【19-6067 ;转4 ; 3/12该DS28EC20是20480位的1-Wire EEPROM组织】,IC型号DS28EC20P ,DS28EC20P PDF资料,DS28EC20P 经销商,ic,电子元器件-51电子网

19-6067 ;转4 ; 3/12

该DS28EC20是20480位的1-Wire EEPROM

组织80内存，每页256位的网页。一

额外的页面预留控制功能。

数据被写入一个32字节暂存器，核实，

然后复制到EEPROM存储器。作为一个特殊的

功能，八个内存页块可写入

保护或EPROM仿真模式，其中

位只能从1变化为0的状态。该

DS28EC20通过单导线

1 - Wire总线。通信遵循的标准

1 - Wire协议。每个设备都有自己的不可改变的

而唯一的64位ROM注册号。该

注册号用做器件地址中

一个多点的1 -Wire网络环境。

概述

特点

DS28EC20

20KB的1-Wire EEPROM

应用

设备认证

IEEE 1451.4传感器TEDS

墨水/碳粉盒

医疗传感器

PCB识别

无线基站

订购信息

部分

TEMP RANGE PIN- PACKAGE

DS28EC20+

-40 ° C至+ 85°C 3 TO- 92

DS28EC20+T

-40 ° C至+ 85°C 3 TO- 92 ， T&R

DS28EC20P+

-40 ° C至+ 85°C 6 TSOC

DS28EC20P + T -40 ° C至+ 85°C 6 TSOC ， T&R

+表示无铅（Pb ） - 免费/符合RoHS标准的封装。

T =卷带包装。

20480位的非易失（ NV ） EEPROM

划分为80个256位的页面

内存页独立的8页组

（块），可以被永久写保护或

进入OTP EPROM仿真模式（ "Write到

0")

