DS5002FP
安全微处理器芯片
www.maxim-ic.com
概述
该DS5002FP安全微处理器芯片是
在DS5001FP 128k柔性的安全版本
微处理器芯片。除存储器和
的I / DS5001FP阿增强，安全
微处理器
芯片
整合
该
最
在任何可用的先进的安全功能
处理器。在DS5002FP的安全功能
包括的机制的阵列被设计成
抵御各种级别的威胁，包括观察，
分析和物理攻击。其结果是，大规模的
需要努力来获取有关的任何信息
存储器的内容。此外， “软”性
在DS5002FP允许的频繁修改
安全信息，从而最小化的值
通过这样一个庞大获得的任何安全信息
努力。
特点
8051兼容微处理器
安全/敏感的应用
访问32kB的64kB的， NV SRAM为，或128kB的
程序和/或数据存储
在系统编程通过片上串行
PORT
可以调节自身的程序或数据存储器
中端系统
固件安全性
存储加密的形式存储
加密算法采用片内64位密钥
自动操作的真随机密钥生成器
自毁输入（ SDI ）
可选的顶部敷层防止微探针
(DS5002FPM)
提高安全性上一代产品
保护存储内容被盗版
防冲击工作
保持非易失资源超过10
多年从事电力的缺失
掉电复位
预警电源故障中断
看门狗定时器
引脚配置
顶视图
BA11
P0.5/AD5
PE1
P0.6/AD6
BA10
P0.7/AD7
CE1
北卡罗来纳州
CE1N
BD7
ALE
BD6
北卡罗来纳州
BD5
P2.7/A15
BD4
80 79 78 77 76 75 74 73 72 71 70 69 68 67 66 65
P0.4AD4
CE2
PE2
BA9
P0.3/AD3
BA8
P0.2/AD2
BA13
P0.1/AD1
读/写
P0.0/AD0
V
CC0
V
CC
MSEL
P1.0
BA14
P1.1
BA12
P1.2
BA7
P1.3
PE3
PE4
BA6
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
达拉斯
半导体
DS5002FP
25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
P2.6/A14
CE3
CE4
BD3
P2.5/A13
BD2
P2.4/A12
BD1
P2.3/A11
BD0
VLI
SDI
GND
P2.2/A10
P2.1/A9
P2.0/A8
XTAL1
XTAL2
P3.7/RD
P3.6/WR
P3.5/TI
PF
VRST
P3.4/T0
订购信息
部分
DS5002FPM-16
DS5002FPM-16+
DS5002FMN-16
DS5002FMN-16+
温度范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
国内
微
探头
盾
是的
是的
是的
是的
PIN的
包
80 QFP
80 QFP
80 QFP
80 QFP
+
表示无铅/符合RoHS标准的器件。
选型指南在数据资料的最后。
注意：
该器件的一些修订可能偏离称为勘误表公布的规格。任何器件的多个版本
可能同时获得通过不同的销售渠道。欲了解器件勘误表的信息，请点击这里：
www.maxim-ic.com/errata 。
P1.4
BA5
P1.5
BA4
P1.6
BA3
P1.7
PROG
BA2
RST
BA1
P3.0/RXD
BA0
P3.1/TXD
P3.2/INT0
P3.3/INT1
QFP
1 25
REV ： 072806
DS5002FP安全微处理器芯片
电气规格
该DS5002FP坚持公布了DS5001FP所有的AC和DC电气规格。
绝对最大额定值
任何引脚对地的电压范围........................ 。 - 0.3V至（V
CC
+ 0.5V)
在V电压范围
CC
相对于地面.............................................................................. -0.3V至+ 6.0V
工作温度Range………………………………………………………………………………..-40°C至+ 85°C
存储温度* ...……………………………………………………………………………………..-55°C至+ 125°C
焊接温度........................ .....见IPC / JEDEC J- STD- 020规范
这是一个额定值，设备的功能操作在这些或超出在操作上标明的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下，时间过长会影响可靠性。
*存储
温度被定义为所述设备当V的温度
CC
= 0V和V
LI
= 0V 。在该状态下的SRAM的内容是不
电池支持和不确定。
DC特性
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C 。 ） **
参数
符号
输入低电压
V
IL
输入高电压
V
IH1
输入高电压
V
IH2
（ RST ， XTAL1 ，
PROG
)
输出低电压，在我
OL
= 1.6毫安
V
OL1
（端口1 ，2，3 ，
PF
)
输出低电压，在我
OL
= 3.2毫安
（端口0 ， ALE ， BA15-0 ， BD7-0 ，
V
OL2
R/
W
,
CE1N
,
CE
1–4,
PE
1–4, V
RST
)
输出高电压，在我
OH
= -80A
V
OH1
（端口1 ，2，3 ）
