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DS2406
双寻址开关
加的1K位存储器
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特点
§
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§
§
§
漏极开路PIO引脚控制,其
逻辑电平可以在1线确定
总线用于闭环控制
取代并完全兼容
DS2407但没有用户可编程的上电
设置并没有隐藏模式
PIO通道成50mA的吸收能力
0.4V软导通;通道B 8毫安在
0.4V
13V的最大工作电压
PIO -A , 6.5V的PIO -B
1024位用户可编程OTP EPROM
用户可编程状态存储器
控制设备
多个DS2406的可在被识别
常见的1 - Wire总线和开启或关闭开启
独立的总线上其他器件
唯一的,工厂光刻和测试的64位
注册号( 8位家族码+
48位序列号+ 8位CRC校验码)
确保无错的选择,绝对的
的身份,因为没有任何两个器件相同
片上CRC16发生器可检测
数据传输错误
内置多点控制器确保
与其他1 -Wire网络产品的兼容性
将控制,地址,数据编程
和供电集于一个数据引脚
直接连接到一个单一的端口引脚
微处理器,通信速率达
16.3千位/秒
支持用户自与搜索条件
可选择的条件
V
cc
bondout为可选的外部供应
设备( TSOC封装)
1 -Wire通信工作在很宽
2.8V至6.0V范围为-40 ° C至电压范围
+85°C
低成本TO- 92或6引脚TSOC表面
贴装封装
1 31
引脚分配
TO-92
达拉斯
DS2406
6引脚TSOC封装
1
2
3
顶视图
6
5
4
SIDE VIEW
1
1
2
2
3
3
见机甲。图纸
部分
底部视图
引脚说明
销1
销2
3脚
引脚4
5脚
引脚6
TO-92
数据
PIO -A
---
---
---
TSOC / CSP
数据
PIO -A
V
cc
NC
PIO -B
§
§
§
§
§
§
§
§
订购信息
DS2406
DS2406P
DS2406/T&R
DS2406P/T&R
DS2406X
TO- 92封装
6引脚TSOC封装
磁带&卷轴DS2406的
磁带&卷轴DS2406P的
芯片级PKG 。 ,磁带&
REEL
110501
DS2406
可寻址开关说明
在DS2406双寻址开关以及内存提供了一个简单的方法来远程控制对
漏极开路晶体管和回读每个晶体管的输出通过1- Wire总线的逻辑电平
闭环控制。每个DS2406都有自己的64位ROM注册码,由工厂刻入
该芯片提供了绝对的可追溯性保证唯一的标识。该设备的1024位的
EPROM可以用作电子标签来存储信息,如开关功能,物理位置
和安装日期。与DS2406的通信遵循Dallas Semiconductor标准
1 - Wire协议,可以通过更少的硬件来完成,如一个单一的端口引脚
微控制器。多个DS2406设备可以在一个公用的1 -Wire网络上进行操作
彼此独立的。个别设备将要条件搜索命令,如果他们回应
符合某些用户指定的条件,其中包括输出晶体管的状态下,静态
逻辑电平或在该晶体管的输出电压过渡。
DS2406框图
图1
寄生电源
INT VDD
VCC
1-Wire总线
数据
1-WIRE
功能
控制
内存
功能
控制
CRC16
发电机
数据存储器
1024位的EPROM
(4 PAGES
32字节)
状态存储器
5个字节EPROM
1字节的SRAM
64-BIT
光刻ROM
节目
电压
检测
8-BIT
暂存器
PIO -A
PIO -B
PIO
控制
2 31
DS2406
概观
在图1中的框图显示了主要的控制部分和存储单元之间的关系
在DS2406 。该器件有四个主要的数据组成: 64位光刻ROM , 1024位EPROM数据
内存,内存状态和PIO控制模块。 1- Wire协议的层次结构
如图2所示,主机必须首先提供五ROM功能命令:读
ROM ,匹配ROM , ROM搜索,跳过ROM或条件搜索ROM 。所需的协议
这些ROM功能,在图13中描述过了ROM功能命令成功
执行后, PIO控制和记忆功能变得方便和主人可以提供任何一个
六个内存和控制功能的命令。该协议为这些功能描述
图7.所有数据都读入和写出最显著位。
等级结构1 -Wire协议
图2
公共汽车
1-Wire总线
其他
器件
DS2406
命令
水平
可用的
COMMANDS
读取ROM
匹配ROM
搜索ROM
跳过ROM
条件
搜索ROM
数据字段
受影响
64位ROM
64位ROM
64位ROM
不适用
64位ROM ,
条件搜索设置
在状态存储单元7 ,
设备/通道状态
1024位的EPROM
状态存储器
1024位的EPROM
状态存储器
