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DS26F31MQML四路高速差分线路驱动器
2006年3月
DS26F31MQML
四路高速差分线路驱动器
概述
该DS26F31M是一款四差分线路驱动器设计
数字数据传输的平衡线。该
DS26F31M符合EIA标准RS-的所有要求
422和联邦标准1020它被设计用来提供
单极性差分驱动双绞线或平行线
传输线。
该DS26F31M提供了改进的性能,由于使用
的国家的最先进的L- FAST双极技术。 L型快速
技术允许更高的速度和较低的电流
利用极短的门延迟时间。因此,该
DS26F31M拥有更低的功耗,宽温
范围,并提高了规格。
该电路提供了启用和禁用功能的常见
所有四个驱动器。该DS26F31M功能TRI -STATE
输出和逻辑或操作互补的使能输入。
输入是所有LS兼容,都是一个单位负载。
该DS26F31M提供最佳性能,使用时
与DS26F32四路差动线路接收器。
特点
n
n
n
n
n
从+ 5.0V单电源工作
输出时不会V负载线
CC
= 0V
输出短路保护
符合EIA标准RS - 422的要求
为100Ω高输出驱动能力终止
输电线路
订购信息
NS型号
DS26F31ME/883
DS26F31MJ/883
DS26F31MW/883
DS26F31MWG/883
DS26F31MJ-QMLV
DS26F31MJFQMLV
DS26F31MW-QMLV
DS26F31MWFQMLV
DS26F31MWGFQMLV
SMD零件编号
5962–7802302M2A
5962–7802302MEA
5962–7802302MFA
5962–7802302MZA
5962–7802302VEA
5962F7802302VEA
300K RD (SI )
5962–7802302VFA
5962F7802302VFA
300K RD (SI )
5962F7802302VZA
300K RD (SI )
NS包装数
E20A
J16A
W16A
WG16A
J16A
J16A
W16A
W16A
WG16A
包装说明
20LD无引线芯片载体
16LD陶瓷DIP
16LD陶瓷扁平
16LD陶瓷SOIC
16LD陶瓷DIP
16LD陶瓷DIP
16LD陶瓷扁平
16LD陶瓷扁平
16LD陶瓷SOIC
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
2006美国国家半导体公司
DS201632
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DS26F31MQML
连接和逻辑图
16引脚陶瓷DIP图为
20引脚陶瓷无引线芯片载体( E)
20163207
见NS包装数E20A
20163201
顶视图
见NS包装数J16A , W16A ,或WG16A
20163202
图1.逻辑符号
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2
DS26F31MQML
绝对最大额定值
(注1 )
存储温度范围
引线温度(焊接, 60秒)
电源电压
输入电压
输出电压
在25°C最大功率耗散(注3 )
热阻
θ
JA
陶瓷DIP ,减免上述+ 25℃
@
11.4mW/C
陶瓷扁平,减免上述+ 25℃
@
6.6毫瓦/°C的
无引线芯片载体,减免上述+ 25℃
@
12.3毫瓦/ C
θ
JC
陶瓷DIP
陶瓷扁平
无引线芯片载体
14C/mW
13C/mW
15C/mW
88C/mW
151C/mW
81C/mW
65C
T
A
+175C
300C
7.0V
7.0V
5.5V
450mW
推荐工作范围
温度
电源电压
55C
T
A
+125C
4.5V至5.5V
辐射功能
DS26F31MJFQMLV
DS26F31MWFQMLV
DS26F31MWGFQMLV
300 Krads (SI )
300 Krads (SI )
300 Krads (SI )
质量一致性检验
MIL -STD -883方法5005 - A组
小组
1
2
3
4
5
6
7
8A
8B
9
10
11
12
13
14
描述
在静态测试
在静态测试
在静态测试
在动态测试
在动态测试
在动态测试
在功能测试
在功能测试
在功能测试
开关在试验
开关在试验
开关在试验
稳定时间
稳定时间
稳定时间
温度°C
25
125
-55
25
125
-55
25
125
-55
25
125
-55
25
125
-55
3
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DS26F31MQML
DS26F31M电气特性
DC参数
(注8)
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IH
I
IL
I
I
I
OZ
V
I
I
SC MIN
I
SC最大
I
CC DIS
I
CC EN
参数
逻辑"1"输入电压
逻辑"0"输入电压
逻辑"1"输出电压
逻辑"0"输出电压
逻辑"1"输入电流
逻辑"0"输入电流
输入反向电流
三态输出电流
输入钳位电压
输出短路电流
输出短路电流
电源电流
电源电流
条件
V
CC
= 4.5V
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 4.5V ,我
OH
= -20mA ,
V
IL
= 0.8V, V
IH
= 2V
V
CC
= 4.5V ,我
OL
= 20mA时,
V
IL
= 0.8V, V
IH
= 2V
V
CC
= 5.5V, V
I
= 2.7V
V
CC
= 5.5V, V
I
= 0.4V
V
CC
= 5.5V, V
I
= 7V
V
CC
= 5.5V, V
O
= 0.5V
V
CC
= 5.5V, V
O
= 2.5V
V
CC
= 4.5V ,我
I
= -18mA
V
CC
= 5.5V, V
O
= 0V
V
CC
= 5.5V, V
O
= 0V
V
CC
= 5.5V, V
I
= 0.8V和2V ,
VEN = 0.8V , VEN = 2V
V
CC
= 5.5V , VEN = 2V ,
VEN = 0.8V
-30
-150
50
40
(注7 )
(注7 )
(注7 )
-2.0
100
-0.01
笔记
(注4 )
(注4 )
2.5
0.5
20
-200
0.1
-20
20
-1.5
2.0
0.8
最大
单位
V
V
V
V
A
A
mA
A
A
V
mA
mA
mA
mA
SUB -
群体
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
AC参数 - 传播延迟时间
以下条件适用,除非另有规定。
交流:
符号
t
PLH
V
CC
= 5V ,C
L
= 50pF的或二极管负载提供等效阻抗
参数
输入到输出
C
L
= 30pF的
t
PHL
输入到输出
C
L
= 30pF的
t
LZ
禁止时间
C
L
= 10 pF的
t
HZ
禁止时间
C
L
= 10 pF的
t
ZL
启用时间
C
L
= 30pF的
条件
笔记
(注5 )
(注5 )
(注6 )
(注6 )
(注5 )
(注5 )
(注6 )
