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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第34页 > DS2505
DS2505
16千位只添加存储器
www.dalsemi.com
特点
16384位电可编程只读
只读存储器( EPROM),采用通信
一个信号加地经济
唯一的,工厂光刻和测试的64位
注册号( 8位家族码+
48位序列号+ 8位CRC校验码)
保证绝对可溯,因为没有任何两个
器件相同
内建的
多点
调节器
保证
与其他的1-Wire兼容性
NET
制品
EPROM划分为64 256位
用于随机分组数据页
记录
每个存储器页可以是永久写
保护,以防止篡改
设备是一个“只添加”存储在哪里
附加数据可被编程到
EPROM不会破坏已有数据
架构允许软件修补数据,
取而代之的是一种新的取代旧的页面
网页编程
将控制,地址,数据,电源,
编程信号到一个数据引脚
直接连接到一个单一的端口引脚
微处理器,通信速率达
每秒16.3千比特
8位家族码DS2505
通报要求,以读者
进行在线检测应答时
阅读器首次上电
低成本TO- 92或6引脚TSOC表面
贴装封装
读了2.8V至宽电压范围
6.0V温度范围为-40 ° C至+ 85°C ;在节目
11.5V至12.0V范围为-40 ° C至+ 50°C
引脚分配
TO-92
达拉斯
DS2505
TSOC封装
GND
数据
NC
1
2
3
6
5
4
NC
NC
NC
顶视图
3.7 X 4.0 X 1.5毫米
SIDE VIEW
见机甲。
绘制部
GND
数据
NC
1 2 3
底部视图
见机甲。
图科
订购信息
DS2505
TO- 92封装
DS2505P
6引脚TSOC封装
DS2505的DS2505 / T&R磁带&卷轴版
DS2505P的DS2505P / T&R磁带&卷轴版
1 24
032201
DS2505
硅标签说明
在DS2505 16千比特位只添加对产品存储器,可以识别并存储相关信息
它相关联。这个标签或特殊产品信息可以通过最少的接口访问,
微控制器,例如一个端口引脚。该DS2505由一个工厂光刻注册
它包括一个唯一的48位序列号, 8位CRC校验码和8位家族码( 0BH )号加
16千位的用户可编程EPROM 。编程和读取DS2505的电源完全导出
从1线
通信线路。数据按照1 - Wire协议,即串行传输
只有一根数据线和返回地线。可以对整个器件进行编程,然后直写
如果需要保护。或者,该部件可以多次编程新数据被
追加,而不是覆盖,与所述装置的各后续编程的现有数据。注意:
每位只能改变从逻辑1到逻辑0 ,但永远不能从逻辑0到逻辑1 。
一项条款还包括用于指示某一页或数据页不再有效,
已被替换为那些驻留在其它页面地址的新的或更新的数据。此页面
地址重定向功能允许软件修补数据,并提高设备的灵活性作为一个独立的
数据库。 48位序列号是出厂刻入每个DS2505提供了一个guaranteed-
其唯一性,绝对可溯。在TO- 92和TSOC封装提供了一种
紧凑的结构,允许采用标准安装设备处理器的设备连接到
印刷电路板或布线。典型应用包括存储校准常数,
维护记录,资产跟踪,产品修正状态和访问代码。
概观
在图1中的框图显示了主要的控制部分和存储单元之间的关系
在DS2505 。该DS2505有三个主要的数据部件: 1 ) 64位光刻ROM , 2 ) 16384位
EPROM数据存储器,和3 ) 704位EPROM状态存储器。该器件得到供电读
操作完全取自于1 - Wire通信线路通过在一个内部电容器储存的能量
的时间时,信号线为高,并继续运行过的这个时期“寄生虫”动力源
在1 -Wire总线,直到它再对寄生(电容)电源返回高的低次。
在编程过程中, 1 -Wire通信发生在正常的电压水平,然后是脉冲
瞬间到编程电压,以使选择的EPROM位进行编程。该
1 -Wire总线必须能够提供12伏10毫安充分编程EPROM
的部分的某些部分。当编程电压出现在1 -Wire总线特殊的高
电压检测电路中的DS2505产生内部逻辑信号,以指示这种情况。该
1- Wire协议的层次结构如图2所示。总线主机必须首先提供
四个ROM功能命令: 1 )读ROM , 2 )匹配ROM , 3)搜索ROM , 4 )跳过ROM 。
