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DS75365四路TTL到MOS驱动器
1992年6月
DS75365四路TTL到MOS驱动器
概述
该DS75365是一款四通道单片集成TTL到MOS
驱动器和接口电路,接受标准TTL输入
信号,并提供高电流和高电压输出
适合驱动MOS电路各级它被用来驱动
地址控制和定时输入,多种类型的MOS
RAM的包括1103
该DS75365从TTL 5V电源和操作
MOS V
SS
和V
BB
耗材在许多应用DE-这
副进行了优化操作与V
CC2
电源电压
年龄从16V到20V ,并与标称V
CC3
电源电压
从3V到比V 4V高
CC2
然而,它被设计成
如要在宽得多的范围V的可用
CC2
和V
CC3
在一些应用中在V
CC3
供电,可省去
通过连接在V经过NAT
CC3
于V
CC2
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
能够驱动高电容负载
兼容多种流行的MOS RAM的
可与英特尔3207
V
CC2
在侧范围至24V电源电压变
最大
V
CC3
电源电压引脚可用
V
CC3
销可连接到V
CC2
脚在一些
应用
TTL兼容的二极管钳位输入
从标准双极型和MOS电源供电
电压
两种常见的使每门对输入
高速开关
瞬时过载的功耗降至最低
低待机功耗
特点
Y
Y
四正逻辑与非TTL至MOS驱动器
为TTL之间使用通用的接口电路
大电流高电压系统
原理图和接线图
双列直插式封装
TL F 7560 - 2
顶视图
正逻辑
e
A

