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1024位的1-Wire EEPROM
概述
该DS2431是1024位， 1线
EEPROM芯片奥尔加
认列之为每256位四个内存页。数据
写入一个8字节暂存器，核实，然后
复制到EEPROM存储器。作为一个特殊的功能，该
四个内存页可以单独写保护或
进入EPROM仿真模式，在比特只能是
从1变为0状态。 DS2431的通信
凯茨在单芯1 -Wire总线。该commu-
讯遵循标准的1 -Wire协议。每
器件都有不能更改的，唯一的64位ROM
注册号，由工厂光刻写入芯片。
登记号用于寻址该设备在
一个多点的1 -Wire网络环境。
特点
o
1024位EEPROM存储器，分为中
256位四页
o
独立的存储器页面可永久
写保护或EPROM仿真模式
（ “写入0 ” ）
o
切换点滞回和滤波优化
在噪声背景下的性能
o
IEC 1000-4-2 4级ESD保护（ ± 8kV的
联系方式， ± 15kV气隙放电，典型值）
o
读，写操作在很宽的电压范围
从2.8V至5.25V范围为-40 ° C至+ 85°C
o
与主机通信的单一数字
信号以15.4kbps或125kbps速率应用的1-Wire
协议
o
也可作为汽车版会议
AEC - Q100 1级资格要求
（ DS2431 -A1 ;参考IC数据表
详细信息）
DS2431
应用
配件/ PCB识别
医疗传感器校准数据存储
模拟传感器校准，包括IEEE
P1451.4智能传感器
墨水和碳粉打印盒识别
后市场的耗材管理
订购信息
部分
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
PIN- PACKAGE
3 TO-92
3 TO-92
6 TSOC
6 TSOC
2 SFN （采用6mm x 6mm ）
2 SFN （采用6mm x 6mm ）
（ 2.5K PCS）
2 SFN （3.5毫米X 6.5毫米）
2 SFN （3.5毫米X 6.5毫米）
（ 2.5K PCS）
6 TDFN -EP * （ 2.5K PCS）
3x3的UCSPR （ 2.5K PCS）
3x3的UCSPR （ 10,000个）
DS2431+
DS2431+T&R
DS2431P+
DS2431P+T&R
DS2431G+U
典型工作电路
V
CC
R
PUP
IO
C
DS2431
DS2431G+T&R
DS2431GA+U
DS2431GA+T&R
DS2431Q+T&R
GND
DS2431X-S+
DS2431X+
引脚配置在数据资料的最后。
注意：
的TO- 92封装的磁带和卷轴的引线
形成为约100密耳（ 2.54毫米）晶面间距。为
详细信息，请参阅封装外形图。
+表示
一个铅（Pb ） - 免费/符合RoHS标准的封装。
T&R =卷带包装。
* EP
=裸焊盘。
的1-Wire是Maxim Integrated Products ，Inc.的注册商标。
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
对于定价，交付和订购信息，请联系马克西姆直接在1-888-629-4642 ，
或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
1024位的1-Wire EEPROM
DS2431
绝对最大额定值
IO电压范围为GND .......................................- 0.5V至+ 6V
IO灌电流............................................... .................... 20毫安
工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 85°C
结温................................................ ...... + 150°C
存储温度范围.............................- 55 ° C至+ 125°C
焊接温度（不包括UCSP封装，焊接， 10秒）...... + 300℃
焊接温度（再溢流）
TO- 92 ............................................... ............................. + 250℃
AIL其他的包不包括SFN .............................. + 260℃
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。 ） （注1 ）
参数
IO引脚：通用数据
1 - Wire上拉电压
1 - Wire上拉电阻
输入电容
输入负载电流
高到低开关阈值
输入低电压
低到高的开关阈值
切换迟滞
输出低电压
恢复时间
（注2,12 ）
V
PUP
R
PUP
C
IO
I
L
V
TL
V
IL
V
TH
V
HY
V
OL
（注2 ）
（注2,3）
（注4,5）
IO引脚在V
PUP
（注5 ， 6 ， 7 ）
（注2,8 ）
