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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第300页 > DS3678
DS1648 DS3648 DS1678 DS3678三态TTL为MOS驱动多路复用器
1986年2月
DS1648 DS3648 DS1678 DS3678 TRI- STATE为TTL
MOS驱动多路复用器
概述
在DS1648 DS3648和DS1678 DS3678是四2 -IN-
把多路复用器与三态输出设计用于驱动
关联的大的容性负载（高达500 pF）的
MOS存储系统的一个PNP输入结构采用
以减少输入电流，使驱动程序加载在大
内存系统降低该电路采用Schottky-
钳位晶体管高速和三态输出
巴士行驶
在DS1648 DS3648具有15X电阻串联在
输出以抑制所引起的快速切换瞬变
输出DS1678 DS3678有着直接的低阻抗
输出为具有或不具有一个外部电阻器的使用
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
TRI- STATE直接与系统总线输出接口
肖特基钳位更好的交流性能
PNP输入，降低输入负载
TTL兼容
高速容性负载的驱动
内置阻尼电阻（仅DS1648 DS3648 ）
逻辑连接图
双列直插式封装
TL F 7506 - 2
顶视图
TL F 7506 - 1
订单号DS1648J DS3648J DS1678J
DS3678J DS3648N或DS3678N
见NS包装数J16A或N16A
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 7506
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1 ）
工作条件
电源电压（V
CC
)
温度（T
A
)
DS1648 DS1678
DS3648 DS3678
民
45
b
55
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压
逻辑' 1'， '输入电压
逻辑'' 0 ''输入电压
存储温度范围
在25℃时最大功率耗散
腔体套餐
模压封装
焊接温度
（焊接10秒）
7V
7V
b
1 5V
b
65℃，以
a
150 C
最大
55
a
125
a
70
单位
V
C
C
0
1433毫瓦
1362毫瓦
300 C
减免腔封装9 6毫瓦C以上25°C减免模塑封装
109毫瓦C以上25°C
电气特性
（注2和3）
符号
V
IN(1)
V
IN(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
V
钳
V
OH
参数
逻辑' 1'， '输入电压
逻辑'' 0 ''输入电压
逻辑' 1'， '输入电流
逻辑'' 0 ''输入电流
输入钳位电压
逻辑' 1 '输出电压
（无负载）
逻辑' 0 '输出电压
（无负载）
逻辑' 1 '输出电压
（满载）
V
CC
e
5 5V V
IN
e
5 5V
V
CC
e
5 5V V
IN
e
0 5V
V
CC
e
4 5V I
IN
E B
18毫安
V
CC
e
4 5V I
OH
E B
10
mA
DS1648 DS1678
DS3648 DS3678
V
CC
e
4 5V I
OL
e
10
mA
DS1648 DS1678
DS3648 DS3678
V
CC
e
4 5V I
OH
E B
1 0毫安
DS1648
DS1678
DS3648
DS3678
V
OL
逻辑' 0 '输出电压
（满载）
V
CC
e
4 5V I
OL
e
20毫安
DS1648
DS1678
DS3648
DS3678
I
1D
I
0D
I
高阻
I
CC
逻辑' 1 ''驱动电流
逻辑'' 0 ''驱动电流
三态输出电流
电源电流
V
CC
e
4 5V V
OUT
e
0V （注4 ）
V
CC
e
4 5V V
OUT
e
4 5V （注4 ）
V
OUT
e
0 4V至2 4V输出控制
e
2 0V
V
CC
e
5 5V
输出控制
e
3V
在0V其他所有输入
所有输入为0V
b
40
条件
民
20
典型值
最大
单位
V
08
01
b
50
b
0 75
V
mA
mA
V
V
V
40
b
250
b
1 2
27
28
36
36
0 25
0 25
04
0 35
V
OL
V
V
V
V
V
V
V
OH
24
25
26
27
35
35
35