输出高电压，在我
OH
= -400A
（端口0 ， ALE ， BA15-0 ， BD7-0 ，
V
OH2
R/
W
,
CE1N
,
CE
1–4,
PE
1–4, V
RST
)
输入低电平电流
I
IL
V
IN
= 0.45V （端口1 ，2，3 ）
跳变电流; 1到0
V
IN
= 2.0V （端口1 ，2，3 ）
SDI输入低电压
SDI输入高电压
SDI下拉电阻
输入漏电流（端口0 ， MSEL ）
RST下拉电阻
VRST
上拉电阻
PROG
上拉电阻
条件
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ， 13 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
民
-0.3
2.0
3.5
典型值
最大
+0.8
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
V
V
V
V
V
0.15
0.15
2.4
2.4
4.8
4.8
0.45
0.45
-50
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
（注12 ）
A
A
V
V
k
A
k
k
k
I
TL
V
ILS
V
IHS
R
SDI
I
IL
R
RE
R
VR
R
PR
V
PFW
-500
-600
2.0
25
40
30
4.7
40
0.4
V
CCO
60
+10
150
180
（注1 ）
（注1 ， 11 ）
0.45 ＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
CC
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
（注12 ）
电源失效报警电压
最低工作电压
工作电压
V
CCmin
V
CC
0 ° C至+ 70°C
（注1 ）
-40 ° C至+ 85°C
（注1 ， 12 ）
0 ° C至+ 70°C
（注1 ）
-40 ° C至+ 85°C
（注1 ， 12 ）
（注1 ）
2 25
4.25
4.1
4.00
3.85
V
CCmin
4.37
4.37
4.12
4.09
4.5
V
4.6
4.25
V
4.25
5.5
V
DS5002FP安全微处理器芯片
直流特性（续）
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C 。 ） **
参数
符号
锂电池电源电压
V
LI
工作电流为16MHz
I
CC
在12MHz的空闲模式电流
停止模式电流
引脚电容
输出电源电压（V
CCO
)
输出电源电池备份
模式（V
CCO
,
CE1-4 ， PE
1–2)
输出电源电流（注6 ）
锂静态后盾
电流（注7 ）
I
空闲
I
停止
C
IN
V
CCO1
V
CCO2
I
CCO1
I
LI
条件
（注1 ）
（注2 ）
0 ° C至+ 70 ° C（注3 ）
-40 ° C至+ 85°C （注3 ， 12 ）
（注4 ）
（注5 ）
（注1,2 ）
0 ° C至+ 70 ° C（注1,8 ）
-40 ° C至+ 85°C （注1,8 ，
12)
V
CCO
= V
CC
- 0.45V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
BAT = 3.0V （ 0 ° C至+ 70 ° C）
（注1 ）
BAT = 3.0V （ -40 ° C至+ 85°C ）
（注1 ， 12 ）
BAT = 3.3V （ 0 ° C至+ 70 ° C）
（注1 ）
民
2.5
典型值
最大
4.0
36
7.0
8.0
80
10
单位
V
mA
mA
A
pF
V
V
75
75
500
4.25
4.25
4.65
mA
nA
V
CC
-0.45
V
LI
-0.65
V
LI
-0.9
5
75
4.0
3.85
4.4
复位停止模式跳变点
**所有
参数适用于商业和工业温度操作，除非另有说明。
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
注5 ：
注6 ：
注7 ：
注8 ：
注9 ：
所有电压以地为参考。
最大工作我
CC
测量时，所有输出引脚断开; XTAL1驱动吨
CLKR
, t
CLKF
= 10纳秒，V
IL
= 0.5V ; XTAL2
断开连接; RST = PORT0 = V
CC
， MSEL = V
SS
.
空闲模式I
空闲
测量时，所有输出引脚断开; XTAL1驱动吨
CLKR
,t
CLKF
= 10ns的，V
IL
= 0.5V ; XTAL2
断开连接; PORT0 = V
CC
， RST = MSEL = V
SS
.
停止模式I
停止
测量时，所有输出引脚断开; PORT0 = V
CC
; XTAL2不连接; RST = MSEL = XTAL1 =
V
SS
.
销电容测量用测试频率： 1MHz的，T
A
= +25°C.
I
CCO1
是最大的平均工作电流可以从V绘制
CCO
在正常的操作。
I
LI
从V被汲取的电流
LI
输入时， V
CC
= 0V和V
CCO
断开。电池备份模式下为2.5V
≤
V
BAT
≤
4.0; V
CC
≤
V
BAT
; V
SDI
应
≤
V
ILS
对于我
BAT
马克斯。
V
CCO2
测定采用V
CC
＆ LT ; V
LI
和10μA对V最大负载
CCO
.
