DS26C31T / DS26C31M CMOS四路三态差分线路驱动器
1998年6月
DS26C31T/DS26C31M
CMOS四路三态
差分线路驱动器
概述
该DS26C31是一款四差分线路驱动器设计
数字数据传输的平衡线。该
DS26C31T符合EIA标准的所有要求
RS-422 ，同时保持低功耗的特点
CMOS 。该DS26C31M是符合EIA标准兼容
RS-422 ;然而，在测试方法中唯一的例外是
取（注8） 。这使得串行的结构和
同时保持最小的功率变终端接口
消费。
该DS26C31接受TTL或CMOS输入电平，传输
鲈这些为RS - 422输出电平。这部分采用特殊的
输出电路，使司机在关闭电源与 -
出装下巴士。该器件具有使能和解散
共同所有四位车手能够电路。该DS26C31是针
兼容的AM26LS31和DS26LS31 。
所有的输入免受损害，由于静电
通过二极管V排放
CC
和地面。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
TTL输入兼容
典型传播延迟： 6纳秒
典型的输出偏斜： 0.5纳秒
输出时不会V负载线
CC
= 0V
DS26C31T符合EIA标准的要求
RS-422
操作从单5V电源
三态输出，用于连接到系统总线
低静态电流
可在表面贴装
MIL-STD- 883C标准
连接图
双列直插式封装
20引脚陶瓷无引线芯片载体（ E）
DS008574-1
顶视图
订单号DS26C31TM或DS26C31TN
见NS包装数M16A或N16E
有关完整的军用产品规格，
请参考相应的SMD或MDS 。
订单号DS26C31ME / 883 ， DS26C31MJ / 883
或DS26C31MW / 883
见NS包装数E20A ， J16A或W16A
DS008574-12
真值表
启用启用
L
所有其他
组合
使能输入
L =逻辑低状态
X =无关
H =高逻辑状态
Z =三态（高阻）
输入
X
L
H
非反相
产量
Z
L
H
反相
产量
Z
H
L
H
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
FACT
是美国国家半导体公司的商标。
1998美国国家半导体公司
DS008574
www.national.com
绝对最大额定值
（注1,2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
, I
OK
)
直流输出电流，每个引脚（I
OUT
)
DC V
CC
或接地电流，
每个引脚（I
CC
)
存储温度范围（T
英镑
)
-0.5V至7.0V
-1.5V到V
CC
+1.5V
-0.5V至7V
±
20毫安
±
150毫安
马克斯。功耗（P
D
)
@
25 ° C（注3 ）
陶瓷“J” PKG 。
2419毫瓦
塑料“N” PKG 。
1736毫瓦
SOIC “M” PKG 。
1226毫瓦
陶瓷“W” PKG 。
1182毫瓦
陶瓷“E” PKG 。
2134毫瓦
引线温度（T
L
)
（焊接， 4秒）
260C
此设备不符合2000V的ESD额定值。 （注13 ）
±
150毫安
-65 ° C至+ 150°C
工作条件
电源电压（V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
, V
OUT
)
工作温度范围（T
A
)
DS26C31T
DS26C31M
输入信号上升和下降时间（T
r
, t
f
)
民
4.50
0
40
55
最大
5.50
V
CC
+85
+125
500
单位
V
V
C
C
ns
DC电气特性
V
CC
= 5V
±
10％ （除非另有规定） （注4）
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
T
|V
T
| |V
T
|
V
OS
|V
OS
V
OS
|
I
IN
I
CC
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出
电压
迪FF erential输出
电压
差异
迪FF erential输出
共模