读取和写入访问高度向后

兼容以前的器件（例如， DS2433 ）

256位暂存器严格的读/写

协议保证了数据传输的完整性

200K写/擦除周期耐力在+ 25°C

唯一的工厂编程的64位注册

数确保无错的器件选择

和绝对部分身份

切换点滞回和滤波优化

在噪声背景下的性能

主机通信以15.4kbps或90kbps

采用1-Wire协议

低成本TO- 92封装

经营范围： 5V ± 5 ％， -40 ° C至+ 85°C

经营范围： 3.3V ± 5 ％， 0 ° C至+ 70°C

（仅适用于标准速度）

IEC 1000-4-2 4级ESD保护（ ± 8kV的

联系，

±15kV

空气，典型值）的I / O引脚

引脚配置

达拉斯

28EC20

TO-92

PIN 1 ---------- GND

PIN 2 ---------- I / O

PIN 3 ----------北卡罗来纳州

对于磁带- AND-

卷轴导线

是FORMED

100密耳（ 2.54毫米）

间距VERSUS

50密耳（ 1.27毫米）

对于批量。

底部视图

典型工作电路

PUP

(300

以采用2.2kΩ ）

PX.Y

I / O

DS28EC20

GND

1 2 3

TSOC ，顶视图

命令字节，模式为大写清楚。

的1-Wire是Maxim Integrated Products ，Inc.的注册商标。

PIN 1 ----------北卡罗来纳州

PIN 2 ---------- I / O

3脚GND ----------

PIN码4 ， 5 ， 6 ----北卡罗来纳州

1 27

DS28EC20 ： 20Kb大小的1-Wire EEPROM

绝对最大额定值

I / O电压为GND

I / O灌电流

工作温度范围

结温

存储温度范围

焊接温度（焊接， 10秒）

焊接温度（再溢流）

TO-92

TSOC

-0.5V, +6V

20mA

-40 ° C至+ 85°C

+150°C

-55 ° C至+ 125°C

+300°C

+250°C

+260°C

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，

并且该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作

不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。

5.0V电源电气特性

参数

I / O引脚通用数据

1 - Wire上拉电阻

输入电容

输入负载电流

高到低开关

门槛

输入低电压

低到高的开关

门槛

切换迟滞

输出低电压

恢复时间

（注2，注12 ）

上升沿保持关闭时间

（注5 ， 13 ）

时隙持续时间

（注2，注14 ）

PUP

REC

REH

SLOT

（注2,3）

（注4,5）

在V的I / O引脚

PUP

（注5 ， 6 ， 7 ）

（注2,8 ）

（注5，6， 9）

（注5 ， 6 ， 10 ）

在4毫安（注11 ）

标准速度

高速模式

标准速度

高速模式

标准速度

高速模式

标准速度

高速模式

标准速度

高速模式

标准速度

高速模式

标准速度

高速模式

标准速度

高速模式

标准速度

高速模式

标准速度

高速模式

标准速度

高速模式

符号

条件

PUP

= 5.0V ±5％，T

= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。）（注1）

民

0.3

2000

0.05

1.6

3.5

PUP

1.8

0.5

PUP

1.1

1.30

0.20

典型值

最大

2.2

单位

5.0

不适用（0）

480

640

240

120

15.5

15 -

2.5

0.30

0.5

I / O引脚， 1 - Wire复位，在线检测周期

复位，低电平时间（注2 ）

在线检测高

时间

在线检测低

时间

在线检测样品

时间（注2，注15 ）

I / O引脚， 1 - Wire写

写0低电平时间

（注2 ， 16 ， 17 ）

写1低电平时间

（注2，注17 ）

I / O引脚， 1 - Wire读

读低电平时间

（注2，注18 ）

读采样时间

（注2，注18 ）

MSR

W0L

W1L

RSTL

PDH

PDL

MSP

2 24

DS28EC20 ： 20Kb大小的1-Wire EEPROM

参数

EEPROM

编程电流

编程时间

写/擦除周期

（耐力）（注21 ，

22)

