【DS2906SA整流器器二极管DS5922-1.1 2009年3月（ LN26638 ）特点双面冷却】,IC型号DS2906SA40,DS2906SA40 PDF资料,DS2906SA40经销商,ic,电子元器件-51电子网

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DS2906SA

整流器器二极管

DS5922-1.1 2009年3月（ LN26638 ）

特点

双面冷却

高浪涌能力

主要参数

V

RRM

I

F（ AV ）

I

FSM

4000V

5651A

83000A

应用

整流器阳离子

续流二极管

直流电机控制

电源

焊接

电池充电器

电压额定值

第一部分和

订购

数

重复峰值

电压

V

DRM

和V

DRM

V

4000

3900

3800

3700

3600

3500

条件

DS2906SA40

DS2906SA39

DS2906SA38

DS2906SA37

DS2906SA36

DS2906SA35

V

RSM

= V

RRM

+100V

较低的电压等级。

订购信息

订购时，选择所需的部件号

在电压等级选择表所示。

例如：

DS2906SA39

注：请使用完整的部件号订购时

并引述任何今后的对应这个号码

关于您的订单。

外形类型代码：一个

（见包的详细信息以获取更多信息）

图。 1包大纲

1/8

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DS2906SA

半导体

电流额定值

T

例

= 75° ，除非另有说明

C

符号

双侧冷却

I

F（ AV ）

I

F（ RMS ）

I

F

参数

测试条件

马克斯。

单位

平均正向电流

有效值

连续的（直接）通态电流

半波阻性负载

-

-

5651

8877

8208

A

A

A

单面冷却（阳极侧）

I

F（ AV ）

I

F（ RMS ）

I

F

平均正向电流

有效值

连续的（直接）通态电流

半波阻性负载

-

-

3707

5821

4976

A

A

A

T

例

= 100℃ ，除非另有说明

C

符号

双侧冷却

I

F（ AV ）

I

F（ RMS ）

I

F

参数

测试条件

马克斯。

单位

平均正向电流

有效值

连续的（直接）通态电流

半波阻性负载

-

-

4350

6830

6160

A

A

A

单面冷却（阳极侧）

I

F（ AV ）

I

F（ RMS ）

I

F

平均正向电流

有效值

连续的（直接）通态电流

半波阻性负载

-

-

2795

4390

3640

A

A

A

2/8

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DS2906SA

半导体

浪涌额定值

符号

I

FSM

It

I

FSM

It

2

2

参数

浪涌（非重复）通态电流

我吨融合

浪涌（非重复）通态电流

我吨融合

2

2

测试条件

10ms的半正弦波，T

例

= 150°

C

V

R

= 50% V

RRM

- 正弦

10ms的半正弦波，T

例

= 150°

C

V

R

= 0

马克斯。

66.5

22

83

34.5

单位

kA

MA s

kA

MA s

2

2

热学和力学额定值

符号

R

日（J -C ）

参数

热阻 - 结到管壳

测试条件

双侧冷却

单面冷却

DC

阳极DC

阴极DC

R

个（ C-H）

热电阻 - 案件散热器

锁模力83.0kN

（带安装化合物）

T

vj

虚拟结温

导通状态（导通）

反向（阻塞）

T

英镑

F

m

存储温度范围

锁模力

双面

单面

分钟。

-

-

-

-

-

-

-

-55

75.0

马克斯。

0.0065

0.013

0.013

0.001

0.002

160

150

150

91.0

单位

°

C / W

°

C / W

°

C / W

°

C / W

°

C / W

°

C

°

C

°

C

kN

特征

符号

V

FM

I

RM

V

TO

r

T

参数

正向电压

峰值反向电流

阈值电压

斜率电阻

测试条件

在3000A的峰值，T

例

= 25°

C

在V

DRM ，

T

例

= 150°

C

在T

vj

= 150°

C

在T

vj

= 150°

C

分钟。

-

-

-

-

马克斯。

1.06

400

0.78

0.0763

单位

V

mA

V

m

3/8

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DS2906SA

半导体

曲线

8000

7000

7000

瞬时正向电流，I

F

- (A)

6000

6000

意味着功耗 - （W ）

5000

5000

4000

4000

3000

3000

T

j

= 150°C

T

j

= 25°C

2000

2000

1000

dc

1/2波

3相

6相

0

1000

2000

3000

4000

5000

6000

意思是通态电流I

T（ AV ）

- (A)

1000

0

0

0.5

0.6

0.7 0.8 0.9

1

1.1 1.2 1.3

正向电压，V

F

- (V)

1.4

图2最大（极限）正向特性

图3功率损耗曲线

V

TM

方程

V

TM

= A + BLN （我

T

） + C.I

T

+ D 。我

T

A = - 0.01591

B = 0.113682

-5

C = 8.04 ×10

D = - 0.00284

这些值是有效的对于T

j

= 150 ° ，因为我

F

500A到7000A

C

哪里

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DS2906SA

半导体

16000

350

14000

300

反向恢复电流，I

RR

- (A)

12000

存储电荷，QS - （ μC ）

250

10000

200

8000

150

6000

100

4000

50

2000

0

0

1

2

3

4

5

6

7

率的正向电流，迪衰减

f

/ DT - （ A / μs）内

8

0

0

1

2

3

4

5

6

7

率的正向电流，迪衰减

f

/ DT - （ A / μs）内

8

图4存储电荷

0.1

传导

热阻

结到外壳° C / W

单面

0.013

0.0137

0.0138

0.0141

图5反向恢复电流

90

80

阳极侧冷却

双面

0.0065

特区

0.0072

半波

0.0073

三相120

0.0076

6相60

热阻抗 - （ ° C / W）

70

浪涌电流I

FSM

- （ KA）

60

50

40

30

20

10

0

条件：

T

例

= 150C

V

R

= 0

脉冲宽度= 10毫秒

0.01

双侧冷却

0.001

0.0001

0.001

1

0.01

0.1

1

时间 - （多个）

10

100

10

脉冲数

100

图6最大（极限）瞬态热阻抗 -

结到外壳

图7多周期浪涌电流

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