输出电压
差异
共模输出
输入电流
静态电源
电流（注6 ）
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
I
OUT
= -20毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
I
OUT
= 20毫安
R
L
= 100
（注5 ）
R
L
= 100
（注5 ）
R
L
= 100
（注5 ）
R
L
= 100
（注5 ）
V
IN
= V
CC
， GND ，V
IH
或V
IL
DS26C31T
V
IN
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0 A
V
IN
= 2.4V或0.5V
DS26C31M
I
OUT
= 0 A
I
OZ
三态输出
漏电流
I
SC
输出短路
短路电流
（注6 ）
V
IN
= V
CC
或GND
V
IN
= 2.4V或0.5V
（注6 ）
V
OUT
= V
CC
或GND
ENABLE - V
IL
ENABLE - V
IH
V
IN
= V
CC
或GND
（注5,7）
30
1.8
2.0
2.5
3.4
0.3
3.1
0.4
3.0
0.4
0.5
条件
民
2.0
0.8
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
A
mA
±
1.0
200
0.8
200
0.8
500
2.0
500
2.1
±
0.5
±
5.0
150
A
mA
www.national.com
2
DC电气特性
符号
I
关闭
参数
输出漏电流
关机（注5 ）
（续）
V
CC
= 5V
±
10％ （除非另有规定） （注4）
DS26C31T
V
CC
= 0V
DS26C31M
V
CC
= 0V
条件
V
OUT
= 6V
V
OUT
= 0.25V
V
OUT
= 6V
V
OUT
= 0V
（注8）
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中提供了实际设备运行状况。
注2 ：
除非另有说明，所有电压都以地为参考。所有电流为器件引脚是积极的，所有电流超出器件引脚为负。
注3 ：
额定功率适用于环境温度在25℃。高于此温度降额N包装，以13.89毫瓦/ C ，J包16.13毫瓦/ C，M包9.80毫瓦/ C ，
E封装12.20毫瓦/ C和W包6.75毫瓦/ C 。
注4 ：
除非另有说明，最小/最大限制适用于整个推荐的工作温度范围。所有标准被定为V
CC
= 5V和T
A
= 25C.
注5 ：
见EIA规格RS-422进行精确的测试条件。
注6 ：
每个输入端测得。所有其他输入在V
CC
或GND 。
注7 ：
这是当一个高输出短路到接地源的电流。只有一个输出在时间应短。
注8 ：
该DS26C31M （ -55 ° C至+ 125°C ）与V测试
OUT
+ 6V和0V之间，而RS - 422A条件为+ 6V和-0.25V 。
民
典型值
最大
100
100
100
100
单位
A
A
A
A
开关特性
V
CC
= 5V
±
10%, t
r
≤
6纳秒，T
f
≤
6纳秒（图
1, 2, 3, 4)
（注4 ）
符号
t
PLH
, t
PHL
SKEW
t
TLH
, t
THL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
C
PD
C
IN
参数
传播延迟
输入到输出
（注9 ）
差分输出上升
和下降时间
输出使能时间
输出使能时间
输出禁止时间
（注10 ）
输出禁止时间
（注10 ）
功耗
电容（注11 ）
输入电容
6
pF
注9 ：
偏斜定义为在50％的点的互补输出之间的传播延迟之差。
注10 ：
输出禁止时间是从ENABLE或ENABLE被切换到输出晶体管的关断延迟。实际的禁用时间是小于IN-
由于由负载的RC时间常数增加了延迟示。
注11 ：
C
PD
确定无负载的动态功耗，磷
D
= C
PD
V
CC
2 F + I
CC
V
CC
和无负荷的动态电流消耗，余
S
= C
PD
V
CC
f +
I
CC
.
