DS26F31MQML四路高速差分线路驱动器
2006年3月
DS26F31MQML
四路高速差分线路驱动器
概述
该DS26F31M是一款四差分线路驱动器设计
数字数据传输的平衡线。该
DS26F31M符合EIA标准RS-的所有要求
422和联邦标准1020它被设计用来提供
单极性差分驱动双绞线或平行线
传输线。
该DS26F31M提供了改进的性能,由于使用
的国家的最先进的L- FAST双极技术。 L型快速
技术允许更高的速度和较低的电流
利用极短的门延迟时间。因此,该
DS26F31M拥有更低的功耗,宽温
范围,并提高了规格。
该电路提供了启用和禁用功能的常见
所有四个驱动器。该DS26F31M功能TRI -STATE
输出和逻辑或操作互补的使能输入。
输入是所有LS兼容,都是一个单位负载。
该DS26F31M提供最佳性能,使用时
与DS26F32四路差动线路接收器。
特点
n
n
n
n
n
从+ 5.0V单电源工作
输出时不会V负载线
CC
= 0V
输出短路保护
符合EIA标准RS - 422的要求
为100Ω高输出驱动能力终止
输电线路
订购信息
NS型号
DS26F31ME/883
DS26F31MJ/883
DS26F31MW/883
DS26F31MWG/883
DS26F31MJ-QMLV
DS26F31MJFQMLV
DS26F31MW-QMLV
DS26F31MWFQMLV
DS26F31MWGFQMLV
SMD零件编号
5962–7802302M2A
5962–7802302MEA
5962–7802302MFA
5962–7802302MZA
5962–7802302VEA
5962F7802302VEA
300K RD (SI )
5962–7802302VFA
5962F7802302VFA
300K RD (SI )
5962F7802302VZA
300K RD (SI )
NS包装数
E20A
J16A
W16A
WG16A
J16A
J16A
W16A
W16A
WG16A
包装说明
20LD无引线芯片载体
16LD陶瓷DIP
16LD陶瓷扁平
16LD陶瓷SOIC
16LD陶瓷DIP
16LD陶瓷DIP
16LD陶瓷扁平
16LD陶瓷扁平
16LD陶瓷SOIC
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
2006美国国家半导体公司
DS201632
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DS26F31MQML
连接和逻辑图
16引脚陶瓷DIP图为
20引脚陶瓷无引线芯片载体( E)
20163207
见NS包装数E20A
20163201
顶视图
见NS包装数J16A , W16A ,或WG16A
20163202
图1.逻辑符号
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DS26F31MQML
DS26F31M电气特性
以下条件适用,除非另有规定。
交流:
符号
t
ZH
(续)
(续)
AC参数 - 传播延迟时间
V
CC
= 5V ,C
L
= 50pF的或二极管负载提供等效阻抗
参数
启用时间
C
L
= 30 pF的
条件
笔记
(注5 )
(注5 )
(注6 )
(注6 )
(注5 )
(注5 )
C
L
= 30pF的
(注6 )
(注6 )
民
最大
32
52
30
50
6.0
9.0
4.5
7.0
单位
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
SUB -
群体
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
SKEW
输出到输出
DC漂移参数
本节仅适用于-QMLV装置,并应读&记录在T
A
= + 25°C在每次老化&子后
组B5 ,不得超过指定的范围发生变化。三角洲不合格品应包含在PDA计算。
符号
V
OH
V
OL
I
CC EN
I
CC DIS
参数
逻辑"1"输出电压
逻辑"0"输出电压
电源电流
电源电流
条件
V
CC
= 4.5V ,我
OH
= -20mA ,
V
IL
= 0.8V, V
IH
= 2V.
V
CC
= 4.5V ,我
OL
= 20mA时,
V
IL
= 0.8V, V
IH
= 2V.
V
CC
= 5.5V, V
I
= 0.8V和2V ,
VEN = 2V , VEN = 0.8V 。
V
CC
= 5.5V, V
I
= 0.8V和2V ,
VEN = 0.8V , VEN = 2V 。
笔记
民
-250
-50
-8.0
-8.0
最大
250
50
8.0
8.0
单位
mV
mV
mA
mA
SUB -
群体
1
1
1
1
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件,该设备是
功能,但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境,请参阅电气特性。保证
规格仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低,当设备没有下所列出的测试操作
条件。
注2 :
所有电流进入器件引脚为正;所有流出来的器件引脚为负。所有电压以地为参考,除非另有
指定的。
注3 :
功耗必须由外部控制在升高的温度下。
注4 :
参数测试复不走而已。
注5 :
测试条件: 50pF的,系统容量超过10和30pF的。
注6 :
在检测50pF的保证,在10和30pF的限制。
注7 :
最低限度适用于设备类Q &五为输入低电平电流规定的限值代表的数值范围中,此参数
将成为过去。
注8 :
前置和后置的照射范围是相同的交流和直流电气特性列出的,除非在后的辐射限制表中列出 -
(如果适用) 。对于所提到的参数辐射终点限制,仅在该条件保证的,作为指定。
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