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DS22EV5110 DVI , HDMI延长关爱均衡器重定时器和输出去加重
初步
DS22EV5110
2009年5月11日
DVI , HDMI延长关爱均衡器和重定时器
输出去加重
概述
该DS22EV5110是6.75 Gbps的(3× 2.25 Gbps)的扩展
达到均衡器,用于DVI 和HDMI 电缆exten-优化
锡永应用了高性能时钟恢复功能。
它支持3最小化传输差分信号
( TMDS )数据通道和过一个时钟通道
DVI V1.0和HDMI v1.3a数据速率高达2.25 Gbps的
每个数据信道。该器件集成了一个可配置
接收均衡器,时钟和数据恢复(CDR)电路和
通过DVI v1.0的每个数据通道上的去加重驱动,
和HDMI v1.3a数据速率高达2.25 Gbps的每个数据
通道。该器件集成了一个可配置的接收
均衡器对每一个时钟和数据恢复(CDR)电路
数据信道。时钟通道送入高perfromance
锁相环( PLL),该再生低抖动输出
时钟数据恢复,使得driv-的延伸到位
荷兰国际集团的能力特征的转发器应用程序。
该DS22EV5110均衡25米以上28 AWG
HDMI连接线,使1080p分辨率,12位深
颜色深度(2.25 Gbps)的,在时钟的低抖动版本和
数据信号的输出,同时降低确定性和随机
抖动。获得总抖动为0.09 UI或过少的支持
数据速率。这种极低的输出抖动级别提供
压下工作时,系统设计人员提供额外的余量和灵活性
荷兰国际集团有严格的时序预算。它是理想的DVI和
HDMI信号源和中继器应用。
发射器支持可配置的发射去加重
所以输出可用于驱动额外的长度进行优化
的电缆或FR4走线。
特点
优化的HDMI / DVI信号源和中继器应用
TMDS兼容输入,可配置的接收
均衡支持数据速率高达2.25 Gbps的
与TMDS发送配置DE-兼容输出
突破重点
每个数据信道在专用的CDR减小抖动
转让
电阻可调差分输出电压为交流
加上超五类六类和推广应用
2均衡器设置为一个宽范围的电缆达到最高
2.25 Gbps的
0.09 UI 2.25 Gbps的总输出抖动
DVI 1.0和HDMI v1.3a兼容的TMDS源
接收器接口
7毫米X 7毫米48引脚的LLP封装
>8千伏HBM ESD保护
0 ° C至+ 70 ° C工作温度
应用
中继器应用
HDMI / DVI延长器
源应用
显卡
蓝光DVD播放器
游戏机
应用汇
高清显示器
投影机
应用框图
30094953
2009美国国家半导体公司
300949
www.national.com
DS22EV5110
引脚说明
引脚名称
C_IN-
C_IN +
D_IN0
D_IN0+
D_IN1
D_IN1+
D_IN2
D_IN2+
C_OUT-
C_OUT +
D_OUT0
D_OUT0+
D_OUT1–
D_OUT1+
D_OUT2
D_OUT2+
EQ2
EQ1
EQ0
DE1
DE0
设备控制
绕行
47
I,
LVCMOS
时钟恢复器的使能控制。内部拉低为默认值。
H =时钟恢复和去加重功能被旁路。
L =正常运行。
引脚数
1
2
4
5
8
9
11
12
36
35
33
32
29
28
26
25
37
38
39
42
43
I / O类型
一,慢性粒细胞白血病
一,慢性粒细胞白血病
一,慢性粒细胞白血病
一,慢性粒细胞白血病
O, CML
O, CML
O, CML
O, CML
描述
反相和非反相的TMDS时钟输入到均衡器。片上50
终止
电阻C_IN +连接到V
DD
和C_IN-到V
DD
.
反相和非反相TMDS数据输入到均衡器。片上50
终止
电阻D_IN0 +连接到V
DD
和D_IN0-到V
DD
.
反相和非反相TMDS数据输入到均衡器。片上50
终止
电阻D_IN1 +连接到V
DD
和D_IN1-到V
DD
.
反相和非反相TMDS数据输入到均衡器。片上50
终止
电阻D_IN2 +连接到V
DD
和D_IN2-到V
DD
.
