输入阈值低
输入电流
输出高电压
V
IN
= +2.4V
V
IN
= 0V
I
OH
= -0.4毫安，V
ID
= 200毫伏
I
OH
= -0.4毫安，
输入TERMINATED
V
OL
I
OS
I
OZ
V
IH
V
IL
I
I
V
CL
I
CC
输出低电压
输出短路电流
输出三态电流
输入高电压
输入低电压
输入电流
输入钳位电压
无负载电源电流
接收器已启用
I
CCZ
无负载电源电流
接收器禁用
I
CL
= -18毫安
EN ， EN * = V
CC
或GND ，
输入OPEN
EN = GND ， EN * = V
CC
输入OPEN
DS90C032T
DS90C032E
DS90C032T
DS90C032E
V
CC
I
OL
= 2毫安， V
ID
= -200 mV的
启用，V
OUT
= 0V （注8 ）
残疾人，V
OUT
= 0V或V
CC
EN ，
EN *
15
10
2.0
0.8
10
1.5
0.07
60
0.3
100
+10
V
mA
A
V
V
A
V
10
11
11
10
11
mA
mA
mA
mA
mA
DS90C032T
R
OUT
V
CC
= 5.5V
V
CM
= +1.2V
条件
针
R
IN +
,
R
IN-
民
100
10
10
3.8
3.8
典型值
最大
+100
单位
mV
mV
A
A
V
V
±
1
±
1
4.9
4.9
+10
+10
±
1
±
1
0.8
3.5
3.5
3.7
3.5
3.5
+10
EN ， EN * = 2.4或0.5 ，打开输入
3
www.national.com
DS90C032
开关特性
V
CC
= + 5.0V ，T
A
= + 25°C DS90C032T （注3 ，4，5 ，9）
符号
t
PHLD
t
PLHD
t
SKD
t
SK1
t
TLH
t
THL
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
参数
差分传输延迟高至低
差分传输延迟低到高
差分偏移|吨
PHLD
t
PLHD
|
通道至通道偏移（注5 ）
上升时间
下降时间
禁止时间高到Z
禁止时间低到Z
启用时间Z到高
启用时间Z到低
R
L
= 2 k
C
L
= 10 pF的
（图
3
和
图4）
条件
C
L
= 5 pF的
V
ID
- 200毫伏
（图
1
和
图2）
民
1.5
1.5
0
0
典型值
3.40
3.48
80
0.6
0.5
0.5
10
10
4
4
最大
5.0
5.0
600
1.0
2.0
2.0
15
15
10
10
单位
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
开关特性
V
CC
= +5.0V
±
10%, T
A
= -40° C到+ 85°C的DS90C032T （注3，4， 5，6， 9）
符号
t
PHLD
t
PLHD
t
SKD
t
SK1
t
SK2
t
TLH
t
THL
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
参数
差分传输延迟高至低
差分传输延迟低到高
差分偏移|吨
PHLD
t
PLHD
|
通道至通道偏移（注5 ）
芯片到芯片歪斜（注6 ）
上升时间
下降时间
禁止时间高到Z
禁止时间低到Z
启用时间Z到高
启用时间Z到低
R
L
= 2 k
C
L
= 10 pF的
（图
3
和
图4）
0.5
0.5
10
10
4
4
条件
C
L
= 5 pF的
V
ID
- 200毫伏
（图
1
和
图2）
民
1.0
1.0
0
0
典型值
3.40
3.48
0.08
0.6
最大
6.0
6.0
1.2
1.5
5.0
2.5
2.5
20
20
15
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
开关特性
V
CC
= +5.0V
±
10%, T
A
= -55 °C到+ 125 ℃的DS90C032E （注3 ，4，5 ，6，9 ，10）
符号
t
PHLD
t
PLHD
t
SKD
t
SK1
t
SK2
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
参数
差分传输延迟高至低
差分传输延迟低到高
差分偏移|吨
PHLD
t
PLHD
|
通道至通道偏移（注5 ）
芯片到芯片歪斜（注6 ）
禁止时间高到Z
禁止时间低到Z
启用时间Z到高
启用时间Z到低
R
L
= 2 k