这些命令中的每个设备的64位光刻ROM部分进行操作,并可以单个化的特定
如果许多人都出现在1 - Wire总线,以及指示总线主控多少和什么设备
类型的装置都存在。所需的这些ROM功能命令的协议中描述
图8.在一个ROM功能命令成功执行,即操作记忆功能
对DS2505的EPROM部分成为访问,总线主机发出的任何一个
5存储器功能命令具体到DS2505读取或编程不同的数据字段。该
协议存储器操作命令在图5中描述的所有的数据读取和写入
首先最显著位。
64位光刻ROM
每个DS2505包含一个唯一的ROM代码是64位长。第8位是1 - Wire家族码。
接下来的48位是唯一的序列号。最后8位是前56位的CRC校验码。 (参见图3 )
64位ROM和ROM功能控制部分允许DS2505操作的1 -Wire器件和
按照1 -Wire协议中的部分详述“ 1 - Wire总线系统”要求的存储器功能
读取和编程DS2505的EPROM部分无法访问,直到ROM功能
2 24
DS2505
协议已得到满足。这个协议是ROM的功能流程图(图8)中所述。该
1 - Wire总线主机必须首先提供四个ROM功能命令之一: 1 )读ROM , 2 )比赛
ROM , 3)搜索ROM ,4)跳过ROM 。经过ROM功能序列已成功
执行时,该总线主控制器然后可以提供存储功能中的任何一个命令,特定于
DS2505 (图5) 。
激光刻入ROM的1 - Wire CRC校验码的多项式X生成
8
+ X
5
+ X
4
+ 1。
关于Dallas Semiconductor的1- Wire循环冗余校验信息在本书中的
的DS19xx iButton的标准。作为用于CRC计算的移位寄存器被初始化为0,然后
开始的家族码的最低显著位,一次一个位被移入后的第8位
家庭代码已被输入,则该序列号被输入。 48后
th
序列号的位
已输入,在移位寄存器中的CRC值。移入8位CRC校验码后
移位寄存器为全零。
DS2505框图
图1
3 24
DS2505
等级结构1 -Wire协议
图2
64位光刻ROM
科幻gure 3
8位CRC校验码
最高位
LSB MSB
48位序列号
8位家族码( 0BH )
LSB MSB
最低位
16384 - BITS EPROM
图4中的存储器映射显示了DS2505的,其被配置为16384位EPROM部
64页,每页32字节。 8位暂存器是充当一个缓冲器时,一个额外的寄存器
编程存储器。数据首先被存入暂存器,然后验证通过读取16位
CRC从确认收到正确的数据和地址的DS2505 。如果缓冲区内容
正确的,一个编程电压应当施加和数据的字节将被写入到所选择的
地址在存储器中。编程时内存这个过程保证了数据的完整性。的详细信息
读取和编程DS2505的16384位EPROM部分在内存中给出
功能命令一节。
4 24
DS2505
EPROM状态字节
除了16384位数据存储的DS2505提供了704位的存取状态存储器
与单独的命令。
EPROM状态字节可被读取或编程来指示各种条件的软件
询问的DS2505 。前8个字节的EPROM状态存储器(地址为000 007H )
包含页面写保护位,抑制了相应的页面进行编程,在16384位
如果相应的写保护位被编程主内存区域。一旦位已
在状态存储器的页写保护,整个32字节的页编程的
对应于该位不能再被改变,但是仍然可以读出。
接下来的8个字节的EPROM状态存储器(地址020至027H )包含写保护位
抑制改变,在16384位对应于每个页面的页面地址重定向字节
主存储器区域。
EPROM状态存储器中的以下8个字节(地址从040至047H )的保留使用
通过在iButton操作软件TMEX 。他们的目的是指示哪些存储器页已经
在使用中。最初,所有的这些位是未编程的,表示该设备不存储任何数据。
只要数据是根据TMEX ,这个位图内的比特的控制写入到设备的任何页面
对应于该网页将被编程为0 ,标记当前页的使用。这些位
应用标志只与对DS2505的内部逻辑没有影响。
接下来的64个字节的EPROM状态存储器(地址100H到13FH )中包含的页面地址
重定向字节,如果一个或多个数据中的16384位EPROM中的页数这表明
已经失效由软件和重定向到包含在适当的页面地址
重定向字节。在DS2505的硬件无法对页面内容决定