E1

E2
订单号DS75365N或DS75365WM
见NS包装数M16B或N16A
TL F 7560 - 1
C
1995年全国半导体公司
TL F 7560
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
V的电源电压范围
CC1
V的电源电压范围
CC2
V的电源电压范围
CC3
NPUT电压
间输入电压(注4 )
存储温度范围
在25℃时最大功率耗散
腔体套餐
模压封装
SO封装
引线温度(焊接10秒)
b
0至5V 7V
b
0 5V至25V
b
0 5V至30V
工作条件
电源电压(V
CC1
)
电源电压(V
CC2
)
电源电压(V
CC3
)
之间的电压差
电源电压V
CC3
–V
CC2
工作环境温度
范围(T
A
)
4 75
4 75
V
CC2
0
0
最大
5 25
24
28
10
70
单位
V
V
V
V
C
5 5V
5 5V
b
65℃,以
a
150 C
1509毫瓦
1476毫瓦
1488毫瓦
300 C
降容腔套餐10 1毫瓦C以上25°C减免模塑封装
11月8毫瓦C以上25°C减免SO封装, 11 9毫瓦C以上25°C
电气特性
(注2和3)
符号
V
IH
V
IL
V
I
V
OH
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
输入钳位电压
I
I
E B
12毫安
V
CC3
e
V
CC2
a
3V V
IL
e
0 8V我
OH
E B
10毫安
V
CC3
e
V
CC2
V
IL
e
0 8V我
OH
E B
50
mA
V
CC3
e
V
CC2
V
IL
e
0 8V我
OH
E B
10毫安
V
OL
V
O
I
I
I
IH
I
IL
低电平输出电压V
IH
e
我2V
OL
e
10毫安
V
CC3
e
15V至28V V
IH
e
我2V
OL
e
40毫安
输出钳位电压
V
I
e
我0V
OH
e
20毫安
输入电流的最大值V
I
e
5 5V
输入电压
高层次的输入电流
V
I
e
2 4V
V
I
e
0 4V
A输入
E1和E2的输入
低电平输入电流
A输入
E1和E2的输入
I
CC1(H)
从V电源电流
CC1
V
CC1
e
5 25V V
CC2
e
24V
所有输出高
V
CC3
e
28V所有输入为0V空载
I
CC2(H)
从V电源电流
CC2
所有输出高
I
CC3(H)
从V电源电流
CC3
所有输出高
I
CC1(L)
I
CC2(L)
I
CC3(L)
从V电源电流
CC1
V
CC1
e
5 25V V
CC2
e
24V
所有输出低
V
CC3
e
28V所有输入为5V空载
从V电源电流
CC2
所有输出低
从V电源电流
CC3
所有输出低
16
b
1
b
2
条件
2
典型值
最大
单位
V
08
b
1 5
V
V
V
V
V
V
高电平输出电压V
CC3
e
V
CC2
a
3V V
IL
e
0 8V我
OH
E B
100
mA
V
CC2
b
0 3 V
CC2
b
0 1
V
CC2
b
1 2 V
CC2
b
0 9
V
CC2
b
1 V
CC2
b
0 7
V
CC2
b
2 3 V
CC2
b
1 8
0 15
0 25
03
05
V
CC2
a
1 5
1
40
80
b
1 6
b
3 2
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
4
b
2 2
b
2 2
8
a
0 25
b
3 2
22
31
35
47
3
25
0 25
05
I
CC2(H)
从V电源电流
CC2
V
CC1
e
5 25V V
CC2
e
24V
所有输出高
V
CC3
e
24V所有输入为0V空载
I
CC3(H)
从V电源电流
CC3
所有输出高
2
电气特性
(注2
符号
I
CC2(S)
I
CC3(S)
参数
从V电源电流
CC2
待机状态
从V电源电流
CC3
待机状态
3 ) (续)
条件
典型值
最大
0 25
05
单位
mA
mA
V
CC1
e
0V V
CC2
e
24V
V
CC3
e
24V所有输入为5V空载
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证除'工作温度范围''
它们不意味着暗示该设备应在这些限制下操作的''电气特性“”该表提供了条件,实际的设备
手术
注2
除非另有说明,最小最大限制适用于整个0℃
a
70℃范围内为DS75365所有典型值是对于T
A
e
25 C和V
CC1
e
5V和
V
CC2
e
20V和V
CC3
e
24V
注3
所有电流为器件引脚显示为阳性出来的器件引脚为负电压,所有引用到地面,除非另有说明,所有显示的值
为最大或最小的绝对值基础
注4
此等级适用的栅极中的任一项的任何两个输入之间
开关特性
V
CC1
e
5V
符号
t
DLH
t
DHL
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
参数
延迟时间由低到高电平输出
延迟时间高到低电平输出
转换时间由低到高电平输出
过渡时间高到低电平输出
V
CC2
e
20V V
CC3
e
24V牛逼
A
e
25 C
条件
C
L
e
200 pF的
R
D
e
24X
(图
1
)
典型值
11
10
20
20
10
10
31
30
最大
20
18
33
33
48
46
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
传播延迟时间低到高电平输出
传播延迟时间高到低电平输出
AC测试电路和开关时间波形
TL F 7560 - 3
TL F 7560 - 4
注1
脉冲发生器具有以下特征的PRR
e
1兆赫
OUT
e
58X
注2
C
L
包括探头和夹具电容
图1开关时间的每个驱动程序
3
典型性能特性
高级别输出电压Vs
输出电流
高级别输出电压Vs
输出电流
低电平输出电压
输出电流
TL F 7560 - 5
电压转换
特征
总功耗(全4
司机)与频率
传播延迟时间
低到高电平输出
VS环境温度
传播延迟时间
高到低电平输出
VS环境温度
传播延迟时间
低到高电平输出VS
V
CC2
电源电压
传播延迟时间
高到低电平输出
VS V
CC2
电源电压
传播延迟时间
低到高电平输出VS
负载电容
传播延迟时间
高到低电平输出VS
负载电容
TL F 7560 - 6
4
TL F 7560 - 7
图2互连DS75365器械
用1103型硅栅的MOS RAM
每个驱动器信道的功率组件
典型应用
此装置的快速切换速度可产生unde-
由于负载或线路的sirable输出瞬态过冲
电感串联一个小电阻器的阻尼可用于
减少或消除这种输出瞬态过冲了选购
阻尼电阻的timum值取决于具体的
负荷特性和开关速度的典型值
将10X和30X (图之间
3
)
D
j
10X到30X (可选)
TL F 7560 - 8
图3使用阻尼电阻,以减少或
消除某些输出瞬态过冲
DS75365应用
热信息
功耗的注意事项
显著的功率可以在DS75365驱动消退
充电和过放电的高电容负载时
宽电压范围在高频率下的总耗散
化的曲线示出了耗散在一个典型DS75365的功率
作为负载电容和频率平均值的函数
通过此驱动器功耗可以被分解成三个
组件
P
T( AV )
e
P
DC ( AV )
a
P
C( AV )
a
P
S( AV)在
其中,P
DC ( AV )
是的稳态功耗与
输出高或低P
C( AV )
是在充电过程中的功率电平
或放电的负载电容和P的
S( AV)在
低和之间的切换期间的功率耗散
这些高含量没有包括能量传递到
加载和一切都平均在一个完整周期
P
L
t
L
a
P
H
t
H
T
P
C( AV )
j
VC2
f
P
LH
t
LH
a
P
HL
t
HL
P
S( AV)在
e
T
其中,时间限定如
图4
P
L
P
H
P
LH
和P
HL
是各自的瞬时列弗
功耗ELS和C是负载电容
该DS75365是这样设计的P
S
是一个可以忽略的部分
P的
T
在大多数应用中除了在非常高的频率
t
L
a
t
H
n
t
LH
a
t
HL
使得P
S
可总被忽视
空载损耗曲线表明了这一点的
功耗来自所有四个通道
然后加在一起获得总功率器件
下面的例子说明这个功率计算
技术假设所有四个渠道运作identical-
LY用C
e
100 pF的F
e
2 MHz的V
CC1
e
5V V
CC2
e
20V
V
CC3
e
24V和占空比
e
60 %的高输出
(t
H
T
e
0 6 ),同时假定V
OH
e
20V V
OL
e
0 1V P
S
is
可以忽略不计,并且从V的当前
CC2
可以忽略不计的时候
输出为低
在每个通道的基础上使用数据表值
P
DC ( AV )
e
b
2 2毫安
4毫安
a
(20V)
a
(24V)
4
4
2 2毫安
31毫安
a
(0 6)
a
(5V)
4
4
0毫安
16毫安
a
(24V)
(20V)
(0 4)
4
4
P
DC ( AV )
e
每通道58 mW的
P
C( AV )
j
(100 pF)的(19 9V )
2
( 2兆赫)
P
C( AV )
j
每通道79 mW的
P
DC ( AV )
e
(5V)



J
J(

J


J
J(
J
对于四个信道的总器件损耗
P
T( AV )
j
4 (58
a
79)
P
T( AV )
j
548 mW的典型总包
TL F 7560 - 9
图4输出电压波形
5
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操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DS75365
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
DS75365
NS
24+
9850
PLCC-20
100%原装正品,可长期订货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
DS75365
NS
最新环保批次
28500
DIP
全新原装正品/质量有保证
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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