35
06
04
06
04
b
250
11
05
10
05
V
V
V
V
mA
mA
150
40
42
20
60
32
mA
mA
mA
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证除'工作温度范围''
它们不意味着暗示该设备应在这些限制下操作的''电气特性“”该表提供了条件，实际的设备
手术
注2
除非另有说明，最小最大限制适用跨越
b
55 ℃
a
125℃的温度范围内为DS1648和DS1678和跨越0 ℃至
a
70℃范围内的DS3648和DS3678所有典型值对于T
A
e
25 C和V
CC
e
5V
注3
所有电流为器件引脚显示为阳性出来的器件引脚为负电压，所有引用到地面，除非另有说明，所有显示的值
为最大或最小的绝对值基础
注4
测量输出驱动电流时，开关响应为DS1678和DS3678一个15X电阻器应放置在串联的每个输出这
电阻是内部的DS1648 DS3648和不需要添加
2
开关特性
V
CC
e
5V
符号
t
S
g
t
S
’
t
F
t
R
t
ZL
t
ZH
t
LZ
t
HZ
t
S
g
t
S
’
t
S
g
t
S
’
参数
存储延迟下降沿
存储延迟上升沿
下降时间
上升时间
从输出控制输入延迟逻辑'' 0 ''
级（从高阻抗状态）
从输出控制输入延迟逻辑' 1 ''
级（从高阻抗状态）
T
A
e
25 C（注4 ）
条件
民
典型值
5
9
6
9
5
22
6
22
10
8
15
10
12
14
16
14
最大
7
12
8
13
8
35
9
35
15
15
25
25
15
17
20
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（图1）
（图1）
（图1）
（图1）
C
L
e
50 pF的
C
L
e
500 pF的
C
L
e
50 pF的
C
L
e
500 pF的
C
L
e
50 pF的
C
L
e
500 pF的
C
L
e
50 pF的
C
L
e
500 pF的
C
L
e
50 pF的
L
e
2的kX到V
CC
（图2）
C
L
e
50 pF的
L
e
2的kX到GND
（图2）
C
L
e
50 pF的
L
e
400X到V
CC
（图3）
C
L
e
50 pF的
L
e
400X到GND
（图3）
C
L
e
50 pF的
（图1）
C
L
e
50 pF的
（图1）
C
L
e
50 pF的
（图1）
C
L
e
50 pF的
（图1）
从输出控制输入为高阻抗延迟
国家（从逻辑'' 0''等级）
从输出控制输入为高阻抗延迟
国家（从逻辑' 1 ''等级）
传播延迟为逻辑' 0 '转换时
选择选择
传播延迟为逻辑' 1 '转换时
选择选择
传播延迟为逻辑' 0 '转换时
选择选择B
传播延迟为逻辑' 1 '转换时
选择选择B
原理图
TL F 7506 - 3
只有DS1648 DS3648
3
AC测试电路和开关时间波形
t
S
g
t
S
g
T
R
t
F
TL F 7506 - 5
TL F 7506 - 4
注1
脉冲发生器具有以下特征
OUT
e
50X和PRR
s
10％至90 ％的点1 MHz的上升和下降时间
s
5纳秒
注2
C
L
包括探头和夹具电容
图1
t
ZH
t
ZL
TL F 7506 - 8
TL F 7506-6
TL F 7506 - 7
内部的DS1648和DS3648
图2
t
LZ
t
HZ
TL F 7506 - 11
TL F 7506-9
TL F 7506 - 10
内部的DS1648和DS3648
科幻gure 3
真值表
产量
控制
H
L
L
L
L
H
e
高层
L
e
低层
X
e
不在乎
高阻
e
三态模式
输入
SELECT
X
L
L
H
H
A
X
L
H
X
X
B
X
X
X
L
H
输出
高阻
H
L
H
L
4
典型应用
寻址16K RAM
RAM输出端2 1复用
TL F 7506 - 14
TL F 7506 - 12
清爽的使用TRI- STATE计数器
TL F 7506 - 13
5
DS1648 DS3648 DS1678 DS3678三态TTL为MOS驱动多路复用器
1986年2月
DS1648 DS3648 DS1678 DS3678 TRI- STATE为TTL
MOS驱动多路复用器
概述
在DS1648 DS3648和DS1678 DS3678是四2 -IN-
把多路复用器与三态输出设计用于驱动
关联的大的容性负载（高达500 pF）的
MOS存储系统的一个PNP输入结构采用
以减少输入电流，使驱动程序加载在大
