DS2227
灵活的NV SRAM STIK
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特点
灵活组织为128K ×32 , 256K ×16 ,
或者512K ×8位
数据保留>10年在没有
V
CC
非易失性电路,透明的和
独立于主机系统
自动写保护电路
防止数据丢失保障
独立的芯片使允许按字节访问,
字或长字
快速存取时间: 70纳秒, 100 ns或120纳秒
没有写次数限制
读周期时间等于写周期时间
采用流行的JEDEC标准72位
SIMM连接方案
锂能源电
断开,维持保鲜状态,直到电源
施加首次
引脚分配
1
1M
SRAM
1M
SRAM
1M
SRAM
1M
SRAM
72引脚SIP STIK
72
描述
在DS2227弹性NV SRAM STIK是一个自包含的4,194,304位非易失静态RAM可以
被灵活地组织成128K的×32位, 256k个×16位,或512K的×8位。非易失性存储器中包含
所有必要的控制电路和锂的能量来源,以在没有保持数据的完整性
功率为10年以上。在DS2227采用了流行的JEDEC标准72位SIMM
连接方案无需额外的电路。
手术
在DS2227灵活的NV SRAM STIK用于像任何标准的静态RAM 。所有非易失性电路是
对用户透明。该部分的柔软性是通过提供单独的读,写,和芯片实现
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DS2227
选择引脚为每四家银行的板载存储器中(见图1) 。对于运营为512K ×8 NV
SRAM STIK ,配合各家银行的所有数据线一起(即所有D0S在一起,所有的D1S在一起,等) 。读
使能和写使能也绑在一起。对于运营为256K ×16的NV SRAM STIK ,配合数据
线从两家银行一起。芯片使能,读使能和写使这些银行也
绑在一起。连接到DS2227通过使用行业标准的72位SIMM插槽制成
DS9072-72V ( AMP部件编号821824-8 ) 。这些SIMM插槽也是可以垂直,
倾斜或平行安装,具体取决于可用的高度。看到DS907x SipStik
TM
连接器
从达拉斯半导体公司。
读取模式
在DS2227执行一个读周期时
WE
(写使能)处于非活动状态(高)和
CE
(芯片使能)
和
OE
(输出使能)有效(低) 。由17地址输入指定的唯一地址(A
0
- A
16
)
定义了数据的字节将被访问。有效的数据将提供给八个数据内的I / O引脚
t
加
(访问时间)的最后一个地址输入信号之后是稳定的,所提供的
CE
和
OE
访问时间
还纳。如果
OE
和
CE
次都没有满足,则数据存取,必须从后面来测量
出现的信号(
CE
or
OE
)和限制性参数是吨
CO
为
CE
或T
OE
为
OE
而不是
地址访问。
写模式
在DS2227处于写模式时都
WE
和
CE
信号是在后的有效(低电平)状态
地址输入是稳定的。后者发生的下降沿
CE
or
WE
将确定的开始
写周期。写周期是由早期的上升沿终止
CE
or
WE
。所有地址输入必须
保持有效的整个写周期。
WE
必须返回到高状态的最小恢复时间
(t
WR
)另一个循环之前可以启动。该
OE
控制信号应在保持非活动状态(高)
写周期,以避免总线冲突。然而,如果输出总线已经启用(
CE
和
OE
活动)
然后
WE
将禁止输出到t
ODW
从它的下降沿。
数据保持方式
该DS2227提供了V全功能的能力
CC
大于4.5伏,写保证
保护V
CC
小于4.25伏特。数据被保持在无Ⅴ的
CC
没有任何附加
支持电路。在DS2227持续监视V
CC
。如若电源电压衰减,在NV
SRAM自动写保护自己,所有的输入变得“不关心” ,所有输出变为高
阻抗。由于V
CC
低于约3.0伏特降低,电源开关电路连接的锂
能源到RAM中保留的数据。在上电期间,当V
CC
上升到大约3.0伏,
所述电源开关电路连接的外部V
CC
RAM和断开锂电池的能量来源。
V后正常RAM操作就可以恢复
CC
超过4.5伏。
在DS2227检查锂状态,以警告潜在的数据丢失。每次使V
CC
电源恢复
在DS2227 ,电池电压,检查用精密比较器。如果电池电源电压低于
2.0伏,给设备的第二存储器存取被禁止。电池状态可以,因此,要
通过三个步骤的过程来确定。首先,在读周期中执行,以在存储器中的任何位置,以便
保存该位置的内容。随后的写周期可以被执行以相同的存储器
位置,改变数据。如果下一个读周期没有验证所写入的数据,则该电池电压不足
比2.0V和数据是在被破坏的危险。
该DS2227还提供电池冗余。在许多应用中数据的完整性是至关重要的。该
DS2227提供了两个电池的每个SRAM和内部隔离开关在它们之间进行选择。
在备用电池,该电池具有最高电压被选择使用。如果一个电池出现故障,则
其他自动接管。电池之间的切换是对用户透明的。
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