DG9432/9433/9434
新产品
Vishay Siliconix公司
低电压双通道SPST模拟开关
特点
D
D
D
D
宽工作电压（ +2.7至+ 12V ）
低电荷注入 - Q
INJ
量：1件
低功耗
TTL / CMOS逻辑，在整个兼容
工作电压范围
D
采用MSOP - 8和SOT23-8
好处
D
D
D
D
降低功耗
简单的逻辑接口
精度高
减少电路板空间
应用
D
D
D
D
D
D
D
电池供电系统
便携式测试设备
采样和保持电路
手机
通信系统
军方电台
PBX ， PABX指导
和控制系统
描述
该DG9432 / 9434分之9433是一个双路单刀/单掷
单片CMOS模拟开关专为高
模拟信号的开关性能。结合低
大功率，高转速（T
ON
： 25纳秒，T
关闭
： 20毫微秒），则
DG9432 / 9434分之9433非常适合便携式和电池供电
要求高性能和高效率使用的应用
电路板空间。
/ 9434分之9433采用Vishay Siliconix公司的低电压DG9432
BCD - 15的过程。外延层可以防止闭锁。
先开-make是保证DG9432 / 9434分之9433 。
每个开关进行同样在两个方向上时，
并阻止了电源电平的时候了。
功能框图及引脚配置DG9432
DG9432 ， MSOP- 8
NC
1
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
顶视图
器件标识： 9432
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NC
2
NC
1
V+
IN
2
COM
2
1
2
3
4
DG9432 ， SOT23-8
8
7
6
5
顶视图
器件标识： 4G
COM
1
IN
1
GND
NC
2
真值表DG9432
逻辑
0
1
开关
On
关闭
文档编号： 72311
S- 31643 -REV 。 A， 01 - 8 - 03
www.vishay.com
1
DG9432/9433/9434
Vishay Siliconix公司
新产品
功能框图及引脚配置DG9433 / DG9434
DG9433 ， MSOP- 8
NO
1
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
顶视图
器件标识： 9433
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NO
2
NO
1
V+
IN
2
COM
2
1
2
3
4
顶视图
器件标识： 4H
DG9433 。 SOT23-8
8
7
6
5
COM
1
IN
1
GND
NO
2
真值表DG9433
逻辑
0
1
开关
关闭
On
DG9434 ， MSOP- 8
NO
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
顶视图
器件标识： 9434
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NC
2
NO
1
V+
IN
2
COM
2
1
2
3
4
DG9434 。 SOT23-8
8
7
6
5
顶视图
器件标识： 4I
COM
1
IN
1
GND
NC
2
真值表DG9434
逻辑
0
1
Switch-1
关闭
On
Switch-2
On
关闭
订购信息
温度范围
包
MSOP-8
-40到85°C
40
SOT23-8
产品型号
DG9432DQ
DG9433DQ
DG9434DQ
DG9432DS
DG9433DS
DG9434DS
www.vishay.com
2
文档编号： 72311
S- 31643 -REV 。 A， 01 - 8 - 03
DG9432/9433/9434
新产品
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参考GND
V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 13.5 V
IN， COM ，NC ， NO
a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
-0.3到（V + + 0.3V）
连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"10
mA
峰值电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"20
mA
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150℃
功率耗散（包）
b
MSOP-8
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 320毫瓦
SOT23-8
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 515毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/ _C上述75°C
规格（ V + = 3V）
测试条件
否则，除非指定
参数
开关导通电阻
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
r
（上）
MATCH
d
V
类似物
r
（上）
Dr
（上）
V + = 2.7 V，I
COM
= 1毫安， V
COM
= 1.5 V
满
房间
满
房间
V-
81
0.4
V+
100
120
3.0
V
W
范围
-40到85°C
符号
V+ = 3.3 V,
"10%,
V
IN
= 0.4或1.8 V
e
温度
a
民
c
典型值
b
最大
c
单位
数字控制
输入高电压
输入，低电压
输入电流
V
INH
V
INL
I
INH
满
V +量程2月7日至5日V
2.7
满
-1
1.8
0.4
1
V
mA
动态特性
突破前先
D，G
关龙泰
d
开启关断时间
d
电荷注入
d
关断隔离
关断隔离
d
相声
d
源关断电容
d
流掉电容
d
在排水
电容
d
t
开放
t
ON
t
关闭
Q
OIRR
X
TALK
C
