添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第120页 > DS42587
DS42587
堆叠式多芯片封装( MCP )闪存和SRAM
Am29DL323D顶部引导32兆位( 4米×8位/ 2的M× 16位) CMOS 3.0伏只,
同时操作闪存和8兆位(1 MB ×8位/ 512的K× 16位)静态RAM
特色鲜明
MCP特点
s
2.7至3.3伏的电源电压
s
高性能
- 最大85 ns访问时间
软件特点
s
数据管理软件( DMS )
- AMD公司提供的软件管理数据编程
擦除,使EEPROM仿真
- 简化扇区擦除限制
s
- 73球FBGA
s
支持通用闪存接口( CFI )
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,允许在相同的编程
银行
s
工作温度
- -25 ° C至+ 85°C
FLASH内存功能
架构优势
s
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行
读取和写入操作之间的零延迟
s
数据#查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
s
解锁绕道程序命令
- 发出多个时,降低了总体规划的时间
程序的命令序列
硬件特性
s
任何部门的结合可以被删除
s
就绪/忙#输出( RY / BY # )
- 硬件检测方法编程或擦除周期
竣工
s
安全硅( SecSi )部门:额外64 KB扇区
工厂锁定和识别:
适用于16字节
安全的,随机的工厂电子序列号;可验证
作为工厂通过锁定功能自动选择。
客户可锁定:
能被读出,编程或擦除
就像其他行业。一旦被锁定,数据不能被改变
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件重置内部状态机的方法
读阵列数据
s
零功耗工作
- 先进的电源管理电路降低功耗
在非活动期间消耗几乎为零
s
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能可保护两个最外侧
引导扇区,无论部门保护状态
- 加速度( ACC )功能,加快项目进度
s
热门引导块
s
在0.23微米制程技术制造的
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件与单电源兼容
闪存标准
s
扇区保护
- 硬件锁定的扇区的方法,无论是在系统或
使用编程设备,以防止任何程序或
该部门内的擦除操作
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
性能特点
s
高性能
- 存取时间快85纳秒
- 计划时间: 7微秒/字典型的利用加速功能
SRAM特点
s
功耗
- 工作50 mA(最大值)
- 待机: 25 μA最大
s
超低功耗(典型值)
- 2毫安在1 MHz有源读取电流
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
s
每个扇区保证至少1百万次写周期
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
s
s
s
CE1S #和CE2s片选
使用CE1S #和CE2s关机功能
数据保持电源电压: 1.5 3.3伏
字节的数据控制: LB # S( DQ0 - DQ7 ) , UB # S( DQ8 - DQ15 )
本文件包含有关正在开发的产品,在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。
出版#
25097
启:
A
Amendment/0
发行日期:
2001年6月18日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
概述
Am29DL323特点
该Am29DL323是32兆, 3.0伏,只闪光
存储设备,组织成16 2,097,152字
每一比特或4,194,304字节,每字节8位。字
模式数据显示在DQ0 - DQ15 ;字节模式数据
出现在DQ0 - DQ7 。该装置被设计成
在系统编程与标准3.0伏V
CC
供应,并且也可以在标准编程
EPROM编程器。
该器件具有85 ns的存取时间。
该器件采用73球FBGA封装。
标准控制引脚芯片使能( CE #楼),写恩
能( WE# ) ,并且输出使能(OE #), - 控制正常
读取和写入操作,并且避免总线竞争
问题。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
的同时读通过允许/写产品线
清除EEPROM器件。 DMS也将使
系统软件被简化,因为其将执行所有
需要修改在文件结构中的数据的功能,
相对于单字节的修改。写或
更新一个特定数据段(一个电话号码或
的配置数据,例如)时,用户只需要
到状态这一段数据要被更新,并
其中,在更新的数据是存放在系统中。这
ISANA DV的踏歌 OM PA红到SYS TE毫秒WH ERE
用户编写的软件必须保留旧的数据跟踪
位置,状态,逻辑到物理转换
数据到闪存装置(或存储器DE-
虎钳) ,等等。使用DMS ,用户编写的软件
并不需要与闪存接口二
正确。取而代之的是,用户的软件访问闪存
内存调用的只有六个功能之一。 AMD亲
提供了此类软件,以简化系统设计,
软件的整合力度。
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过使用该设备
台站
状态位:
RY / BY #引脚, DQ7 (数据#投票)和
DQ6 / DQ2 (触发位) 。编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置自动返回
读取阵列的数据。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
R 。牛逼hiscanbeachievedin - systemorvia
编程设备。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器
空间分成两个组。该装置可以整体提高
通过允许主机系统向亲系统性能
克或立即删除在一家银行,然后和
从其他银行的同时读取,零LA-
tency 。这从等待释放系统
编程或擦除操作完成。
该Am29DL323D有8 MB的银行1和24 MB
银行2 。
安全硅( SecSi )部门
是一个额外的64
千位部门能够被永久锁定
AMD或客户。该
SecSi行业标志位
( DQ7 )被永久设置为1 ,如果部分是
工厂
锁定,
并设置为0,如果
客户可锁定。
方式,客户可锁定的部件绝不会被用来重新
把工厂锁定一部分。
工厂锁定部分提供了几个选项。该
SecSi扇区可存储一个安全的,随机的16字节
的ESN (电子序列号) 。客户可锁定
零部件可以利用SecSi部门作为奖金的空间,
阅读和写作像任何其他闪存部门,或可
永久锁定自己的代码中有。
DMS (数据管理软件)
允许系统
轻松利用先进的架构优势
2
DS42587
目录
特色鲜明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
MCP特点。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
闪存功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
架构优势。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
性能特点。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
软件功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
硬件特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
SRAM特点。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
Am29DL323特点。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
同时读/写操作零
潜伏期。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊处理的说明FBGA封装。 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
表1.设备总线操作,闪字
模式, CIOf = V
IH
; SRAM字模式,
CIO们= V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
表2.设备总线操作,闪字
