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DS32kHz
32.768kHz的温度补偿
晶体振荡器
www.maxim-ic.com
概述
该DS32kHz是一个温度补偿的晶体
振荡器(TCXO ),其输出频率
32.768kHz的。该器件满足应用
需要更好的计时精度和可
用于驱动大部分达拉斯的X1输入
安森美半导体的实时时钟(RTC ) ,芯片组和
其它IC载的RTC 。此设备可
商业( DS32kHz )和工业( DS32kHz -N )
温度版本。
特点
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
精确到± 4分钟/年( -40 ° C至+ 85°C )
精确到± 1分钟/年( 0 ° C至+ 40 ° C)
备用电池用于连续计时
V
BAT
工作电压: 2.7V至5.5V V
CC
接地
V
CC
工作电压: 4.5V至5.5V
工作温度范围:
0 ° C至+ 70°C (商业)
-40 ° C至+ 85°C (工业级)
无需校准
低功耗
表面贴装使用BGA封装
UL认可
应用
GPS接收器
远程信息处理
网络定时和同步的服务器,
路由器,集线器,交换机和
自动功率计
订购信息
部分
DS32kHz/DIP
DS32kHz-N/DIP
DS32kHz/WBGA
DS32kHz-N/WBGA
温度范围
0℃至+ 70℃
-40℃至+ 85℃
0℃至+ 70℃
-40℃至+ 85℃
PIN- PACKAGE
14 DIP
14 DIP
36 BGA
36 BGA
销刀豆网络gurations
顶视图
北卡罗来纳州
1
2
3
DS32kHz
14
13
12
11
10
9
8
北卡罗来纳州
V
CC
32KHZ OUT
TPIN
TPIN
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
GND
V
BAT
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
4
5
6
7
DIP
BGA
注意:
该器件的一些修订可能偏离称为勘误表公布的规格。任何器件的多个版本
可能同时获得通过不同的销售渠道。欲了解器件勘误表的信息,请点击这里:
www.maxim-ic.com/errata 。
1 10
REV : 041603
DS32kHz
绝对最大额定值
任何引脚对地的电压范围
工作温度范围
广告
产业
存储温度范围
焊接温度( BGA )
焊接温度,信息( DIP )
-3.0V至+ 7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
见IPC / JEDEC J- STD- 020A (最大2倍)(注1 )
260 ℃下进行10秒(注1,2 )
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,
并且该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件。
建议的直流工作条件
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C )
参数
电源电压
电池电压(注3)
符号
V
CC
V
BAT
条件
4.5
2.7
典型值
5.0
3.0
最大
5.5
3.3, 5.5
单位
V
V
DC电气特性
(在操作范围内,除非另有说明)。
参数
主动电源电流
有源电池电流
高输出电压(V
CC
)
低输出电压
电池开关电压
高输出电压(V
BAT
)
符号
I
CC
I
BAT
V
OH
V
OL
V
SW
V
OH
I
OH
= -0.1mA
2.4
条件
(注4,5)
V
CC
= 0V, V
BAT
= 3.3V
(注4, 5,6, 7)
I
OH
= -1.0mA
I
OL
= 2.1毫安
V
BAT
2.4
0.4
典型值
150
1
最大
180
4
单位
A
A
V
V
V
V
注1 :
后的焊料的清洗用水清洗技术是可以接受的,条件是,不使用超声振动。这样的清洗可
损坏的结晶。
注2 :
封装的DIP模块可以通过常规波峰焊技术被成功地处理,只要温度
内部包含的晶体的不超过+ 150℃。
注3 :
V
BAT
必须不大于3.3V时,该设备被用在双电源工作模式。
注4 :
典型值为+ 25 ° C和5.0V V
CC
, 3.0 V
BAT
中,除非另有说明。
注5 :
这些参数是在无负荷条件下测得。