NC / NO （OFF）的
C
COM （关闭）
C
COM（上）
I
+
C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
W,
VG = 0 V
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
W,
F = 1 MHz的
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
W,
F = 10MHz的
R
L
= 50
W,
F = 1MHz时， V + = 2.5 V
F = 1MHz时， V
NC / NO
= 0 V
F = 1 MHz的V
COM
= 0 V
兆赫，
V+ = 3.3 V, V
IN
= 0或V +的
V+
V = 3 V ，R
L
= 300
W
V
V
NO
= V
NC
= 1.5 V
C
L
= 35 pF的，V
IN
= 0 V, 3 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
-1
1
60
14
0.16
77
55
98
7.5
7.8
22
-1
mA
p
pF
dB
80
100
25
35
pC
ns
电源电流
注意事项：
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
保证了设计，不进行生产测试。
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
12 -V泄漏检测保证，未经生产测试。
适用于DG9434只。
文档编号： 72311
S- 31643 -REV 。 A， 01 - 8 - 03
www.vishay.com
3
DG9432/9433/9434
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 5 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
开关导通电阻
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
V
类似物
r
（上）
Dr
（上）
I
NC / NO （OFF）的
关机漏电流
f
I
COM （关闭）
通道泄漏电流
f
I
COM（上）
V
+
= 5 V, V
COM
= 0.5 V, 4.5 V
V
NC / NO
= 4.5 V, 0.5 V
/
V
+
= 4.5 V，I
COM
= 1毫安，
V
COM
= 2.5或3.5 V
V
+
= 4.5 V，I
COM
= 1毫安， V
COM
= 3.5 V
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
-1
-10
-1
-10
-1
10
V
-
39
0.3
0.3
0.3
0.3
V
+
60
70
3.0
1
10
1
10
1
10
nA
V
W
新产品
范围
-40到85°C
符号
V+ = 5 V,
"10%,
V
IN
= 0.4或1.8 V
e
温度
a
民
c
典型值
b
最大
c
单位
数字控制
输入高电压
输入，低电压
输入电流
V
INH
V
INL
I
INH
满
V +量程2月7日至5日V
2.7
满
-1
1.8
0.4
1
V
mA
动态特性
突破前先
D，G
关龙泰
开启关断时间
电荷注入
d
关断隔离
关断隔离
d
相声
d
源关断电容
d
流掉
电容
d
排水导通电容
d
电源电流
注意事项：
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
保证了设计，不进行生产测试。
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
12 -V泄漏检测保证，未经生产测试。
仅适用于DG9434 。
t
开放
t
ON
t
关闭
Q
OIRR
X
TALK
C
NC / NO （OFF）的
C
COM （关闭）
C
COM（上）
I
+
C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
W,
V
g
= 0 V
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
W,
F = 1 MHz的
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
W,
F = 10MHz时， V
+
= 5 V
R
L
= 50
W,
F = 1MHz时， V
+
= 5 V
F = 1MHz时， V
NO / NC
= 0 V
F = 1 MHz的V
COM
= 0 V
兆赫，
V
+
= 5.5 V, V
IN
= 0或V
+
V
+
= 5 V ，R
L
= 300
W
V
V
NO
= V
NC
= 3 V
C
L
= 35 pF的，V
IN
= 0 V, 5 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
-1
1
33
10
0.56
76
54
96
7.5
7.8
22
-1
mA
p
pF
dB
60
70
20
30
pC
ns
www.vishay.com
4
文档编号： 72311
S- 31643 -REV 。 A， 01 - 8 - 03
DG9432/9433/9434
新产品
规格（ V + = 12 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
开关导通电阻
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
V
类似物
r
（上）
Dr
（上）
I
NC / NO （OFF）的
关机漏电流
a
I
COM （关闭）
通道泄漏电流
a
I
COM（上）
V
+
= 12 V, V
S
= 1/11 V,V
COM
= 11/1 V
V
+
= 10.8 V，I
COM
= 1毫安， V
COM
= 9 V
V
+
= 10.8 V，I
COM
= 1毫安， V
COM
= 9 V
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
