DS1649 DS3649 DS1679 DS3679六角三态TTL为MOS驱动器
1986年3月
DS1649 DS3649 DS1679 DS3679六角三态TTL
到MOS驱动器
概述
在DS1649 DS3649和DS1679 DS3679是十六进制
TRI- STATE MOS驱动程序与设计的驱动输出
大电容负载高达500pF的电容与MOS相关
内存系统PNP输入晶体管被用来重新
领袖输入电流允许大扇出这些driv-
需要的存储器系统商该电路具有Schottky-
最小传播延迟夹住晶体管逻辑
和总线操作三态输出
在DS1649 DS3649具有15X电阻串联在
输出以抑制所引起的快速切换瞬变
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
输出DS1679 DS3679有着直接的低阻抗
输出为具有或不具有一个外部电阻器的使用
特点
Y
Y
Y
Y
高速能力
典型值9 NS驱动50 pF的
典型值30 ns的驱动500 pF的
三态输出的数据布辛
内置15X阻尼电阻（ DS1649 DS3649 ）
相同的引脚输出为DM8096和DM74366
原理图
真值表
禁止输入
DIS 1
0
0
0
1
1
DIS 2
0
0
1
0
1
0
1
X
X
X
1
0
高阻
高阻
高阻
输入输出
X
e
不在乎
高阻
e
三态模式
只有DS1649 DS3649
TL F 7515 - 1
接线图
双列直插式封装
典型用途
TL F 7515 - 2
顶视图
订单号DS1649J DS3649J
DS1679J DS3679J DS3649N或DS3679N
见NS包装数J16A或N16A
C
1995年全国半导体公司
TL F 7515
TL F 7515 - 3
RRD - B30M105印制在U S A
开关特性
(V
CC
e
5V
符号
t
S
g
参数
存储延迟下降沿
T
A
e
25℃ ） （注4 ）
条件
（图
1
)
C
L
e
50 pF的
C
L
e
500 pF的
民
典型值
45
75
5
8
5
22
6
21
10
8
15
10
最大
7
12
8
13
8
35
9
35
15
15
25
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
S
g
存储延迟上升沿
（图
1
)
C
L
e
50 pF的
C
L
e
500 pF的
t
F
下降时间
（图
1
)
C
L
e
50 pF的
C
L
e
500 pF的
t
R
上升时间
（图
1
)
C
L
e
50 pF的
C
L
e
500 pF的
t
ZL
t
ZH
t
LZ
t
HZ
从禁止输入到延迟逻辑'' 0 ''
级（从高阻抗状态）
从禁止输入到延迟逻辑' 1 ''
级（从高阻抗状态）
从禁止输入为高阻抗延迟
国家（从逻辑'' 0''等级）
从禁止输入为高阻抗延迟
国家（从逻辑' 1 ''等级）
C
L
e
50 pF的
R
L
e
2的kX到V
CC
（图
2
)
C
L
e
50 pF的
R
L
e
2的kX至GND （图
2
)
C
L
e
50 pF的
R
L
e
400X到V
CC
（图
3
)
C
L
e
50 pF的
R
L
e
400X至GND （图
3
)
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证除'工作温度范围''
它们不意味着暗示该设备应在这些限制下操作的''电气特性“”该表提供了条件，实际的设备
手术
注2
除非另有说明，最小最大限制适用跨越
b
55 ℃
a
125℃的温度范围内为DS1649和DS1679和跨越0 ℃至
a
70℃范围内的DS3649和DS3679所有典型值是对于T
A
e
25 C和V
CC
e
5V
注3
所有电流为器件引脚显示为阳性出来的器件引脚为负电压，所有引用到地面，除非另有说明，所有显示的值
为最大或最小的绝对值基础
注4
测量输出驱动电流时，开关响应为DS1679和DS3679一个15X电阻器应放置在串联的每个输出这
电阻是内部的DS1649 DS3649和不需要添加
AC测试电路和开关时间波形
t
S
g
t
S
’
t
R
t
F
TL F 7515 - 5
TL F 7515 - 4
图1
3
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