DS25LV02 ：低电压1024位EPROM
EPROM存储器数据场
该DS25LV02具有用于访问EPROM数据字段的线性地址空间。 EPROM数据字段
划分为4页，每页32字节如表1所示的只读存储器和读数据/生成CRC校验
记忆功能命令提供的读访问1024位EPROM数据字段。写内存
功能命令提供写访问EPROM数据字段。当从出厂，整个接收
1024位EPROM数据字段被删除，并返回逻辑1的时候阅读。数据字段中的位是一次性
可编程的。编程改变从逻辑出厂默认值被删除的比特值逻辑零
1.一旦一个位被设定，它不能被重新设置为逻辑1 。
表1. EPROM数据字段
地址（十六进制）
0000–001F
0020–003F
0040–005F
0060–007F
0080–FFFF
描述
页0 （32字节）
第1页（32字节）
第2页（32字节）
第3页（32字节）
版权所有
读/写
R / W *
R / W *
R / W *
R / W *
*一次性写为“0”的每个比特。
阅读记忆[单元F0h ]
Read Memory命令用于读取从第0页数据到1024位EPROM数据字段的第3页。该
总线主机之后，紧跟2字节地址命令字节（ TA1 = （ T7 ： T0 ） ， TA2 = （ T15 ： T8） ），表示一
开始的数据字段中的字节位置。的命令字节和地址字节的8位CRC校验码是由计算
在DS25LV02和回读总线主机，以确认正确的命令字和起始地址
收到。如果CRC被认为是不正确的总线主机，总线主机应该发出复位脉冲
并重复整个序列。如果CRC被认为是由总线主机正确，读时隙可
颁发给从开始处的初始地址EPROM数据字段接收数据。总线主机发出复位
脉冲在任何点或继续发出读时隙，直到该数据字段的第3页的末尾为止。
如果连续读取PAGE 3月底，总线主机可以发出8个另外的读时隙和
DS25LV02将与所有数据的一个8位CRC响应字节读出从起始字节到最后一个字节
第3页终止与复位脉冲命令事务之前到达页面的最后3导致
丢失的8位CRC校验码的可用性。
Read Data / Generate 8位CRC校验码[反应3h ]
读数据/生成8位CRC命令用于读取第0页数据到1024位的第3页
EPROM数据字段。总线主机之后，紧跟2字节地址的命令字节
（ TA1 = （ T7 ： T0 ） ， TA2 = （ T15 ： T8） ） ，表示数据段中的起始字节位置。的8位CRC校验码
命令字节和地址字节由DS25LV02计算并回读总线主机确认
正确的命令字和起始地址进行接收。如果CRC被认为是不正确的总线
主，总线主机应发出复位脉冲，重复整个序列。如果CRC被认为是
由总线主机正确，读时隙可以发出来接收起始于从EPROM数据字段的数据
起始地址。总线主机可以在任何时候发出复位脉冲或继续发出读时隙，直到
32字节页的末尾。当读到32字节页的末尾，总线主机
问题8额外的读时隙和DS25LV02将与所有数据的8位CRC校验字节响应读取
通过在当前页的最后一个字节的起始字节。经过CRC校验码接收，另外读取时间
槽返回开始的下一个页面的第一个字节的数据。该序列将持续到总线主机读取
第3页和与之配套的CRC校验码。因此，数据的每一页可被认为是33字节长，其中32个字节
用户编程的EPROM的数据和得到在每一页的末尾自动生成一个8位CRC校验码。
读数据/生成8位CRC命令序列可以在任何时候通过发出复位脉冲。
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