-1
-10
-1
-10
-1
10
V
-
19
0.3
0.3
0.3
0.3
V
+
30
40
3.0
1
10
1
10
1
10
nA
V
W
Vishay Siliconix公司
范围
-40到85°C
符号
V
+
= 12 V,
"10%,
V
IN
= 0.8或2.4 V
e
温度
a
民
c
典型值
b
最大
c
单位
数字控制
输入高电压
输入，低电压
输入电流
V
INH
V
INL
I
INH
满
V+ = 12 V
满
0.8
-1
1
2.4
V
mA
动态特性
突破前先
D，G
关龙泰
开启关断时间
电荷注入
d
关断隔离
关断隔离
d
相声
d
源关断电容
d
流掉
电容
d
排水导通电容
d
电源电流
注意事项：
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
保证了设计，不进行生产测试。
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
12 -V泄漏检测保证，未经生产测试。
适用于DG9434只。
t
开放
t
ON
t
关闭
Q
OIRR
X
TALK
C
NC / NO （OFF）的
C
COM （关闭）
C
COM（上）
I
+
C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
W,
V
g
= 0 V, V
+
= 5 V
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
W,
F = 1 MHz的
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
W,
F = 10MHz的
R
L
= 50
W,
F = 1MHz时， V
+
= 5 V
F = 1MHz时， V
NC / NO
= 0 V
F = 1 MHz的V
COM
= 0 V
兆赫，
V
+
= 12 V, V
IN
= 0或V +的
V
+
= 12 V R
L
= 300
W
V,
V
NO
= V
NC
= 8 V
C
L
= 35 pF的，V
IN
= 0 V, 12 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
-1
1
21
6
0.36
75
53
96
7.5
7.8
22
-1
mA
p
pF
dB
35
40
18
25
pC
ns
文档编号： 72311
S- 31643 -REV 。 A， 01 - 8 - 03
www.vishay.com
5
19-4634; 5/09
DS2780
独立式电量计IC
www.maxim-ic.com
概述
DS2780的测量电压，温度和
目前，和估计的可用容量
可充电锂离子和锂离子聚合物
电池。电池特性及应用
在计算中使用的参数被存储在片
片上EEPROM 。可用容量寄存器
举报量的保守估计
负责人认为可以删除鉴于目前
温度，放电速率，存储电荷和
应用参数。容量估计报告
在剩下毫安时和满百分比。
特点
精密的电压，温度和电流
测量系统
内部时基准确温度
稳定
绝对和相对电量的估计
库仑计，放电速率，温度
与电池特性
低电池电压条件下的准确预警
库仑计数和年龄的自动备份
估计到非易失（ NV ） EEPROM
增益和温度系数校准，允许使用
低成本检测电阻器
24字节电池/应用参数EEPROM
16字节用户EEPROM
唯一ID和多点的1-Wire
接口
微型8引脚TSSOP & 10引脚TDFN封装
轻松嵌入在电池的使用薄包
方形电池
应用
数码相机
亚笔记本电脑
手持式PC数据终端
3G多媒体无线手机
典型工作电路
PK +
引脚配置
DS2780
数据
150
DQ
PIO
NC
SNS
5.6V
500
1K
5
8
1
7
TSSOP-8
4
VDD
3
VIN
6
OVD
2
VSS
0.1uF
保护
电路
1细胞
锂离子电池
电池
PK-
RSNS
订购信息
部分
DS2780E
DS2780E/T&R
DS2780E+
DS2780E+T&R
DS2780G+
DS2780G+T&R
记号
2780
2780
2780
2780
2780
2780
包装信息
TSSOP
TSSOP带盘式
TSSOP
TSSOP带盘式
TDFN
TDFN带盘式
+表示无铅（Pb ） - 免费/符合RoHS标准的封装。
的1-Wire是Maxim Integrated Products ，Inc.的注册商标。
注意：
该器件的一些修订可能偏离称为勘误表公布的规格。任何器件的多个版本
可能同时获得通过不同的销售渠道。欲了解器件勘误表的信息，请点击这里：
www.maxim-ic.com/errata 。
1 31
DS2780独立式电量计IC
绝对最大额定值
任何引脚相对于VSS的电压范围
对VIN相对于VSS的电压
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度（ 10秒）
-0.3V至+ 6.0V
-0.3V到（V
DD
+ 0.3V)
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
见JEDEC J- STD- 020
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，
并且该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
建议的直流工作特性
（ VDD = 2.5V至4.5V ，T
A
= -20℃至+ 70℃，除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.)
参数
电源电压
OVD电压
DQ ， PIO电压范围
符号
VDD
条件
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
民
+2.5
-0.3
-0.3
典型值
最大
+4.5
+4.5
+5.5
单位
V
V
V
DC电气特性
（ VDD = 2.5V至4.5V ，T
A
= -20℃至+ 70℃，除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.)
