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DS2223/DS2224

EconoRAM

特点

包装外形

TO–92

低成本，通用型， 256位存储器

- DS2223具有256位的SRAM

- DS2224有32位ROM ， 224位SRAM

减少

单针

控制，地址和数据接口到一个

每个DS2224的32位ROM是工厂光刻用

唯一的序列号

ROM的定制代码和独特的DS2224部分

可用序列号

SOT–223

最小

工作电源：每45 nanocoulombs

交易@ 1.5V典型

小于15 nA的待机电流，在25℃下

非易失性数据

底部视图

见机甲。图纸

部分

保持轻松通过实现低

成本碱性电池或电容器

制器

直接连接到流行microcontrol-的端口引脚

从1.2到5.5伏特操作

流行的TO- 92或SOT- 223表面贴装封装

工作在工业温度范围-40 ° C至

+85°C

顶视图

见机甲。图纸

部分

引脚连接

销1

销2

3脚

引脚4

GND

–

地

IN / OUT数据

供应

地

描述

在DS2223和DS2224 EconoRAMs是完全静态的，

微供电，读/写存储器中的低成本

TO- 92或SOT- 223封装。该DS2223是奥尔加

的发布作为串行256× 1位的静态读/写存储器。

在DS2224的第32位光刻了一个唯一的ID

在制造时的代码;其余224位

是静态的读/写存储器。信号所必需的

读或写操作，减少到只有一个接口的领先优势。

同时DS2223和DS2224不推荐

新设计。然而，这些部件将保持可用

可直到2003年，至少。

订购信息

DS2223

DS2223Z

DS2223T

DS2223Y

DS2224

DS2224Z

DS2224T

DS2224Y

256位SRAM - TO- 92封装

256位SRAM - SOT- 223封装

1000件磁带和卷轴DS2223的

2500件磁带和卷轴DS2223Z的

32位序列号（ROM ）， 224位

SRAM - TO- 92封装

32位序列号（ROM ）， 224位

SRAM - SOT- 223封装

1000件磁带和卷轴DS2224的

2500件磁带和卷轴DS2224Z的

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DS2223/DS2224

手术

向和从EconoRAM所有通信都是

通过单一接口的导线来实现的。 EconoRAM

数据被读出，并通过使用时隙的写入。所有

数据的前面是命令字节来指定类型

的交易。

一旦一个特定的事务一直

发起的，不管是读还是写操作，它必须的COM

pleted的另一个前所有内存位置

交易可以开始。

读取或写入事务

读取或写入事务由执行初始化

在EconoRAM到已知状态，发出命令

字节，然后产生的时隙，以任一读

EconoRAM内容或写入新的数据。每个交易

化由264个时隙。八个时隙传输

命令字节，剩下的256个时隙传输

FER的数据位。（参见图5 ）一旦交易

启动时，它必须在新的交易前完成

可以开始了。

初始设置EconoRAM到已知状态， 264

写零时隙必须由主机发送。这些

写0时隙不会破坏了生态数据

因为一个命令字节NORAM尚未写入。

此操作将增加地址指针间

纳尔到EconoRAM到其最大计数值。上

达到这个最大值， EconoRAM会

忽略颁发给它的所有附加写0时隙，

内部地址指针将保持在顶部锁定

计数值。这个条件由接收除去

写一个时隙中，通常是第一个一个COM位

命令字节。

一旦EconoRAM已经设置到已知的状态，

命令字节被发送到与EconoRAM

8个写时隙。这将地址指针复位

内部的EconoRAM并准备将其在

适当的操作，不管是读还是写操作。

命令字节已经收到了生态后

NORAM ，主机控制数据的传送。在

情况下的读事务时，主机会发出256读出时间

插槽。在写事务中，主机的问题的情况下

根据数据256写时隙被写入。

所有数据都读入和写出最显著位。

虽然DS2224具有第一32位替换为

光刻ROM ，而不是SRAM ，它要求写256

时隙为一个完整的写事务处理。数据

在第32写时隙发送不具有

在DS2224比推进内部其他影响

地址指针。如前所述，这是不可能

从读到写或反之亦然传输前更改

动作完成。

1-Wire信令

该EconoRAM需要严格的协议来保证数据的

诚信。该协议包括三种类型的信号 -

林志玲在同一行：写0时隙，写1时隙和

读数据的时隙。所有这些信号都是由发起

主机。

读/写时隙

写操作的定义和读时隙被示

在图1至图3，所有时隙由发起

主机驱动数据线为低。数据的下降沿

线由TRIGGER-同步EconoRAM到主机

荷兰国际集团的EconoRAM一个延迟电路。在写

插槽方面，延时电路决定EconoRAM时

将采样数据线。对读数据的时隙，如果是“ 0”

要被发送时，延迟电路确定如何

长EconoRAM将保持数据线为低压倒一切

由主机1中产生。如果数据位是“ 1”，则

EconoRAM保持读数据的时隙

不变。

命令字节

命令字节到指定的类型的事务是

从主机首先发送LSB的EconoRAM

通过写时隙。命令字节的第一个比特

（参见图4）是一个逻辑1。这表示对中经济

RAM的该一个命令字节被写入。接下来的两

位是选位，表示物理

该EconoRAM要被访问的（设置为地址

目前， 00 ）。剩余的5位确定是否

一个读或写操作是遵循。如果一个写操作

要被执行的，所有5位都被置为逻辑1电平。如果

在读操作将被执行，任何或所有这些

位设置为逻辑0电平。所有8位的COM的

命令字节被发送到EconoRAM用sep-

独的时隙对每个比特。

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DS2223/DS2224

读/写时序图

写1时隙

图1

SLOT

上拉

PULLUP MIN

IH MIN

IL最大

REC

DS2223/DS2224

采样窗口

LOW1

＆ LT ;吨

SLOT

＆ LT ;

＆ LT ;吨

LOW1

＆ LT ; 15

＆ LT ;吨

REC

＆ LT ;

写0时隙

图2

REC

SLOT

上拉

PULLUP MIN

IH MIN

IL最大

DS2223/DS2224

采样窗口

LOW0

＆ LT ;吨

LOW0

＆ LT ;吨

SLOT

＆ LT ;

＆ LT ;吨

REC

＆ LT ;

读数据时隙

科幻gure 3

SLOT

上拉

PULLUP MIN

IH MIN

IL最大

LOWR

RDV

REC

HOST采样

窗口

发布

电阻器

主

DS2223/DS2224

＆ LT ;吨

SLOT

＆ LT ;

＆ LT ;吨

LOWR

＆ LT ; 15

0 <牛逼

发布

< 45

＆ LT ;吨

REC

＆ LT ;

RDV

= 15

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DS2223/DS2224

命令字

图4

最高位

W / R

最低位

全1 - 写

ANY 0 - READ

选位

读/写事务

图5

最低位

DS2223

命令字

256位SRAM

DS2224

命令字

只读存储器

224位的SRAM

读/写流量

收到命令字

（复位地址指针）

8位

264–BIT

交易

读/写数据位和

增量地址指针

地址是

指针= 256 ？

HOLD地址指针

价值，等待新的

命令字复位

地址计数器

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DS2223/DS2224

典型电流消耗VS.比特率

图6

4V @ + 25°C

消耗电流

129 PC /位

100 nA的

10 nA的

5 nA的

10个基点

100个基点

1 kbps的

比特率

10 kbps的

100 kbps的

典型漏电流VS.温度

图7

15.0

= 4.0V

12.0

纳安

漏电流

9.0

6.0

3.0

0.0

–10

+10

+20

+30

+40

+50

+60

+70

温度（ ℃）

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