地址重定向字节。状态EPROM中的这些附加字节允许的重定向
整个页面到另一个页面地址,表示在原始页面中的数据不再被认为是
相关的或有效的。用EPROM技术,页面内的比特可以从逻辑1改变为
逻辑0由编程,但不能改变回去。因此,不可能通过简单地重写
如果数据需要修改或更新,但如果空间允许,数据的一整页可以是页面
通过写入新的页地址的1的补码重定向到DS2505中的另一页
成对应于原始(替换)页页地址重定位字节。
这种结构允许用户的软件通过指示作出一个“数据块”到EPROM的那一个
特定页面或页面应该被替换那些在页面地址重定向字节表示。
离开补丁数据的真实审计跟踪,建议也进行编程写保护位
页面地址重定向字节中,后的页面重定向程序。如果没有这种保护,
它仍然是可以修改的页面地址重定向字节,使其指向不同的内存
页面比真实的。
如果页面地址重定位字节的FFH值,对应于主存储器中的数据
该页面是有效的。如果页面地址重定向字节为其他十六进制值,在该页面中的数据
对应于重定向字节是无效的,有效的数据现在可以在一个人的发现
由存储在相关联的页地址的十六进制值表示的页地址的补
重定向字节。外佣在重定向字节页1的值,例如,将指示
更新的数据是现在的2的详细信息页面读取和编程的EPROM存储器中的地位
在DS2505的部分中给出了存储器功能命令一节。
5 24
DS2502/5/6-UNW
的UniqueWare
TM
只添加存储器
www.dalsemi.com
特殊功能
§
1024位, 16千比特或64千比特电
可编程只读存储器(EPROM )
与一种经济连通
信号加地线
§
唯一的,工厂光刻和测试的64位
注册号( 8位家族码, 36位
系列化, 12位标识符的UniqueWare
5E7H , 8位CRC测试仪) ,保证绝对
可溯,因为没有任何两个器件相同。
§
内置多点控制器确保
与其他微型局域网产品的兼容性
§
EPROM划分为256位页
随机存储数据包记录
§
每个存储器页可以是永久写
保护,以防止篡改
§
设备是一个“只添加”存储在哪里
附加数据可被编程到
EPROM不会破坏已有数据
§
将控制,地址,数据,电源和
编程信号到一个单一的销
§
直接连接到一个单一的端口引脚
微处理器,通信速率达
为16.3kbps
§
进行在线检测应答时,阅读器
首次上电
§
低成本TO- 92 / PR - 35和8引脚SOIC和
TSOC表面贴装封装
§
读了2.8V至宽电压范围
6.0V温度范围为-40 ° C至+ 85°C
引脚分配
TO-92/PR-35
1
2
3
4
8
7
6
5
8引脚SOIC
见机甲。
图科
NC
GND
数据
TSOC封装
1
2
6
5
4
1 2 3
3
顶视图
3.7 X 4.0 X 1.5毫米
底部视图
见机甲。
图科
见机甲。
图科
引脚分配
TO-92/PR-35
销1
销2
数据
3脚
NC
引脚4
-----
销5至8 -----
TSOC
数据
NC
NC
NC
SOIC
NC
NC
数据
NC
硅标签说明
添加的UniqueWare ,只有回忆是DS2502 ( 1024位)的工厂编程的版本中,
DS2505 ( 16千比特)和DS2506 ( 64K位)只添加存储器,分别。他们从不同的
在他们的自定义ROM系列码的常规设备(见订购信息),并为UniqueWare
标识符5E7中发生的高12位的标准序列字段。有关技术细节
器件请参考DS2502 , DS2505和DS2506数据资料。
的UniqueWare只添加存储器仅可预编程的客户专用和直写
受保护的数据。的UniqueWare数据填充至少一个但不超过所述第一四页的装置的更多,
1第3
102099
DS2502/5/6-UNW
根据用户提供的数据的长度。这使得最多三个( DS2502- UNW ),63
( DS2505 - UNW )或可用于在应用程序编程255 ( DS2506 - UNW )内存页。
有关的UniqueWare和如何更多细节来设置数据文件,请参阅为UniqueWare项目
安装手册,可从达拉斯半导体公司应用注释99 。为UniqueWare项目
设置软件可从Dallas Semiconductor的FTP站点时
ftp://ftp.dalsemi.com/pub/auto_id ,
文件名"unwsetup.exe."