C
L
= 10 pF的
（图
3
和
图4）
10
10
4
4
条件
C
L
= 20 pF的
V
ID
- 200毫伏
（图
1
和
图2）
民
1.0
1.0
0
0
典型值
3.40
3.48
0.08
0.6
最大
8.0
8.0
3.0
3.0
7.0
20
20
20
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
www.national.com
4
DS90C032
www.ti.com
SNLS094D - 1998年6月 - 修订2013年4月
DS90C032 LVDS四通道CMOS差分线路接收器
检查样品：
DS90C032
1
特点
＆ GT ; 155.5 Mbps的（ 77.7兆赫）的切换率
接受小摆幅（ 350毫伏）差
信号电平
超低功耗
600 ps的最大差分偏移（ 5V ， 25 ° C）
6.0 ns的最大传播延迟
工业的操作温度范围
军用工作温度范围选项
可在表面贴装封装（ SOIC ）
和（ LCCC ）
引脚DS26C32A ， MB570兼容
（ PECL ）和41LF （ PECL ）
支持开放输入故障安全
支持短期和终止输入故障安全
用加入了外部故障保险偏置
兼容IEEE 1596.3 SCI LVDS
标准
符合ANSI / TIA / EIA- 644 LVDS标准
可用标准微电路图纸
（SMD） 5962-95834
描述
TheDS90C032是一款四通道CMOS差分线路
接收器设计用于需要超低的应用
功耗和高数据速率。该装置
超过155.5 Mbps的支持的数据传输速率（ 77.7
兆赫），并使用低电压差分信号
（ LVDS ）技术。
TheDS90C032接受低压（ 350毫伏）
差分输入信号，并将其转换为
CMOS （ TTL兼容）输出电平。接收器
支持三态功能可以用于
多路输出。该接收器还支持开放，
短路和终止（ 100Ω ）输入故障保护与
增加外部故障保险偏置。接收器
输出高电平为故障保护条件。
TheDS90C032
和
伴侣
LINE
司机
（ DS90C031 ）提供了一个新的替代大功率
伪ECL器件高速点至点
接口应用。
2
接线图
双列直插式
图1.查看包装数D（ R- PDSO - G16 ）
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 1998年至2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
DS90C032
SNLS094D - 1998年6月 - 修订2013年4月
www.ti.com
功能框图和真值表
接收器
使
EN
L
EN *
H
输入
R
IN +
R
IN-
X
V
ID
≥
0.1V
所有其他组合
使能输入
V
ID
≤ 0.1V
全故障安全
开路/短路或
终止
产量
R
OUT
Z
H
L
H
2
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DS90C032
版权所有 1998年至2013年，德州仪器
DS90C032
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SNLS094D - 1998年6月 - 修订2013年4月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
电源电压（V
CC
)
输入电压（注册商标
IN +
, R
IN-
)
使能输入电压
输出电压（R
OUT
)
（ EN ， EN * ）
(1) (2)
0.3V
为+ 6V
0.3V
到（Ⅴ
CC
+0.3V)
0.3V
到（Ⅴ
CC
+0.3V)
0.3V
到（Ⅴ
CC
+0.3V)
1025毫瓦
1830毫瓦
8.2毫瓦/ C以上+ 25℃
12.2毫瓦/ ° C以上+ 25°C
65°C
至+ 150°C
+260°C
+150°C
+175°C
≥
3500V
≥
250V
最大封装功耗为+ 25°C
包
NAJ套餐
减额，D封装
减免NAJ套餐
存储温度范围
焊接温度范围焊接（ 4秒）
最高结温（ DS90C032T ）
最高结温（ DS90C032E ）
ESD额定值
（ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
（ EIAJ ， 0
Ω,
200 pF的）
(1)
(2)
"Absolute最大Ratings"是那些价值超过该装置的安全性不能确保。它们并不意味着