参数
工作电流
睡眠模式电流
输入逻辑高电平： DQ ， PIO
输入逻辑低： DQ ， PIO
输出逻辑低电平： DQ ， PIO
下拉电流： DQ ， PIO
输入逻辑高电平： OVD
输入逻辑低： OVD
VIN输入电阻
DQ电容
DQ睡眠超时
SLEEP欠压
门槛
符号
I
活跃
I
睡觉
V
IH
V
IL
V
OL
I
PD
V
IH
V
IL
R
IN
C
DQ
t
睡觉
V
睡觉
条件
2.5V
≤
VDD
≤
4.2V
2.5V
≤
VDD
≤
4.2V
（注1 ）
（注1 ）
I
OL
= 4毫安（注1 ）
V
DQ
, V
PIO
= 0.4V
（注1 ）
（注1 ）
15
DQ < V
IL
（注5 ）
（注1 ）
1.5
2.40
50
2.0
2.45
2.5
2.50
1.5
0.6
0.4
0.2
VDD }
0.2
VSS + 0.2
民
典型值
65
1
最大
95
105
3
单位
A
A
V
V
V
A
V
V
M
pF
s
V
电气特性：温度，电压，电流
(V
CC
= 2.5V至4.5V ，T
A
= -20℃至+ 70℃，除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.)
参数
温度分辨率
温度误差
电压分辨率
电压满量程
电压误差
目前的解决方法
符号
T
最低位
T
ERR
V
最低位
V
FS
V
ERR
I
最低位
2 31
1.56
0
4.88
4.992
±50
条件
民
典型值
0.125
±3
最大
单位
°C
°C
mV
V
mV
V
DS2780独立式电量计IC
参数
当前满量程
电流增益误差
当前的偏移误差
符号
I
FS
I
Gerr所说
I
OERR
（注2 ）
0°C
≤
T
A
≤
+70°C,
2.5V
≤
VDD
≤
4.2V
（注4 ）
0°C
≤
T
A
≤
+70°C,
2.5V
≤
VDD
≤
4.2V
VSNS = VSS （注3 ，
4)
VDD = 3.8V ，T
A
= +25°C
0°C
≤
T
A
≤
+70°C,
2.5V
≤
VDD
≤
4.2V
-7.82
条件
民
典型值
最大
±51.2
±1
+12.5
单位
mV
全速％
规模
V
μVhr /
天
累计电流失调
q
OERR
-188
+0
±1
±2
±3
时基误差
t
ERR
%
电气特性： 1 - Wire接口，标准
(V
CC
= 2.5V至4.5V ，T
A
= -20 ° C至+ 70°C ）。
参数
时隙
恢复时间
写0低电平时间
写1低电平时间
读取数据有效
复位时间高
复位时间低
设备检测高
设备检测低
符号
t
SLOT
t
REC
t
LOW0
t
LOW1
t
RDV
t
RSTH
t
RSTL
t
PDH
t
PDL
480
480
15
60
960
60
240
条件
民
60
1
60
1
120
15
15
典型值
最大
120
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
s
电气特性： 1 - Wire接口， OVERDRIVE
(V
CC
= 2.5V至4.5V ，T
A
= -20 ° C至+ 70°C ）。
参数
时隙
恢复时间
写0低电平时间
写1低电平时间
读取数据有效
复位历史新高
复位时低
在线检测高
在线检测低
符号
t
SLOT
t
REC
t
LOW0
t
LOW1
t
RDV
t
RSTH
t
RSTL
t
PDH
t
PDL
48
48
2
8
80
6
24
条件
民
6
1
6
1
16
2
2
典型值
最大
16
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
s
3 31
DS2780独立式电量计IC
EEPROM可靠性规格
(V
CC
= 2.5V至4.5V ，T
A
= -20℃至+ 70℃，除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.)