晶体的启动时间是获得结晶成从时刻振动运动的质量所需要的时间即功率是第一
施加到电路，直到第一个时钟脉冲是由内部振荡器产生的。用户应与晶体检查
供应商对这个时间的最坏情况说明。
SDI是去抖处理，以防止意外破坏。脉冲必须长于吨
SPR
要通过限变，但SDI是不
保证除非它比吨更长
SPA
.
V
IHS
最小值为2.0V或V
CCO
，以较低者为准。
此参数适用于工业温度运行。
PF
指定与V引脚工作
BAT
≥
3.0V.
注10 ：
注11 ：
注12 ：
注13 ：
AC特性-SDI引脚
(V
CC
= 0V至5V ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C ）。
参数
符号
SDI脉冲拒绝（注10 ）
SDI脉冲接受（注10 ）
t
SPR
t
SPA
条件
4.5V < V
CC
＆ LT ; 5.5V
V
CC
= 0V, V
BAT
= 2.9V
4.5V < V
CC
＆ LT ; 5.5V
V
CC
= 0V, V
BAT
= 2.9V
3 3
民
典型值
最大
1.3
4
单位
s
s
10
50
DS5002FP
安全微处理器芯片
www.maxim-ic.com
概述
该DS5002FP安全微处理器芯片是
在DS5001FP 128k柔性的安全版本
微处理器芯片。除存储器和
的I / DS5001FP阿增强，安全
微处理器
芯片
整合
该
最
在任何可用的先进的安全功能
处理器。在DS5002FP的安全功能
包括的机制的阵列被设计成
抵御各种级别的威胁，包括观察，
分析和物理攻击。其结果是，大规模的
需要努力来获取有关的任何信息
存储器的内容。此外， “软”性
在DS5002FP允许的频繁修改
安全信息，从而最小化的值
通过这样一个庞大获得的任何安全信息
努力。
特点
§
8051兼容微处理器
安全/敏感的应用
访问32kB的64kB的， NV SRAM为，或128kB的
程序和/或数据存储
在系统编程通过片上串行
PORT
可以调节自身的程序或数据存储器
中端系统
固件安全性
存储加密的形式存储
加密算法采用片内64位密钥
自动操作的真随机密钥生成器
自毁输入（ SDI ）
可选的顶部敷层防止微探针
(DS5002FPM)
提高安全性上一代产品
保护存储内容被盗版
防冲击工作
保持非易失资源超过10
多年从事电力的缺失
掉电复位
预警电源故障中断
看门狗定时器
§
引脚配置
顶视图
BA11
P0.5/AD5
PE1
P0.6/AD6
BA10
P0.7/AD7
CE1
北卡罗来纳州
CE1N
BD7
ALE
BD6
北卡罗来纳州
BD5
P2.7/A15
BD4
§
80 79 78 77 76 75 74 73 72 71 70 69 68 67 66 65
P0.4AD4
CE2
PE2
BA9
P0.3/AD3
BA8
P0.2/AD2
BA13
P0.1/AD1
读/写
P0.0/AD0
V
CC0
V
CC
MSEL
P1.0
BA14
P1.1
BA12
P1.2
BA7
P1.3
PE3
PE4
BA6
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
达拉斯
半导体
DS5002FP
25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
P2.6/A14
CE3
CE4
BD3
P2.5/A13
BD2
P2.4/A12
BD1
P2.3/A11
BD0
VLI
SDI
GND
P2.2/A10
P2.1/A9
P2.0/A8
XTAL1
XTAL2
P3.7/RD
P3.6/WR
P3.5/TI
PF
VRST
P3.4/T0
订购信息
部分
DS5002FP-16
DS5002FPM-16
DS5002FP-16N
DS5002FMN-16
温度范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
PIN- PACKAGE
80 QFP
80 QFP
80 QFP
80 QFP
选型指南在数据资料的最后。
注意：
该器件的一些修订可能偏离称为勘误表公布的规格。任何器件的多个版本
可能同时获得通过不同的销售渠道。欲了解器件勘误表的信息，请点击这里：
www.maxim-ic.com/errata 。
P1.4
BA5
P1.5
BA4
P1.6
BA3
P1.7
PROG
BA2
RST
BA1
P3.0/RXD
BA0
P3.1/TXD
P3.2/INT0
P3.3/INT1
QFP
1 25
REV ： 030503
DS5002FP安全微处理器芯片
电气规格
该DS5002FP坚持公布了DS5001FP所有的AC和DC电气规格。绝对
最大额定值和独特的规格DS5002FP如下表所示。
绝对最大额定值
任何引脚对地的电压范围
在V电压范围
CC
相对于地
工作温度范围
存储温度*
焊接温度
-0.3V到（V
CC
+ 0.5V)
-0.3V至+ 6.0V
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
见IPC / JEDEC J- STD- 020A
这是一个额定值，设备的功能操作在这些或超出在操作上标明的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下，时间过长会影响可靠性。
*存储
温度被定义为所述设备当V的温度
CC
= 0V和V
LI
