冯0 ; 3/08
安全微处理器芯片
概述
在DS5003安全微处理器集成
先进的安全功能，包括数组
被设计为抵御各种级别的机制
威胁，包括监测，分析和物理
攻击。其结果是，需要付出巨大的努力，以获得
关于它的存储器内容的任何信息。
此外， DS5003的“软”特性允许频
quent变形例的安全信息，从而
最小化的任何安全信息的获得的值
通过这样的巨大努力。该装置是一种增强的
版本DS5002FP安全微处理器芯片
额外的暂存器RAM 。
特点
8051兼容微处理器
安全/敏感的应用
访问32kB的，64KB或非易失性128KB的
SRAM的程序和/或数据存储
128字节的RAM
128字节间接暂存RAM
在系统编程通过片
串行端口
可以调节自身的程序或数据存储器
中端系统
固件安全性
存储加密的形式存储
加密算法采用片内64位密钥
自动真随机密钥生成
自毁输入（ SDI ）
顶部敷层防止微探针
保护存储内容被盗版
防冲击工作
保留所有非易失资源超过
10年（室温） ，在
电源缺位
掉电复位
预警电源故障中断
看门狗定时器
DS5003
从DS5002FP差异
在DS5003仅实现一个附加功能
从DS5002FP ：它增加了128字节的内部
高速暂存存储器（总共256字节）以相同的
所使用的8052分之8032架构。这种额外的
内存访问通过间接寻址8051
指令如“ MOV A ， @ R1 ”，其中R1现在可以
具有值0到255之间也可用作
为推堆栈空间，弹出，呼叫和回报。
寄存器间接寻址用于访问
暂存器RAM地址超过7FH 。它也可以是
使用，如果需要达到较低的RAM （ 0小时至7Fh ） 。该
地址是由工作寄存器的内容提供
存器中的指令指定。因此，一个指令
可用于通过改变CON组到达许多值
指定的工作寄存器的帐篷。请注意，只有
R0和R1可被用作指针。稳压的一例
存器间接寻址如下：
ANL A，@ R0 ;逻辑并与累加器
的内容
;寄存器指向的
存储在R0值
订购信息
部分
温度
范围
0 ° C至+ 70°C
国内
微
探头
盾
是的
PIN的
包
80 MQFP
DS5003FPM-16+
应用
密码键盘
游戏机
任何应用要求软件保护
+表示
无铅/符合RoHS标准的封装。
引脚配置在数据资料的最后。
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1
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安全微处理器芯片
DS5003
绝对最大额定值
任何引脚电压范围
相对于地面..................................- 0.3V至（V
CC
+ 0.5V)
在V电压范围
CC
相对的
接地................................................ ..........- 0.3V至+ 6.0V
工作温度范围............................. 40 ° C至+ 85°C
存储温度* .......................................- 55 ° C至+ 125 °
焊接温度...........................请参考IPC / JEDEC
J- STD- 020规范。
*储存温度被定义为装置当V的温度
CC
= 0V和V
LI
= 0V 。的SRAM在该状态下，内容
有没有备用电池和不确定。
注意：
在DS5003坚持公布了DS5002FP所有AC和DC电气规格。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
DC特性
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C ）。
参数
工作电压
最低工作电压
电源失效报警电压
锂电池电源电压
工作电流为16MHz
在12MHz的空闲模式电流
停止模式下电流
引脚电容
输出电源电压（V
CCO
)
输出电源电池备份
模式（V
CCO
,
CE1 - CE4 ， PE1 ，
PE2)
输出电源电流（注7 ）
锂静态后盾
电流（注8 ）
复位停止模式跳变点
输入低电压
输入高电压
输入高电压
（ RST ， XTAL1 ，
PROG ）
输出低电压时
I
OL
= 1.6毫安（端口1 ，2，3 ，
pF的）
V
IL
V
IH1
V
IH2
V
OL1
符号
V
CC
V
CCmin
V
PFW
V
LI
I
CC
I
空闲
I
停止
C
IN
V
CCO1
（注1 ）
0 ° C至+ 70 ° C（注1 ）
0 ° C至+ 70 ° C（注1 ）
（注1 ）
（注2 ）
0 ° C至+ 70 ° C（注3 ）
（注4 ）
（注5 ）
（注1,2 ）
V
CC