模式, CIOf = V
IH
; SRAM字节模式,
CIO们= V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
表3.设备总线操作闪存字节
模式, CIOf = V
IL
; SRAM字节模式,
CIO们= V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
字/字节配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
对于读阵列数据的要求。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
写命令/命令序列。 。 。 。 。 12
加快程序运行。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
自选功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
同时读/写操作零
潜伏期。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
待机模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
自动休眠模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
RESET # :硬件复位引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
输出禁止模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
表4.设备银行分部。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
顶级引导扇区表5.扇区地址
设备。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
表6. SecSi
顶级的扇区地址
引导设备。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
自选模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
部门/部门块保护和16 unprotection的
表7.前引导扇区/扇区块
为保护/ unprotection的地址。 。 。 。 。 。 。 16
写保护( WP # ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
临时机构/扇区块撤消。 。 。 。 。 。 17
图1.临时机构撤消
操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
图2.在系统扇区/扇区块
保护和取消保护算法。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
SecSi (安全硅)部门快闪记忆体
地区。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
工厂锁定: SecSi部门和编程
保护工厂。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
客户可锁定: SecSi部门不
编程或受保护的工厂。 。 。 。 。 19
硬件数据保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
低V
CC
写禁止。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
写脉冲“毛刺”的保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
逻辑禁止。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
上电时禁止写入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 20
表8. CFI查询标识字符串。 。 。 。 。 。 20
表9.系统接口字符串。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
表10.设备几何定义。 。 。 。 。 。 。 21
表11.主要供应商特定扩展
查询。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
阅读阵列的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
复位命令。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
自选命令序列。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
进入SecSi部门/退出SecSi部门命令
序列。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
字节/字编程命令序列。 。 。 。 。 24
解锁绕道命令序列。 。 。 。 。 。 。 。 24
图3.程序操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
芯片擦除命令序列。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
扇区擦除命令序列。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
擦除暂停/删除恢复命令。 。 。 。 26
图4.擦除操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
表12. DS42587命令定义。 。 。 。 27
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
DQ7 :数据#投票。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
图5.数据#轮询算法。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
RY / BY # :就绪/忙# 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
DQ6 :切换位我。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
图6.切换位算法。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
DQ2 :触发位II 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
阅读切换位DQ6 / DQ2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
DQ5 :超过时序限制。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
DQ3 :扇区擦除定时器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
表13.写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
工业级(I )设备。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
V
CC
F / V
CC
客户供应电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
CMOS兼容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
SRAM DC和操作特性。 。 。 。 。 。 34
零功耗闪存。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动
和自动休眠电流) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图10.典型I
CC1
与频率。 。 。 。 。 。 。 。 35
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图11.测试设置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
表14.测试规范。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