订购信息
内存大小
1024位
(4页)
家庭法
89h
TO- 92封装
8引脚150密耳SOIC PKG 。
6引脚TSOC封装
TO- 92封装
6引脚TSOC封装
PR- 35封装
8引脚208密耳SOIC PKG 。
订货型号
DS2502-UNW-pppp
DS2502S-UNW-pppp
DS2502P-UNW-pppp
DS2505-UNW-pppp
DS2505P-UNW-pppp
DS2506-UNW-pppp
DS2506S-UNW-pppp
16K位
( 64页)
64K位
( 256页)
8Bh
8Fh
PPPP代表分配给每个单独的数据模式,在所述第一阶时的项目号。
样品的UniqueWare数据结构
示例1:以太网节点地址
图1A
CRC16
公司ID值
最高位
LSB MSB
最低位
19个字节
2个字节
3个字节不变
FFH
由IEEE分配
高地址
(未使用)
扩展ID值
最高位
最低位
3个字节的序列化
项目编号长度
MSB LSB
4个字节
1个字节
不变
0AH
低地址
物理地址和数据映射
图1b
地址
0C 0B 0A
09
08 07
06
05 04 03 02 01
00
数据
xx
xx
ch
cm
cl
HH毫米
ll
00第00页0A
XX XX = CRC16 ,价值取决于实际数据
在IEEE的CH厘米CL =高,中,低字节指定为“公司ID”
HH毫米LL =高,中和“扩展ID”的低字节或序列号
PP PP =项目编号分配由Dallas Semiconductor
2 3
102099
DS2502/5/6-UNW
示例2: EUI -64火线
TM
节点地址
图2a
CRC16
公司ID值
最高位
LSB MSB
最低位
17个字节
2个字节
3个字节不变
FFH
由IEEE分配
高地址
(未使用)
扩展ID值
最高位
最低位
5个字节的序列化
项目编号长度
MSB LSB
4个字节
1个字节
不变
0CH
低地址
物理地址和数据映射
图2b
地址
数据
0E
xx
0D
xx
0C
ch
0B
cm
0A
cl
09
hh
08
hm
07
mm
06
ml
05
ll
04
00
03
00
02
pp
01
pp
00
0C
XX XX = CRC16 ,价值取决于实际数据
在IEEE的CH厘米CL =高,中,低字节指定为“公司ID”
HH HM毫米毫升LL =高,中和“扩展ID”的低字节或序列号
PP PP =项目编号分配由Dallas Semiconductor
火线
TM
是Apple Computer , Inc.的商标。
3 3
102099
DS2505
16千位只添加存储器
www.dalsemi.com
特点
16384位电可编程只读
只读存储器( EPROM),采用通信
一个信号加地经济
唯一的,工厂光刻和测试的64位
注册号( 8位家族码+
48位序列号+ 8位CRC校验码)
保证绝对可溯,因为没有任何两个
器件相同
内建的
多点
调节器
保证
与其他的1-Wire兼容性
NET
制品
EPROM划分为64 256位
用于随机分组数据页
记录
每个存储器页可以是永久写
保护,以防止篡改
设备是一个“只添加”存储在哪里
附加数据可被编程到
EPROM不会破坏已有数据
架构允许软件修补数据,
取而代之的是一种新的取代旧的页面
网页编程
将控制,地址,数据,电源,
编程信号到一个数据引脚
直接连接到一个单一的端口引脚
微处理器,通信速率达
每秒16.3千比特
8位家族码DS2505
通报要求,以读者
进行在线检测应答时
阅读器首次上电
低成本TO- 92或6引脚TSOC表面
贴装封装
读了2.8V至宽电压范围
6.0V温度范围为-40 ° C至+ 85°C ;在节目
11.5V至12.0V范围为-40 ° C至+ 50°C
引脚分配
TO-92
达拉斯
DS2505
TSOC封装
GND
数据
NC
1
2
3
6
5
4
NC
NC
NC
顶视图
3.7 X 4.0 X 1.5毫米
SIDE VIEW
见机甲。
绘制部
GND
数据
NC
1 2 3
底部视图
见机甲。
图科
订购信息
DS2505
TO- 92封装
DS2505P
6引脚TSOC封装
DS2505的DS2505 / T&R磁带&卷轴版
DS2505P的DS2505P / T&R磁带&卷轴版
1 24
032201
DS2505
硅标签说明
在DS2505 16千比特位只添加对产品存储器,可以识别并存储相关信息
它相关联。这个标签或特殊产品信息可以通过最少的接口访问,