-
0.45
V
LI
-
0.65
75
5
4.00
4.40
-0.3
2.0
3.5
0.15
75
4.25
4.65
+0.8
V
CC
+
0.3
V
CC
+
0.3
0.45
条件
民
V
CCmin
4.00
4.25
2.5
4.12
4.37
典型值
最大
5.5
4.25
4.50
4.0
36
7.0
80
10
单位
V
V
V
V
mA
mA
μA
pF
V
V
CCO2
I
CCO1
I
LI
0 ° C至+ 70 ° C（注1,6 ）
V
CCO
= V
CC
- 0.45V
0 ° C至+ 70°C
BAT = 3.0V （ 0 ° C至+ 70 ° C） （注1 ）
BAT = 3.3V （ 0 ° C至+ 70 ° C） （注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注1,9 ）
V
mA
nA
V
V
V
V
V
2
_______________________________________________________________________________________
安全微处理器芯片
直流特性（续）
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C ）。
参数
输出低电压时
I
OL
= 3.2毫安（ P0.0 - P0.7 ， ALE ，
BA0 - BA14 ， BD0 - BD7 ， R / W，
CE1N ， CE1 - CE4 ， PE1- PE4 ，
VRST ）
输出高电压，在
I
OH
= -80μA （端口1 ，2，3 ）
输出高电压，在
I
OH
= -400μA （ P0.0 - P0.7 ， ALE ，
BA0 - BA14 ， BD0 - BD7 ， R / W，
CE1N ， CE1 - CE4 ， PE1- PE4 ，
VRST ）
低输入电流，
V
IN
= 0.45V （端口1 ，2，3 ）
跳变电流1比0 ，
V
IN
= 2.0V （端口1 ，2，3 ）
SDI输入低电压
SDI输入高电压
SDI下拉电阻
输入漏
（ P0.0 - P0.7 ， MSEL ）
RST下拉电阻
VRST
上拉电阻
PROG
上拉电阻
符号
条件
民
典型值
最大
单位
DS5003
V
OL2
（注1 ）
0.15
0.45
V
V
OH1
（注1 ）
2.4
4.8
V
V
OH2
（注1 ）
2.4
4.8
V
I
IL
I
TL
V
ILS
V
IHS
R
SDI
I
IL
R
RE
R
VR
R
PR
0.45 ＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
CC
0 ° C至+ 70°C
40
4.7
40
（注1 ）
（注1 ， 10 ）
2.0
25
-50
-500
0.4
V
CCO
60
+10
150
μA
μA
V
V
k
μA
k
k
k
AC特性-SDI引脚
(V
CC
= 0V至5V ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C ）。
参数
SDI脉冲拒绝（注11 ）
SDI脉冲接受（注11 ）
符号
t
SPR
t
SPA
条件
4.5V < V
CC
＆ LT ; 5.5V
V
CC
= 0V, V
BAT
= 2.9V
4.5V < V
CC
＆ LT ; 5.5V
V
CC
= 0V, V
BAT
= 2.9V
10
50
民
典型值
最大
1.3
4
单位
μs
μs
_______________________________________________________________________________________
3
安全微处理器芯片
DS5003
交流特性展开的BUS- MODE时序规范
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= 0 °C到+ 70℃。 ）（图1，图2）
参数
振荡器频率
ALE脉冲宽度
地址有效到ALE低
地址保持ALE低后
RD
脉冲宽度
WR
脉冲宽度
RD
低到有效数据中
数据保持后
RD
高
数据浮动后
RD
高
ALE低到有效数据中
有效的地址有效数据中
ALE低
RD
or
WR
低
地址有效到
RD
or
WR
低
数据有效到
WR
走出低
数据有效到
WR
高
有效的数据后，
WR
高
RD
低到地址浮
RD
or
WR
高到ALE高
符号
1/t
CLK
t
ALPW
t
AVALL
t
AVAAV
t
RDPW
t
WRPW
t
RDLDV
t
RDHDV
t
RDHDZ
t
ALLVD
t
AVDV
t
ALLRDL
t
AVRDL
t
DVWRL
t
DVWRH