注6 :
这个电流是主动模式,电流从备用电源/电池源。
注7 :
电池电流增大到450μA (典型值)为122ms (典型值)每隔64秒。
2 10
DS32kHz
AC时序特性
(在操作范围内,除非另有说明)。
参数
输出频率
频率稳定度对比
温度
占空比
周期
HIGH / LOW时间
上升时间
下降时间
振荡器启动时间
频率稳定度对比
工作电压
晶体老化
符号
f
OUT
f/f
O
t
W
/t
t
CYC
t
H
/t
L
t
R
t
F
t
OSC
f/
V
f/f
O
(注8)
(注8)
(注8)
(注8)
(注8)
V
CC
= 5.0V或
V
BAT
= 3.0V, V
CC
= 0V
(注4,9 )
(注10 )
0 ° C至+ 40°C
-40 ° C至+ 85° C或
0 ° C至+ 70°C
-2.0
-7.5
45
50
30.518
15.06
200
60
1
±2.5
±1.0
条件
典型值
32.768
+2.0
+7.5
55
PPM
%
s
s
ns
ns
s
PPM /
V
PPM /年
最大
单位
千赫
注8 :
这些参数是使用一个15pF的负载进行测量。
注9 :
误差是标称电源电压的任何电源供电的设备进行测量。
注10 :
回流后。
3 10
DS32kHz
典型工作特性
(V
CC
= 3.3V ,T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。 )
I
BAT
与V
BAT
DS32kHZ TOC01
I
CC
与V
CC
DS32kHZ toc02
I
BAT
与输出负载与V
CC
DS32kHZ toc03
4.5
4.0
电源电流(mA )
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
2.5
3.0
3.5
4.0
V
BAT
(V)
4.5
5.0
150
125
电源电流(mA )
100
75
50
25
15.0
12.5
电源电流(mA )
10.0
7.50
6.00
2.50
0
22pF
10pF
0pF
47pF
5.5
2.5
3.0
3.5
4.0
V
CC
(V)
4.5
5.0
5.5
2.5
3.0
3.5
4.0
V
BAT
4.5
5.0
5.5
频率误差与V
BAT
7
6
错误( PPM )
5
4
3
2
1
0
-1
2.5
3.0
3.5
4.0
VBAT ( V)
4.5
5.0
5.5
DS32kHZ toc04
频率误差与V
CC
DS32kHZ toc05
8
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-0.5
-1.0
4.5
5.0
V
CC
(V)
错误( PPM )
5.5
4 11
DS32kHz
引脚说明
BGA
A4,A5 ,B4,B5
A7,A8 , B7,B8 ,
C7,C8 , D7,D8
C2,C3 ,D2,D3
C4,C5 ,D4,D5
所有剩余的球
DIP
5
10, 11
13
12
1, 6–9, 14
4
名字
V
BAT
TPIN
V
CC
32KHZ OUT
北卡罗来纳州
GND
功能
+ 3V Batttery供应
测试引脚(必须接地)
主电源
32.768kHz的输出
无连接
图1.增量时间和频率与温度的关系
0.00
-10.00
-20.00
-30.00
-40.00
-50.00
典型的晶体
无偿
-60.00
DS32kHz
产量
-70.00
-80.00
-90.00
-100.00
DELTA时间(min /年)
功能说明
该DS32kHz需要四个引脚操作: V
CC
, GND ,V
BAT
和32KHZ OUT 。 (参见图3 ,用于连接
的计划。 )电源通过V应用
CC
和GND ,而V
BAT
用于维持在不存在的32kHz输出
的力量。输出的误差为-40 ℃的± 7.5ppm (±4分钟/年)至+ 85℃, ± 2ppm的( ± 1分钟/年)为0℃至
+40°C.
该DS32kHz使用球栅阵列封装在小的36引脚的SMD ( BGA)的
尺寸为0.400"宽, 0.450"长, 0.124"高。它也可在一个14引脚DIP模块。
技术
所需的额外的电路板空间是可以忽略的,在大多数应用中,因此,所建议的土地
图案布局应该在所有的新设计和未来的主板修订版,以满足应用程序的需要来实现
更好的计时精度。
5 10
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