内存系统降低该电路采用Schottky-
钳位晶体管高速和三态输出
巴士行驶
在DS1648 DS3648具有15X电阻串联在
输出以抑制所引起的快速切换瞬变
输出DS1678 DS3678有着直接的低阻抗
输出为具有或不具有一个外部电阻器的使用
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
TRI- STATE直接与系统总线输出接口
肖特基钳位更好的交流性能
PNP输入，降低输入负载
TTL兼容
高速容性负载的驱动
内置阻尼电阻（仅DS1648 DS3648 ）
逻辑连接图
双列直插式封装
TL F 7506 - 2
顶视图
TL F 7506 - 1
订单号DS1648J DS3648J DS1678J
DS3678J DS3648N或DS3678N
见NS包装数J16A或N16A
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 7506
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1 ）
工作条件
电源电压（V
CC
)
温度（T
A
)
DS1648 DS1678
DS3648 DS3678
民
45
b
55
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压
逻辑' 1'， '输入电压
逻辑'' 0 ''输入电压
存储温度范围
在25℃时最大功率耗散
腔体套餐
模压封装
焊接温度
（焊接10秒）
7V
7V
b
1 5V
b
65℃，以
a
150 C
最大
55
a
125
a
70
单位
V
C
C
0
1433毫瓦
1362毫瓦
300 C
减免腔封装9 6毫瓦C以上25°C减免模塑封装
109毫瓦C以上25°C
电气特性
（注2和3）
符号
V
IN(1)
V
IN(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
V
钳
V
OH
参数
逻辑' 1'， '输入电压
逻辑'' 0 ''输入电压
逻辑' 1'， '输入电流
逻辑'' 0 ''输入电流
输入钳位电压
逻辑' 1 '输出电压
（无负载）
逻辑' 0 '输出电压
（无负载）
逻辑' 1 '输出电压
（满载）
V
CC
e
5 5V V
IN
e
5 5V
V
CC
e
5 5V V
IN
e
0 5V
V
CC
e
4 5V I
IN
E B
18毫安
V
CC
e
4 5V I
OH
E B
10
mA
DS1648 DS1678
DS3648 DS3678
V
CC
e
4 5V I
OL
e
10
mA
DS1648 DS1678
DS3648 DS3678
V
CC
e
4 5V I
OH
E B
1 0毫安
DS1648
DS1678
DS3648
DS3678
V
OL
逻辑' 0 '输出电压
（满载）
V
CC
e
4 5V I
OL
e
20毫安
DS1648
DS1678
DS3648
DS3678
I
1D
I
0D
I
高阻
I
CC
逻辑' 1 ''驱动电流
逻辑'' 0 ''驱动电流
三态输出电流
电源电流
V
CC
e
4 5V V
OUT
e
0V （注4 ）
V
CC
e
4 5V V
OUT
e
4 5V （注4 ）
V
OUT
e
0 4V至2 4V输出控制
e
2 0V
V
CC
e
5 5V
输出控制
e
3V
在0V其他所有输入
所有输入为0V
b
40
条件
民
20
典型值
最大
单位
V
08
01
b
50
b
0 75
V
mA
mA
V
V
V
40
b
250
b
1 2
27
28
36
36
0 25
0 25
04
0 35
V
OL
V
V
V
V
V
V
V
OH
24
25
26
27
35
35
35
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06
04
06
04
b
250
11
05
10
05
V
V
V
V
mA
mA
150
40
42
20
60
32
mA
mA
mA
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证除'工作温度范围''
它们不意味着暗示该设备应在这些限制下操作的''电气特性“”该表提供了条件，实际的设备
手术
注2
除非另有说明，最小最大限制适用跨越
b
55 ℃
a
125℃的温度范围内为DS1648和DS1678和跨越0 ℃至
a
70℃范围内的DS3648和DS3678所有典型值对于T
A
e
25 C和V
