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DS2762
高精度,Li +电池监视器,带报警
www.maxim-ic.com
概述
在DS2762高精度Li +电池监视器是一个
数据采集,信息存储和安全 -
保护装置专为成本敏感的电池
包的应用程序。这款低功耗器件集成
精确
温度,
电压,
当前
测量,非易失( NV )数据存储,以及Li +电池
保护到小尺寸的任一TSSOP
包或倒装芯片封装。该DS2762是一个关键
在应用中,包括剩余部分
容量估计,安全监视和电池 -
特定的数据存储。
§
特点
Li +的安全电路
过压保护
过电流/短路保护
欠压保护
主机免费获取累积电流或
温度超过用户可选的限制
0V电池恢复充电
有两种配置:
25mW的内部检测电阻器
外部用户可选检测电阻
电流测量
12位双向测量
内部检测电阻配置:
0.625毫安LSB和± 1.9A动态范围
外部检测电阻配置:
15.625mV LSB和± 64mV动态范围
目前累积:
内部检测电阻: 0.25mAhr LSB
外部检测电阻: 6.25mVhr LSB
电压测量分辨率4.88mV
温度测量采用集成
传感器,分辨率0.125°C
系统电源管理和控制
功能支持
32字节可锁定EEPROM
通用的SRAM 16字节
达拉斯的1-Wire接口,具有唯一的64位
设备地址
低功耗:
工作电流: 60毫安典型, 90毫安最大
休眠电流: 1毫安典型, 2毫安最大
§
§
§
销刀豆网络gurations
顶视图
CC
PLS
DC
SNS
SNS
SNS
DQ
IS2
1
2
3
2
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
IN
V
DD
PIO
V
SS
V
SS
V
SS
PS
IS1
§
§
§
§
§
§
§
§
TSSOP
1
2
3
SNS
PLS
DC
CC
V
IN
V
DD
SNS
探头
V
SS
探头
4
A
DQ
IS2
IS1
PS
B
C
D
E
F
§
应用
掌上电脑
手机/智能手机
数码相机
PIO
V
SS
FL IP芯片
(顶视图 - 在底部颠簸)
订购信息
部分
DS2762BE
温度范围
-20 ° C至+ 70°C
PIN- PACKAGE
16 TSSOP
1 -Wire是Dallas Semiconductor的注册商标。
选型指南在数据资料的最后,额外的
选项。
注意:
该器件的一些修订可能偏离称为勘误表公布的规格。任何器件的多个版本
可能同时获得通过不同的销售渠道。欲了解器件勘误表的信息,请点击这里:
www.maxim-ic.com/errata 。
1 25
REV : 111703
DS2762高精度,Li +电池监视器,带报警
绝对最大额定值
关于PLS电压范围和
CC
销,相对于V
SS
电压范围在PIO引脚,相对于V
SS
电压范围上的任何其他引脚,相对于V
SS
连续的内部检测电阻测量电流
脉冲内部检测电阻测量电流
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
-0.3V至+ 18V
-0.3V至+ 12V
-0.3V至+ 6V
±2.5A
±50A
对于<100μs /秒, <1000脉冲
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
见IPC / JEDEC J- STD- 020A规格
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,
并且该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件。
建议的直流工作条件
(2.5V
V
DD
5.5V ,T
A
= -20 ° C至+ 70°C )。
参数
电源电压
数据引脚
符号
V
DD
DQ
(注1 )
(注1 )
条件
2.5
-0.3
典型值
最大
5.5
+5.5
单位
V
V
DC电气特性
(2.5V
V
DD
5.5V ,T
A
= -20 ° C至+ 70°C )。
参数
工作电流
睡眠模式电流
输入逻辑高电平: DQ , PIO
输入逻辑高电平:
PS
输入逻辑低: DQ , PIO
输入逻辑低:
PS
输出逻辑高电平:
CC
输出逻辑高电平:
DC
输出逻辑低电平:
CC , DC
输出逻辑低电平: DQ , PIO
DQ下拉电流
输入电阻: V
IN
内部电流检测电阻
DQ低到睡眠时间
符号
I
活跃
I
睡觉
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
OH
V
OH
V
OL
V
OL
I
PD
R
IN
R
SNS
t
睡觉
+25°C
5
20
2.1
25
30
条件
DQ = V
DD
在正常操作
DQ = 0V ,没有活动,
PS
漂浮的
(注1 )
(注1 )
(注1 )
(注1 )
I
OH
= -0.1mA (注1 )
I
OH
= -0.1mA (注1 )
I
OL
= 0.1毫安(注1 )
I
OL
= 4毫安(注1 )
1
V
PLS
- 0.4V
V
DD
- 0.4V
0.4
0.4
1.5
V
DD
- 0.2V
0.4
0.2
典型值
60
1
最大
90
2
单位
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
