DS26C32AT / DS26C32AM四路差动线路接收器
1998年6月
DS26C32AT/DS26C32AM
四路差动线路接收器
概述
该DS26C32A是一个四通道差分线接收器设计
到符合RS -422，RS -423 ，和美国联邦标准1020
和1030的平衡和不平衡的数字数据发送
锡永，同时保留CMOS的低功耗特性。
该DS26C32A为200毫伏以上所述的输入灵敏度
的共模输入电压范围
±
7V 。该DS26C32A
具有内部上拉和下拉电阻其中预
发泄对未使用的通道输出振荡。
该DS26C32A提供了启用和禁用功能
共同所有四个接收器，并具有三态
与6毫安供应和吸收能力的输出。本产品是
引脚与DS26LS32A和AM26LS32兼容。
特点
n
CMOS低功耗设计。
n
±
在输入共模电压0.2V灵敏度
范围
n
典型传播延迟： 19纳秒
n
典型的输入迟滞： 60 mV的
n
输入时不会V负载线
CC
= 0V
n
符合EIA标准RS - 422的要求
n
三态输出，用于连接到系统总线
n
可在表面贴装
n
MIL-STD- 883C标准
逻辑图
00876401
连接图
双列直插式封装
20引脚陶瓷无引线芯片载体
00876412
00876402
顶视图
订单号DS26C32ATM或DS26C32ATN
见NS包装M16A或N16E
有关完整的军用产品规格，
请参考相应的SMD或MDS 。
订单号DS26C32AME / 883 ， DS26C32AMJ / 883或
DS26C32AMW/883
见NS包装E20A ， J16A或W16A
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
2004美国国家半导体公司
DS008764
www.national.com
DS26C32AT/DS26C32AM
AC电气特性
V
CC
= 5V
±
10％ （注3）
符号
t
上升
,
t
秋天
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
参数
输出上升和
下降时间
传播延迟
使能到输出
传播延迟
使能到输出
（续）
民
典型值
DS26C32AT
最大
DS26C32AM
9
ns
单位
条件
C
L
= 50 pF的
V
差异
= 2.5V
V
CM
= 0V
C
L
= 50 pF的
R
L
= 1000
V
差异
= 2.5V
C
L
= 50 pF的
R
L
= 1000
V
差异
= 2.5V
4
9
13
22
29
ns
13
23
29
ns
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表提供了实际设备运行状况。
注2 ：
除非另有说明，所有电压都以地为参考。
注3 ：
除非另有说明，最小/最大限额适用于推荐工作条件。所有标准被定为V
CC
= 5V和T
A
= 25C.
注4 ：
ESD额定值： HBM （ 1.5 kΩ的， 100 pF的）
输入
≥2000V
所有其他引脚
≥1000V
EIAJ （ 0Ω ， 200 pF的）
≥350V
注5 ：
额定功率适用于环境温度在25℃。高于此温度降额N包装13.16毫瓦/ C ，J包15.38毫瓦/ C，M包9.52毫瓦/ C ，
E封装12.04毫瓦/ C和W包6.94毫瓦/ C 。
对照表的开关特性为“ LS型”负载
（图
4, 5, 6)
（注6 ）
符号
t
PLH
t
PHL
t
LZ
t
HZ
t
ZL
t
ZH
使能到输出
C
L
= 15 pF的
使能到输出
C
L
= 5 pF的
参数
输入到输出
条件
C
L
= 15 pF的
DS26C32A
典型值
17
19
13
12
13
13
DS26LS32A
典型值
23
23
15
20
14
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注6 ：
仅用于提供比较的目的该表格。在此表中为DS26C32A的值反映了器件的性能，但没有测试
或保证。
测试和开关波形
00876403
图1.传播延迟
3
www.national.com
DS26C32AT / DS26C32AM四路差动线路接收器
1998年6月
DS26C32AT/DS26C32AM
四路差动线路接收器
概述
该DS26C32A是一个四通道差分线接收器设计
到符合RS -422，RS -423 ，和美国联邦标准1020
和1030的平衡和不平衡的数字数据发送
锡永，同时保留CMOS的低功耗特性。
该DS26C32A为200毫伏以上所述的输入灵敏度
的共模输入电压范围
±
7V 。该DS26C32A
具有内部上拉和下拉电阻其中预
发泄对未使用的通道输出振荡。
该DS26C32A提供了启用和禁用功能
共同所有四个接收器，并具有三态
与6毫安供应和吸收能力的输出。本产品是
引脚与DS26LS32A和AM26LS32兼容。
特点
n
CMOS低功耗设计。
n
±
在输入共模电压0.2V灵敏度
范围
n
典型传播延迟： 19纳秒
n
典型的输入迟滞： 60 mV的
n
输入时不会V负载线
CC
= 0V
n
符合EIA标准RS - 422的要求
n
三态输出，用于连接到系统总线
n
可在表面贴装
n
MIL-STD- 883C标准
逻辑图
00876401
连接图
双列直插式封装
20引脚陶瓷无引线芯片载体
00876412
00876402
顶视图
订单号DS26C32ATM或DS26C32ATN
见NS包装M16A或N16E
有关完整的军用产品规格，
请参考相应的SMD或MDS 。
订单号DS26C32AME / 883 ， DS26C32AMJ / 883或
DS26C32AMW/883
见NS包装E20A ， J16A或W16A
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
2004美国国家半导体公司
DS008764
www.national.com
DS26C32AT/DS26C32AM
AC电气特性
V
CC
= 5V
±
10％ （注3）
符号
t
上升
,
t
秋天
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
参数
输出上升和
下降时间
传播延迟
使能到输出
传播延迟
使能到输出
（续）
民
典型值
DS26C32AT
最大
DS26C32AM
9
ns
单位
条件
C
L
= 50 pF的
V
差异
= 2.5V
V
CM
= 0V
C
L
= 50 pF的
R
L
= 1000
V
差异
= 2.5V
C
L
= 50 pF的
R
L
= 1000
V
差异
= 2.5V
4
9
13
22
29
ns
13
23
29
ns
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表提供了实际设备运行状况。
注2 ：
除非另有说明，所有电压都以地为参考。
注3 ：
除非另有说明，最小/最大限额适用于推荐工作条件。所有标准被定为V
CC
= 5V和T
A
= 25C.
注4 ：
ESD额定值： HBM （ 1.5 kΩ的， 100 pF的）
输入
≥2000V
所有其他引脚
≥1000V
EIAJ （ 0Ω ， 200 pF的）
≥350V
注5 ：
额定功率适用于环境温度在25℃。高于此温度降额N包装13.16毫瓦/ C ，J包15.38毫瓦/ C，M包9.52毫瓦/ C ，
E封装12.04毫瓦/ C和W包6.94毫瓦/ C 。
对照表的开关特性为“ LS型”负载
（图
4, 5, 6)
（注6 ）
符号
t
PLH
t
PHL
t
LZ
t
HZ
t
ZL
t
ZH
使能到输出
C
L
= 15 pF的
使能到输出
C
L
= 5 pF的
参数
输入到输出
条件
C
L
= 15 pF的
DS26C32A
典型值
17
19
13
12
13
13
DS26LS32A
典型值
23
23
15
20
14
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注6 ：
仅用于提供比较的目的该表格。在此表中为DS26C32A的值反映了器件的性能，但没有测试
或保证。
测试和开关波形
00876403
图1.传播延迟
3
www.national.com
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