转1 ; 10/08
I
2
伽马和V
COM
缓冲带EEPROM
概述
该DS3514是一个可编程的伽玛和V
COM
电压
同时支持实时更新的年龄发生器
以及伽马/ V多字节存储
COM
在片数据
片上EEPROM存储器。一个独立的10位DAC ，二
10位数据寄存器和4个词语的EEPROM memo-的
提供了用于每个可单独寻址的Ry的
伽马或V
COM
通道。高性能的缓冲
放大器集成在芯片上，提供轨到轨，
低功耗（ 400μA /伽玛通道）运行。该
V
COM
通道采用了高电流驱动（ > 250毫安
峰）和一个快速建立缓冲放大器优化，以
驱动V
COM
广泛的TFT -LCD面板的节点。
编程是通过一个I
2
C兼容的串行
界面。接口的性能和灵活性
由一对独立地加载数据的增强的闩
每个通道ES ，以及支持我
2
速度高达
400kHz的。在多表EEPROM存储器使
丰富多样的显示系统的改进，包括
温度或光线级相关支持
伽马表，使工厂或现场自动化
显示调整，并支持背光调节
算法，以减少系统功率。上电时
并根据模式， DAC数据被选自
EEPROM中的S0 / S1的管脚或从固定存储器
地址。
10位Gamma缓冲器， 14个频道
8位V
COM
缓冲液， 1路
每通道4个10位字的EEPROM
低功耗400μA / CH Gamma缓冲器
I
2
C兼容串行接口
从我灵活的控制
2
C或销
9.0V至15.0V模拟供电
2.7V至5.5V数字电源
48引脚TQFN封装（采用7mm x 7mm ）
特点
DS3514
订购信息
部分
DS3514T+
DS3514T+T&R
温度范围
-45 ° C至+ 95°C
-45 ° C至+ 95°C
PIN- PACKAGE
48 TQFN -EP *
48 TQFN -EP *
+表示
无铅/符合RoHS标准的封装。
T&R =卷带包装。
* EP
=裸焊盘。
应用
TFT -LCD伽马和V
COM
卜FF器
自适应伽马和V
COM
调整（实
按我的时间
2
C，选择EEPROM通过I
2
C或
S0 / S1引脚）
工业过程控制
引脚配置和典型工作电路在
数据资料的最后。
伽马或V
COM
通道功能框图
SDA，SCL
A0
I
2
C
接口
锁存器
MUX
LATCH B
8-/
10-BIT*
DAC
V
OUT
IN
EEPROM
S1/ S0
逻辑
地址
OUT
LD
* 10位伽玛通道，8位中V
COM
通道。
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1
对于定价，交付和订购信息，请联系马克西姆直接在1-888-629-4642 ，
或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
I
2
伽马和V
COM
缓冲带EEPROM
DS3514
绝对最大额定值
在V电压范围
DD
相对于GND ................- 0.5V至+ 16V
电压范围在VRL ， VRH ， GHH ， GHM ， GLM ， GLL
相对于GND .........- 0.5V至（V
DD
+ 0.5V ） ，不超过16V
在V电压范围
CC
相对于GND ..................- 0.5V至+ 6V
电压范围上的SDA ， SCL ， A0 ， LD ， S0 ，
S1相对于GND .....- 0.5V至（V
CC
+ 0.5V ） ，不超过6V
结温................................................ ...... + 125°C
工作温度范围...........................- 45 ° C至+ 95°C
编程温度范围......................... 0 ° C至+ 85°C
存储温度范围.............................- 55 ° C至+ 125°C
焊接温度...........................请参考IPC / JEDEC
J- STD- 020规范。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
(T
A
= -45 ° C至+ 95°C ）。
参数
数字电源电压
模拟电源电压
VRH ， VRL电压
GHH ， GHM ， GLM ， GLL电压
输入逻辑1
（ SCL，SDA ， A 0， S0，S1， LD）的
输入逻辑0
（ SCL，SDA ， A 0， S0，S1， LD）的
V
COM
负载电容
VCAP补偿电容
符号
V
CC
V
DD
V
VCOM
V
GM1–14
V
IH
V
IL
C
D
C
COMP
（注1,2 ）
（注1 ）
适用于V
COM
产量
适用于GM1 - GM14
条件
民
2.7
9.0
2.0
GND +
0.2
0.7 x
V
CC
-0.3
1
0.1
典型值
最大
5.5
15.0
V
DD
- 2.0
V
DD