MW
mW
s
2 25
DS2762高精度,Li +电池监视器,带报警
电气特性:保护CIRCUITRY
(2.5V
V
DD
5.5V ,T
A
= 0 °C到+ 50℃ )。
参数
过压检测
充电使能
欠压检测
过电流检测
过电流检测
短路检测
短路检测
过电压延时
欠电压延时
过流延时
短路延时
阈值测试
测试电流
恢复充电电流
符号
V
OV
V
CE
V
UV
I
OC
V
OC
I
SC
V
SC
t
OVD
t
UVD
t
强迫症
t
SCD
V
TP
I
TST
I
RC
(注5 )
条件
(注1,2 )
(注1 )
(注1 )
(注3)
(注1,4)
(注3)
(注1 )
4.325
4.250
4.10
2.5
1.8
45
5.0
150
0.8
90
5
160
0.5
10
0.5
典型值
4.350
4.275
4.15
2.6
1.9
47.5
8.0
200
1
100
10
200
1.0
20
1
最大
4.375
4.300
4.20
2.7
2.0
50
11
250
1.2
110
20
240
1.5
40
2
单位
V
V
V
A
mV
A
mV
s
ms
ms
ms
V
mA
mA
3 25
DS2762高精度,Li +电池监视器,带报警
电气特性:温度,电压,电流
(2.5V
V
DD
5.5V ,T
A
= -20 ° C至+ 50°C )。
参数
温度分辨率
温满量程幅度
温度误差
电压分辨率
电压满量程幅度
电压偏移误差
电压增益误差
目前的解决方法
符号
T
最低位
T
FS
T
ERR
V
最低位
V
FS
V
OERR
V
Gerr所说
I
最低位
(注3)
(注4 )
(注3,4)
(注8)
(注9 )
(注3 , 10 )
(注4 )
(注3)
(注4 )
0.25
6.25
1456
(注11 )
(注11 )
±1
±3
±6.5
1.9
0.625
15.625
2.56
64
1
3
1
(注7 )
4.75
1
5
(注6 )
4.88
127
±3
条件
典型值
0.125
最大
单位
°C
°C
°C
mV
V
最低位
%
mA
mV
A
mV
最低位
%
mAhr表示
μVhr
Hz
%
%
当前满量程幅度
当前的偏移误差
电流增益误差
I
FS
I
OERR
I
Gerr所说
累计电流分辨率
电流采样频率
内部时基精度
q
CA
f
SAMP
t
ERR1
t
ERR2
EEPROM可靠性规格
(2.5V
V
DD
5.5V ,T
A
= -20 ° C至+ 70°C )。
参数
复制到EEPROM时间
EEPROM复制耐力
符号
t
欧洲经济共同体
N
欧洲经济共同体
(注12 )
25,000
条件
典型值
2
最大
10
单位
ms
周期
4 25
DS2762高精度,Li +电池监视器,带报警
电气特性: 1 -Wire接口
(2.5V
V
DD
5.5V ,T
A
= -20 ° C至+ 70°C )。
参数
时隙
恢复时间
写0低电平时间
写1低电平时间
读取数据有效
复位时间高
复位时间低
设备检测高
设备检测低
SWAP定时脉冲宽度
SWAP定时脉冲下降沿到
DC
发布
SWAP定时脉冲上升沿
DC
从事
DQ电容
注1 :
注2 :
注3 :
注4 :
注5 :
注6 :
注7 :
注8 :
所有电压都参考V
SS
.
选择指南
节,以确定每个V中的相应部件编号
OV
值。
内部电流检测电阻配置。
外部电流检测电阻的配置。
试验条件PLS = 4.1V ,V
DD
= 2.5V 。对于PLS = 15V ,V条件下的最大电流
DD
= 0V为10mA 。
自热是由于输出引脚负载和感测电阻的功耗可以改变的环境条件下阅读。
电压偏移测量是相对于V
OV
在+ 25°C 。
当前寄存器支持使用内部检测电阻选项, 64mV与测量幅度高达2.56A
外部电阻选项。对工艺和温度变化的内部检测电阻值的补偿可以降低
报告的最大震级为1.9A 。
当前的偏移误差零至± 1LSB通常需要3.5秒在系统校准用户。
电流增益误差规范适用于增益误差的转换在IS1和IS2的电压差,并且不包括任何错误
后剩余的DS2762补偿3700ppm的内部检测电阻的温度系数/ ° C至精度
of
±500ppm/°C.
DS2762的不补偿外部检测电阻特性,而产生的任何误差项
使用外部感测电阻器的应计算总电流测量误差时予以考虑。
对于T典型值
ERR1
被指定为3.6V和+ 25°C ,最大值指定为0℃至+ 50℃。对于T最大值
ERR2
为特定网络版
为-20 ° C至+ 70°C 。
四年的数据保持在+ 70°C 。
在典型负载电容
DC
CC
为1000pF的。
符号
t
SLOT
t
REC
t
LOW0
t
LOW1
t
RDV
t
RSTH
t
RSTL
t
PDH
t
PDL
t
SWL
t
SWOFF
t
SWON
C
DQ
条件
60
1
60
1
典型值
最大
120
单位
ms
ms
120
15
15
ms
ms
ms
ms
480
480
15
60
0.2
(注13 )
(注13 )
0
0
960
60
240
120
1
1
60
ms
ms
ms
ms
ms
ms
pF
注9 :
注10 :
注11 :
注12 :
注13 :
5 25
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