= 0V 。在该状态下的SRAM的内容是不
电池支持和不确定。
DC特性
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C ）。
参数
输入低电压
输入高电压
输入高电压
（ RST ， XTAL1 ，
PROG
)
输出低电压，在我
OL
= 1.6毫安
（端口1 ，2，3 ，
PF
)
输出低电压，在我
OL
= 3.2毫安
（端口0 ， ALE ， BA15-0 ， BD7-0 ，R /
W
,
CE1N
,
CE
1–4,
PE
1–4, V
RST
)
输出高电压，在我
OH
= -80A
（端口1 ，2，3 ）
输出高电压，在我
OH
= -400A
（端口0 ， ALE ， BA15-0 ， BD7-0 ，R /
W
,
CE1N
,
CE
1–4,
PE
1–4, V
RST
)
输入低电平电流
V
IN
= 0.45V （端口1 ，2，3 ）
跳变电流; 1到0
V
IN
= 2.0V （端口1 ，2，3 ）
SDI输入低电压
SDI输入高电压
SDI下拉电阻
符号
V
IL
V
IH1
V
IH2
V
OL1
V
OL2
V
OH1
V
OH2
I
IL
I
TL
I
TL
V
ILS
V
IHS
R
SDI
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
（注12 ）
（注1 ）
（注1 ， 11 ）
条件
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ， 13 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
2.4
2.4
民
-0.3
2.0
3.5
0.15
0.15
4.8
4.8
-50
-500
-600
2.0
25
0.4
V
CCO
60
典型值
最大
+0.8
V
CC
+
0.3
V
CC
+
0.3
0.45
0.45
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
V
V
k
2 25
DS5002FP安全微处理器芯片
直流特性（续）
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C ）。
参数
符号
输入漏电流（端口0 ，
I
IL
MSEL ）
RST下拉电阻
VRST
上拉电阻
PROG
上拉电阻
条件
0.45 ＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
CC
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C （注12 ）
民
40
30
典型值
最大
+10
150
180
单位
A
k
k
k
R
RE
R
VR
R
PR
V
PFW
V
CCmin
V
LI
I
CC
I
空闲
I
停止
C
IN
V
CCO1
V
CCO2
I
CCO1
I
LI
电源失效报警电压
最低工作电压
锂电池电源电压
工作电流为16MHz
在12MHz的空闲模式电流
停止模式电流
引脚电容
输出电源电压（V
CCO
)
输出电源电池备份
模式（V
CCO
,
CE
1–4,
PE
1–2)
输出电源电流（注6 ）
锂静态后盾
电流（注7 ）
0 ° C至+ 70 ° C（注1 ）
-40 ° C至+ 85°C （注1 ， 12 ）
0 ° C至+ 70 ° C（注1 ）
-40 ° C至+ 85°C （注1 ， 12 ）
（注1 ）
（注2 ）
0 ° C至+ 70 ° C（注3 ）
-40 ° C至+ 85°C （注3 ， 12 ）
（注4 ）
（注5 ）
（注1,2 ）
0 ° C至+ 70 ° C（注1,8 ）
-40 ° C至+ 85°C （注1,8 ，
12)
V
CCO
= V
CC
- 0.45V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
BAT = 3.0V （ 0 ° C至+ 70 ° C）
（注1 ）
BAT = 3.0V （ -40 ° C至+ 85°C ）
（注1 ， 12 ）
BAT = 3.3V （ 0 ° C至+ 70 ° C）
（注1 ）
4.25
4.1
4.00
3.85
2.5
4.7
40
4.37
4.37
4.12
4.09
4.5
4.6
4.25
4.25
4.0
36
7.0
8.0
80
10
V
V
V
mA
mA
A
pF
V
V
V
CC
-0.45
V
LI
-0.65
V
LI
-0.9
5
75
4.0
3.85
4.4
75
75
500
4.25
4.25
4.65
mA
nA
复位停止模式跳变点
AC特性
(V
CC
= 0V至5V ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C ）。
参数
符号
SDI脉冲拒绝（注10 ）
SDI脉冲接受（注10 ）
t
SPR
t
SPA
条件
4.5V < V
CC
＆ LT ; 5.5V
V
CC
= 0V, V
BAT
= 2.9V
4.5V < V
CC
＆ LT ; 5.5V
V
CC
= 0V, V
BAT
= 2.9V
民
典型值
最大
2
4
单位
s
s
10
50
3 25
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