数据保留

（注23 ， 24 ， 25 ）

注1 ：

注2 ：

注3 ：

符号

PROG

（注19 ）

（注20 ）

AT + 25°C

条件

民

典型值

最大

0.9

单位

岁月

200k

50k

在+ 85°C （最坏情况）

注4 ：

注5 ：

注6 ：

注7 ：

注8 ：

注9 ：

注10 ：

注11 ：

注12 ：

注13 ：

注14 ：

注15 ：

注16 ：

注17 ：

注18 ：

注19 ：

注20 ：

注21 ：

注22 ：

注23 ：

注24 ：

注25 ：

限制是100 ％的生产在T测试

= + 25 ° C和/或T

= + 85°C 。限制在工作温度范围和有关

电源电压范围是通过设计和特性保证。典型值是无法保证的。

系统要求。

最大可允许上拉电阻是1-Wire器件的系统中， 1 - Wire恢复时间的数量的函数，并且

在EEPROM编程电流的要求。指定的值在这里适用的系统只用一个装置，用

最低的1 - Wire恢复时间。对于负载较重的系统中， DS2482 -X00有源上拉如发现，

DS2480B或DS2490可能需要。

典型值代表的内部寄生电容在V

PUP

首先应用。一旦该寄生电容被充电时，它

不影响正常的通信。

在设计中，只有定性和/或模拟的保证。未经生产测试。

, V

和V

是内部电源电压的函数，其本身是作为V的函数

PUP

, R

PUP

， 1-Wire时序，并

容性负载的I / O。低V

PUP

，较高的R

PUP

，短吨

REC

和更大的容性负载都会导致降低V的值

, V

和V

电压低于它，在我的下降沿时/ O，逻辑0被检测到。

在我的电压/输出必须是小于或等于V

ILMAX

在任何时候船长驾驶的I / O逻辑0电平。

电压高于此，在对我的上升沿/ O，逻辑1被检测到。

经过V

在上升沿交叉在I / O， I / O上的电压具有至少V下降

以被检测为逻辑0 。

IV特性近似线性的电压小于1V 。

适用于连接到一个1-Wire总线的单个设备。

一个下降沿最早承认有可能在t

REH

经过V

已经就前面的上升沿。

定义了最大可能的位速率。等于1 /（吨

W0LMIN

+ t

RECMIN

吨区间后，

RSTL

在此期间，总线主机可以读取逻辑0的I / O ，如果有一个DS28EC20存在。该电存在

检测脉冲可能是这个区间之外，但会在上电后2毫秒内完成。

高亮显示的数字不符合与传统的1-Wire产品标准。请参阅下面的对照表。

在图11中表示需要上拉电路的时候拉电压从V I / O最多

到V

。实际

拉为低电平最长期限为主控为t

W1LMAX

+ t

和T

W0LMAX

+ t

ε,

分别。

在图11中表示需要上拉电路的时候拉电压从V I / O最多

在输入高门槛

的总线主控。实际的最长期限为师傅线拉低为t

RLMAX

+ t

目前的EEPROM编程时间间隔内从I / O绘制。编程过程中的I / O电压下降由我

PROG

× R

PUP

低于V

PUP

。如果V

PUP

和R

PUP

是在其EC表格限制，剩余的I / O电压满足保证按设计

最小电压的要求进行编程。

经t

PROG

间隔开始吨

REHMAX

后尾上升沿上的I / O为E / S字节的最后一个时隙的有效副本暂存器

序列。间隔结束一次设备的自定时EEPROM编程周期结束和当前的抽

设备已经从我回来

PROG

到我

写周期耐力下降为T

增加。

不是100 ％生产测试;通过可靠性监视器采样保证。

数据保留被降解为T

增加。

由100％的产量试验在升高的温度下进行更短的时间保证;该生产测试数据表等价

限制在操作温度范围下的可靠性试验确定。

EEPROM的写操作可能变得无功能的数据保留时间被超过之后。在高温长时间存放

温度不推荐;该设备可在+ 125°C经过10多年的失去写能力或40年，在+ 85°C 。

参数

SLOT

（含吨

REC

)