该装置应在这些限制下工作。 "Electrical Characteristics"的表指定设备的操作条件。
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。所有电压以地为参考
除非另有规定ED 。
推荐工作条件
(1) (2)
民
电源电压（V
CC
)
接收器的输入电压
经营自由空气温度（T
A
)
DS90C032T
DS90C032E
(1)
(2)
+4.5
GND
40
55
+25
+25
典型值
+5.0
最大
+5.5
2.4
+85
+125
单位
V
V
°C
°C
"Absolute最大Ratings"是那些价值超过该装置的安全性不能确保。它们并不意味着
该装置应在这些限制下工作。 "Electrical Characteristics"的表指定设备的操作条件。
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。所有电压以地为参考
除非另有规定ED 。
版权所有 1998年至2013年，德州仪器
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DS90C032
3
DS90C032
SNLS094D - 1998年6月 - 修订2013年4月
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电气特性
在电源电压和工作温度范围，除非另有规定。
符号
V
TH
V
TL
I
IN
V
OH
参数
差分输入高阈值
差分输入阈值低
输入电流
输出高电压
V
IN
= +2.4V
V
IN
= 0V
I
OH
=
0.4
毫安，V
ID
= 200毫伏
I
OH
=
0.4
毫安，输入
终止
V
OL
I
OS
I
OZ
V
IH
V
IL
I
I
V
CL
I
CC
输出低电压
输出短路电流
输出三态电流
输入高电压
输入低电压
输入电流
输入钳位电压
无负载电源电流，接收器
启用
I
CL
=
18
mA
EN ， EN * = V
CC
或GND ，输入DS90C032T
开放
DS90C032E
EN ， EN * = 2.4或0.5 ，打开输入
I
CCZ
无负载电源电流，接收器
残
EN = GND ， EN * = V
CC
，输入
开放
DS90C032T
DS90C032E
V
CC
I
OL
= 2毫安， V
ID
=
200
mV
启用，V
OUT
= 0V
(1)
条件
V
CM
= +1.2V
V
CC
= 5.5V
针
R
IN +
,
R
IN-
民
100
10
10
典型值
最大
+100
单位
mV
mV
A
A
V
V
±1
±1
4.9
4.9
0.07
+10
+10
R
OUT
DS90C032T
3.8
3.8
0.3
100
+10
0.8
V
mA
A
V
V
A
V
mA
mA
mA
mA
mA
15
10
EN ，
EN *
2.0
10
1.5
60
±1
残疾人，V
OUT
= 0V或V
CC
±1
0.8
3.5
3.5
3.7
3.5
3.5
+10
10
11
11
10
11
(1)
输出短路电流（I
OS
）被指定为大小只，减号仅指示方向。只有一个输出端应短
同时，不要超过最高结温规范。
开关特性
V
CC
= + 5.0V ，T
A
= + 25 ° C， DS90C032T
(1) (2) (3) (4)
符号
t
PHLD
t
PLHD
t
SKD
t
SK1
t
TLH
t
THL
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
(1)
(2)
(3)
(4)
参数
差分传输延迟高至低
差分传输延迟低到高
差分偏移|吨
PHLD
t
PLHD
|
通道至通道偏移
上升时间
下降时间
禁止时间高到Z
禁止时间低到Z
启用时间Z到高
启用时间Z到低
R
L
= 2 k,
C
L
= 10 pF的，
SEE
图4
和
图5
(3)
条件
C
L
= 5 pF的，
V
ID
= 200 mV时，
SEE
图2
和
科幻gure 3
民
1.5
1.5
0
0
典型值
3.40
3.48
80
0.6
0.5
0.5
10
10
4
4
最大
5.0
5.0
600
1.0
2.0
2.0
15
15
10
10
单位
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
所有典型值给出了： V
CC
= + 5.0V ，T
A
= +25°C.