(注6 )
(注5 )
(注5 )
(注6 )
(注6 )
(注5 )
(注5 )
(注6 )
(注6 )
(注5 )
(注5 )
(注6 )
(注6 )
最大
16
24
15
23
17
25
15
23
38
56
35
53
23
30
20
27
28
40
25
37
单位
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
SUB -
群体
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
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4
DS26F31MQML
DS26F31M电气特性
以下条件适用,除非另有规定。
交流:
符号
t
ZH
(续)
(续)
AC参数 - 传播延迟时间
V
CC
= 5V ,C
L
= 50pF的或二极管负载提供等效阻抗
参数
启用时间
C
L
= 30 pF的
条件
笔记
(注5 )
(注5 )
(注6 )
(注6 )
(注5 )
(注5 )
C
L
= 30pF的
(注6 )
(注6 )
最大
32
52
30
50
6.0
9.0
4.5
7.0
单位
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
SUB -
群体
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
SKEW
输出到输出
DC漂移参数
本节仅适用于-QMLV装置,并应读&记录在T
A
= + 25°C在每次老化&子后
组B5 ,不得超过指定的范围发生变化。三角洲不合格品应包含在PDA计算。
符号
V
OH
V
OL
I
CC EN
I
CC DIS
参数
逻辑"1"输出电压
逻辑"0"输出电压
电源电流
电源电流
条件
V
CC
= 4.5V ,我
OH
= -20mA ,
V
IL
= 0.8V, V
IH
= 2V.
V
CC
= 4.5V ,我
OL
= 20mA时,
V
IL
= 0.8V, V
IH
= 2V.
V
CC
= 5.5V, V
I
= 0.8V和2V ,
VEN = 2V , VEN = 0.8V 。
V
CC
= 5.5V, V
I
= 0.8V和2V ,
VEN = 0.8V , VEN = 2V 。
笔记
-250
-50
-8.0
-8.0
最大
250
50
8.0
8.0
单位
mV
mV
mA
mA
SUB -
群体
1
1
1
1
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件,该设备是
功能,但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境,请参阅电气特性。保证
规格仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低,当设备没有下所列出的测试操作
条件。
注2 :
所有电流进入器件引脚为正;所有流出来的器件引脚为负。所有电压以地为参考,除非另有
指定的。
注3 :
功耗必须由外部控制在升高的温度下。
注4 :
参数测试复不走而已。
注5 :
测试条件: 50pF的,系统容量超过10和30pF的。
注6 :
在检测50pF的保证,在10和30pF的限制。
注7 :
最低限度适用于设备类Q &五为输入低电平电流规定的限值代表的数值范围中,此参数
将成为过去。
注8 :
前置和后置的照射范围是相同的交流和直流电气特性列出的,除非在后的辐射限制表中列出 -
(如果适用) 。对于所提到的参数辐射终点限制,仅在该条件保证的,作为指定。
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DS26F31MWFQMLV
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
DS26F31MWFQMLV
HYNIX
24+
18650
TSOP
原装新到货,公司现货
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
DS26F31MWFQMLV
TI
1412
171
CFP16
只做原装实单申请
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电话:0755-83240490 82781578 83997461 82568894
联系人:李
地址:福田区中航路都会B座26楼26U室
DS26F31MWFQMLV
TI
2021+
15286
NA
主营TI,ST,欢迎来电洽谈
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电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
DS26F31MWFQMLV
TI/德州仪器
24+
22000
CFP-16
自家的现货库存,只原装现正品!
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
DS26F31MWFQMLV
TI
21+
171
CFP16
全新原装正品/质量有保证
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电话:13410941925
联系人:李先生【原装正品,可开发票】
地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
DS26F31MWFQMLV
TI/德州仪器
24+
42
CFP16
原装正品现货,可开增值税专用发票
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电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
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TI
24+
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CFP16
全新原装正品现货
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DS26F31MWFQMLV
HYNIX
24+
14600
TSOP
只做全新原装正品现货
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联系人:廖先生
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TI
24+
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100%原装正品,只做原装正品
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电话:13480301972
联系人:陈先生
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