CC
e
5V
注3
所有电流为器件引脚显示为阳性出来的器件引脚为负电压，所有引用到地面，除非另有说明，所有显示的值
为最大或最小的绝对值基础
注4
测量输出驱动电流时，开关响应为DS1678和DS3678一个15X电阻器应放置在串联的每个输出这
电阻是内部的DS1648 DS3648和不需要添加
2
开关特性
V
CC
e
5V
符号
t
S
g
t
S
’
t
F
t
R
t
ZL
t
ZH
t
LZ
t
HZ
t
S
g
t
S
’
t
S
g
t
S
’
参数
存储延迟下降沿
存储延迟上升沿
下降时间
上升时间
从输出控制输入延迟逻辑'' 0 ''
级（从高阻抗状态）
从输出控制输入延迟逻辑' 1 ''
级（从高阻抗状态）
T
A
e
25 C（注4 ）
条件
民
典型值
5
9
6
9
5
22
6
22
10
8
15
10
12
14
16
14
最大
7
12
8
13
8
35
9
35
15
15
25
25
15
17
20
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（图1）
（图1）
（图1）
（图1）
C
L
e
50 pF的
C
L
e
500 pF的
C
L
e
50 pF的
C
L
e
500 pF的
C
L
e
50 pF的
C
L
e
500 pF的
C
L
e
50 pF的
C
L
e
500 pF的
C
L
e
50 pF的
L
e
2的kX到V
CC
（图2）
C
L
e
50 pF的
L
e
2的kX到GND
（图2）
C
L
e
50 pF的
L
e
400X到V
CC
（图3）
C
L
e
50 pF的
L
e
400X到GND
（图3）
C
L
e
50 pF的
（图1）
C
L
e
50 pF的
（图1）
C
L
e
50 pF的
（图1）
C
L
e
50 pF的
（图1）
从输出控制输入为高阻抗延迟
国家（从逻辑'' 0''等级）
从输出控制输入为高阻抗延迟
国家（从逻辑' 1 ''等级）
传播延迟为逻辑' 0 '转换时
选择选择
传播延迟为逻辑' 1 '转换时
选择选择
传播延迟为逻辑' 0 '转换时
选择选择B
传播延迟为逻辑' 1 '转换时
选择选择B
原理图
TL F 7506 - 3
只有DS1648 DS3648
3
AC测试电路和开关时间波形
t
S
g
t
S
g
T
R
t
F
TL F 7506 - 5
TL F 7506 - 4
注1
脉冲发生器具有以下特征
OUT
e
50X和PRR
s
10％至90 ％的点1 MHz的上升和下降时间
s
5纳秒
注2
C
L
包括探头和夹具电容
图1
t
ZH
t
ZL
TL F 7506 - 8
TL F 7506-6
TL F 7506 - 7
内部的DS1648和DS3648
图2
t
LZ
t
HZ
TL F 7506 - 11
TL F 7506-9
TL F 7506 - 10
内部的DS1648和DS3648
科幻gure 3
真值表
产量
控制
H
L
L
L
L
H
e
高层
L
e
低层
X
e
不在乎
高阻
e
三态模式
输入
SELECT
X
L
L
H
H
A
X
L
H
X
X
B
X
X
X
L
H
输出
高阻
H
L
H
L
4
典型应用
寻址16K RAM
RAM输出端2 1复用
TL F 7506 - 14
TL F 7506 - 12
清爽的使用TRI- STATE计数器
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DF4-08PA-2R26
DVFL2805SR/ES-XXX
DS2436B+
DC60S5
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DS3678
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    -
    -
    -
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
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电话：13910052844（微信同步）
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地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
DS3678
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