DS42587
3
键切换波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图12.输入波形和测量
的水平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
SRAM CE#的时机。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
图13.时序图交替
与SRAM到Flash 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
闪存只读操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
图14.读操作时序。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
硬件复位( RESET # ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
图15.复位时序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
闪字/字节配置( CIOf ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
图16. CIOf时序进行读操作。 40
图17. CIOf时序写操作。 。 40
闪存擦除和编程操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 41
图18.程序操作时序。 。 。 。 。 。 。 42
图19.加快项目进度
图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
图20.芯片/扇区擦除操作
计时。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
图21.返回到后端的读/写周期
计时。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
图22.数据#投票计时(在
嵌入式算法) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
图23.触发位计时(在
嵌入式算法) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45
图24. DQ2与DQ6 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45
临时机构/扇区块撤消。 。 。 。 。 。 46
图25.临时机构/扇区块
撤消时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46
图26.行业/部门块保护和
撤消时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 47
备用CE #楼控擦除和编程
操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
图27.闪存替代CE #楼控制的写
(擦除/编程)操作时序。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
SRAM读周期。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50
图28. SRAM读周期,地址
控制。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50
图29. SRAM读周期。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 51
SRAM写周期。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 52
图30. SRAM写周期-WE #控制。 。 52
图31. SRAM写周期- CE1 #控制之下。 53
图32. SRAM写周期-UB # s和LB # s
控制权。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 54
闪存擦除和编程性能。 。 。 55
闪闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55
封装引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55
FLASH数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55
SRAM数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 56
图33. CE1 # ●可控制数据保留
模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 56
图34. CE2s控制数据保留
模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 56
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 57
FLB073-73球细间距栅阵列
8 ×11毫米。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 57
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
版本A( 2001年6月18日) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
4
DS42587
产品选择指南
产品型号
标准电压范围: V
CC
= 2.7–3.3 V
最大访问时间(纳秒)
CE#访问( NS )
OE #访问( NS )
FL灰内存
85
85
40
DS42587
SRAM
85
85
45
MCP框图
V
CC
f
A0到A20
A0到A20
A–1
WP # / ACC
RESET#
CE #楼
CIOf
V
SS
RY / BY #
32位
FL灰内存
DQ0到DQ15 / A - 1
DQ0到DQ15 / A - 1
V
CC
S / V
CCQ
V
SS
/V
SSQ
A0到A19
A0到A18
SA
LB # s
UB # s
WE#
OE #
CE1#s
CE2s
首席信息官
8M的位
静态RAM
DQ0到DQ15 / A - 1
DS42587
5
查看更多DS42587PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DS42587
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1101329890 复制 点击这里给我发消息 QQ:1803862608 复制

电话:0755-82789296
联系人:朱先生/公司可以开13%的税
地址:深圳市福田区华强北振兴路华康大厦2栋211室。
DS42587
AMD
1545+
13200
N/A
一级代理原装现货热卖!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
DS42587
AMD
21+
57
BGA
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1484215649 复制 点击这里给我发消息 QQ:729272152 复制

电话:021-51872165/51872153
联系人:张先生/陈小姐
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
DS42587
AMD
21+
23000
BGA
全新原装 货期两周
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
DS42587
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8695
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
DS42587
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10135
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
DS42587
AMD
21+
57
BGA
全新原装正品/质量有保证
查询更多DS42587供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!