F = 1MHz时， Z：除非另有说明，所有的测试波形发生器
O
= 50Ω, t
r
和T
f
(0%–100%)
≤
1纳秒的R
IN
和T
r
和T
f
≤
6纳秒
对于EN或EN * 。
通道至通道偏移被定义为上的同一个信道的传播延迟的他人的和之间的差异
芯片上的输入事件。
C
L
包括探头和夹具电容。
4
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DS90C032
版权所有 1998年至2013年，德州仪器
DS90C032
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SNLS094D - 1998年6月 - 修订2013年4月
开关特性
V
CC
= + 5.0V ± 10 ％ ，T
A
=
40°C
至+ 85°C ， DS90C032T
(1) (2) (3) (4) (5)
符号
t
PHLD
t
PLHD
t
SKD
t
SK1
t
SK2
t
TLH
t
THL
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
参数
差分传输延迟高至低
差分传输延迟低到高
差分偏移|吨
PHLD
t
PLHD
|
通道至通道偏移
芯片到芯片倾斜
上升时间
下降时间
禁止时间高到Z
禁止时间低到Z
启用时间Z到高
启用时间Z到低
R
L
= 2 k,
C
L
= 10 pF的，
SEE
图4
和
图5
(4)
(3)
条件
C
L
= 5 pF的，
V
ID
= 200 mV时，
SEE
图2
和
科幻gure 3
民
1.0
1.0
0
0
典型值
3.40
3.48
0.08
0.6
0.5
0.5
10
10
4
4
最大
6.0
6.0
1.2
1.5
5.0
2.5
2.5
20
20
15
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
所有典型值给出了： V
CC
= + 5.0V ，T
A
= +25°C.
F = 1MHz时， Z：除非另有说明，所有的测试波形发生器
O
= 50Ω, t
r
和T
f
(0%–100%)
≤
1纳秒的R
IN
和T
r
和T
f
≤
6纳秒
对于EN或EN * 。
通道至通道偏移被定义为上的同一个信道的传播延迟的他人的和之间的差异
芯片上的输入事件。
芯片到芯片的偏斜定义为最小和最大规定差分传播延迟之间的差异。
C
L
包括探头和夹具电容。
开关特性
V
CC
= + 5.0V ± 10 ％ ，T
A
=
55°C
至+ 125°C ， DS90C032E
(1) (2) (3) (4) (5) (6)
符号
t
PHLD
t
PLHD
t
SKD
t
SK1
t
SK2
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
参数
差分传输延迟高至低
差分传输延迟低到高
差分偏移|吨
PHLD
t
PLHD
|
通道至通道偏移
芯片到芯片倾斜
(4)
(3)
条件
C
L
= 20 pF的，
V
ID
= 200 mV时，
SEE
图2
和
科幻gure 3
民
1.0
1.0
0
0
典型值
3.40
3.48
0.08
0.6
10
10
4
4
最大
8.0
8.0
3.0
3.0
7.0
20
20
20
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
禁止时间高到Z
禁止时间低到Z
启用时间Z到高
启用时间Z到低
R
L
= 2 k,
C
L
= 10 pF的，
SEE
图4
和
图5
所有典型值给出了： V
CC
= + 5.0V ，T
A
= +25°C.
F = 1MHz时， Z：除非另有说明，所有的测试波形发生器
O
= 50Ω, t
r
和T
f
(0%–100%)
≤
1纳秒的R
IN
和T
r
和T
f
≤
6纳秒
对于EN或EN * 。
通道至通道偏移被定义为上的同一个信道的传播延迟的他人的和之间的差异
芯片上的输入事件。
芯片到芯片的偏斜定义为最小和最大规定差分传播延迟之间的差异。
C
L
包括探头和夹具电容。
对于DS90C032E传播延迟测量是从0V上的输入波形上的输出（ ROUT ）的50％点。
版权所有 1998年至2013年，德州仪器
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DS90C032
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