条件
S1开放
S1开放
S1开放
S1闭合
S1闭合
S1闭合
S1闭合
民
2
典型值
DS26C31T
6
0.5
6
11
13
5
7
50
11
2.0
10
19
21
9
11
最大
CS26C31M
14
3.0
14
22
28
12
14
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
对照表的开关特性为“ LS型”负载
V
CC
= 5V ，T
A
= 25 ° C，T
r
≤
6纳秒，T
f
≤
6纳秒（图
2, 4, 5, 6)
（注12 ）
符号
t
PLH
, t
PHL
参数
传播延迟
输入到输出
SKEW
（注9 ）
条件
C
L
= 30 pF的
S1闭合
S2闭合
C
L
= 30 pF的
S1闭合
S2闭合
0.5
1.0
2.0
6.0
ns
6
8
10
15
ns
DS26C31T
典型值
最大
DS26LS31C
典型值
最大
单位
3
www.national.com
对照表的开关特性为“ LS型”负载
（续）
V
CC
= 5V ，T
A
= 25 ° C，T
r
≤
6纳秒，T
f
≤
6纳秒（图
2, 4, 5, 6)
（注12 ）
符号
t
THL
, t
TLH
参数
差分输出上升
和下降时间
t
PLZ
输出禁止时间
（注10 ）
t
PHZ
输出禁止时间
（注10 ）
t
PZL
输出使能时间
条件
C
L
= 30 pF的
S1闭合
S2闭合
C
L
= 10 pF的
S1闭合
S2开
C
L
= 10 pF的
S1开放
S2闭合
C
L
= 30 pF的
S1闭合
t
PZH
输出使能时间
S2开
C
L
= 30 pF的
S1开放
S2闭合
注12 ：
仅用于提供比较的目的该表格。在此表中为DS26C31的值反映了器件的性能，未经过测试或
保证。
注13 ：
ESD额定值：
HBM （ 1.5 kΩ的， 100 pF的）
输入
≥
1500V
输出
≥
1000V
EIAJ （ 0Ω ， 200 pF的）
≥
350V
DS26C31T
典型值
4
最大
6
DS26LS31C
典型值
最大
单位
ns
6
9
15
35
ns
4
7
15
25
ns
14
20
20
30
ns
11
17
20
30
ns
逻辑图
DS008574-2
AC测试电路和开关时间波形
DS008574-3
注意：
C1 = C2 = C3 = 40 pF的（包括探针和夹具电容） ，R 1 = R 2 = 50Ω ，R3 = 500Ω 。
图1. AC测试电路
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4
DS26C31M ， DS26C31T
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SNLS375B - 1998年6月 - 修订2013年4月
DS26C31T / DS26C31M CMOS四路三态
差分线路驱动器
检查样品：
DS26C31M ， DS26C31T
1
特点
TTL输入兼容
典型传播延迟： 6纳秒
典型的输出偏斜： 0.5纳秒
输出时不会V负载线
CC
= 0V
DS26C31T符合环评要求
标准的RS- 422
操作从单5V电源
三态输出，用于连接系统
巴士
低静态电流
可在表面贴装
MIL-STD- 883C标准
描述
该DS26C31是一款四差分线路驱动器
设计用于在均衡的数字数据传输
线。该DS26C31T满足所有要求
符合EIA标准RS -422 ，同时保持所述低功率
CMOS的特点。该DS26C31M是
符合EIA标准RS - 422兼容;然而，人们
异常检测方法是取
(1)
。这
允许串行和终端的结构
接口
而
维护
最小
动力
消费。
该DS26C31接受TTL或CMOS输入电平，
这些转换为RS-422输出电平。这部分
使用特殊的输出电路，使司机
断电时不加载拉低总线。这
装置具有使能和禁止公共电路的所有
四位车手。该DS26C31是引脚兼容的
AM26LS31和DS26LS31 。
所有的输入免受损害，由于
静电放电通过二极管V
CC
和地面。
(1)
该DS26C31M （ -55 ° C至+ 125°C ）与V测试
OUT
+ 6V和0V之间，而RS - 422A条件为+ 6V和
0.25V.