微控制器,例如一个端口引脚。该DS2505由一个工厂光刻注册
它包括一个唯一的48位序列号, 8位CRC校验码和8位家族码( 0BH )号加
16千位的用户可编程EPROM 。编程和读取DS2505的电源完全导出
从1线
通信线路。数据按照1 - Wire协议,即串行传输
只有一根数据线和返回地线。可以对整个器件进行编程,然后直写
如果需要保护。或者,该部件可以多次编程新数据被
追加,而不是覆盖,与所述装置的各后续编程的现有数据。注意:
每位只能改变从逻辑1到逻辑0 ,但永远不能从逻辑0到逻辑1 。
一项条款还包括用于指示某一页或数据页不再有效,
已被替换为那些驻留在其它页面地址的新的或更新的数据。此页面
地址重定向功能允许软件修补数据,并提高设备的灵活性作为一个独立的
数据库。 48位序列号是出厂刻入每个DS2505提供了一个guaranteed-
其唯一性,绝对可溯。在TO- 92和TSOC封装提供了一种
紧凑的结构,允许采用标准安装设备处理器的设备连接到
印刷电路板或布线。典型应用包括存储校准常数,
维护记录,资产跟踪,产品修正状态和访问代码。
概观
在图1中的框图显示了主要的控制部分和存储单元之间的关系
在DS2505 。该DS2505有三个主要的数据部件: 1 ) 64位光刻ROM , 2 ) 16384位
EPROM数据存储器,和3 ) 704位EPROM状态存储器。该器件得到供电读
操作完全取自于1 - Wire通信线路通过在一个内部电容器储存的能量
的时间时,信号线为高,并继续运行过的这个时期“寄生虫”动力源
在1 -Wire总线,直到它再对寄生(电容)电源返回高的低次。
在编程过程中, 1 -Wire通信发生在正常的电压水平,然后是脉冲
瞬间到编程电压,以使选择的EPROM位进行编程。该
1 -Wire总线必须能够提供12伏10毫安充分编程EPROM
的部分的某些部分。当编程电压出现在1 -Wire总线特殊的高
电压检测电路中的DS2505产生内部逻辑信号,以指示这种情况。该
1- Wire协议的层次结构如图2所示。总线主机必须首先提供
四个ROM功能命令: 1 )读ROM , 2 )匹配ROM , 3)搜索ROM , 4 )跳过ROM 。
这些命令中的每个设备的64位光刻ROM部分进行操作,并可以单个化的特定
如果许多人都出现在1 - Wire总线,以及指示总线主控多少和什么设备
类型的装置都存在。所需的这些ROM功能命令的协议中描述
图8.在一个ROM功能命令成功执行,即操作记忆功能
对DS2505的EPROM部分成为访问,总线主机发出的任何一个
5存储器功能命令具体到DS2505读取或编程不同的数据字段。该
协议存储器操作命令在图5中描述的所有的数据读取和写入
首先最显著位。
64位光刻ROM
每个DS2505包含一个唯一的ROM代码是64位长。第8位是1 - Wire家族码。
接下来的48位是唯一的序列号。最后8位是前56位的CRC校验码。 (参见图3 )
64位ROM和ROM功能控制部分允许DS2505操作的1 -Wire器件和
按照1 -Wire协议中的部分详述“ 1 - Wire总线系统”要求的存储器功能
读取和编程DS2505的EPROM部分无法访问,直到ROM功能
2 24
DS2505
协议已得到满足。这个协议是ROM的功能流程图(图8)中所述。该
1 - Wire总线主机必须首先提供四个ROM功能命令之一: 1 )读ROM , 2 )比赛
ROM , 3)搜索ROM ,4)跳过ROM 。经过ROM功能序列已成功
执行时,该总线主控制器然后可以提供存储功能中的任何一个命令,特定于
DS2505 (图5) 。
激光刻入ROM的1 - Wire CRC校验码的多项式X生成
8
+ X
5
+ X
4
+ 1。
关于Dallas Semiconductor的1- Wire循环冗余校验信息在本书中的
的DS19xx iButton的标准。作为用于CRC计算的移位寄存器被初始化为0,然后
开始的家族码的最低显著位,一次一个位被移入后的第8位
家庭代码已被输入,则该序列号被输入。 48后
th
序列号的位
已输入,在移位寄存器中的CRC值。移入8位CRC校验码后
移位寄存器为全零。
DS2505框图
图1
3 24
DS2505
等级结构1 -Wire协议
图2
64位光刻ROM
科幻gure 3
8位CRC校验码
最高位
LSB MSB
48位序列号
8位家族码( 0BH )
LSB MSB
最低位
16384 - BITS EPROM
图4中的存储器映射显示了DS2505的,其被配置为16384位EPROM部