（注5，6， 9）
（注5 ， 6 ， 10 ）
在4毫安（注11 ）
标准速度，R
PUP
= 2.2k
t
REC
高速模式下，R
PUP
= 2.2k
高速模式下，前直接重置
脉冲;
PUP
= 2.2k
标准速度
高速模式
标准速度
高速模式
标准速度
高速模式
标准速度
高速模式
标准速度
高速模式
标准速度
高速模式
5
2
5
0.5
65
8
480
48
15
2
60
8
60
6
640
80
60
6
240
24
75
10
5.0
s
s
s
1.0
0.21
0.05
0.5
2.8
0.3
5.25
2.2
1000
6.7
V
PUP
-
1.8
0.5
V
PUP
-
1.0
1.70
0.4
V
k
pF
A
V
V
V
V
V
符号
条件
民
典型值
最大
单位
上升沿保持关闭时间
（注5 ， 13 ）
时隙持续时间
（注2，注14 ）
t
REH
t
SLOT
不适用（0）
IO引脚： 1 - Wire复位，在线检测周期
复位低电平时间（注2 ）
在线检测高电平时间
在线检测低电平时间
在线检测采样时间
（注2，注15 ）
t
RSTL
t
PDH
t
PDL
t
MSP
s
s
s
s
2
_______________________________________________________________________________________
1024位的1-Wire EEPROM
电气特性（续）
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。 ） （注1 ）
参数
IO引脚： 1 - Wire写
标准速度
写0低电平时间
（注2 ， 16 ， 17 ）
写1低电平时间
（注2，注17 ）
IO引脚： 1 - Wire读
读低时间
（注2，注18 ）
阅读采样时间
（注2，注18 ）
EEPROM
编程电流
编程时间
写/擦除周期（耐力）
（注22 ， 23 ）
数据保留
（备注24，25， 26）
I
PROG
t
PROG
N
CY
t
DR
（注5 ， 19 ）
（注20 ， 21 ）
AT + 25°C
在+ 85°C （最坏情况）
在+ 85°C （最坏情况）
200k
50k
40
岁月
0.8
10
mA
ms
t
RL
t
MSR
标准速度
高速模式
标准速度
高速模式
5
1
t
RL
+
t
RL
+
15 -
2-
15
2
s
s
t
W0L
高速模式下，V
PUP
＆ GT ; 4.5V
高速模式
t
W1L
标准速度
高速模式
60
5
6
1
1
120
15.5
15.5
15
2
s
s
符号
条件
民
典型值
最大
单位
DS2431
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
注5 ：
注6 ：
注7 ：
注8 ：
注9 ：
注10 ：
注11 ：
注12 ：
注13 ：
注14 ：
注15 ：
注16 ：
注17 ：
注18 ：
限制是100 ％的生产在T测试
A
= + 25 ° C和/或T
A
= + 85°C 。限制在工作温度范围和rel-
埃文特电源电压范围是通过设计和特性保证。典型值是无法保证的。
系统要求。
最大可允许上拉电阻是在系统1-Wire器件和1 -Wire恢复的次数的函数。
这里提供的数值适用于系统只有一个设备，并具有最小的1-Wire恢复时间。欲了解更多
重负载系统，有源上拉，如在在DS2482 -X00发现， DS2480B或DS2490可能需要。
最大值代表的内部寄生电容当V
PUP
首先应用。一旦该寄生电容是
充电时，它不会影响正常的通信。
通过设计，表征，和/或仅仿真保证。未经生产测试。
V
TL
, V
TH
和V
HY
是内部电源电压的函数，这是作为V的函数
PUP
, R
PUP
， 1-Wire时序，并
容性负载的IO 。低V
PUP
，较高的R
PUP
，短吨
REC
和较重的容性负载的所有引线，以降低的值
V
TL
, V
TH
和V
HY
.
电压低于此，对IO的下降沿时，逻辑0被检测到。
IO电压必须小于或等于V
ILMAX
在任何时候船长驾驶IO为逻辑0电平。
电压高于此，在对IO的上升沿，逻辑1被检测到。
经过V
TH
在对IO的上升沿被超越，在IO电压必须至少V降
HY
以被检测为逻辑0 。
IV特性是线性的电压小于1V 。
适用于连接到一个1-Wire总线的单个设备。
一个下降沿最早承认有可能在t
REH
经过V
TH
已经就前面的上升沿。
定义了最大可能的位速率。等于T
W0LMIN
+ t
RECMIN
.
吨区间后，
RSTL
在此期间，总线主机可以读取IO逻辑0 ，如果有一个DS2431存在。该电presence-
检测脉冲可能是这个区间之外，但会在上电后2毫秒内完成。
在数字
胆大
是
不
按照传统的1线的产品标准。见
比较表。
ε
在图11中表示需要上拉电路的时间从V拉IO电压上升
IL
到V
TH
。实际
拉为低电平最长期限为主控为t
W1LMAX
+ t
F
-
ε
和T
W0LMAX
+ t
F
-
ε,
分别。
δ
在图11中表示需要上拉电路的时间从V拉IO电压上升
IL
到输入 - 高
门槛总线主控的。实际的最长期限为师傅线拉低为t
RLMAX
+ t
F
.