23
连接图
图1.双列直插式封装，顶视图
见包装数D0016A或NFG0016E
有关完整的军用产品规格，
请参考相应的SMD或MDS 。
见包装数NAJ0020A ， NFE0016A或NAD0016A
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
TRI- STATE是德州仪器公司的注册商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 1998年至2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
DS26C31M ， DS26C31T
SNLS375B - 1998年6月 - 修订2013年4月
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图2. 20引脚陶瓷无引线芯片载体（ NAJ ）
真值表
(1)
启用
L
所有其他
组合
使能输入
(1)
L =逻辑低状态
X =无关
H =高逻辑状态
Z =三态（高阻）
启用
H
输入
X
L
H
非反相
产量
Z
L
H
反相
产量
Z
H
L
2
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版权所有 1998年至2013年，德州仪器
产品文件夹链接：
DS26C31M DS26C31T
DS26C31M ， DS26C31T
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SNLS375B - 1998年6月 - 修订2013年4月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1) (2) (3)
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
, I
OK
)
直流输出电流，每个引脚（I
OUT
)
DC V
CC
或接地电流，每个引脚（I
CC
)
存储温度范围（T
英镑
)
马克斯。功耗（P
D
) @25°C
(4)
0.5V
到7.0V
1.5V
到V
CC
+1.5V
0.5V
至7V
= 20毫安
-150毫安
65°C
至+ 150°C
陶瓷“非正规教育” PKG 。
塑料“ NFG ” PKG 。
SOIC “D” PKG 。
陶瓷“ NAD ” PKG 。
陶瓷“ NAJ ” PKG 。
2419毫瓦
1736毫瓦
1226毫瓦
1182毫瓦
2134毫瓦
260°C
引线温度（T
L
)
此设备不符合2000V的ESD额定值。
(5)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
（焊接， 4秒）
除非另有说明，所有电压都以地为参考。所有电流为器件引脚是积极的，所有电流从设备中排出
引脚是负的。
绝对最大额定值是那些价值超过该设备的安全性无法验证。它们不意味着暗示
该装置应在这些限制下工作。的“电气特性”表中提供了实际设备运行状况。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
等级适用于环境温度在25℃ 。高于此温度降额NFG包在13.89毫瓦/ ° C， NFE包16.13
毫瓦/ ° C，D包9.80毫瓦/ ° C， NAJ包12.20毫瓦/ ° C，而NAD包6.75毫瓦/ ℃。
ESD额定值： HBM （ 1.5 kΩ的， 100 pF的） ;输入
≥
1500V ;输出
≥
1000V ; EIAJ （ 0Ω ， 200 pF的）
≥
350V
工作条件
民
电源电压（V
CC
)
DC输入或输出电压
工作温度范围（T
A
)
输入信号上升和下降时间（T
r
, t
f
)
(V
IN
, V
OUT
)
DS26C31T
DS26C31M
4.50
0
40
55
最大
5.50
V
CC
+85
+125
500
单位
V
V
°C
°C
ns
版权所有 1998年至2013年，德州仪器
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3
产品文件夹链接：
DS26C31M DS26C31T
DS26C31M ， DS26C31T
SNLS375B - 1998年6月 - 修订2013年4月
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DC电气特性
V
CC
= 5V ± 10％ （除非另有规定）
(1)
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
T
|V
T
|
|V
T
|
V
OS
|V
OS
V
OS
|
I
IN
I
CC
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
差分输出电压
差差分输出
共模输出电压
区别普通模式
产量
输入电流
静态电源电流
(3)
条件
民
2.0
典型值
最大
0.8
单位
V
V
V
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
I
OUT
=
20
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
I
OUT
= 20毫安
R
L
= 100Ω
SEE
(2)
R
L
= 100Ω
SEE
(2)
R
L
= 100Ω
SEE
(2)
R
L
= 100Ω
SEE
(2)
2.5
3.4
0.3
0.5
V
V
2.0
3.1
0.4
1.8
3.0
0.4
±1.0
200
0.8
200
0.8
±0.5
500
2.0
500
2.1
±5.0
150
100
100
100
100
V
V
V
μA
μA
mA
μA
mA
μA
mA
μA
μA
μA
μA
V
IN
= V
CC
， GND ，V
IH
或V
IL
DS26C31T
I
OUT
= 0
μA
DS26C31M
I
OUT
= 0
μA
V
IN
= V
CC
或GND
V
IN
= 2.4V或0.5V
(3)
V
IN
= V
CC
或GND
V
IN
= 2.4V或0.5V
(3)
I
OZ
三态输出漏
当前
V
OUT
= V
CC
或GND
ENABLE - V
IL
ENABLE - V
IH
V
IN
= V
CC
或GND
(2) (4)
DS26C31T
V
CC
= 0V
DS26C31M
V
CC
= 0V
V
OUT
= 6V
V
OUT
=
0.25V
V
OUT
= 6V
V
OUT
= 0V
(5)
30
I
SC
I
关闭
输出短路电流
输出漏电流电源
关闭
(2)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
除非另有说明，最小/最大限制适用于整个推荐的工作温度范围。所有标准被定为V
CC
=
5V和T
A
= 25°C.