参数
EEPROM复印时间
EEPROM复制耐力
符号
t
欧洲经济共同体
N
欧洲经济共同体
T
A
= +50°C
50,000
条件
民
典型值
最大
10
单位
ms
周期
注1 ：
所有电压参考VSS 。
注2 ：
工厂校准精度。更高的精度可通过在系统的校准由用户来实现。
注3 ：
累积偏置寄存器设置为00h 。
注4 ：
参数设计保证来。
注5 ：
应用程序必须等待最大DQ休眠超时，以确认该IC已进入睡眠
模式。
引脚说明
名字
TSSOP
针
TDFN
针
功能
NC
VSS
VIN
VDD
DQ
1
2
3
4
5
1
2, 3
4
5
6
未连接。
引脚没有连接内部，浮动或连接到VSS 。
设备接地。
直接连接到电池的负端子。连
VSS和SNS之间的检流电阻。
电压检测输入。
电池单元的电压通过该输入监视
引脚。
电源输入。
连接到所述电池单元的通过所述正端子
去耦网络。
数据输入/输出。
1 - Wire总线的数据线。开漏输出驱动器。该引脚连接到
的电池组的数据终端。该引脚具有弱的内部下拉（我
PD
）的
传感组件断开从主机或充电器。
1 - Wire总线速度控制。
输入逻辑电平选择1 -Wire总线的速度。
逻辑1选择高速（ OVD ）和逻辑0选择标准模式（ STD ） 。上一个
多点总线，所有设备必须工作在相同的速度。
未连接。
引脚没有连接内部，浮动或连接到VSS 。
检流电阻连接。
连接到所述电池组的负极端子。
在VSS和SNS之间的检流电阻。
可编程I / O引脚。
可以被配置为输入或输出来监视或控制
用户定义的外部电路。输出驱动器为漏极开路。该引脚具有弱
内部下拉（我
PD
).
裸露焊盘。
连接到VSS或悬空。 （只存在于TDFN封装）
OVD
NC
SNS
PIO
PAD
6
—
7
8
—
7
8
9
10
PAD
4 31
DS2780独立式电量计IC
图1.框图
详细说明
DS2780的工作直接从2.5V到4.5V ，并支持单节锂离子电池组。如图
如图2所示， DS2780通过添加电压调节器为VDD和电压容纳多单元的应用程序
分频器的VIN 。非易失性存储器提供了电池补偿和应用参数。主机端
的燃料计量算法的发展被淘汰。片上的算法和方便的状态报告
操作条件下降低主机处理器的串行轮询。对于2节电池应用中， DS2781是
推荐的，因为它包括一个电压调节器，并接受车辆高达10V。
此外， 16字节的EEPROM存储器是专供主机系统的提供和/或
包装制造商。额外的EEPROM存储器，可用于促进电池批次和日期跟踪
非易失性存储装置的系统或电池使用的统计信息。
达拉斯1 - Wire接口提供16kbps标准模式或高速模式140kbps速率的串行通信。它
允许访问数据寄存器，控制寄存器和用户存储器。一个独特的，工厂编程的64位
注册号（ 8位家族码+ 48位序列号+ 8位CRC）可以确保没有任何两个器件都是一样的，并
使绝对可溯。在DS2780 Dallas的1 -Wire接口支持多点这样的能力
多个从站设备数据，可使用单个销。
5 31
DG9432/9433/9434
新产品
Vishay Siliconix公司
低电压双通道SPST模拟开关
特点
D
D
D
D
宽工作电压（ +2.7至+ 12V ）
低电荷注入 - Q
INJ
量：1件
低功耗
TTL / CMOS逻辑，在整个兼容
工作电压范围
D
采用MSOP - 8和SOT23-8
好处
D
D
D
D
降低功耗
简单的逻辑接口
精度高
减少电路板空间
应用
D
D
D
D
D
D
D
电池供电系统
便携式测试设备
采样和保持电路
手机
通信系统
军方电台
PBX ， PABX指导
和控制系统
描述
该DG9432 / 9434分之9433是一个双路单刀/单掷
单片CMOS模拟开关专为高
模拟信号的开关性能。结合低
大功率，高转速（T
ON
： 25纳秒，T
关闭
： 20毫微秒），则
DG9432 / 9434分之9433非常适合便携式和电池供电
要求高性能和高效率使用的应用
电路板空间。
/ 9434分之9433采用Vishay Siliconix公司的低电压DG9432
BCD - 15的过程。外延层可以防止闭锁。
先开-make是保证DG9432 / 9434分之9433 。
每个开关进行同样在两个方向上时，
并阻止了电源电平的时候了。
功能框图及引脚配置DG9432
DG9432 ， MSOP- 8
NC
1
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
顶视图
器件标识： 9432
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NC
2
NC
1
V+
IN
2
COM
2
1
2
3
4
DG9432 ， SOT23-8
8
7
6
5
顶视图
器件标识： 4G
COM
1
IN
1
GND
NC
2
真值表DG9432
逻辑
0
1
开关
On
关闭
文档编号： 72311
S- 31643 -REV 。 A， 01 - 8 - 03
www.vishay.com
1
DG9432/9433/9434
Vishay Siliconix公司
新产品
功能框图及引脚配置DG9433 / DG9434
DG9433 ， MSOP- 8
NO
1
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
顶视图
器件标识： 9433
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NO
2
NO
1
V+
IN
2
COM
2
1
2
3
4
顶视图
器件标识： 4H
DG9433 。 SOT23-8
8
7
6
5
COM
1
IN
1
GND
NO
2
真值表DG9433
逻辑
0
1
开关
关闭
On
DG9434 ， MSOP- 8
NO
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
顶视图
器件标识： 9434
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NC