- 0.2
V
CC
+ 0.3
0.3× V
CC
单位
V
V
V
V
V
V
μF
μF
输入电气特性
(V
CC
= + 2.7V至+ 5.5V ，T
A
= -45 °C到+ 95℃ ，除非另有说明。 ）
参数
输入漏电流（ SDA ， SCL ， A0 ，
S0，S1， LD）的
V
DD
电源电流
V
CC
电源电流，非易失
读或写
V
CC
待机电源电流
V
DD
待机电源电流
I / O电容（ SDA ， SCL ， LD ，
S0，S1， A0）
端至端电阻
（ VRH到VRL ）
R
总
公差
符号
I
L
I
DD
I
CC
I
CCQ
I
DDQ
C
I / O
R
总
T
A
= +25°C°
-20
（注3）
（注4 ）
（注5 ）
（注6 ）
通过设计保证
条件
民
-1
5
0.25
10
450
5
16
+20
典型值
最大
+1
10
0.6
30
850
10
单位
μA
mA
mA
μA
μA
pF
k
%
2
_______________________________________________________________________________________
I
2
伽马和V
COM
缓冲带EEPROM
输入电气特性（续）
(V
CC
= + 2.7V至+ 5.5V ，T
A
= -45 °C到+ 95℃ ，除非另有说明。 ）
参数
输入电阻（ GHH ， GHM ，
GLM ， GLL ）
输入电阻容差
上电召回电压
开机时间
V
POR
t
D
T
A
= +25°C
（注7 ）
（注8）
-20
1.6
25
符号
条件
民
典型值
75
+20
2.6
最大
单位
k
%
V
ms
DS3514
输出电气特性
(V
CC
= + 2.7V至+ 5.5V ， VRL = + 2.0V ， GLL = + 0.2V ， GLM = + 4.8V ， GHM = + 10.2V ， VRH = + 13.0V ， GHH = + 14.8V ，T
A
= -45 ° C至
+ 95℃ ，除非另有说明。 ）
参数
GM1 - GM14 DAC分辨率
V
COM
DAC分辨率
V
COM
积分非线性误差
V
COM
微分非线性
错误
GM1 - GM14积分
非线性误差
GM1 - GM14差
非线性误差
输出电压范围（V
COM
)
输出电压范围（ GM1 - G14 ）
V
COM
输出精度
GM1 - GM14偏移
GM1 - GM14输出精度
电压增益（ GM1 - GM14 ）
负载调整率
(V
COM
， GM1 - GM14 ）
短路电流（V
COM
)
S0 / S1到LD建立时间
S0 / S1到LD保持时间
V
COM
从LD低建立时间
为高（ S0 / S1符合吨
SU
)
GM1 - GM14稳定时间从
LD低到高
S0，S1到GM1 - GM14输出
10 ％落户
t
SU
t
HD
t
SET -V
t
SET -G
t
SEL
到V
DD
或GND
图2
图2
解决最终V 0.1 ％
COM
水平
（图1） （注11）
4t
AU
与我结算
负载
= -20mA
（图2） （注11，12， 13）的
10％的沉降（图3） ， LD = V
CC
（异步）（注11 ，13）
250
37.5
37.5
2.0
5.0
600
T
A
= +25°C
通用输出= V
DD
/2, T
A
= +25°C
通用输出= V
DD
/2, T
A
= +25°C
-35
0.995
1.0
INL
DNL
INL
DNL
T
A
= + 25 ° C（注9 ）
T
A
= + 25 ° C（注10 ）
T
A
= + 25 ° C（注9 ）
T
A
= + 25 ° C（注10 ）
符号
条件
民
10
8
-0.5
-0.5
-1.0
-0.35
2.0
0.2
-20
37
+35
+0.5
+0.5
+1.0
+0.35
V
DD
- 2.0
V
DD
- 0.2
+20
典型值
最大
单位
位
位
最低位
最低位
最低位
最低位
V
V
mV
mV
mV
V/V
毫伏/毫安
mA
ns
ns
μs
μs
ns
_______________________________________________________________________________________
3
I
2
伽马和V
COM
缓冲带EEPROM
DS3514
I
2
C电气特性
(V
CC
= + 2.7V至+ 5.5V ，T
A
= -45 ° C至+ 95 ° C，定时参考V
白细胞介素（最大）
和V
IH（分钟）
。参见图4 ）
参数
SCL时钟频率
站之间的总线空闲时间
和启动条件
保持时间（重复）启动
条件
SCL为低电平的时间
高周期的SCL
数据保持时间
数据建立时间
启动安装程序时
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
停止建立时间
SDA和SCL电容
加载中
EEPROM的写入时间
