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DS2506

64千位只添加存储器

www.dalsemi.com

特点

65536位电可编程只读

只读存储器（ EPROM），采用通信

一个信号加地经济

唯一的，工厂光刻和测试的64位

注册号（ 8位家族码+

48位序列号+ 8位CRC校验码）

保证绝对可溯，因为没有任何两个

器件相同

内置多点控制器确保

与其他微型局域网产品的兼容性

EPROM划分为二百五十六

256位页面，用于随机存取

分组数据记录

每个存储器页可以是永久写

保护，以防止篡改

设备是一个“只添加”存储在哪里

附加数据可被编程到

EPROM不会破坏已有数据

架构允许软件修补数据，

取而代之的是一种新的取代旧的页面

网页编程

将控制，地址，数据，电源，

编程信号到一个数据引脚

直接连接到一个单一的端口引脚

微处理器，通信速率达

每秒16.3千比特

高速模式提升通信速度

以每秒142千比特

8位家族码DS2506

通报要求，以读者

进行在线检测应答时

阅读器首次上电

低成本PR35或8引脚SOIC表面贴装

包

读了2.8V至宽电压范围

6.0V温度范围为-40 ° C至+ 85°C ;在节目

11.5V至12.0V范围为-40 ° C至+ 50°C

引脚分配

PR-35

达拉斯

DS2506

数据

GND

8引脚SOIC

（ 208密耳）

GND

1 2 3

底部视图

见机甲。

图科

订购信息

DS2506

DS2506S

PR35包装

8引脚SOIC封装

1 25

数据

062100

DS2506

硅标签说明

在DS2506 64千位只添加存储器，可以识别和存储与产品相关的信息

它相关联。这个标签或特殊产品信息可以通过最少的接口访问，

例如微控制器的一个端口引脚。该DS2506由一个工厂光刻注册

数，其中包括一个唯一的48位序列号， 8位CRC校验码和8位家族码（ 0FH ）加

64千位的用户可编程EPROM 。编程和读取DS2506的电源完全导出

从1- Wire通信线路。数据按照1 - Wire协议，即串行传输

只有一根数据线和返回地线。可以对整个器件进行编程，然后直写

如果需要保护。或者，该部件可以多次编程新数据被

追加，而不是覆盖，与所述装置的各后续编程的现有数据。注意：

每位只能改变从逻辑1到逻辑0 ，但永远不能从逻辑0到逻辑1。

规定还包括用于指示某一页或数据页不再有效和有

被替换为现在居住在其它页面地址的新的或更新的数据。此页面

地址重定向功能允许软件修补数据，并提高设备的灵活性，因为一个单独的

数据库。 48位序列号是出厂刻入每个DS2506提供了一个保证唯一

认同这绝对可溯。在PR35和SOIC封装提供了一种紧凑的

外壳，允许采用标准安装设备处理器的设备安装到印制

电路板或电线。典型应用包括存储校准系数，维修

记录，资产跟踪，产品修正状态和访问代码。

概观

在图1中的框图显示了主要的控制部分和存储单元之间的关系

在DS2506 。该DS2506有三个主要的数据部件： 1 ） 64位光刻ROM ， 2 ） 65536位

EPROM数据存储器，和3 ） 2816位EPROM状态存储器。该器件得到供电读

操作完全取自于1 - Wire通信线路通过在一个内部电容器储存的能量

的时间时，信号线为高，并继续运行过的这个时期“寄生虫”动力源

在1 -Wire总线，直到它再对寄生（电容）电源返回高的低次。

在编程过程中， 1 -Wire通信发生在正常的电压水平，然后是脉冲

瞬间到编程电压，以使选择的EPROM位进行编程。该

1 -Wire总线必须能够提供12伏10毫安充分编程EPROM

的部分的某些部分。当编程电压出现在1 -Wire总线特殊的高

电压检测电路中的DS2506产生内部逻辑信号，以指示这种情况。该

1- Wire协议的层次结构如图2所示。总线主机必须首先提供

六个ROM功能命令， 1 ）阅读ROM ， 2 ）匹配ROM ， 3）搜索ROM ， 4 ）跳过ROM ， 5 ）

高速模式跳过ROM或6 ）的高速模式匹配ROM 。当了Overdrive ROM命令完成

以正常速度执行字节时，器件将进入高速模式，所有后续

通信发生在更高的速度。这些命令上的64位光刻ROM部分进行操作

每一个设备，可以单一化的特定设备，如果许多人都出现在1 - Wire总线，以及指示

总线主机多少，什么类型的设备都存在。所需的这些ROM协议

功能命令在图8中描述的成功执行后的ROM功能命令，

这对DS2506的EPROM部分操作记忆功能变得方便和公交车

主机发出的五个记忆功能中的任何一个命令具体到DS2506读取或

编程不同的数据字段。该协议为这些存储器操作命令说明

图5.所有的数据读取和写入第一个最显著位。

64位光刻ROM

每个DS2506包含一个唯一的ROM代码是64位长。第8位是1 - Wire家族码。

接下来的48位是唯一的序列号。最后8位是前56位的CRC校验码。（参见图3）。

64位ROM和ROM功能控制部分允许DS2506操作的1 -Wire器件和