2
NO
1
V+
IN
2
COM
2
1
2
3
4
DG9434 。 SOT23-8
8
7
6
5
顶视图
器件标识： 4I
COM
1
IN
1
GND
NC
2
真值表DG9434
逻辑
0
1
Switch-1
关闭
On
Switch-2
On
关闭
订购信息
温度范围
包
MSOP-8
-40到85°C
40
SOT23-8
产品型号
DG9432DQ
DG9433DQ
DG9434DQ
DG9432DS
DG9433DS
DG9434DS
www.vishay.com
2
文档编号： 72311
S- 31643 -REV 。 A， 01 - 8 - 03
DG9432/9433/9434
新产品
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参考GND
V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 13.5 V
IN， COM ，NC ， NO
a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
-0.3到（V + + 0.3V）
连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"10
mA
峰值电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"20
mA
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150℃
功率耗散（包）
b
MSOP-8
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 320毫瓦
SOT23-8
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 515毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/ _C上述75°C
规格（ V + = 3V）
测试条件
否则，除非指定
参数
开关导通电阻
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
r
（上）
MATCH
d
V
类似物
r
（上）
Dr
（上）
V + = 2.7 V，I
COM
= 1毫安， V
COM
= 1.5 V
满
房间
满
房间
V-
81
0.4
V+
100
120
3.0
V
W
范围
-40到85°C
符号
V+ = 3.3 V,
"10%,
V
IN
= 0.4或1.8 V
e
温度
a
民
c
典型值
b
最大
c
单位
数字控制
输入高电压
输入，低电压
输入电流
V
INH
V
INL
I
INH
满
V +量程2月7日至5日V
2.7
满
-1
1.8
0.4
1
V
mA
动态特性
突破前先
D，G
关龙泰
d
开启关断时间
d
电荷注入
d
关断隔离
关断隔离
d
相声
d
源关断电容
d
流掉电容
d
在排水
电容
d
t
开放
t
ON
t
关闭
Q
OIRR
X
TALK
C
NC / NO （OFF）的
C
COM （关闭）
C
COM（上）
I
+
C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
W,
VG = 0 V
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
W,
F = 1 MHz的
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
W,
F = 10MHz的
R
L
= 50
W,
F = 1MHz时， V + = 2.5 V
F = 1MHz时， V
NC / NO
= 0 V
F = 1 MHz的V
COM
= 0 V
兆赫，
V+ = 3.3 V, V
IN
= 0或V +的
V+
V = 3 V ，R
L
= 300
W
V
V
NO
= V
NC
= 1.5 V
C
L
= 35 pF的，V
IN
= 0 V, 3 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
-1
1
60
14
0.16
77
55
98
7.5
7.8
22
-1
mA
p
pF
dB
80
100
25
35
pC
ns
电源电流
注意事项：
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
保证了设计，不进行生产测试。
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
12 -V泄漏检测保证，未经生产测试。
适用于DG9434只。
文档编号： 72311
S- 31643 -REV 。 A， 01 - 8 - 03
www.vishay.com
3
DG9432/9433/9434
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 5 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
开关导通电阻
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
V
类似物
r
（上）
Dr
（上）
I
NC / NO （OFF）的
关机漏电流
f
I
COM （关闭）
通道泄漏电流
f
I
COM（上）
V
+
= 5 V, V
COM
= 0.5 V, 4.5 V
V
NC / NO
= 4.5 V, 0.5 V
/
V
+
= 4.5 V，I
COM
= 1毫安，
V
COM
= 2.5或3.5 V
V
+
= 4.5 V，I
COM
= 1毫安， V
COM
= 3.5 V
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
-1
-10
-1
-10
-1
10
V
-