_______________________________________________________________________________________
3
1024位的1-Wire EEPROM
DS2431
注19 ：
从IO EEPROM的编程期间电流消耗。在编程期间在IO上拉电路
应该是这样的，在IO上的电压大于或等于V
PUPMIN
。如果V
PUP
在系统接近V
PUPMIN
中，低
的R阻抗，旁路
PUP
，其可在编程过程中被激活，可能需要添加。
注20 ：
间隔开始吨
REHMAX
后尾上升沿IO为E / S字节的有效复制暂存器的最后一个时隙
序列。间隔结束一次设备的自定时EEPROM编程周期结束，并通过汲取的电流
该设备已经从我回来
PROG
到我
L
.
注21 ：
t
PROG
对于品牌版本“A1”单元是12.5mS的。吨
PROG
对于单位品牌版本“A2 ”，后来为10ms 。
注22 ：
写周期耐力下降为T
A
增加。
注23 ：
不是100 ％生产测试;通过可靠性监视器采样保证。
注24 ：
数据保留被降解为T
A
增加。
注25 ：
由100％的产量试验在升高的温度下进行更短的时间保证;该生产测试，以等价
在工作温度范围内的数据表限制了可靠性测试确定。
注26 ：
EEPROM的写入可以成为无功能的数据保留时间超过后。长期存放在高温温
peratures不推荐;该设备可10年后，在+ 125°C失去其写入能力或40年，在+ 85°C 。
比较表
LEGACY VALUES
参数
标准速度
(s)
民
t
SLOT
（包括T
REC
)
t
RSTL
t
PDH
t
PDL
t
W0L
61
480
15
60
60
最大
（未定义）
（未定义）
60
240
120
高速模式
(s)
民
7
48
2
8
6
最大
（未定义）
80
6
24
16
DS2431 VALUES
标准速度
(s)
民
65*
480
15
60
60
最大
（未定义）
640
60
240
120
高速模式
(s)
民
8*
48
2
8
6
最大
（未定义）
80
6
24
15.5
*意向
改变;较长的恢复时间要求，由于修改的1 - Wire前端。
注意：
在数字
胆大
是
不
按照传统的1线的产品标准。
4
_______________________________________________________________________________________
1024位的1-Wire EEPROM
引脚说明
针
TSOC
3, 4, 5, 6
2
1
TO-92
3
2
1
TDFN -EP
1, 4, 5, 6
2
3
SFN
—
1
2
UCSPR
A2，A3 ，C2
C3
C1
A1
名字
北卡罗来纳州
IO
GND
功能
没有连接
1 - Wire总线接口。漏极开路信号
这需要一个外部上拉电阻。
接地参考
裸露焊盘（仅TDFN ） 。焊接
均匀涂抹于电路板的接地层
正确的操作。请参阅应用
注意3273 ：
裸焊盘：简
介绍
了解更多信息。
DS2431
—
—
—
—
—
EP
详细说明
在DS2431集成了1024位EEPROM ，一个
多达7用户读/写8字节的寄存器/控制页
字节和一个全功能的1 - Wire接口在单
芯片。每个DS2431都有自己的64位ROM注册码
，由工厂光刻写入芯片，提供
绝对保证可追溯性独特的身份。
数据通过串行传送
1 - Wire协议，只需要一根数据线
和一个地回路。该DS2431有一个额外的
存储区域称为充当暂存器
写入主存储器或寄存器时，缓冲
页。数据首先被存入暂存器从
它可以被读回。后的数据已被验证，一
复制暂存器命令将数据传送到其
最终的存储单元。 DS2431的应用包括：
配件/ PCB识别，医疗传感器校准
化数据存储，模拟传感器校准，包括
IEEE P1451.4智能传感器，墨水和碳粉打印CAR-
盒识别，及后市场管理
耗材。
寄生电源
IO
1-Wire
功能控制
64-BIT
光刻ROM
DS2431
内存
功能
控制单元
CRC-16
发电机
数据存储器
的4页
256位每个
注册页面
64位
64-BIT
暂存器
概观
图1中的框图表示的关系
的主控制器和存储单元之间
DS2431 。 DS2431包括四个主要组成部分的数据：
64位光刻ROM ， 64位暂存器， 4个32字节
EEPROM中的页面，和一个64位寄存器页。
图1.框图
_______________________________________________________________________________________
5
QQ：2880707522 复制