见EIA规格RS-422进行精确的测试条件。
每个输入端测得。所有其他输入在V
CC
或GND 。
这是当一个高输出短路到接地源的电流。只有一个输出在时间应短。
该DS26C31M （ -55 ° C至+ 125°C ）与V测试
OUT
+ 6V和0V之间，而RS - 422A条件为+ 6V和
0.25V.
开关特性
V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
r
≤
6纳秒，T
f
≤
6纳秒（图
3，图4 ，图5，图6）
(1)
符号
t
PLH
, t
PHL
SKEW
t
TLH
, t
THL
t
PZH
t
PZL
参数
传播延迟输入到输出
(2)
条件
S1开放
S1开放
S1开放
S1闭合
S1闭合
民
2
典型值
DS26C31T
6
0.5
6
11
13
11
2.0
10
19
21
最大
CS26C31M
14
3.0
14
22
28
单位
ns
ns
ns
ns
ns
差分输出上升和下降
时
输出使能时间
输出使能时间
(1)
(2)
4
除非另有说明，最小/最大限制适用于整个推荐的工作温度范围。所有标准被定为V
CC
=
5V和T
A
= 25°C.
偏斜定义为在50％的点的互补输出之间的传播延迟之差。
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SNLS375B - 1998年6月 - 修订2013年4月
开关特性（续）
V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
r
≤
6纳秒，T
f
≤
6纳秒（图
3，图4 ，图5，图6）
(1)
符号
t
PHZ
t
PLZ
C
PD
C
IN
(3)
(4)
参数
输出禁止时间
(3)
条件
S1闭合
S1闭合
(4)
民
典型值
DS26C31T
5
7
50
6
9
11
最大
CS26C31M
12
14
单位
ns
ns
pF
pF
输出禁止时间
(3)
功率耗散电容
输入电容
输出禁止时间是从ENABLE或ENABLE被切换到输出晶体管的关断延迟。实际关闭时间
不到由于由负载的RC时间常数增加了延迟来表示。
C
PD
确定无负载的动态功耗，磷
D
= C
PD
V
CC
2 F + I
CC
V
CC
和无负荷的动态电流消耗，余
S
= C
PD
V
CC
F +我
CC
.
对照表的开关特性为“ LS型”负载
V
CC
= 5V ，T
A
= 25 ° C，T
r
≤
6纳秒，T
f
≤
6纳秒（图
如图4所示，图6，图7 ，图8）
符号
t
PLH
, t
PHL
参数
传播延迟输入到输出
条件
C
L
= 30 pF的
S1闭合
S2闭合
SKEW
SEE
(2)
(1)
DS26C31T
典型值
6
最大
8
DS26LS31C
典型值
10
最大
15
单位
ns
C
L
= 30 pF的
S1闭合
S2闭合
0.5
1.0
2.0
6.0
ns
t
THL
, t
TLH
差分输出上升和下降
时
C
L
= 30 pF的
S1闭合
S2闭合
C
L
= 10 pF的
S1闭合
S2开
6
9
15
35
ns
4
6
ns
t
PLZ
输出禁止时间
(3)
t
PHZ
输出禁止时间
(3)
C
L
= 10 pF的
S1开放
S2闭合
4
7
15
25
ns
t
PZL
输出使能时间
C
L
= 30 pF的
S1闭合
S2开
14
20
20
30
ns
t
PZH
输出使能时间
C
L
= 30 pF的
S1开放
S2闭合
11
17
20
30
ns
(1)
(2)
(3)
仅用于提供比较的目的该表格。在此表中为DS26C31的值反映了器件的性能，但
未经过测试或验证。
偏斜定义为在50％的点的互补输出之间的传播延迟之差。
输出禁止时间是从ENABLE或ENABLE被切换到输出晶体管的关断延迟。实际关闭时间
不到由于由负载的RC时间常数增加了延迟来表示。
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