39
0.3
0.3
0.3
0.3
V
+
60
70
3.0
1
10
1
10
1
10
nA
V
W
新产品
范围
-40到85°C
符号
V+ = 5 V,
"10%,
V
IN
= 0.4或1.8 V
e
温度
a
民
c
典型值
b
最大
c
单位
数字控制
输入高电压
输入，低电压
输入电流
V
INH
V
INL
I
INH
满
V +量程2月7日至5日V
2.7
满
-1
1.8
0.4
1
V
mA
动态特性
突破前先
D，G
关龙泰
开启关断时间
电荷注入
d
关断隔离
关断隔离
d
相声
d
源关断电容
d
流掉
电容
d
排水导通电容
d
电源电流
注意事项：
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
保证了设计，不进行生产测试。
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
12 -V泄漏检测保证，未经生产测试。
仅适用于DG9434 。
t
开放
t
ON
t
关闭
Q
OIRR
X
TALK
C
NC / NO （OFF）的
C
COM （关闭）
C
COM（上）
I
+
C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
W,
V
g
= 0 V
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
W,
F = 1 MHz的
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
W,
F = 10MHz时， V
+
= 5 V
R
L
= 50
W,
F = 1MHz时， V
+
= 5 V
F = 1MHz时， V
NO / NC
= 0 V
F = 1 MHz的V
COM
= 0 V
兆赫，
V
+
= 5.5 V, V
IN
= 0或V
+
V
+
= 5 V ，R
L
= 300
W
V
V
NO
= V
NC
= 3 V
C
L
= 35 pF的，V
IN
= 0 V, 5 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
-1
1
33
10
0.56
76
54
96
7.5
7.8
22
-1
mA
p
pF
dB
60
70
20
30
pC
ns
www.vishay.com
4
文档编号： 72311
S- 31643 -REV 。 A， 01 - 8 - 03
DG9432/9433/9434
新产品
规格（ V + = 12 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
开关导通电阻
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
V
类似物
r
（上）
Dr
（上）
I
NC / NO （OFF）的
关机漏电流
a
I
COM （关闭）
通道泄漏电流
a
I
COM（上）
V
+
= 12 V, V
S
= 1/11 V,V
COM
= 11/1 V
V
+
= 10.8 V，I
COM
= 1毫安， V
COM
= 9 V
V
+
= 10.8 V，I
COM
= 1毫安， V
COM
= 9 V
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
-1
-10
-1
-10
-1
10
V
-
19
0.3
0.3
0.3
0.3
V
+
30
40
3.0
1
10
1
10
1
10
nA
V
W
Vishay Siliconix公司
范围
-40到85°C
符号
V
+
= 12 V,
"10%,
V
IN
= 0.8或2.4 V
e
温度
a
民
c
典型值
b
最大
c
单位
数字控制
输入高电压
输入，低电压
输入电流
V
INH
V
INL
I
INH
满
V+ = 12 V
满
0.8
-1
1
2.4
V
mA
动态特性
突破前先
D，G
关龙泰
开启关断时间
电荷注入
d
关断隔离
关断隔离
d
相声
d
源关断电容
d
流掉
电容
d
排水导通电容
d
电源电流
注意事项：
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
保证了设计，不进行生产测试。
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
12 -V泄漏检测保证，未经生产测试。
适用于DG9434只。
t
开放
t
ON
t
关闭
Q
OIRR
X
TALK
C
NC / NO （OFF）的
C
COM （关闭）
C
COM（上）
I
+
C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
W,
V
g
= 0 V, V
+
= 5 V
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
W,
F = 1 MHz的
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
W,
F = 10MHz的
R
L
= 50
W,
F = 1MHz时， V
+
= 5 V
F = 1MHz时， V
NC / NO
= 0 V
F = 1 MHz的V
COM
= 0 V
兆赫，
V
+
= 12 V, V
IN
= 0或V +的
V
+
= 12 V R
L
= 300
W
V,
V
NO
= V
NC
= 8 V
C
L
= 35 pF的，V
IN
= 0 V, 12 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
-1
1
21
6
0.36
75
53
96
7.5
7.8
22
-1
mA
p
pF
dB
35
40
18
25
pC
ns
文档编号： 72311
S- 31643 -REV 。 A， 01 - 8 - 03
www.vishay.com
5
QQ：2880707522 复制
