DS26LV31T 3V增强型CMOS四路差分线路驱动器
1999年3月
DS26LV31T
3V增强型CMOS四路差分线路驱动器
概述
该DS26LV31T是一个高速四通道差分CMOS
驱动同时满足TIA / EIA- 422 -B的要求
和ITU -T V.11 。该CMOS DS26LV31T具有低静态
I
CC
100 μA（最大值） ，这使得它非常适合电池供电
和功率敏感型应用。
差分输出具有相同的V
OD
担保（ ≥2V ）为
5V的版本。
EN和EN *输入允许低电平有效或高电平有效CON-
三态的控制
输出。在使是共同的
所有四个驱动器。保护二极管保护所有的驱动器输入
防止静电放电。产出增加
静电放电保护提供大于7千伏的耐受性。该
驱动器和使能输入（DI ，EN EN *）的兼容
低电压LVTTL和LVCMOS设备。
特点
n
工业产品符合TIA / EIA- 422 -B （ RS - 422 ）和
ITU -T V.11建议
n
军工产品符合TIA / EIA- 422 -B （ RS - 422 ）
n
能够与现有的5V RS-422网络
n
工业和军用温度范围
n
保证V
OD
的2V分钟以上运行条件
n
平衡输出分频器的低EMI （典型的内
40毫伏的50 ％的电压电平）
n
低功耗设计（ 330 μW 3.3V静态）
n
ESD
≥
7千伏的电缆I / O引脚（ HBM ）
n
保证AC参数：
- 最大驱动倾斜： 2纳秒
- 最大转换时间： 10纳秒
n
引脚兼容的DS26C31
n
采用SOIC和Cerpack包装
n
标准微电路图纸（ SMD ） 5962-98584
接线图
双列直插式封装
真值表
使
EN
L
EN *
H
输入
DI
X
L
H
输出
DO +
Z
L
H
DO-
Z
H
L
所有其他
组合
使能输入
L =逻辑低状态
X =无关
H =高逻辑状态
Z = TRI -STATE
DS012642-1
顶视图
订单号DS26LV31TM或DS26LV31W
见NS包装数M16A或W16A
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
1999美国国家半导体公司
DS012642
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绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
-0.5V至+ 7V
使能输入电压（ EN ， EN * ）
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
驱动器的输入电压（ DI）的
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
±
20毫安
钳位二极管电流
±
150毫安
直流输出电流，每个引脚
驱动器输出电压
（关机： DO + DO- ）
-0.5V至+ 7V
最大封装功率Dissipaton + 25℃
男包
1226毫瓦
W包装
1119毫瓦
减免男包9.8毫瓦/ C以上+ 25°C
减免W包装7.5毫瓦/ C以上+ 25°C
存储温度范围
-65 ° C至+ 150°C
铅温度范围
焊接
（ 4秒）。
ESD额定值（ HBM ， 1.5 kΩ的， 100
pF的）
驱动器输出
其它引脚
+260C
≥7
kV
≥2.5
kV
推荐工作
条件
民
典型值
最大
3.0
3.3
3.6
电源电压（V
CC
)
工作自由空气的温度范围（T
A
)
DS26LV31T
40
+25
+85
DS26LV31W
55
+25
+125
输入上升和下降时间
500
单位
V
C
C
ns
电气特性
（注2） （注3）
在电源电压和工作温度范围，除非另有说明
符号
V
OD1
V
OD2
V
OD2
V
OD3
V
OC
V
OC
I
OZ
I
SC
参数
输出电压差
输出电压差
变化的幅度
输出电压差
输出电压差
共模电压
变化的幅度
共模电压
三态泄漏
当前
输出短路Currrent
V
OUT
= V
CC
或GND
驱动器被禁止
V
OUT
= 0V
V
IN
= V
CC
or
GND （注4 ）
T
A
= -40 ° C至
+85C
T
A
= -55 ° C至
+ 125°C （注
10)
T
A
= -40 ° C至
+85C
T
A
= -55 ° C至
+125C
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
CL
I
CC
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输入电流
低电平输入电流
输入钳位电压
电源电流
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