64页,每页32字节。 8位暂存器是充当一个缓冲器时,一个额外的寄存器
编程存储器。数据首先被存入暂存器,然后验证通过读取16位
CRC从确认收到正确的数据和地址的DS2505 。如果缓冲区内容
正确的,一个编程电压应当施加和数据的字节将被写入到所选择的
地址在存储器中。编程时内存这个过程保证了数据的完整性。的详细信息
读取和编程DS2505的16384位EPROM部分在内存中给出
功能命令一节。
4 24
DS2505
EPROM状态字节
除了16384位数据存储的DS2505提供了704位的存取状态存储器
与单独的命令。
EPROM状态字节可被读取或编程来指示各种条件的软件
询问的DS2505 。前8个字节的EPROM状态存储器(地址为000 007H )
包含页面写保护位,抑制了相应的页面进行编程,在16384位
如果相应的写保护位被编程主内存区域。一旦位已
在状态存储器的页写保护,整个32字节的页编程的
对应于该位不能再被改变,但是仍然可以读出。
接下来的8个字节的EPROM状态存储器(地址020至027H )包含写保护位
抑制改变,在16384位对应于每个页面的页面地址重定向字节
主存储器区域。
EPROM状态存储器中的以下8个字节(地址从040至047H )的保留使用
通过在iButton操作软件TMEX 。他们的目的是指示哪些存储器页已经
在使用中。最初,所有的这些位是未编程的,表示该设备不存储任何数据。
只要数据是根据TMEX ,这个位图内的比特的控制写入到设备的任何页面
对应于该网页将被编程为0 ,标记当前页的使用。这些位
应用标志只与对DS2505的内部逻辑没有影响。
接下来的64个字节的EPROM状态存储器(地址100H到13FH )中包含的页面地址
重定向字节,如果一个或多个数据中的16384位EPROM中的页数这表明
已经失效由软件和重定向到包含在适当的页面地址
重定向字节。在DS2505的硬件无法对页面内容决定
地址重定向字节。状态EPROM中的这些附加字节允许的重定向
整个页面到另一个页面地址,表示在原始页面中的数据不再被认为是
相关的或有效的。用EPROM技术,页面内的比特可以从逻辑1改变为
逻辑0由编程,但不能改变回去。因此,不可能通过简单地重写
如果数据需要修改或更新,但如果空间允许,数据的一整页可以是页面
通过写入新的页地址的1的补码重定向到DS2505中的另一页
成对应于原始(替换)页页地址重定位字节。
这种结构允许用户的软件通过指示作出一个“数据块”到EPROM的那一个
特定页面或页面应该被替换那些在页面地址重定向字节表示。
离开补丁数据的真实审计跟踪,建议也进行编程写保护位
页面地址重定向字节中,后的页面重定向程序。如果没有这种保护,
它仍然是可以修改的页面地址重定向字节,使其指向不同的内存
页面比真实的。
如果页面地址重定位字节的FFH值,对应于主存储器中的数据
该页面是有效的。如果页面地址重定向字节为其他十六进制值,在该页面中的数据
对应于重定向字节是无效的,有效的数据现在可以在一个人的发现
由存储在相关联的页地址的十六进制值表示的页地址的补
重定向字节。外佣在重定向字节页1的值,例如,将指示
更新的数据是现在的2的详细信息页面读取和编程的EPROM存储器中的地位
在DS2505的部分中给出了存储器功能命令一节。
5 24
DS2505
16KB只添加存储器
www.maxim-ic.com
特点
16384位电可编程只读
只读存储器( EPROM),采用通信
一个信号加地经济
唯一的,工厂光刻和测试的64位
注册号( 8位家族码+
48位序列号+ 8位CRC校验码)
保证绝对可溯,因为没有任何两个
器件相同
内建的
多点
调节器
保证
与其他1 - Wire网的兼容性
制品
EPROM划分为64 256位
用于随机分组数据页
记录
每个存储器页可以是永久写
保护,以防止篡改
设备是一个“只添加”存储在哪里
附加数据可被编程到
EPROM不会破坏已有数据
架构允许软件修补数据,
取而代之的是一种新的取代旧的页面
网页编程
将控制,地址,数据,电源,
编程信号到一个数据引脚
直接连接到一个单一的端口引脚
微处理器,通信速率达
每秒16.3千比特
8位家族码DS2505
通报要求,以读者
进行在线检测应答时
阅读器首次上电
低成本TO- 92或6引脚TSOC表面
贴装封装
读了2.8V至宽电压范围
6.0V温度范围为-40 ° C至+ 85°C ;在节目
11.5V至12.0V范围为-40 ° C至+ 50°C
引脚分配
TO-92
达拉斯
DS2505
TSOC封装
GND