2 25

DS2506

按照1 -Wire协议中的部分详述“ 1 - Wire总线系统”要求的存储器功能

读取和编程DS2506的EPROM部分无法访问，直到ROM功能

协议已得到满足。这个协议是ROM的功能流程图（图8）中所述。该

1 - Wire总线主机必须首先提供六个ROM功能命令之一： 1 ）读ROM ， 2 ）比赛

ROM ， 3）搜索ROM ， 4 ）跳过ROM ， 5 ）的高速模式跳过ROM或6 ）的高速模式匹配ROM 。经过

ROM功能序列已成功执行，总线主机可随后提供的任何一个

存储器操作命令特定于DS2506 （图5）。

激光刻入ROM的1 - Wire CRC校验码的多项式X生成

+ X

+ 1。

关于Dallas Semiconductor的1- Wire循环冗余校验信息在本书中的

的DS19xx iButton的标准。该移位寄存器作为CRC校验累加器被初始化为零。

然后，开始的家族码的最低显著位， 1位同时移入后的第8位

家族码已输入，则序列号输入。 48后

串行的位

号被输入，在移位寄存器中的CRC值。移入8位CRC校验码

返回移位寄存器为全零。

DS2506框图

图1

3 25

DS2506

等级结构1 -Wire协议

图2

64位光刻ROM

科幻gure 3

8位CRC校验码

最高位

LSB MSB

48位序列号

8位家族码（ 0FH ）

LSB MSB

最低位

65536 - BITS EPROM

图4中的存储器映射显示了DS2506的，其被配置为65536位EPROM部

256页，每页32字节。 8位暂存器是充当一个缓冲器时，一个额外的寄存器

编程存储器。数据首先被存入暂存器，然后验证通过读取16位

CRC从确认收到正确的数据和地址的DS2506 。如果缓冲区内容

正确的，一个编程电压应当施加和数据的字节将被写入到所选择的

地址在存储器中。当编程存储器这一过程可保证数据的完整性。的详细信息

读取和编程DS2506的65536位EPROM部分在内存中给出

功能命令一节。

EPROM状态字节

除了65536位数据存储器的DS2506提供2816位访问状态存储器

与单独的命令。

EPROM状态字节可被读取或编程来指示各种条件的软件

询问的DS2506 。第一个32个字节的EPROM状态存储器（地址000 01FH ）

包含页面写保护位，抑制了相应的页面进行编程，在65536位

如果相应的写保护位被编程主内存区域。一旦位已

在状态存储器的页写保护，整个32字节的页编程的

对应于该位不能再被改变，但是仍然可以读出。

4 25

DS2506

接下来的32个字节的EPROM状态存储器（地址020到03FH ）包含写保护位

抑制改变，在65536位对应于每个页面的页面地址重定向字节

主存储器区域。

EPROM状态存储器内的以下32个字节（地址从040到05FH ）保留使用

通过在iButton操作软件TMEX 。他们的目的是指示哪些存储器页已在

使用。最初，所有的这些位是未编程的，表示该设备不存储任何数据。如

只要数据是根据TMEX ，这个位图内的比特的控制写入装置的任何页面

对应于该网页将被编程为0 ，标记当前页的使用。这些位应用程序

标志只与对DS2506的内部逻辑没有影响。

下一个256字节的EPROM状态存储器（地址100H到1FFH ）中包含的页面地址

重定向字节，如果一个或多个数据中的65536位EPROM中的页数这表明

已经失效由软件和重定向到包含在适当的页面地址

重定向字节。在DS2506的硬件无法对页面内容决定

地址重定向字节。由于与EPROM技术位只能从逻辑1改为

逻辑0由编程，不可能通过简单地重写页面如果数据需要改变或

更新。但如果空间允许，数据的整个页可以被重定向到内的另一页

DS2506 。 TMEX下一个页面被写入新页地址的补重定向

成对应于原始（替换）页页地址重定位字节。这种架构

允许用户的软件，以通过指示作出一个“数据块”到EPROM的一个特定页面或

页面应该被替换那些在页面地址重定向字节表示。离开了

数据补丁地道的审计跟踪，建议还编写的页面写保护位

地址重定向字节，页面重定向程序后。没有这种保护，它仍然是

可以修改页面地址重定向字节，使其指向不同的内存页

真正之一。

如果页面地址重定位字节的FFH值，对应于主存储器中的数据

该页面是有效的。如果页面地址重定向字节为其他十六进制值大于FFH ，在数据

对应于重定向字节的页面是无效的。根据TMEX的定义中的有效数据

现在可以在存储在由十六进制值显示在页面地址的补发现

相关的页面地址重定向字节。外佣在重定向字节的值，为第1页，为

例如，将表明该更新的数据是在第2页的状态存储器进行编程

类似的数据存储器。读取和编程的EPROM状态存储器部分细节

在DS2506的存储器功能命令一节。

对DS2506的状态存储器的地址范围为000 1FFH 。存储器位置60H

到0FFH和200H和较高的物理未实现。读取这些地址通常会

导致FFH字节。尝试写这些位置将被忽略。

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