I
IN
= -18毫安
无负载，V
IN
（全部） = V
CC
or
GND
T
A
= -40 ° C至
+85C
T
A
= -55 ° C至
+125C
V
CC
DI ，
EN ，
EN *
10
1.5
100
125
2.0
GND
40
-30
70
150
-160
mA
mA
R
L
= 3900 (V.11)
图1
（注7 ）
R
L
= 100Ω （图
1)
400
3.2
1.5
6
3.6
2
400
V
V
mV
A
条件
R
L
=
∞
（无负载）
R
L
= 100Ω （图
1)
I
O
≥
20毫安
针
DO + ，
DO-
2
400
民
典型值
3.3
2.6
7
400
最大
4
单位
V
V
mV
±
0.5
±
20
I
关闭
输出漏电流
V
CC
= 0V, V
OUT
= 3V或6V
V
CC
= 0V, V
OUT
= 0.25V
0.03
0.08
100
100
-200
V
CC
0.8
10
A
A
A
V
V
A
A
V
A
A
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2
开关特性 - 工业
（注5 ） （注6 ）
在电源电压和-40 ° C至+ 85 ° C的工作温度范围内，除非另有说明
符号
t
PHLD
t
PLHD
t
SKD
t
SK1
t
SK2
t
TLH
t
THL
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
f
最大
前高后低
差分传输延迟
从低到高
差分偏移（同
通道） |吨
PHLD
t
PLHD
|
偏斜，引脚对引脚
（同一设备）
歪斜，各部分之间（注8 ）
差分转换时间
低到高（20 ％至80％ ）
差分转换时间
高到低（80％ 20％）
禁止时间高到Z
禁止时间低到Z
启用时间Z到高
启用时间Z到低
最大工作
频率（注9 ）
32
（图
4, 5)
12
9
22
22
20
20
32
32
ns
ns
ns
ns
兆赫
4.7
10
ns
3.0
4.2
5.0
10
ns
ns
1.0
2.0
ns
0.5
2.0
ns
参数
差分传输延迟
条件
R
L
= 100, C
L
= 50 pF的
（图
2, 3)
6
11
16
ns
民
6
典型值
10.5
最大
16
单位
ns
开关特性 - 军事
（注5 ） （注6 ）
在电源电压和-55°C至+ 125 ° C的工作温度范围内，除非另有说明
符号
t
PHLD
t
PLHD
t
SKD
t
SK1
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
前高后低
差分传输延迟
从低到高
差分偏移（同
通道） |吨
PHLD
t
PLHD
|
偏斜，引脚对引脚
（同一设备）
禁止时间高到Z
禁止时间低到Z
启用时间Z到高
启用时间Z到低
（图
4, 5)
35
35
40
40
ns
ns
ns
ns
5.0
ns
5.0
ns
参数
差分传输延迟
条件
R
L
= 100, C
L
= 50 pF的
（图
2, 3)
5
25
ns
民
5
最大
25
单位
ns
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。所有电压以地为参考，除非差分电压
年龄V
OD1
, V
OD2
, V
OD3
.
注3 ：
所有标准被定为V
CC
= + 3.3V ，T
A
= +25C.
注4 ：
只有一个输出短路的时间。输出（ true或补充），配置高。
注5 ：
F = 1 MHz时，T
r
和T
f
≤
6纳秒，10％至90％。
注6 ：
见TIA / EIA- 422 -B规格完全相同的测试条件。
注7 ：
本规范的限制是符合TIA / EIA- 422 -B和ITU -T V.11 。
注8 ：
设备处于相同的V
CC
并在5 ℃的工作温度范围内
注9 ：
所有信道的切换，输出占空比的标准是在50％的测量的40％/ 60％。此参数是通过设计和特性保证。
注10 ：
此参数不符合TIA / EIA- 422 -B的说明书。
3
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参数测量信息
DS012642-2
图1.差分驱动器DC测试电路
DS012642-3
图2.差分驱动器传播延迟和转换时间测试电路
DS012642-4
图3.差分驱动器传播延迟和过渡时间波形
注11 ：
除非另有说明，所有的测试波形发生器：F = 1 MHz时，占空比= 50 ％Z
o
= 50, t
r
≤
10纳秒，T
f
≤
10.
注12 ：
C
L
包括探头和夹具电容。
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4
QQ：2880707522 复制