数据
NC
1
2
3
6
5
4
NC
NC
NC
顶视图
3.7 X 4.0 X 1.5毫米
SIDE VIEW
见机甲。
绘制部
GND
数据
NC
1 2 3
底部视图
注意:
的TO- 92封装的条状引线
盘式形成为约100密耳
器(2.54 mm )的间距。有关详情请参阅
信息
部分。
订购信息
DS2505
DS2505/T&R
DS2505P
DS2505P/T&R
DS2505+
DS2505+T&R
DS2505P+
DS2505P+T&R
TO- 92封装
TO- 92封装,带卷&
TSOC封装
TSOC封装,带卷&
TO- 92封装
TO- 92封装,带卷&
TSOC封装
TSOC封装,带卷&
+表示无铅(Pb ) - 免费/符合RoHS标准
封装。
的1-Wire是Maxim Integrated Products ,Inc.的注册商标。
1 24
071107
DS2505
硅标签说明
关于产品的DS2505 16Kb的只添加存储器,可以识别和存储相关信息
它相关联。这个标签或特殊产品信息可以通过最少的接口访问,
微控制器,例如一个端口引脚。该DS2505由一个工厂光刻注册
它包括一个唯一的48位序列号, 8位CRC校验码和8位家族码( 0BH )号加
16KB的用户可编程EPROM 。编程和读取DS2505的电源完全导出
从1线
通信线路。数据按照1 - Wire协议,即串行传输
只有一根数据线和返回地线。可以对整个器件进行编程,然后直写
如果需要保护。或者,该部件可以多次编程新数据被
追加,而不是覆盖,与所述装置的各后续编程的现有数据。注意:
每位只能改变从逻辑1到逻辑0 ,但永远不能从逻辑0到逻辑1 。
一项条款还包括用于指示某一页或数据页不再有效,
已被替换为那些驻留在其它页面地址的新的或更新的数据。此页面
地址重定向功能允许软件修补数据,并提高设备的灵活性作为一个独立的
数据库。 48位序列号是出厂刻入每个DS2505提供了一个guaranteed-
其唯一性,绝对可溯。在TO- 92和TSOC封装提供了一种
紧凑的结构,允许采用标准安装设备处理器的设备连接到
印刷电路板或布线。典型应用包括存储校准常数,
维护记录,资产跟踪,产品修正状态和访问代码。
概观
在图1中的框图显示了主要的控制部分和存储单元之间的关系
在DS2505 。该DS2505有三个主要的数据部件: 1 ) 64位光刻ROM , 2 ) 16384位
EPROM数据存储器,和3 ) 704位EPROM状态存储器。该器件得到供电读
操作完全取自于1 - Wire通信线路通过在一个内部电容器储存的能量
的时间时,信号线为高,并继续运行过的这个时期“寄生虫”动力源
在1 -Wire总线,直到它再对寄生(电容)电源返回高的低次。
在编程过程中, 1 -Wire通信发生在正常的电压水平,然后是脉冲
瞬间到编程电压,以使选择的EPROM位进行编程。该
1 -Wire总线必须能够提供12伏10毫安充分编程EPROM
的部分的某些部分。当编程电压出现在1 -Wire总线特殊的高
电压检测电路中的DS2505产生内部逻辑信号,以指示这种情况。该
1- Wire协议的层次结构如图2所示。总线主机必须首先提供
四个ROM功能命令: 1 )读ROM , 2 )匹配ROM , 3)搜索ROM , 4 )跳过ROM 。
这些命令中的每个设备的64位光刻ROM部分进行操作,并可以单个化的特定
如果许多人都出现在1 - Wire总线,以及指示总线主控多少和什么设备
类型的装置都存在。所需的这些ROM功能命令的协议中描述
图8.在一个ROM功能命令成功执行,即操作记忆功能
对DS2505的EPROM部分成为访问,总线主机发出的任何一个
5存储器功能命令具体到DS2505读取或编程不同的数据字段。该
协议存储器操作命令在图5中描述的所有的数据读取和写入
首先最显著位。
64位光刻ROM
每个DS2505包含一个唯一的ROM代码是64位长。第8位是1 - Wire家族码。
接下来的48位是唯一的序列号。最后8位是前56位的CRC校验码。 (参见图3 )
64位ROM和ROM功能控制部分允许DS2505操作的1 -Wire器件和
按照1 -Wire协议中的部分详述“ 1 - Wire总线系统”要求的存储器功能
读取和编程DS2505的EPROM部分无法访问,直到ROM功能
2 24
DS2505
协议已得到满足。这个协议是ROM的功能流程图(图8)中所述。该
1 - Wire总线主机必须首先提供四个ROM功能命令之一: 1 )读ROM , 2 )比赛