RSTL

PDH

PDL

W0L

LEGACY VALUES

标准速度

高速模式＃

民

最大

民

最大

61s

（未定义）

480s

（未定义）

48s

80s

15s

60s

240s

24s

60s

120s

16s

DS28EC20 VALUES

标准速度

高速模式＃

民

最大

民

最大

65s*

（未定义）

11s

（未定义）

480s

640s

48s

80s

15s

60s

240s

24s

60s

120s

15.5s

*意向

变化，较长的恢复时间要求，由于修改后的1-Wire前端。

#For

工作在高速模式时， DS28EC20要求V

PUP

为5V±5％。

3 27

DS28EC20 ： 20Kb大小的1-Wire EEPROM

3.3V电源电气特性

PUP

= 3.3V ±5％，T

= 0 °C到+ 70℃，除非另有说明。）

参数

I / O引脚通用数据

1 - Wire上拉电阻

（注1,2 ）

PUP

输入电容

（注3,4）

输入负载电流

在V的I / O引脚

PUP

高到低开关

（注4， 5，6 ）

门槛

输入低电压

（注1,7 ）

低到高的开关

（注4， 5 ，8）

门槛

切换迟滞

（注4， 5,9）

输出低电压

在4毫安（注10 ）

恢复时间

REC

标准速度（注1 ， 11 ）

上升沿保持关闭时间

REH

标准速度（注12 ）

时隙持续时间

SLOT

标准速度（注1 ， 13 ）

I / O引脚， 1 - Wire复位，在线检测周期

复位，低电平时间

在线检测高

时间

在线检测低

时间

在线检测样品

时间

I / O引脚， 1 - Wire写

写0低电平时间

写1低电平时间

I / O引脚， 1 - Wire读

读低电平时间

读采样时间

EEPROM

编程电流

编程时间

写/擦除周期（ Endu-

朗斯）（注19 ， 20 ）

数据保留

PROG

（注17 ）

（注18 ）

AT + 25°C

在+ 70°C

（注21 ， 22 ， 23 ）

0.9

200k

50k

岁月

MSR

标准速度（注1 ， 16 ）

15 -

W0L

W1L

标准速度（注1 ， 15 ）

120

RSTL

PDH

PDL

MSP

标准速度（注1 ）

标准速度

标准速度（注1 ， 14 ）

0.3

2000

0.05

0.49

3.5

PUP

1.9

0.5

PUP

1.1

0.70

0.30

5.0

2.2

符号

条件

民

典型值

最大

单位

1.09

0.33

0.5

480

640

240

4 27

DS28EC20 ： 20Kb大小的1-Wire EEPROM

注1 ：

注2 ：

系统要求。

最大可允许上拉电阻是1-Wire器件的系统中， 1 - Wire恢复时间的数量的函数，并且

在EEPROM编程电流的要求。指定的值在这里适用的系统只用一个装置，用

最低的1 - Wire恢复时间。对于负载较重的系统中， DS2482 -X00有源上拉如发现，

DS2480B或DS2490可能需要。

典型值代表的内部寄生电容在V

PUP

首先应用。一旦该寄生电容被充电时，它

不影响正常的通信。

在设计中，只有定性和/或模拟的保证。未经生产测试。

, V

和V

是内部电源电压的函数，其本身是作为V的函数

PUP

, R

PUP

， 1-Wire时序，并

容性负载的I / O。低V

PUP

，较高的R

PUP

，短吨

REC

和更大的容性负载都会导致降低V的值

, V

和V

电压低于它，在我的下降沿时/ O，逻辑0被检测到。

在我的电压/输出必须是小于或等于V

ILMAX

在任何时候船长驾驶的I / O逻辑0电平。

电压高于此，在对我的上升沿/ O，逻辑1被检测到。

经过V

在上升沿交叉在I / O， I / O上的电压具有至少V下降

以被检测为逻辑0 。

IV特性近似线性的电压小于1V 。

适用于连接到一个1-Wire总线的单个设备。

一个下降沿最早承认有可能在t

REH

经过V

已经就前面的上升沿。

定义了最大可能的位速率。等于1 /（吨

W0LMIN

+ t

RECMIN

吨区间后，

RSTL

在此期间，总线主机可以读取逻辑0的I / O ，如果有一个DS28EC20存在。该电存在

检测脉冲可能是这个区间之外，但会在上电后2毫秒内完成。

在图11中表示需要上拉电路的时候拉电压从V I / O最多

到V

。实际

拉为低电平最长期限为主控为t

W1LMAX

+ t

和T

W0LMAX

+ t

ε,

分别。

在图11中表示需要上拉电路的时候拉电压从V I / O最多

在输入高门槛

的总线主控。实际的最长期限为师傅线拉低为t

RLMAX

+ t

目前的EEPROM编程时间间隔内从I / O绘制。在编程期间在I / O上拉电路

应该是这样的，在I / O上的电压大于或等于3.0V 。对于3.3V ± 5 ％V

PUP

该DS28EC20的操作中，一个低

的R阻抗，旁路

PUP

，其可在编程过程中被激活，是必需的。

经t

PROG

间隔开始吨

REHMAX

后尾上升沿上的I / O为E / S字节的最后一个时隙的有效副本暂存器

序列。间隔结束一次设备的自定时EEPROM编程周期结束和当前的抽

设备已经从我回来

PROG

到我

写周期耐力下降为T

增加。

不是100 ％生产测试;通过可靠性监视器采样保证。

数据保留被降解为T

增加。

由100％的产量试验在升高的温度下进行更短的时间保证;该生产测试数据表等价

限制在操作温度范围下的可靠性试验确定。

EEPROM的写操作可能变得无功能的数据保留时间被超过之后。在高温长时间存放

温度不推荐;该设备可在+ 125°C经过10多年的失去写能力或40年，在+ 85°C 。

注3 ：

注4 ：

注5 ：

注6 ：

注7 ：

注8 ：

注9 ：

注10 ：

注11 ：

注12 ：

注13 ：

注14 ：

注15 ：

注16 ：

注17 ：

注18 ：

注19 ：

注20 ：

注21 ：

注22 ：

注23 ：

5 27