脉宽抑制时间
在SDA和SCL输入
A0建立时间
A0保持时间
SDA和SCL输入缓冲器
迟滞
对输入电容
A0 ， SDA ， SCL或
低电平输出电压（ SDA ）
SCL下降沿到SDA输出
数据有效
输出数据保持
C
I
V
OL
t
AA
t
DH
4毫安灌电流
SCL下降至0.3× V
CC
到SDA退出
0.3× V
CC
以0.7× V
CC
窗口
SCL下降至0.3X V
CC
直到在SDA
0.3× V
CC
以0.7× V
CC
窗口
0
符号
f
SCL
t
BUF
t
高清： STA
t
低
t
高
t
高清： DAT
t
苏： DAT
t
SU ： STA
t
R
t
F
t
苏： STO
C
B
t
W
t
IN
t
苏：一个
t
高清：一
（注15 ）
（注16 ）
（注17 ）
开始之前
停车后
0.6
0.6
0.05 x
V
CC
5
10
0.4
900
（注15 ）
（注15 ）
（注14 ）
条件
民
0
1.3
0.6
1.3
0.6
0
100
0.6
20 +
0.1C
B
20 +
0.1C
B
0.6
400
20
50
300
300
0.9
典型值
最大
400
单位
千赫
μs
μs
μs
μs
μs
ns
μs
ns
ns
μs
pF
ms
ns
μs
μs
V
pF
V
ns
ns
4
_______________________________________________________________________________________
I
2
伽马和V
COM
缓冲带EEPROM
非易失存储器特性
（ VCC = + 2.7V至+ 5.5V ）。
参数
EEPROM写周期
符号
条件
T
A
= + 85°C （通过设计保证）
T
A
= + 25 ° C（通过设计保证）
民
50,000
200,000
最大
单位
写到
DS3514
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
注5 ：
注6 ：
注7 ：
注8 ：
注9 ：
注10 ：
注11 ：
注12 ：
注13 ：
注14 ：
注15 ：
注16 ：
注17 ：
所有电压以地为参考。进入集成电路电流被指定正和电流流出集成电路是
消极的。
如果V
CC
小于+ 2.7V或悬空时， DS3514拉我
2
C总线到V
CC
，防止与其他通信
在我的设备
2
C总线。
I
DD
电源电流被指定采用V
DD
= 15.0V和V无负载
COM
或GM1 - GM14输出。
I
CC
被指定具有以下条件： SCL = 400kHz的， SDA = V
CC
= 5.5V和V
COM
和GM1 - GM14浮动。
I
CCQ
被指定具有以下条件： SCL ，SDA = = V
CC
= 5.5V和V
COM
和GM1 - GM14浮动。
I
DDQ
被指定具有以下条件： SCL ，SDA = = V
CC
= 5.5V和V
COM
和GM1 - GM14浮动。
这是最小V
CC
电压，引起EEPROM被召回。
这是从V的时间
CC
＆ GT ; V
POR
和V
DD
＆ GT ; V
DD （ MIN ）
直到该设备上电。
积分非线性是从预期值的测量值，在每个特定的设置的偏差。预期
值是通过连接从所测量的最小设置到所测量的最大设置一条直线来计算。
INL = [V （ RW ）
i
- （ V（ RW ）
0
] / LSB （测量值） - I，对于i = 0 ，...，N （N = 255 V
COM
， 1023 GM1 - GM14 ） 。
微分非线性是从预期的步长2 LSB的设置之间的步长变化的偏差。该
预期LSB的步长大小是由测得的最低位置，以测得的最大位置的直线的斜率。
DNL = [V （ RW ）
i+1
- （ V（ RW ）
i
] / LSB （测量值） - 1 ，其中i = 0 ... （N - 1）（ N = 255 V
COM
， 1023 GM1 - GM14 ） 。
指定与V
COM
和伽马偏置电流设定为100％ （ CR.5 = 1， CR.4 = 0）。
EEPROM的数据被假定已经固定在闩锁B. LD跃迁输入后的EEPROM的字节已被选择。
瑞星转型从5V至10V ;从10V下降转换到5V 。
I
2
所示的C接口时序是快速模式（ 400kHz的）操作。此设备也与我向后兼容
2
C
标准模式的时序。
C
B
皮法中的一条总线上的-total电容。
EEPROM的写入时间开始一个停止条件发生后。
比最大窄脉冲抑制。
VRH
V
DD
DS3514
V
COM
80h
8-BIT
DAC
V
COM
2.2Ω
C
D
= 1μF
0.1μF
0至1.5V
50kHz
VRL
图1. V
COM
解决时序图
_______________________________________________________________________________________
5
QQ：2880707522 复制