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
高速差分I / O
均衡控制
我, LVCMOS EQ2 , EQ1和EQ0选择EQ通道均衡器提升等级。内部拉低
为默认值。看
表1中。
去加重控制
I,
LVCMOS
DE1 , DE0选择为输出驱动器的DE-强调电平。内部拉低为默认值。
请参阅
表2中。
EN
44
我, LVCMOS输出启用驱动器。拉高为默认值。
H =正常运行(启用) 。
L =待机模式。
O, LVCMOS信号检测输出引脚。
H =所有通道上检测到的信号。
L =无信号上的一个或多个信道进行检测。
O, LVCMOS锁定指示灯输出引脚。
H = PLL被锁定。
L = PLL没有锁定。
I,
类似物
I,
类似物
动力
VOD控制引脚。请参阅
表3中。
SEE
功能描述。
外部电阻= 24 kΩ到GND ,输出直流耦合应用。
外部电阻= 12 kΩ到GND ,输出交流耦合应用。
环路滤波电容引脚。
SEE
功能描述。
V
DD
= 3.3 V ±5%. V
DD
引脚应连接到V
DD
飞机通过低阻抗通路。
一个0.1 μF旁路电容应连接各V之间
DD
引脚连接到GND平面。
看到电源旁路了解更多详细信息。
接地参考。 GND应通过低阻抗连接到一个坚实的地面
路径。
接地参考。在包装件的中心露出的焊盘必须被连接到所述
接地平面。
SD
45
LOCK
14
VOD_CRL
48
LFP
LFN
动力
V
DD
40
41
3, 6, 7,
10, 13,
15, 46
22, 24,
27, 30,
31, 34
DAP
GND
GND
裸露
DAP
GND
www.national.com
2
DS22EV5110
引脚名称
其他
RESERV
引脚数
16, 17,
18, 19,
20,21,
23
I / O类型
描述
版权所有。不要连接。平仓离场。
注意:
I =输入, O =输出,
IO =输入/输出,
接线图
30094952
TOP VIEW - 不按比例
订购信息
NSID
DS22EV5110SQE
DS22EV5110SQ
DS22EV5110SQX
48引脚LLP
48引脚LLP
48引脚LLP
磁带&卷轴数量
250
1000
2,500
包装数
SQA48A
SQA48A
SQA48A
3
www.national.com
DS22EV5110
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压(V
DD
)
LVCMOS输入电压
LVCMOS输出电压
CML输入/输出电压
结温
储存温度
铅温度。 (焊接, 5秒)
-0.5V至4.0V
-0.5V至(Ⅴ
DD
+ 0.5) V
-0.5V至(Ⅴ
DD
+ 0.5) V
-0.5V至(Ⅴ
DD
+ 0.5) V
+125°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
ESD额定值
HBM , 1.5 kΩ的, 100 pF的
热阻
θ
JA
,没有气流
>8千伏
33°C/W
推荐工作
条件
(注3,4)
电源电压
(V
DD
到GND)
电源噪声容限
(100赫兹到50兆赫)
环境温度
3.135
典型值
3.3
100
0
25
+70
最大
3.465
单位
V
MVP -P
°C
电气特性
在推荐,除非另有规定工作电源和温度范围内。所有参数都通过测试保证,
统计分析,或设计,除非另有规定。 (注3)
符号
动力
EN = H ,设备启用
PRBS15模式, FCLK = 225
兆赫
RT = 50Ω至AV
CC
,
图2
EN = L时,待机模式
PRBS15模式, FCLK = 225
兆赫
RT = 50Ω至AV
CC
,
图2
参数
条件
典型值
最大
单位
1000
1150
mW
P
电源
消费
750
900
mW
LVCMOS / LVTTL DC规格
VIH
VIL
VOH
VOL
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
低电平输出
电压
IOH = -3毫安
IOL = 3毫安
2
GND
2.4
0.4
V
DD
0.8
V
V
V
V
IIH
VIN = V
DD
, EQ2 , EQ1 , EQ0 ,
DE1 , DE0 ,旁路引脚
输入高电流
(下拉)
VIN = V
DD
, EN引脚(拉)
VIN = 0 V , EQ2 , EQ1 , EQ0 ,
DE1 , DE0 ,旁路引脚
输入低电平电流
(下拉)
VIN = 0 V , EN引脚(拉)
-20
-15
60
mA
mA
IIL
15
μA
μA
信号检测
SDH
SDL
默认的输入信号电平来
信号检测断言高标清销
默认的输入信号电平来
信号检测低撤消SD
80
20
MVP -P
MVP -P
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4
DS22EV5110
符号
CML输入
VTX
参数
输入电压
秋千(启动
振幅)
输入共
电压模式
条件
典型值
最大
单位
在差分测量
TPA ,图1 ,注4
直流耦合要求
测得城规会,
VINmin=800mV,
VINmax=1200mV,
图1
在差分测量
城规会,
图1
2.25 Gbps的速率,时钟模式
IN +到V
DD
和IN到V
DD
800
1000
1560
MVP -P
VICMDC
V
DD
-0.3
V
DD
-0.2
V
VIN
RLI
CML输出
输入电压
灵敏度
输入阻抗
150
40
50
10
1560
60
MVP -P
dB
迪FF erential输出
100兆赫 - 1125兆赫
回波损耗
在测量直流输出
TPC , RT = 50Ω时, DUT
V
DD
已关闭与OUT +和
OUT-通过RT终止=
50Ω到AV
CC
,
图2
VOFF
待机输出
电压
AV
CC
- 10
AV
CC
+ 10
mV
VO
外部电阻= 24 kΩ的时
VOD_CRL pin.Measured
差分输出差分与OUT +和
OUT-终止
电压摆幅
RT = 50Ω至AV
CC
,图
2,
3
输出共
电压模式
测量单端,
> 1.65 Gbps的,
图2
20 %至80%的差
输出电压时,测得的
内1“从输出管脚,
科幻gure 3
差异在50%的交叉
通道之间
2.25 Gbps的速率,时钟模式
(注4 )
差异在50%的交叉
的任意两个信道之间的
器件
2.25 Gbps的速率,时钟模式
2.25 Gbps的速率,时钟模式,
图4
2.25 Gbps的速率,时钟模式,
图4
图4
时钟路径
(注4 )
数据路径
(注4 )
800
1200
MVP -P
VOCM
AV
CC
- 0.35
AV
CC
- 0.2
V
TR , TF
转换时间
85
ps
Tccsk
国米双数据
通道用于─
通道偏移(所有
3个数据通道)
国米双数据
本部渠道
toPart倾斜
数据通道
潜伏期
时钟通道
潜伏期
标清到锁定时间
2
3
ps
tPPSK
50
ps
TDD
TCD
400
600
ps
ps
LVCMOS输出
TSL
比特率
FCLK
bR
时钟频率
比特率
25
0.25
250
2.25
兆赫
Gbps的
4
ms
5
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电话:021-51872165/51872561
联系人:陈小姐 付先生
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联系人:陈泽强
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