t
WRHDV
t
RDLAZ
t
RDHALH
t
CLK
- 40
12MHz
16MHz
12MHz
16MHz
12MHz
16MHz
3t
CLK
- 50
4t
CLK
- 130
t
CLK
- 60
7t
CLK
- 150
7t
CLK
- 90
t
CLK
- 50
0
t
CLK
+ 50
12MHz
16MHz
0
2t
CLK
- 70
8t
CLK
- 150
8t
CLK
- 90
9t
CLK
- 165
9t
CLK
- 105
3t
CLK
+ 50
条件
民
1.0
2t
CLK
- 40
t
CLK
- 40
t
CLK
- 35
6t
CLK
- 100
6t
CLK
- 100
5t
CLK
- 165
5t
CLK
- 105
最大
16.0
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交流特性，外部时钟驱动
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= 0 °C到+ 70 ℃） （图3）
参数
外部时钟高电平时间
外部时钟低电平时间
外部时钟上升时间
外部时钟下降时间
符号
t
CLKHPW
t
CLKLPW
t
CLKR
t
CLKF
12MHz
16MHz
12MHz
16MHz
12MHz
16MHz
12MHz
16MHz
条件
民
20
15
20
15
20
15
20
15
最大
单位
ns
ns
ns
ns
4
_______________________________________________________________________________________
安全微处理器芯片
交流特性-POWER- CYCLE TIME
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= 0 °C到+ 70℃。 ） （图4）
参数
从V转换率
CCmin
到V
LI
水晶启动时间
上电复位延迟
符号
t
F
t
CSU
t
POR
民
130
（注12 ）
21,504
t
CLK
最大
单位
μs
DS5003
交流特性串口时序（MODE 0 ）
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= 0 °C到+ 70 ℃） （图5）
参数
串口时钟周期时间
输出数据建立到时钟上升沿
时钟上升沿后输出数据保持
时钟上升沿到输入数据有效
时钟上升沿后输入数据保持
符号
t
SPCLK
t
DOCH
t
CHDO
t
CHDV
t
CHDIV
0
民
12t
CLK
10t
CLK
- 133
2t
CLK
- 117
10t
CLK
- 133
最大
单位
μs
ns
ns
ns
ns
交流特性字节宽的地址/数据总线时序
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= 0 °C到+ 70 ℃） （图6）
参数
延迟字节宽的地址有效期从
CE1 ， CE2 ，
or
CE1N
低在操作码取
脉冲宽度
CE1 - CE4 ， PE1- PE4 ，
or
CE1N
字节宽的地址保持后
CE1 ， CE2 ，
or
CE1N
高在操作码取
字节宽度的数据建立到
CE1 ， CE2 ，
or
CE1N
高
在操作码取
字节宽度的数据保持后
CE1 ， CE2 ，
or
CE1N
高
在操作码取
字节宽的地址保持后
CE1 - CE4 ， PE1- PE4 ，
or
CE1N
高在MOVX
从字节宽的地址有效延迟
CE1–CE4,
PE1–PE4,
or
CE1N
低在MOVX
字节宽度的数据建立到
CE1 - CE4 ， PE1- PE4 ，
or
CE1N
高在MOVX （读）
字节宽度的数据保持后
CE1 - CE4 ， PE1- PE4 ，
or
CE1N
高在MOVX （读）
字节宽的地址有效到读/写活动期间
MOVX （写）
符号
t
CE1LPA
t
CEPW
t
CE1HPA
t
OVCE1H
t
CE1HOV
t
CEHDA
t
CELDA
t
DACEH
t
CEHDV
t
AVRWL
4t
CLK
- 35
2t
CLK
- 20
1t
CLK
+ 40
0
4t
CLK
- 30
4t
CLK
- 35
1t
CLK
+ 40
0
3t
CLK
- 35
民
最大
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
_______________________________________________________________________________________
5
QQ：2880707522 复制