1024位的EPROM
PIO渠道
1 - Wire ROM功能
命令(参见图13)
DS2406具体
记忆功能
命令(参见图7)
写存储器
写状态
阅读记忆
阅读状态
分机。阅读记忆
信道接入
3 31
DS2406
寄生电源
在DS2406完全可以从1- Wire总线通过在内部电容中存储能量得到它的力量
期间的时间段时,信号线为高。在低倍的装置继续运转关
这种“寄生”电源,直到1 - Wire总线变为高再对寄生(电容)
供应量。在应用中,该装置可以暂时从1-Wire总线或者断开
低倍的1-Wire总线可以是很长的V
CC
销可连接到外部电压
供应维持设备的状态。
当写入EPROM存储器, 1- Wire通信发生在正常的电压和
然后瞬间脉冲的编程电压,以使选择的EPROM位为
编程。总线主机必须能够提供12V和10mA至适当编程EPROM
该设备的各部分。在编程过程中,只有EPROM为基础的设备被允许存在于
1- Wire总线。
64位光刻ROM
每个DS2406包含一个唯一的ROM代码是64位长。第8位是1 - Wire家族码。
接下来的48位是唯一的序列号。最后8位是前56位的CRC校验码。 (参见图3)。
1- Wire CRC校验码的多项式发生器由移位寄存器和异或门的产生
8
5
4
如图4的多项式为X + X + X + 1。关于Dallas 1-信息
Wire循环冗余校验的应用笔记27或DS19xx的iButton的书可用
标准。移位寄存器的位被初始化为零。然后开始用的所述至少显著位
家族码, 1位同时移入后已经进入了家族码的第8位,则
序列号被输入。后已输入的序列号第48位时,移位寄存器
包含CRC值。移入8位CRC校验码后,移位寄存器为全零。该
64位ROM和1-Wire总线功能控制部分允许DS2406操作的1 -Wire器件和
按照节“ 1 - Wire总线系统”所描述的协议。
64位光刻ROM
科幻gure 3
最高位
8位CRC校验码
最高位
最低位
最高位
48位序列号
最低位
最低位
8位家族码( 12H )
最高位
最低位
1-Wire CRC发生器
图4
多项式= X
8
+ X
5
+ X
4
+ 1
R
S
1ST
舞台
2ND
舞台
3RD
舞台
4TH
舞台
5TH
舞台
6TH
舞台
7TH
舞台
8TH
舞台
X
0
X
1
X
2
X
3
X
4
X
5
X
6
X
7
X
8
输入数据
4 31
DS2406
存储器映射
该DS2406有两个存储器,分别是数据存储器和状态记忆。该数据存储器
由1024位一次性可编程EPROM划分为4页,每页32字节。该
该设备的状态存储器的地址范围是8个字节。第7个字节状态存储器(地址
06)是EPROM 。第八个字节(地址7 )是静态RAM 。完整
存储器映射图5所示的8位暂存器是充当一个缓冲器,当一个附加的寄存器
写入存储器。数据首先被存入暂存器,然后验证通过读取16位CRC
从DS2406 ,确认正确接收的数据和地址。这个过程保证了数据的完整性
当编程存储器。如果缓冲区的内容是正确的,总线主机就发出一个
编程脉冲(EPROM )或虚设FFh字节(RAM)中的数据从暂存器转移到
被寻址的存储位置。详细阅读和编程DS2406中给出
存储器功能命令一节。
DS2406存储器映射
图5
8位暂存器
页面#
1K-Bit
EPROM
0
1
2
3
有效的设备
设置
( SRAM)的
地址范围
0000h到001Fh
0020H到003FH
0040H至005Fh
0060H至007FH
工厂
测试字节
描述
32字节的最终存储数据存储器
32字节的最终存储数据存储器
32字节的最终存储数据存储器
32字节的最终存储数据存储器
重定向
字节
位图
使用的页面
写保护
比特数据
内存
8个字节
状态
内存
00
DS2406状态存储器映射
图6
地址
0
(EPROM)
1
(EPROM)
2
(EPROM)
3
(EPROM)
4
(EPROM)
5
(EPROM)
6
(EPROM)
7
( SRAM)的
第5位
4位
第3位
第2位
BM1
BM0
WP3
WP2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
EPROM工厂测试字节
不关心,总是读00
供应
PIO -B
PIO -A
CSS4
CSS3
CSS2
指示通道通道通道通道源
(只读)触发器触发器
SELECT
SELECT
SELECT
第7位
BM3
1
1
1
1
第6位
BM2
1
1
1
1
第1位
WP1
再导向。 0
再导向。 1
REDIR 2
REDIR 3
位0
WP0
再导向。 0
再导向。 1
REDIR 2
REDIR 3
CSS1
来源
SELECT
CSS0
极性
5 31
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