ROM , 3)搜索ROM ,4)跳过ROM 。经过ROM功能序列已成功
执行时,该总线主控制器然后可以提供存储功能中的任何一个命令,特定于
DS2505 (图5) 。
激光刻入ROM的1 - Wire CRC校验码的多项式X生成
8
+ X
5
+ X
4
+ 1。
关于Dallas Semiconductor的1- Wire循环冗余校验信息在本书中的
的DS19xx iButton的标准。作为用于CRC计算的移位寄存器被初始化为0,然后
开始的家族码的最低显著位,一次一个位被移入后的第8位
家庭代码已被输入,则该序列号被输入。 48后
th
序列号的位
已输入,在移位寄存器中的CRC值。移入8位CRC校验码后
移位寄存器为全零。
DS2505框图
图1
3 24
DS2505
等级结构1 -Wire协议
图2
64位光刻ROM
科幻gure 3
8位CRC校验码
最高位
LSB MSB
48位序列号
8位家族码( 0BH )
LSB MSB
最低位
16384 - BITS EPROM
图4中的存储器映射显示了DS2505的,其被配置为16384位EPROM部
64页,每页32字节。 8位暂存器是充当一个缓冲器时,一个额外的寄存器
编程存储器。数据首先被存入暂存器,然后验证通过读取16位
CRC从确认收到正确的数据和地址的DS2505 。如果缓冲区内容
正确的,一个编程电压应当施加和数据的字节将被写入到所选择的
地址在存储器中。编程时内存这个过程保证了数据的完整性。的详细信息
读取和编程DS2505的16384位EPROM部分在内存中给出
功能命令一节。
4 24
DS2505
EPROM状态字节
除了16384位数据存储的DS2505提供了704位的存取状态存储器
与单独的命令。
EPROM状态字节可被读取或编程来指示各种条件的软件
询问的DS2505 。前8个字节的EPROM状态存储器(地址为000 007H )
包含页面写保护位,抑制了相应的页面进行编程,在16384位
如果相应的写保护位被编程主内存区域。一旦位已
在状态存储器的页写保护,整个32字节的页编程的
对应于该位不能再被改变,但是仍然可以读出。
接下来的8个字节的EPROM状态存储器(地址020至027H )包含写保护位
抑制改变,在16384位对应于每个页面的页面地址重定向字节
主存储器区域。
EPROM状态存储器中的以下8个字节(地址从040至047H )的保留使用
通过在iButton操作软件TMEX 。他们的目的是指示哪些存储器页已经
在使用中。最初,所有的这些位是未编程的,表示该设备不存储任何数据。
只要数据是根据TMEX ,这个位图内的比特的控制写入到设备的任何页面
对应于该网页将被编程为0 ,标记当前页的使用。这些位
应用标志只与对DS2505的内部逻辑没有影响。
接下来的64个字节的EPROM状态存储器(地址100H到13FH )中包含的页面地址
重定向字节,如果一个或多个数据中的16384位EPROM中的页数这表明
已经失效由软件和重定向到包含在适当的页面地址
重定向字节。在DS2505的硬件无法对页面内容决定
地址重定向字节。状态EPROM中的这些附加字节允许的重定向
整个页面到另一个页面地址,表示在原始页面中的数据不再被认为是
相关的或有效的。用EPROM技术,页面内的比特可以从逻辑1改变为
逻辑0由编程,但不能改变回去。因此,不可能通过简单地重写
如果数据需要修改或更新,但如果空间允许,数据的一整页可以是页面
通过写入新的页地址的1的补码重定向到DS2505中的另一页
成对应于原始(替换)页页地址重定位字节。
这种结构允许用户的软件通过指示作出一个“数据块”到EPROM的那一个
特定页面或页面应该被替换那些在页面地址重定向字节表示。
离开补丁数据的真实审计跟踪,建议也进行编程写保护位
页面地址重定向字节中,后的页面重定向程序。如果没有这种保护,
它仍然是可以修改的页面地址重定向字节,使其指向不同的内存
页面比真实的。
如果页面地址重定位字节的FFH值,对应于主存储器中的数据
该页面是有效的。如果页面地址重定向字节为其他十六进制值,在该页面中的数据
对应于重定向字节是无效的,有效的数据现在可以在一个人的发现
由存储在相关联的页地址的十六进制值表示的页地址的补
重定向字节。外佣在重定向字节页1的值,例如,将指示
更新的数据是现在的2的详细信息页面读取和编程的EPROM存储器中的地位
在DS2505的部分中给出了存储器功能命令一节。
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